1

SEMI CONDUCTEURS :
SEMI CONDUCTEURS :
DIODES
DIODES
-
-
TRANSISTRORS MOS
TRANSISTRORS MOS
AOP
AOP
Christian Dupaty Jean Max Dutertre
pour l EMSE
Daprs un diaporama original de Thomas Heiser
Institut d'Electronique du Solide et des Systmes
2
Paramtres
(coefficients)
Ne
Ns
Amplification
en puissance
Amplification et
Filtrage :
Conditionnement
Electronique
ANALOGIQUE
Electronique
NUMERIQUE
Architecture analogique numrique analogique
Convertisseur
Analogique
Numrique
Convertisseur
Numrique
Analogique
Unit de calcul
(DSP ,
Microcontrleur,
FPGA)
3
Instrumentation
Robotique
Communications
Multimdia
Systmes informatiques
Cartes mmoires

Pourquoi quelles applications ?

4
Histoire des semi-conducteurs
1904 invention de la Diode par John FLEMING Premier tube vide.
1904 Triode (Lampe) par L. DE FOREST
Muse
. Cest un amplificateur
d'intensit lectrique.
1919 Basculeur (flip-flop) de W. H. ECCLES et F. W. JORDAN .Il faudra
encore une quinzaine d'annes avant que l'on s'aperoive que ce circuit
pouvait servir de base l'utilisation lectronique de l'algbre de BOOLE.
1937 Additionneur binaire relais par G. STIBITZ
1942 Diodes au germanium Le germanium est un semi-conducteur, c'est
dire que "dop" par des impurets, il conduit dans un sens ou dans l'autre
suivant la nature de cette impuret. Par l'association d'un morceau de
germanium dop positivement (P) et un morceau dop ngativement (N), on
obtient une diode qui ne conduit le courant que dans un seul sens.
Et les transistors
5
Le transistor effet de champ a t invent en 1925-1928 par J.E. Lilienfeld (bien
avant le transistor bipolaire). Un brevet a t dpos, mais aucune ralisation n'a t
possible avant les annes 60.
1959 : MM. Attala, D. Kahng
et E. Labate fabrique le
premier transistor effet de
champ (FET)
6
Paralllement le premier prototype du transistor bipolaire est
fabriqu en 1947
En 1947 : le premier transistor bipolaire
En 1957 : le premier CI (Texas-Instruments)
7
William Shockley (assis), John
Bardeen, and Walter Brattain,
1948.
William Shockley 1910-
1989
prix Nobel de physique
1956
8
Le premier rcepteur radio
transistors bipolaires
9
En 1971 : le premier Processeur
4004 dINTEL : 15/11/1971
(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits)
10
INTEL ITANIUM Tukwila core
2010 processeur IBM POWER7 , INTEL XEON et ITANIUM
10
9
Transistors MOS
(Nud technologique = taille de la grille dun transistor : 45nm)
11
Electronique molculaire
Une molcule comme composant
Electronique sur plastique
Les technologies mergentes
12
Mais a ne se fait pas tout seul...
13
Contenu du cours d lectronique analogique 1
1. Introduction aux semi-conducteurs, jonction PN
2. Les Diodes
3. Applications des diodes
4. Les Transistors effet de champ
5. Amplificateur oprationnel
14
*Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
*Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
* ELECTRONIQUE Fondements et applications DUNOD 2006
*ELECTRONIQUE ANALOGIQUE VALKOV Educalivre 1994
*Comprendre llectronique par la simulation", Serge Dusausay, Ed. Vuibert
*Principes dlectronique", A.P. Malvino, Dunod
*Microelectronics circuits", A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford University Press
*CMOS Analog Circuit Design", P.E. Allen, D.R. Holberg
*Design of Analog CMOS Integrated Circuits", B. Razavi, McGraw Hill
Bibliographie
15
LES SEMI-CONDUCTEURS
Introduction aux semi-conducteurs, la jonction PN
I Matriaux semi-conducteurs.
1 Introduction.
Quest ce quun semi-conducteur ?
Ni un conducteur, ni un isolant.
Colonne IVA : Si, Ge.
Association IIIA-VA : AsGa, etc.
17
I Matriaux semi-conducteurs
2 Modle des bandes dnergie.
Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons nuage comportant 14 e
-
Rpartition lectronique : 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
couche de
valence : 4 e
-
14
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
Les lectrons voluent sur des orbites stables correspondant
des niveaux dnergie discrets (spars les uns des autres).
Energie
(eV)
Niveaux dnergie
lectronique dun
atome isol :
18
I Matriaux semi-conducteurs
Principe dexclusion de Pauli : deux lectrons ne peuvent occuper le mme tat
quantique.
En consquence, si deux atomes identiques sont approchs une distance de lordre
de leur rayon atomique les niveaux dnergie se ddoublent.
Dans le cas dun cristal, la multiplication des niveaux cre des bandes dnergie
permise (quasi-continuum), spares par des bandes dnergie interdites (c.--d. ne
contenant pas dtat stable possible pour les e
-
).
Energie
(eV)
Niveaux dnergie
lectronique de 2
atomes proches :
Energie
(eV)
Niveaux dnergie
lectronique dun
cristal :
bande permise
bande interdite
Gap
Bande de valence : contient les tats lectroniques des couches priphriques des
atomes du cristal (c.--d. les e
-
de valence, 4 pour le Si)
Bande de conduction : bande permise immdiatement suprieure en nergie la
bande de valence. Les e
-
y sont quasi-libres, ils ont rompus leur lien avec leur atome
dorigine, ils permettent la conduction dun courant.
19
3 Comparaison isolants, conducteurs, et semi-conducteurs.
I Matriaux semi-conducteurs
Classification en fonction de leur rsistivit [.m]
Isolant : > 10
6
.m
Conducteurs : < 10
-6
.m
Semi-conducteur : intermdiaire
Semi-conducteur
E
g
~ 1 eV
Isolant
E
g
~ qqs eV
Conducteur
E
g
~ 0 eV
|

