Circuitos de ayuda a la conmutacin de transistores

Circuitos de ayuda a la conmutacin de transistores

Los supresores o circuitos de ayuda a la conmutacin en transistores tambin conocidos por su nombre ingls, snubber, son una parte esencial en muchos de los circuitos electrnicos de potencia. Bsicamente podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrs elctrico durante las conmutaciones y asegurar un rgimen de trabajo seguro. Los supresores son frecuentemente usados en sistemas elctricos con cargas inductivas donde la interrupcin repentina de flujos de corriente lleva a un aumento pronunciado de voltaje a travs del dispositivo conmutador de la corriente, de acuerdo con la ley de Faraday. Este aumento de voltaje, aparte de constituir una fuente de interferencia electromagntica en otros circuitos, puede ser destructiva para el dispositivo conmutador si el voltaje generado sobrepasa el voltaje mximo para el cual se diseo. El circuito supresor provee una ruta alternativa de descarga que le permite al elemento inductivo descargarse de manera controlada. Los supresores tambin se utilizan para prevenir la formacin de arcos a travs de los contactos de rels o interruptores y la interferencia o soldado de contactos que puede ocurrir. A la vista de los cuales parece poco viable el tratar de solventar los problemas de estrs elctrico (sobretensin, elevadas prdidas en conmutacin, etc.) que aparecen en aquellos circuitos de potencia donde se incorporan dispositivos semiconductores trabajando en conmutacin, con la seleccin de un dispositivo capaz de soportar elevadas magnitudes de tensin y corriente. En cualquier caso la decisin ltima depender del coste y la disponibilidad de semiconductores con los requerimientos elctricos necesarios, comparados con el coste y la complejidad del snubber apropiado en cada aplicacin. La funcin principal de los supresores es absorber la energa procedente de elementos reactivos en circuitos durante conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. Las redes de ayuda a la conmutacin sirven para proteger a los transistores mediante la mejora de su trayectoria de conmutacin.Los tres tipos principales de estas redes son: redes de bloqueo o apagado, redes de disparo o encendido y redes de sobre tensin.[1][2]

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Fundamentos
Para explicar la necesidad de estas redes se muestra un convertidor sin ningn circuito de ayuda a la conmutacin en la figura donde las inductancias parasitas en las diferentes partes del circuito se ilustran de forma explcita. El anlisis que sigue es para todos los interruptores controlados, como MOSFET, IGBT, BJT de potencia, GTO [3] o dispositivos ms CIRCUITO UN CONVERTIDOR SIN NINGN TIPO DE AMORTIGUADOR. 1) recientes como el MCT. En principio Circuito de un convertidor reductor con inductancia parasita, mostrado explcitamente con el transistor conduce e ic = Io. Durante 2) las formas de onda de corriente y tensin durante el encendido y apagado y 3) trayectoria de conmutacin asociada. la conmutacin del apagado, en t = to, el voltaje del transistor empieza a subir, pero las corrientes en diferentes partes de circuito permanecen iguales hasta t1, cuando empieza a conducir el diodo de libre circulacin. Luego, la corriente del transistor empieza a disminuir y la velocidad con que disminuye se determina por las propiedades del transistor y su accionamiento base. El voltaje del transistor se expresa como:

Donde L=L1+L2+ la presencia de inductancias parasitas produce una sobre tensin, pues dic/dt es negativo. En t3, al final del tiempo de cada de corriente, el voltaje baja a Vd y permanece en ese valor. Durante la transicin del encendido, la corriente del transistor empieza a subir en t4 con una velocidad dictada por las propiedades del transistor y el circuito de accionamiento base. La ecuacin (1) an es vlida pero debido a un dic/dt positivo, el voltaje del transistor VCE es un poco menor que Vd. Debido a la corriente de recuperacin reversa del diodo de libre circulacin, ic excede a I. El diodo de libre circulacin se recupera en t5 y el voltaje a travs del interruptor controlado disminuye a cero en t6 con una velocidad impuesta por las propiedades del dispositivo. Estas formas de onda de conmutacin se representan por los lugares geomtricos de conmutacin como los que se muestran en la figura 3. Las lneas punteadas representan los lugares geomtricos de conmutacin idealizados tanto para el encendido como para el apagado, a partir de la suposicin de cero inductancias parasitas y de que no hay ninguna corriente de recuperacin reversa a travs de diodo. Ellas muestran que el transistor sufre grandes esfuerzos en el encendido y apagado cuando tanto su voltaje como su corriente estn al mismo tiempo, lo que causa una alta disipacin instantnea de potencia. Adems, las inductancias parasitas generan una sobretensin ms all de Vd, y de la corriente de recuperacin reversa causando una sobre corriente ms all de Io. Una suposicin importante que simplifica el anlisis es que la corriente del transistor cambia de forma lineal con el tiempo con un di/dt constante, lo que solo esta dictado por el transistor y su circuito de accionamiento base.

