INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN

MATERIA:
FISICA DE SEMICONDUCTORES

DOCENTE:
SANTOS RUIZ GRACIELA DEL C.

ALUMNO:
DOLORES TOLEDO JESUS AUDREY

ESPECIALIDAD:
ING. ELECTRONICA

DIODO:
Diodos de unin p-n

Un diodo de estado slido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor compuestas por tomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas se someten por separado a un proceso denominado dopado consistente en aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones.
Concepto de hueco en el cristal de silicio

Cristal de silicio (Si) puro dopado con otro elemento. Semiconductor diferente como el galio (Ga), por ejemplo. que se le aade como impureza. Observe el hueco que. Queda en la rbita externa del galio cuando comparte sus. Siete electrones con los del silicio. Como se puede. Observar,. todos los tomos de silicio comparten entre s.sus. cuatro electrones para completar as, formando. Enlaces. covalentes, los ocho que requieren todos los.tomos en. su ltima rbita. Como se puede apreciar tambin, el galio slo puede aportar siete electrones cuando se une a la. Estructura molecular del silicio; por ese. Motivo. Aparece un espacio vaco o hueco a falta del. Octavo electrn. Ese. Electrn faltante lo aportar posteriormente la fuente de. Suministro de energa elctrica,. Como puede ser una batera, a la que se conecte.finalmente e cristal semiconductor. Durante el proceso de dopado, a una de las piezas de silicio que formar despus el diodo se le aaden algunas molculas de otro elemento semiconductor diferente al

silicio, denominadas impurezas. Esas molculas, que en nuestro ejemplo sern de galio (Ga), convertirn al cristal de silicio en un semiconductor tipo-p, con polaridad positiva (P). Como resultado del proceso de dopado, en la ltima rbita de los tomos de galio se formarn huecos en aquellos sitios que deban estar ocupados por los electrones que faltan para completar ocho. La segunda pieza de cristal de silicio puro se somete tambin al proceso de dopado, pero esta vez aadiendo impurezas pertenecientes a tomos de otro elemento semiconductor diferente, como antimonio (Sb), por ejemplo. De esa forma se convierte en cristal de silicio tipo-n, o sea, con polaridad negativa (N), caracterizada por contener exceso de electrones en la ltima rbita de los tomos de antimonio que se han aadido como impurezas.

Cristal de silicio (Si) dopado con antimonio (Sb). Observe que en la ltima rbita del antimonio aparecen nueve electrones en lugar de ocho, o sea, uno en exceso. Por tanto, en este caso se sobrepasa el nmero total de que se requieren para completar dicha rbita. Ese electrn sobrante podr moverse despus libremente dentro de la estructura atmica del cristal de silicio para conducir la corriente elctrica cuando se conecte una batera u otra fuente suministradora de energa electromotriz.

En resumen, una vez finalizado el proceso de dopado se habrn obtenido dos piezas semiconductoras de cristal de silicio diferentes entre s: una positiva, tipo-p (P) con exceso de huecos y, por tanto, con faltante de electrones, y otra negativa tipo-n (N) con exceso de estos.
Formacin de los diodos semiconductores comunes de silicio

El siguiente paso para construir el diodo es unir la pieza de conduccin positiva tipo-p o P con la pieza de conduccin negativa tipo-n o N. De esa forma se obtiene un diodo semiconductor de silicio de unin o juntura p-n, en el que la parte positiva P constituye el nodo (A) y la parte negativa N elctodo

(K). Para facilitar la conexin al circuito electrnico donde funcionar posteriormente el diodo as formado, se le aade a cada uno de sus extremos un terminal de alambre conductor para permitir que la corriente elctrica pueda atravesarlo.

Figura esquemtica de un diodo de unin o juntura p-n. La parte izquierda "P" es la positiva y corresponde al nodo.(A),mientras que la derecha "N" es la negativa y corresponde al. ctodo (K) . Abajo se muestra el smbolo general que identifica al diodo. Aunque en teora los diodos de silicio de unin p-n se fabrican uniendo dos piezas de silicio de polaridad diferente como se ha expuesto ms arriba, en realidad industrialmente se fabrican de una sola pieza al mismo tiempo desde el principio hasta el final del proceso de dopado. Durante ese proceso de produccin se forman simultneamente dos regiones adyacentes, pero de signo contrario: una positiva P y otra negativa N, evitando as tener que unirlas posteriormente. Los elementos que contiene un diodo de silicio se protegen de factores externos que lo puedan deteriorar o afectar en su funcionamiento posterior, introducindolos en unos casos dentro de una cpsula de plstico y en otros casos dentro de un tubito de cristal. Adems, los elementos de los diodos concebidos para soportar mayores cargas de corriente se protegen dentro de cpsulas metlicas.