TRANSISTORES DE METAL OXIDO SEMICONDUCTOR MOSFETS

Dispositivo con el mismo principio que el JFET, pero funciona y se construye de manera diferente. La compuerta est formada por una capa metlica, un aislante (Dixido de Silicio), y un material semiconductor. El potencial aplicado en la compuerta tiene el poder de influir en el canal que dejar pasar la corriente. Hay que notar que la compuerta no tiene contacto elctrico con el canal, sino que est aislada, por lo que el dispositivo presenta alta impedancia de entrada.

W = Ancho del canal L = Longitud del canal tox = Espesor de la capa de xido

D = Drenador (o Drain o sumidero) S = Fuente (o Source o surtidor) G = Compuerta (o Gate) B = Sustrato (o Bulk)

Tipos : a) De canal inducido o acumulacin o de ensanchamiento b) De canal permanente o de agotamiento o estrechamiento

Ambos pueden ser de canal N o de canal P

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO ACUMULACIN

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N (N-MOS) DE ENRIQUECIMIENTO ACUMULACIN

Se establecen potenciales VDS y VGS ambos positivos. El potencial positivo en la compuerta repele a los huecos del sustrato, y atrae a los electrones (minoritarios), que inducirn un canal. A medida que VGS aumenta a valores ms positivos, aumenta el tamao del canal, porque se atraen ms portadores negativos.
Existir un nivel de VGS que ocasione un primer nivel significativo de corriente de drenaje, al que llamaremos voltaje de umbral VT (o V GS (Th )). A partir de ste nivel se considera que el dispositivo hace conducir corriente entre el drenaje y la fuente

EL N-MOS DE ACUMULACIN CREACIN DEL CANAL

Curvas caractersticas del Mosfet de acumulacin. Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del MOSFET son las de transferencia y las de salida. Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de salida (ID) con la tensin de entrada (VGS). En las figuras siguientes se observa para los transistores de canal N y P respectivamente.

Canal N

Canal P

Vt = Vth = Tension umbral

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y relacionan la corriente de salida (ID) versus la tensin de salida (VDS). Son tiles para ver las zonas de operacin del dispositivo y definir los conceptos de punto de operacin y rectas de carga esttica y dinmica. La siguiente figura muestra estas grficas para canal N. Para canal P son similares, solo que las polaridades y los sentidos de la corriente se invierten.
ID VDS = VGS - VTH VGS4 OHMICA SATURACION O CORRIENTE CONSTANTE VGS2 VGS1 CORTE VDS VGS3

1.- Cuando el voltaje drenador-fuente (VDS) es pequeo comparado con (VGS - VTH). En este caso, las cargas libres estarn distribuidas uniformemente en todo el canal y podemos hablar de una densidad de corriente lineal a lo largo del canal,

Js

ID W

En esta regin, la corriente de drenador tiene la siguiente ecuacin:

ID
VTH eN AS tox
ox

2 K VGS
eN AS Cox

VTH VDS
K W L
ox n

t ox

Bajo estas condiciones, se dice que el MOSFET acta en la regin hmica y se le puede usar como resistencia controlada por voltaje. La resistencia del canal es dada por:

RDS

VDS ID

1 2 K VGS VTH

2.-Cuando el voltaje drenador -fuente (VDS) es mayor que (VGS - VTH) En este caso aparece en el canal una zona de agotamiento, de longitud , que reduce el largo del canal, y hace que ID se haga independiente de VDS Este comportamiento se cumple a partir de: VDS = VGS - VTH Reemplazando esta ecuacin en la anterior de ID, llegamos a:

ID

W L

ox

tox

VGS VTH

ID se hace independiente de VDS

A la regin que empieza cuando se cumple VDS = VGS - VTH se le conoce como zona de saturacin o de corriente constante. Esta regin equivale a la zona activa del transistor bipolar

MOSFET canal permanente tipo N

Este Mosfet tiene una construccin parecida a la del de acumulacin, con la diferencia que el canal ya ha sido hecho durante el proceso de fabricacin. A continuacin se muestra su esquema de construccin (para un MOSFET canal N)

En los dispositivos discretos, la fuente (S) est comnmente unida con el sustrato (B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) tambin afecta al funcionamiento del dispositivo. La capa de xido (cuyo espesor se indica con tox) est hecha de xido de silicio (SiO2) posee una permitividad elctrica indicada con ox

ID + VDS ID ID VDS + ID

VGS + CANAL N

+ VGS -

CANAL P

Curvas caractersticas del Mosfet de reduccin. Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del FET son las de transferencia y las de salida. Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de salida (ID) con la tensin de entrada (VGS). En las figuras siguientes se observa para los transistores de canal N y P respectivamente.

ID IDSS

-ID IDSS

VP CANAL N

VGS

VP CANAL P

VGS

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y relacionan la corriente de salida (ID) y versus la tensin de salida (VDS). Son tiles para ver las zonas de operacin del dispositivo y definir los conceptos de punto de operacin y rectas de carga esttica y dinmica. La siguiente figura muestra estas grficas para canal N. Para canal P son similares, solo que las polaridades y los sentidos de la corriente se invierten.
ID VDS = VGS - VP VGS4 OHMICA SATURACION O CORRIENTE CONSTANTE VGS2 VGS1 CORTE VDS VGS3

Se muestran las caractersticas de funcin de transferencia de un Mosfet de canal permanente tipo n , el dispositivo aun conduce aun con tensin nula de compuerta y su conduccin se incrementa para valores positivos de Vgs y se reduce para valores negativos de Vgs

Reduccin de portadores libres en el canal debido a un potencial Negativo entre el terminal de compuerta