\
|
=
s
l
R .
Energie
(eV)
E
g
conduction conduction
valence
Energie
(eV)
E
g
conduction
valence
Energie
(eV)
conduction
valence
300K
Si Ge AsGa
Eg (eV) 1,12 0,66 1,43
20
4 Le silicium.
a. Semi-conducteur intrinsque (cristal pur).
I Matriaux semi-conducteurs
Cristal de silicium : 4 e
-
de valence
Si
association avec 4 atomes voisins pour obtenir 8 e
-
sur la couche de valence (rgle
de loctet, la couche de valence est sature) :
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
liaison covalente
Structure de la maille cristalline : cubique face centre
21
I Matriaux semi-conducteurs
Cration de paires lectrons - trous
sous laction dun apport dnergie thermique (par exemple)
Energie
(eV)
E
g
b. conduction
b. valence
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Le bandgap E
g
reprsente lnergie minimale ncessaire pour rompre la liaison.
Dplacement des e
-
libres courant
22
Dplacement des trous : de proche en proche courant (de charges +)
I Matriaux semi-conducteurs
Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si
Dans un semi-conducteur il existe 2 types de porteurs de charges :
des porteurs ngatifs : les lectrons de la bande de conduction,
et des porteurs positifs :les trous de la bande de valence.
Le phnomne de cration de paires e
-
- trous saccompagne dun phnomne de
recombinaison (les e
-
libres sont capturs par les trous, ils redeviennent e
-
de valence)
Dure de vie dun porteur = temps sparant la recombinaison de la gnration.
23
Le cristal est lectriquement neutre :
i
n p n = =
I Matriaux semi-conducteurs
[ ]
3
2
3
2
exp . .

|
|

\
|
= cm
kT
E
T A n
g
i
Concentration intrinsque de porteurs lquilibre thermodynamique :
A cste spcifique au matriau [cm
-3
/K
3/2
]
E
g
bandgap [eV]
k = 1,38.10
-23
J/K
T temprature [K]
Loi daction de masse : ) , ( .
2
g i
E T n p n =
elle est toujours vrifie pour un cristal lquilibre thermique (quil soit intrinsque ou non).
3 10
10 . 4 , 1

cm n
i
300K, Si :
24
I Matriaux semi-conducteurs
Phnomne de transport de charges :
courant de conduction cr sous laction dun champ lectrique,
courant de diffusion cr par un gradient de concentration de porteurs.
densit de courant [A/cm
2
] :
V
T
= kT/q = 26 mV 300K, potentiel thermodynamique [V]
n grad V q E n q J
T n n n

+ =
r r
p grad V q E p q J
T p p p

=
r r

n,p
mobilit [cm
2
/V.s]
Pour le Si
n
= 1400 cm
2
/V.s,
p
= 500 cm
2
/V.s
25
I Matriaux semi-conducteurs
Intrt des semi-conducteurs : possibilit de contrler la quantit de porteurs de
charges libres (e
-
et trous) et par consquent la rsistivit.
Comment ? dopage, radiations, temprature, injection de courant, etc.
b. Semi-conducteur extrinsque de type N (ngatif = signe des porteurs de charge majoritaires).
Obtenus par dopage = introduction datomes du groupe V (cf. classification
priodique, 5 e
-
sur la couche de valence) en lieu et place datomes de Si,
gnralement du phosphore P ou de larsenic As.
libration dun e
-
libre, les 4 autres se liant aux atomes de Si voisins (atome
donneur) :
Si Si Si Si
Si Si As
+
Si
Si Si Si Si
-
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
E
D
As
+
: cation fixe
26
I Matriaux semi-conducteurs
Le cristal garde sa neutralit lectrique globale ( chaque lectron libre donn par
les atomes dimpuret correspond un cation fixe).
Porteurs de charges :
majoritaires : e
-
tq n N
D
, concentration du dopage,
minoritaires : trous issus de la gnrations thermique de paires e
-
- trous tq
D i
N n p /
2