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Red de bloqueo o apagado

Para evitar problemas en el apagado, la meta de una red de bloqueo es proveer un voltaje cero a travs del transistor mientras la corriente se apaga. Esto se logra mediante la conexin de una red RCD a travs del transistor, como se muestra en la figura 1, donde desde un principio se ignoran las inductancias parasitas para as facilitar la explicacin. Antes del apagado, la corriente del transistor es Io y el voltaje del transistor es esencialmente cero. En el apagado en la presencia de esta red, la corriente del transistor ic disminuye con un di/dt constante e (Io - ic) fluyen en el condensador a travs del diodo del red Ds. Por lo tanto, para un tiempo de cada de corriente (tfi) la corriente en el condensador se escribe como:

RED DE AYUDA A LA CONMUTACIN PARA EL APAGADO DEL TRANSISTOR 1) Circuito del snubber de apagado 2) su circuito equivalente durante el transitorio y 3) formas de onda de corriente y voltaje durante el transitorio de apagado. Las reas sombreadas representan la carga sobre la capacitancia del snubber durante el apagado que se disipa en el transistor en el siguiente encendido.

Donde iCs es cero antes del apagado en t = 0. El voltaje del condensador, que es el mismo que el voltaje a travs del transistor cuando Ds conduce, se describe como:

Que es vlido durante el tiempo de cada de la corriente siempre que el voltaje del condensador sea menor o igual a Vd. El circuito equivalente se muestra en la figura 2. Las formas de tensin y corriente se muestran en la figura 3 para tres valores de la capacitancia de la red de ayuda a la conmutacin Cs. Para un Cs pequeo, el valor voltaje del condensador alcanza a Vd antes de que se termine el tiempo de cada de corriente. En ese momento se enciende el diodo de libre circulacin Df y sujeta el condensador y el transistor a Vd, e iCs cae a cero debido a que dvCs/dt es igual a cero. El siguiente conjunto de formas de onda en la figura 3 se traza para un valor de Cs=Cs1, que causa que el voltaje del condensador alcance a Vd exactamente en el tiempo de cada (tfi); Cs1 se calcula mediante la sustitucin de t = tfi y VCs=Vd en la ecuacin (3) teniendo lo siguiente:

Para una capacitancia Cs>Cs1, la formas de onda de la figura 3 muestran que el voltaje en el transistor sube poco a poco y tarda ms que tfi para alcanzar Vd. Ms all de tfi, la corriente del condensador es exactamente igual a Io y los voltajes del condensador y del transistor incrementan de forma lineal hasta llegar Vd.

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La resistencia Rs se debe seleccionar de manera que la corriente pico a travs de ella ser menor con la corriente de recuperacin reversa Irr del diodo de circulacin libre es decir,

Trayectoria de conmutacin durante el apagado con varios valores de la capacitancia del snubber Cs.

El diseador de circuitos suele limitar Irr a 0.2Io o menos de modo que la ecuacin (5) se vuelve aproximadamente: Con base a las ecuaciones anteriores se indica que la inclusin de la resistencia Rs tiene los siguientes efectos benficos durante el encendido del transistor:

Efecto de la capacitancia Cs en el transitorio de apagado con la resistencia Rs.

Toda la energa del condensador se disipa en la resistencia Rs, la cual es ms fcil de enfriar que el transistor. Ninguna disipacin de energa adicional ocurre en el transistor debido al snubber de apagado. La corriente pico que el transistor debe conducir no se incrementa debido al snubber de apagado. La potencia disipada por Rs es:

Donde fs es la frecuencia de conmutacin; la potencia disipada por el transistor con el snubber de bloqueo es:

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Red de sobretensin
En la descripcin del snubber de apagado ignoramos las inductancias parasitas, y por lo tanto no hubo sobretensin. Las sobretensiones en el apagado debido a inductancias parsitas, se reducen por medio de un snubber de sobre tensin como el de la figura 1 suponiendo que se pueden agrupar las inductancias parasitas en una equivalente L. Al principio, el transistor conduce y el voltaje VCov a travs del condensador del snubber de sobretensin es igual a Vd. Durante el apagado, si suponemos que el tiempo RED DE AYUDA A LA CONMUTACIN PARA LA SOBRETENSIN DEL de cada de corriente del transistor es TRANSISTOR 1) Snubber de sobretensin y 2), 3) su circuito equivalente durante el apagado del transistor. 4) El voltaje VSW con el snubber y sin l. breve, la corriente a travs de L es en esencia Io cuando la corriente del transistor se reduce a cero, y la corriente de salida se mueve entonces en circulacin libre a travs del diodo de circulacin libre Df, En esta fase, el circuito equivalente que se muestra en la figura 2, donde la combinacin de Df, Io aparece como cortocircuito y el transistor es un circuito abierto. Ahora la energa almacenada en las inductancias parasitas se transfiere al condensador de sobretensin Cov a travs del diodo Dov, y la sobretensin Vsw a travs del transistor que es la misma tensin en Cov, se obtiene mediante la sustitucin del condensador precargado por su circuito equivalente que se muestra en la figura 3. A partir de las consideracin de energa y al notar que VC,ov = Vsw, obtenemos:

