Electrnica Aplicada II TP N: 4

R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

TP de Laboratorio 4ta y 5ta parte Diseo del amplificador de potencia, calculo de las protecciones
Desarrollo Caractersticas tpicas Potencia de salida Carga Impedancia de entrada Excursin de salida Consumo sin seal Sensibilidad Ganancia a lazo abierto CALCULOS Etapa de Salida Pu = Vo 2 2.Rc 2.Rc. Pu = 18V VoMAX = 2.25 A Rc Valor adoptado 20 [W] 8 [] 10 [k] Vcc-6V; Vee+6V < 60 [mA] 50 [mV] < Vi < 1 [V] 104 < Av < 105

VoMAX = IoMAX =

Circuito de proteccin El circuito de proteccin esta compuesto por los transistores Q11, Q12, R14 y R18. La finalidad de este circuito es limitar la corriente de la rama de potencia a 3 A. Para cumplir con esta condicin, la cada de tensin en R14 a 3 A debe ser 0,6 V, por lo tanto el valor adoptado de R14 es 0,22. PR14 I .R = lim 14 = 1W 2
2

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 1 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Por seguridad adoptamos R14 = R18 = 0,22 - 2 W Clculo de la tensin de alimentacin VR18 = VR14 = IoMAX.R14 = 0,5 V Valim = 2.VoMAX + VR14 + VR18 + 2.VGS + 2.VCESAT Valim = 36 V + 1 V + 8 V + 2 V = 47 V Adoptamos una fuente partida de +/- 24 V Vcc = +24 V Vee = -24 V

Seleccin del transistor Pd MAX 10.( R14 + 0,8.RL ) I OMAX = 3A 0,75 2.VCC = 64V 0,75

(1,1.Vcc ) 2

= 10,5 W

I DMAX

VDSMAX

Con estos valores adoptamos los siguientes transistores, teniendo en cuenta la relacin precioproducto. IRF540N (Canal N) IRF530N (Canal P)

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 2 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Calculo del disipador Datos: Pd = 10,5 W Ta = 50 C Tj = 175 C Rjc = 1,9 C/W Rcd = 0,5 C/W (mica + grasa siliconada)

Rda =

Tj Ta Rjc Rcd = 11,91 1,9 0,5 = 9,51 C / W Pd

Se utilizar un nico disipador, por lo que Rda deber ser la mitad del valor calculado. Rda 4,7 C / W Por razones de montaje se seleccion un disipador ZD-7x100mm, siendo su Rda = 1,95 C/W Clculo del multiplicador de VBE La finalidad de este circuito es sacar del corte a los transistores MOSFET de la etapa de potencia; adems si Q10 se encuentra en un bloque isotrmico con los transistores de potencia se lograr tambin proteger a la etapa de salida contra el embalamiento trmico. VCEQ10 = 2 VGS = 8 V

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 3 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Considerando RA la resistencia del potencimetro entre Base y Colector, y RB la resistencia entre Base y Emisor el valor del mismo surge de: ICQ10 = ICQ4 = ICQ7 = 1,5 mA Ipot = ICQ10/15 = 0,1 mA RB = VBE10 = 6 K Ipot VCEQ VBE Ipot = 74 K

RA =

Como RA + RB = 80 K, adoptamos un potencimetro de 100 K

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 4 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Simulacin final Niveles de continua

Ajuste de la corriente de polarizacin

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 5 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Distorsin por cruce y estabilidad del circuito Seal de salida:

No se observan oscilaciones ni efectos de la distorsin por cruce.

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 6 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Circuito con protecciones

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 7 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Ensayo del prototipo En las siguientes imgenes verificamos la respuesta en frecuencia del amplificador, llevndolo a una frecuencia de 20kHz, sin que se detecten oscilaciones, distorsin por cruce ni atenuacin de la seal. Seal senoidal 1kHz
Entrada Salida

Seal 20kHz Entrada

senoidal Salida

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 8 de 9

Electrnica Aplicada II TP N: 4
R 95-0434

Fecha: 15/11/06

Universidad Tecnolgica Nacional

Facultad Regional Bueno s Aires

Lista de materiales
Costos placa final Cantidad 1 1 5 2 1 1 5 3 2 2 1 1 2 1 2 1 2 3 2 2 3 1

Descripcin Disipador ZD-7 100mm Ficha RCA p/chasis Pin torneado Mica y niple p/TO220 IRF540 IRF9530 BC546 BC556 1N4148 470uF x 35V 2,2uF 100nF poliester 100nF cermico Trimpot multivueltas vertical 100K 0.22ohm 2W metal film 8.2ohm 2W metal film 33ohm 1/2W metal film 100ohm 1/2W metal film 220ohm 1/2W metal film 330ohm 1/2W metal film 10k 1/2W metal film 180k 1/2W metal film

P.Uni P.Tot $ 16,40 $ 16,40 $ 1,10 $ 1,10 $ 0,01 $ 0,05 $ 0,41 $ 0,82 $ 3,47 $ 3,47 $ 3,20 $ 3,20 $ 0,09 $ 0,45 $ 0,09 $ 0,27 $ 0,06 $ 0,12 $ 0,47 $ 0,93 $ 0,06 $ 0,06 $ 0,46 $ 0,46 $ 0,08 $ 0,16 $ 4,25 $ 0,50 $ 0,24 $ 0,04 $ 0,04 $ 0,04 $ 0,04 $ 0,04 $ 0,04 Total $ 4,25 $ 1,00 $ 0,24 $ 0,08 $ 0,11 $ 0,08 $ 0,08 $ 0,11 $ 0,04 $ 33,47

Conclusiones Podemos decir que se verificaron todos los items solicitados en el Proyecto. A travs del osciloscopio pudimos validar la respuesta en frecuencia del amplificador, la distorsin por cruce casi nula, la ausencia de oscilacin (en todo el rango de frecuencias) y adems comprobamos que los niveles de offset existentes en el mismo son despreciables en todos los casos. Finalmente a travs de una fuente de audio (discman) y la conexin de un parlante de alta potencia (en nuestro caso de 4) se prob el funcionamiento integral del Amplificador de Potencia, obteniendo los resultados esperados.

Grupo:

Ao: 4

Divisin: R01

Docente: Ing. Tulic, Ing. Esquivel

Pgina 9 de 9