27
I Matriaux semi-conducteurs
c. Semi-conducteur extrinsque de type P (positif = signe des porteurs majoritaires).
Obtenus par dopage = introduction datomes du groupe III (cf. classification
priodique, 3 e
-
sur la couche de valence) en lieu et place datomes de Si,
gnralement du bore B ou du gallium Ga.
seules trois liaisons covalentes peuvent tre cres, la 4
me
reste incomplte, un
trou est cr pour chaque atome de dopage. Il va pouvoir tre combl par un e
-
dune
liaison covalente proche (atome accepteur).
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
E
A
B
-
: anion fixe
+
Si Si Si Si
Si Si B Si
B
-
Si Si Si
28
I Matriaux semi-conducteurs
Le cristal garde sa neutralit lectrique globale (pour chaque lectron libre accept
par les atomes dimpuret crant un anion fixe, un trou est cr).
Porteurs de charges :
majoritaires : trous tq p N
A
, concentration de dopage,
minoritaires : e
-
issus de la gnrations thermique de paires e
-
- trous tq
A i
N n n /
2

d. Phnomnes de gnration et de recombinaison.

gnration sous leffet dapport dnergie thermique, photonique, dun champ
lectrique, de radiations ionisantes, etc.
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
h h
5 La jonction PN.
I Matriaux semi-conducteurs
Un semi-conducteur seul (N ou P) prsente peu dintrt, cest lassociation de
plusieurs SC dops qui permet de crer les composants semi-conducteurs. Le plus
simple dentre eux est la jonction PN (ou diode), il permet en outre dapprhender le
fonctionnement des transistors.
a. Jonction PN non polarise, lquilibre.
ion fixe
trou
mobile
paire e
-
- trou
minoritaire
ion fixe
e
-
mobile
paire e
-
- trou
minoritaire
Semi-conducteur P Semi-conducteur N
majoritaire
majoritaire
Que se passe-t-il si lon met en contact un s.-c. de type P avec un s.-c. de type N pour
raliser une jonction PN ? (! Attention ! cest simplement une vue de lesprit, ce nest pas ainsi que lon
procde)
30
I Matriaux semi-conducteurs
Considrant la jonction dans son ensemble, il existe un gradient de porteurs de
charges :
cration dun courant de diffusion :
des trous mobiles du s.-c. P vers le s.-c. N, au moment de leur entre dans la
zone N contenant des e
-
majoritaires les trous se recombinent avec les e
-
,
des e
-
mobiles du s.-c. N vers le s.-c. P, au moment de leur entre dans la zone P
contenant des trous majoritaires les e
-
se recombinent avec les trous.
Chaque trou (resp. e
-
) majoritaire quittant le s.-c. P (N) laisse derrire lui un anion
(cation) fixe et entrane lapparition dun cation (anion) fixe dans le s.-c. N (P) du fait
de sa recombinaison avec un e
-
(trou). Ces ions sont localiss proximit de la zone de
contact entre les deux s.-c. (la zone de charge despace, ZCE), ils sont lorigine de la
cration dun champ lectrique qui soppose au courant de diffusion. Ce champ
lectrique est quivalent une diffrence de potentiel appele barrire de potentiel
(V
0
= 0,7 V pour le silicium, 0,3 V pour le germanium).
Un tat dquilibre est atteint, pour lequel :
seuls qqs porteurs majoritaires ont une nergie suffisante pour franchir la ZCE et
contribuer au courant de diffusion I
D
, il est compens par,
un courant de saturation inverse, I
s
, cr par les porteurs minoritaires lorsqu'ils
sont capturs par le champ lectrique de la ZCE.
31
I Matriaux semi-conducteurs
zone neutre
Jonction PN non
polarise,
lquilibre :
s.-c P
zone neutre
s.-c N
zone de charge
despace
E
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
0
qV
s.-c N
V
0
: barrire
de potentiel
tq
ZCE = zone de dpltion = zone dserte

D
I

s
I
|
|

\
|
=
2
0
ln .
i
D A
n
N N
q
kT
V
|

\
|

=
kT
eV
I I
s
0
0
exp .
32
I Matriaux semi-conducteurs
b. Jonction PN polarise en direct.
P N
V
PN
> 0
R
I
PN
E
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
( )
PN
V V q
0
V
alim
abaissement de la barrire de potentiel
rduction de la ZCE et du champ lectrique
33
I Matriaux semi-conducteurs
On tablit :
(