Esta ecuacin demuestra que un valor grande de Cov reduce la sobretensin V(sw,max). Una vez que la corriente a travs de L disminuye a cero, puede invertir su sentido debido a la resistencia Rov, y la sobre tensin en el condensador se reduce a Vd a travs de Rov. La constante de tiempo de descarga del condensador ( = RovCov) debe ser lo bastante pequea para que el voltaje del condensador disminuya aproximadamente a Vd antes del siguiente apagado del transistor. Para ayudar a la estimacin del valor correcto de Cov las formas de onda del circuito con el snubber de sobretensin y sin l se muestran en la figura 4. Con la sobretensin observada de kVd sin snubber de sobretensin se estima L como:

Si es aceptable una sobretensin por ejemplo de V(sw,max)=0.1Vd, y reemplazando en las dos ecuaciones anteriores tenemos por resultado:

O en trminos de Cs1:

Lo que demuestra que se necesita de una capacitancia relativamente alta para la proteccin de sobre tension en comparacion con los valores que se usan en el snubber de bloqueo. Tanto los snubber de apagado como el de

Circuitos de ayuda a la conmutacin de transistores proteccin de sobretensiones deben usarse en forma simultanea.

Red de disparo o encendido

En mayora de interruptores controlables, como BJT, MOSFET, GTO e IGBT se usan snubber de encendido solo para reducir las prdidas por conmutacin con altas frecuencias y para limitar la mxima corriente de recuperacin reversa del diodo. Los snubber de encendido trabajan mediante la reduccin de voltaje a travs de interruptor (transistor) conforme se acumula la corriente. Un snubber de encendido esta en seria con el transistor como muestra la figura 1, o en serie con el diodo de libre circulacin. En ambos circuitos, las formas de ondas de conmutacin del encendido y apagado a travs de transistor y el diodo de libre circulacin son idnticas. La reduccin de voltaje del transistor durante el encendido se debe a la cada de voltaje a travs de Ls. Esta reduccin esta daba por la siguiente ecuacin:

RED DE AYUDA A LA CONMUTACIN PARA EL ENCENDIDO DEL TRANSISTOR 1) en serie con el transistor (izq.) y en serie con el diodo de libre circulacin (der.) 2) Formas de onda de voltaje y corriente del transistor para valores pequeos Ls y 3) para valores grandes de Ls.

Donde tri es el tiempo de subida de la corriente, como se ve en la figura 2, para valores pequeos de Ls. Para valores tan pequeos, di/dt se dicta solo por el transistor y su circuito de accionamiento base. Y suponemos que es el mismo que sin snubber de encendido. Por lo tanto, la corriente pico de recuperacin reversa del diodo es tambin la misma que sin el snubber de encendido. Si es importante reducir la corriente pico de recuperacin reversa del diodo, se logra con un valor grande de Ls, como se demuestra por las formas de onda en la figura 3. Para la seleccin de RLs debemos considerar dos factores. Primero durante el apagado del transistor, este snubber de encendido genera una sobretensin al travs del transistor dado por:

En segundo trmino durante el estado inactivo, la corriente del inductor debe desintegrarse a un valor bajo, por ejemplo, 0.1Io, por lo que el snubber puede ser efectivo durante el siguiente tiempo de encendido. Por lo tanto el intervalo mnimo para el estado inactivo del transistor es:

La potencia disipada por la resistencia RLs es:

Circuitos de ayuda a la conmutacin de transistores Y la potencia disipada por el transistor con el snubber de disparo ser:

De este modo, una inductancia grande produce grandes voltajes de encendidos ms bajos y perdidos por encendido ms bajas. Pero esto causa sobretensiones durante el apagado, alarga el intervalo mnimo requerido en estado inactivo y provoca prdidas ms grandes en el snubber. Por lo tanto, Ls y RLs se deben seleccionar conforme a las soluciones negociadas que acabamos de mencionar, segn el procedimiento parecido al que describimos con el snubber de apagado.[4][5]

Referencias
[1] [2] [3] [4] [5] NED MOHAN, TORE M. UNDELAND y WILLIAM P. ROBBINS. Power Electronics: Converters, Applications and Design. JOHN G. KASSAKIAN, M.F. SCHLECHT y G.C. VERGHESE. Principles of Power Electronics. http:/ / es. wikipedia. org/ wiki/ Tiristor_GTO ALBERTO MARTN PERNA Proteccin elctrica de semiconductores: Redes de ayuda a la conmutacin disipativas y no disipativas . B. W. WILLIAMS Power Electronics, Devices, Drivers, Applications and Passive Components.Macmillan Press LTD, 1987.

Fuentes y contribuyentes del artculo

Fuentes y contribuyentes del artculo

Circuitos de ayuda a la conmutacin de transistores Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=69883599 Contribuyentes: 2001:470:8:454:0:0:0:3, Christian1985, FoBe, Jahobr, Jarisleif, Jorgelrm, McZusatz, Mcapdevila, Rillke, Will2788, 9 ediciones annimas

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