= 1 .
T
PN
V
V
s PN
e I I
On retiendra que le courant traverse facilement une diode polarise en direct
(V
PN
> V
0
)
Rsistance dynamique dune jonction polarise en direct :
V
alim
= V
alim
+ dV I
PN
= I
PN
+ dI
On obtient :
PN
T
I
V
dI
dV
r = =
34
Charge stocke dans une jonction polarise en direct :
I Matriaux semi-conducteurs
Non polaris :
Polarisation
directe :
Avant de bloquer une jonction PN polarise en directe il faut vacuer ces charges
en excs par rapport la situation dquilibre courant inverse transitoire (cf.
temps de recouvrement dans la suite du cours).
35
I Matriaux semi-conducteurs
E
Energie
(eV)
b. conduction
b. valence
( )
lim 0 a
V V q +
c. Jonction PN polarise en inverse.
P N
V
PN
= - V
alim
< 0
R
I
PN
0
V
alim
augmentation de la barrire de potentiel
largissement de la ZCE et intensification du champ
lectrique
36
I Matriaux semi-conducteurs
Claquage :
Tension de claquage = tension inverse limite supportable au-del de laquelle apparait le
phnomne davalanche.
Sous leffet dune tension inverse leve les porteurs minoritaires sont acclrs et
acquirent suffisamment dnergie pour arracher leur tour dautre e
-
de valence lors
des chocs. Une raction en chaine apparait.
le courant inverse devient trs important (claquage).
le courant de diffusion (porteurs majoritaires) est quasi-nul.
seul subsiste un courant inverse trs faible, I
PN
= -I
s
, de porteurs minoritaires.
37
I Matriaux semi-conducteurs
d. Influence de la temprature.
Sur I
s
:
courant d aux porteurs minoritaires crs par gnration thermique, il augmente
rapidement avec T pour le Si il double tout les 7C.
Sur V
0
la barrire de potentiel :
pour le Si autour de 300K elle dcroit de 2 mV pour une augmentation de 1C.
= / 2
0
mV
dT
dV
38
I Matriaux semi-conducteurs
6 La diode jonction PN.
P N
A K
anode "k"athode
V
AK
I
AK
39
Diffrentes diodes : Symboles
Diode
Diode Zener
Diode Schottky
Diode Varicap
Diode lectro luminescente (LED)
Anode A
Cathode K
En inverse pour la rgulation
Pour les commutations rapide
En HF
Faut il la prsenter ?
40 40
40
Diodes de signal (ex 1N914)
Faible intensit (jusqu 100 mA)
Faible tension inverse (jusqu 100V)
Souvent trs rapides (trr<10ns)
donc adapte la commutation
Botier verre (ou CMS)
Lanneau repre la cathode
Marquage le plus souvent en clair
41
Diodes de redressement (ex 1N400x)
Forte intensit (1A)
Forte tension inverse (jusqu 1000V)
Lente en commutation (trr>100ns)
rserve aux basses frquences
Botier plastique
Lanneau repre la cathode
Marquage le plus souvent en clair
42
Diodes LEDs
Choisies pour leur couleur,
luminosit et taille
La tension Vf dpend de
la couleur (nergie)
Lintensit est pulse pour accrotre
lefficacit lumineuse
Bicolores deux ou multicolore par
combinaisons de courants
Isoles ou assembles
43
Diodes de puissance
Utilises gnralement pour le
redressement de puissance
Dans les onduleurs par exemple
IF >100A
44
Autres diodes
SCHOTTKY pour la commutation rapide en
puissance et la faible chute Vf
TRANSIL pour absorber les courants dues
aux surtensions (protection aux dcharges)
PHOTODIODE polarise en inverse cest un
convertisseur lumire/courant
45
2. Les Diodes
I
d
V
d
2.1 Dfinition
n Caractristique courant-
tension dune diode
idale :
I
d
V
d
sous polarisation directe
(V
d
0), la diode = court-
circuit
(i.e. conducteur parfait)
sous polarisation inverse (V
d
<0)
la diode = circuit ouvert
* Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles
que le redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).
*La diode (mme idale) est un composant non-linaire
*ON NE SAIT PAS FABRIQUER UNE DIODE IDEALE !!!!
46
2.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium
hyp: rgime
statique
(tension et courant
indpendants du
temps)
V
d
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d
I
s
Pour V
d
<0, la diode se comporte comme un bon isolant : I
s
~ 1 pA - 1A ,
la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, I
s
, augmente avec la temprature
comportement linaire
Pour V
d
>> ~0.6v, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais I
d
nest pas proportionnel V
d
(il existe une tension seuil~ V
o
)
V
o
47
V
d
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d
(
(

|
|

\
|
1
T
d
V m
V
s d
e I I
Zone du coude : V
d
[0,~ V
o
] : augmentation exponentielle du courant
avec 1m 2 (facteur didalit)
V
T
= k T/e ,pour T=300K (26,85C), V
T
=26mV
e= 1.6 10
-19
Coulomb, T la temprature en Kelvin
k = 1,38 10
-23
J/K= constante de Boltzmann
I
s
= courant inverse
le comportement est fortement non-linaire
variation avec la temprature
Rq : pour Vd>>Vt le terme (-1) est negligeable
V
o
Influence de T :
V
d
( I
d
constant) diminue de ~2mV/C
diode bloque :
I
d
= I
S
double tous les 10C
diode passante :
(diode en Si)
48
Zone de claquage inverse
Ordre de grandeur :
V
max
= quelques dizaines de Volts qq 1000v
peut conduire la destruction pour
une diode non conue pour
fonctionner dans cette zone.
V
max
= P.I. V (Peak Inverse Voltage)
ou P.R.V (Peak Reverse Voltage)
I
d
V
d
V
max
claquage par effet
Zener ou Avalanche
V
o
Limites de fonctionnement :
Il faut que V
d
I
d
=P
max
Limitation en puissance
V
d
I
d
=P
max
49
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge
2.3.1 Point de fonctionnement
V
al
R
L
V
R
I
d
I
d
, V
d
, ?
Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un
circuit et le courant qui la traverse?
V
d
I
d
et V
d
respectent les Lois de Kirchhoff (conservation d nergie, loi des nuds,
loi des mailles)
I
d
et V
d
sont sur la caractristique I(V) du composant
Au point de fonctionnement de la diode, (I
d
,V
d
) remplissent ces deux conditions
50
V
al
/R
L
V
al
Droite de charge
I
d
V
d
Caractristique I(V)
2.3.2 Droite de charge
Loi de Kirchoff :
L
d al
d
R
V V
I

= L
= Droite de charge de la diode dans le circuit
Connaissant I
d
(V
d
) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement
procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un
modle simplifi.
Q= Point de fonctionnement I
Q
V
Q
Q
51
2.4 Modles Statiques segments linaires
2.4.1. Premire approximation: Diode idale
On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale
Ce modle est surtout utilis en electronique numrique
V
al
>0
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
al
< 0
I
d
V
d
V
al
V
al
R
i
I
d
V
d
I
d
V
d
pas de tension seuil
conducteur parfait sous polarisation directe
V
d
<0: circuit ouvert
diode bloque
0 <
d
V
al d d
V V I = = , 0
V
al
R
i
Schmas quivalents :
V
al
R
i
0 , = =
d
i
al
d
V
R
V
I
diode passante
0
d
I
hyp: I
d
, V
d
constants
52
2.4.2 Seconde approximation
I
d
V
d
I
d
V
d
tension seuil V
o
non nulle
caractristique directe
verticale (pas de rsistance
srie)
V
d
<0: circuit ouvert
V
o
V
al
R
i
V
o
schmas quivalents :
diode passante
0
d
I
I
d
V
al
R
i
V
al
<V
o
V
d
V
al
o d
i
o al
d
V V
R
V V
I =

= ,
diode bloque
o d
V V <
al d d
V V I = = , 0
V
al
R
i
Schmas quivalents
V
al
>V
o
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
o
* Pour une diode en Si: V
o
0,6-0,7 V
53
2.4.3 3
ime
Approximation
I
d
V
d
tension seuil V
o
non nulle
rsistance directe R
f
non nulle
V
d
<0: rsistance R
r
finie
V
d
1
V
o
Modlisation
pente = 1/R
f
pente = 1/R
r
~ 0
Caractristique relle
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
Schmas quivalents
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
o
V
al
>V
o
:
V
al
R
i
I
d
V
d
V
al
R
r
diode bloque
V
al
<V
o
:
o d
V V <
V
al
R
i
diode passante
V
o
R
f
schmas quivalents :
o d d
V V I et 0
d f o d
I R V V + =
V
d
I
d
Pour une diode en silicium,
V
o
= 0,6-0.7V, R
f
~ q.q . 10,
R
r
>> M,
54
Remarques :

d
d
f
I
V
R
Le choix du modle dpend de la prcision requise.
Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la
caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus
volus (modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).
.model D1N757 D(Is=2.453f Rs=2.9 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=78p
M=.4399
+ Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.762n Nr=2 Bv=9.1 Ibv=.48516 Nbv=.7022
+ Ibvl=1m Nbvl=.13785 Tbv1=604.396u)
* Motorola pid=1N757 case=DO-35
* 89-9-18 gjg
* Vz = 9.1 @ 20mA, Zz = 21 @ 1mA, Zz = 7.25 @ 5mA, Zz = 2.7 @ 20mA
Exemple de modle SPICE : diode 1N757
DIODE PARFAITE
RI
VF
Modle couramment utilis
55
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ime approximation pour la diode.
V
al
= 5V
R
L
=
1k
>
mA
R R
V V
I
L f
o al
d
33 , 4 =
+

= L
V I R V V
d f o d
66 , 0 et = + =
Informations sur la diode:
V
o
= 0.6V (Si)
R
f
= 15
R
r
=1M
5V
1k
V
o
R
f
V
d
>
I
d
hypothse initiale : diode passante
[V
d
>V
o
, (I
d
>0)]
OK!
En utilisant la 2ime approximation: (R
f
= 0, R
r
= ) V V mA I
d d
6 , 0 et 4 , 4 = = L
La 2
ime
approx. est souvent suffisante pour une tude qualitative du fonctionnement
dun circuit .
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :
56
EXERCICES:
1)
V
al
50
1M
Calcul de I
d
et V
d
pour :
a)V
al
= -5V
b) V
al
= 5V
Caractristiques des diodes :
R
f
= 30, V
o
=0.6V, I
s
=0 et R
R
infinie
Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des
calculs
Val=-5v diode bloque Id=0, Vd =-5v
Val=+5v diode passante Vd=0,6v
Id=(Val-V0)/(50+30)=55mA
57
Diodes au Si (R
f
= 30, V
o
=0.6V, I
s
=0 et R
R
infinie)
3)
2 V
D
1
D
2
R=100
4)
1V
R=50
Dfinir If
Dfinir IR en appliquant
lapproximation 2
(Rf=0)
EXERCICES
If=(2-2*V0)/(R+2Rf)=5mA
IR=(1-Vf)/(R+Rf/2)=0.4/50=6.15mA
Ve (V)
t
Vcc
avec v
entre
signal sinusodal basse frquence 10Hz
damplitude Ve
MAX
= 10V tel que le modle statique reste
valable (priode du signal < temps de rponse de la diode
pas deffet capacitif )
Etude du signal de sortie en fonction de lamplitude du
signal dentre :
-0,6v
Vcc+ 0,6v
Ve
MAX
59
DIODE0
La courbe R1(2) reprsente la tension
aux bornes de la diode, lorsque la
diode conduit la tension ses bornes
est VF, quasiment constante
R1
1k
D1
1N914
R1(1) R1(1) R1(2)
60
DIODE1 La courbe R1(2) reprsente la
tension aux bornes de la diode plus
2v, lorsque la diode conduit la
tension ses bornes est VF
R1
1k
D1
1N914
R1(1) R1(1) R1(2)
V1
2V
61
Exemples dapplication de la diode en LOGIQUE
Ralisation dun fonction logique avec R, D
Tmoin sonore de la lumire externe non teinte dans les automobiles
-la lumire interne sallume lorsque la porte est
ouverte et elle steint si la porte est ferme
- Une alarme sonne si la lumire
externe est allume et la porte souverte
- pas de sonnerie si la lumire externe
est allume mais la porte est ferme
12V DC
Lumire
extrieure
Lumire
intrieure
Donner les deux positions de la porte et placer
un circuit type Diode + Alarme pour rpondre
ce besoin.
Porte
ferme
ouverte
62
2.5 Comportement dynamique d une diode
2.5.1 Prambule : Analyse statique / dynamique dun circuit
L Analyse dynamique
ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou signaux
lectriques, ou encore composantes alternatives (AC) )
Lanalyse dynamique permet de dfinir la fonction de transfert informationnelle
na dintrt que sil y a des sources variables!
L Analyse statique
se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques
(ou composantes continues (DC) , ou encore composantes statiques)
Lanalyse statique permet de dfinir le point de polarisation
* = Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes
Notation : lettres majuscules pour les composantes continues
lettres minuscules pour les composantes variables
63
Illustration : Etude la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.
R
1
R
2
V(t)=V+v(t)
V
E
v
e
hypothses:
v
e
= signal sinusodal, valeur moyenne nulle
V
E
= source statique
Principe de superposition :
* Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition sapplique
la source statique V
E
est lorigine de V , et v
e
est lorigine de v
Calcul complet
( ) ( ) [ ] ( ) t v
R R
R
V
R R
R
t v V
R R
R
t V
e E e E
2 1
2
2 1
2
2 1
2
+
+
+
= +
+
=
V
v(t)
64
V
E
R
1
R
2
V
Analyse statique :
schma statique du circuit
E
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
Analyse dynamique :V
E
= 0
( ) ( ) t v
R R
R
t v
e
2 1
2
+
=
v
e
R
1
R
2
schma dynamique
v
Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique
0 =
e
v
En statique, une source de tension variable valeur moyenne nulle correspond un
court-circuit
65
Autres exemples:
v
e
I
o
R
1
R
2
R
3
V(t)=V+v(t)
1)
Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit
ouvert. [puisque i(t)=0!]
Schma dynamique
v
e
R
1
R
2
R
3
v
( )
( )
3 2 1
3
R R R
t v R
t v
e
+ +
=
Schma statique
I
o
R
1
R
2
R
3
V
o
I
R R R
R R
V
3 2 1
3 1
+ +
=
66
2)
V(t)
v
g

R
g
V
al
R
1
R
2
C
Schma statique :
al
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
frquence nulle C = circuit ouvert
* C = composant linaire caractris par une impdance
qui dpend de la frquence du signal
V
V
al
R
1
R
2
67
Schma dynamique :
v
v
g

R
g
R
1
R
2
schma quivalent dynamique
g
g
v
Z R R
R R
v
+
=
1 2
1 2
//
//
jC
R Z
g g
1
avec + =
pour suffisamment leve : g
g
v
R R R
R R
v
+
=
1 2
1 2
//
//
jC
Z
c
1
=
Z
C
g g
R Z
et
A trs hautes frquences ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre
remplac par un court-circuit.
VCC
R1
10k
R2
10k
R3
100
C1
100u
VE
AMP=1V
FREQ=1000Hz
B1
10V
R1(2)
Ve
POLARISATION et
signal
69
Le principe de superposition nest plus valable en prsence de composants non-
linaires !
Extrapolations possibles:
le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linarit du
composant non-linaire
lamplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du
composant reste approximativement linaire.
modle linaire petits signaux de la diode
70
Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique I
d
(V
d
) peut tre approxime par la tangente en Q

d
Q
d
d
d
v
dV
dI
i
schma quivalent dynamique
correspondant au point Q :

1
Q
d
d
dV
dI
= rsistance
dynamique de la
diode
I
d
V
d
V
o
Q
Q
d
d
dV
dI
pente :
Q
d
I
Q
d
V
2|i
d
|
2| v|
2.5.2 Modle petits signaux (basses frquences)
* Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
hypothse: variation suffisamment lente (basse frquence) pour que la
caractristique statique reste valable.
71
Notation :
r
f
= = rsistance dynamique pour V
d
Q
> 0
r
r
= = rsistance dynamique pour V
d
Q
< 0
1
0

>
d
V
d
d
dV
dI
1
0

<
d
V
d
d
dV
dI
* temprature ambiante :
( )
( ) 1
25
= m
mA I
r
d
f
Pour V
d
>> V
o
, r
f
R
f
Pour V
d
< 0 , r
r
R
r
Pour V
d
[0, ~V
o
] ,
d
T
mV
V
s
T
s
mV
V
s
d
V
d
d
f
I
V
m e I
mV
I e I
dV
d
dV
dI
r
T
d
T
d
d
=
(
(

=
(
(

|
|

\
|
=

1
1
1
.
1
.
* proche de V
o
la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle
r
f
ne devient jamais infrieure R
f
(voir courbe exprimentale)
Id
72
Exemple :
V
d
(t)
V
e
v
e
R
a
1k
C
10F
D
R
b
2k
5V
Analyse statique :
V V mA I
D D
62 , 0 , 2 , 2
2000
6 , 0 5
=

diode: Si, R
f
= 10 , V
o
= 0,6V ,
Temprature : 300K
( ) t v
e
= 2 10 sin 1 , 0
3
Analyse dynamique : , 12
2 , 2
26
=
f
r
a c
R Z << =16
Schma dynamique :
1k
v
e
2k
~ 12
v
d
( ) t v
d


2 10 sin 10 2 , 1
3 3
Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV
F(Ve)=1KHz, 0,1V
.
1
C
Z
c
=
73
DIODE3
R1
1k
D1
1N914
R1(1) R1(1)
D1(A)
V1
5V
C1
10uF
R2
2k
74
2.5.3 Rponse frquentielle des diodes
Limitation haute frquence :
Pour des raisons physiques, le courant I
d
ne peut suivre les variations
instantanes de V
d
au del dune certaine frquence.
Le temps de rponse de la diode dpend :
du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (signaux de
grande amplitude)
du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)
apparition dun dphasage entre I
d
et V
d
le modle dynamique basse frquence nest plus valable
75
Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation directe (V
d
Q
>0)
* une petite variation de V
d
induit une grande variation I
d
, cest --dire des
charges qui traversent la diode
* A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent
pas suivre les variations de V
d
)
* ~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec I
d
(cf physique des dispositifs semiconducteurs)
Ordre de grandeur : C
d
~ 40 nF 1mA, 300K.
Modle petits signaux haute frquence (V
d
>0) :
T
I
C
Q
d
d

= capacit de diffusion

r
c
r
sc
* basse frquence : r
c
+ r
sc
= r
f
* la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
76
suite de lexemple prcdent:
V
d
(t)
v
e
R
a
1k
C
10F
D
R
b
2k
5V
I
d
= 2,2mA C
diff
~100nF
A quelle frquence la capacit dynamique commence-
t-elle influencer la tension v
d
?
|
|

\
|
th
v
v
log
log f
-3dB
kHz
C r
f
diff th
130
2
1
=

Schma dynamique en tenant compte de C

diff
:
1k
v
e
~ 12
v
C
diff
r
th
~11
v
th
v
C
diff = filtre passe-bas
(hyp simplificatrice: r
c
~0)
77
Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse
o le temps de rponse dpend du courant avant commutation.
o ordre de grandeur : ps ns
Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque
la diode bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
V
d
V
g
R
V
o
V
g
t
-V
R
V
Q
temps de rponse
-V
R
V
d
V
o
I
d
(V
Q
-V
o
)/R
-V
R
/R
78
Le simulateur SPICE tient compte du
temps de recouvrement des diodes
(1N914 vs 1N4004)
DIODE4
R1
1k
R1(1) R1(2) R1(1)
D1
1N4004
R1
1k
R1(1) R1(2) R1(1)
D1
1N914
79
2.6 Quelques diodes spciales
Ordre de grandeur : V
Z
~1-100 V , I
min
~0,01- 0,1mA, P
max
rgime de fonctionnement
* Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par
une tension seuil ngative ou tension Zener (V
Z
)
2.6.1 Diode Zener
-I
max
I
max
: courant max. support par la diode
(puissance max:P
max
~V
Z
I
max
)
-V
z
V
Z
: tension Zener (par dfinition: V
Z
>0)
-I
min
I
min
: courant minimal (en valeur absolue) au
del duquel commence le domaine linaire
Zener
I
d
V
d
n Caractristiques
80
I
d
V
d
-V
z
-I
min
-I
max
pente
1/R
z
schmas quivalents
hyp : Q domaine Zener
Q
Modle statique :

V
z
V
d
I
d
+
R
z
Modle dynamique, basses frquences,
faibles signaux :
z
Q
d
d
z
R
dV
dI
r
(
(

=
1
pour |I
d
| >I
min
81
2.6.2 Diode lectroluminescente (ou LED)
Principe : La circulation du courant provoque la luminescence
Fonctionnement sous polarisation directe (V > V
o
)
Lintensit lumineuse courant lectriqueI
d
Ne marche pas avec le Si
V
o
0.7V !
V
o
dpend de la couleur
82
Couleur
Longueur donde
(nm)
Tension de seuil (V)
IR >760 Vs<1.63
Rouge 610<<760 1.63<Vs<2.03
Orange 590<<610 2.03<Vs<2.10
Jaune 570<<590 2.10<Vs<2.18
Vert 500<<570 2.18<Vs<2.48
Bleu 450<<500 2.48<Vs<2.76
Violet 400<<450 2.76<Vs<3.1
Ultraviolet <400 Vs>3.1
Blanc xxx Vs=3,5
83
3.5 PHOTODIODE
Polarise en inverse elle produit un courant
proportionnel lnergie lumineuse reue
(gnralement dans linfrarouge)
Capteur CCD
84
3. Applications des Diodes
3.1 Limiteur de crte (clipping)
Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain)
contre une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
I
d
V
d
=V
e
V
g
Q
V
o
droite de charge
e g
g
Z R
V
//
Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode.
Clipping parallle
V
e
V
g
circuit
protger
R
g
Z
e
(diode // charge)
Clipping srie :
V
e
(t)
circuit
protger
Z
e
V
g
R
g
85
Protection par diode
:
V
max<0
~ - 0.7V
V
A
~20,7V
la conduction de la
diode engendre un
courant transitoire et
diminue la tension
inductive.
+20V
V
I
+20V
L
I
V
ouverture de linterrupteur
:

V
A
+
risque de dcharge
lectrique travers
linterrupteur ouvert
Linterrupteur pourrait
tre un transistor...
=
dt
dI
L V
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture dun relais)
A
86
Lors de la rupture de courant
(relche du bouton) la diode
commence conduite lorsque
Vs atteint VCC+0,7v.
Lnergie accumule dans L1
est dissipe dans la
rsistance interne de la diode
durant environ 250uS, il y a
ensuite un phnomne
oscillatoire due la capacit
de la diode (circuit LC //), ce
phnomne apparait lorsque
le point de fonctionnement de
la diode sapproche du coude
(fonctionnement non linaire).
87
A suivre .
Le transistor effet de champ
Pour prparer la prochaine squence :
Bien connaitre la loi dOhm, les thormes de superposition et de Millman
Intgrer les concepts de grandeurs alternatives et continues, le principe de
polarisation et de variation dune grandeur lectrique autour dun point de
repos.
Revoir les exercices, tre capable dexpliquer les formes et grandeurs des
signaux sur les graphes temporels.