Universidad de Colima. Facultad de ingeniera mecnica y elctrica (FIME) Santilln Parra Sergio Jess, Banda Assam Alejandro.

IGBT

TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

Santilln Parra Sergio Jess, Banda Assam Alejandro Sergio_santillan@ucol.mx bandassam23@gmail.com Universidad de Colima- FIME

ResumenEn este reporte se explicar las principales

caractersticas de un transistor bipolar de puerta aislada, as como tambin las caractersticas de su estructura, funcionamiento, caractersticas dinmicas y aplicaciones del IGBT.

ndice de Trminos IGBT, Construccin, funcionamiento, caractersticas dinmicas, conmutacin. I. INTRODUCCIN

Durante muchos aos el sector de la electrnica de potencia ha centrado su investigacin en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes velocidades de conmutacin y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las tecnologas anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya haban quedado obsoletas -como es el caso del transistor bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor-, los MOSFET y de los VDMOS (DMOSFET vertical). Para ello, los investigadores han combinado desde hace ms de dos dcadas las posibilidades de los transistores bipolares y los denominados MOSFET, un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS (Metal Oxide Semiconductor). De esta combinacin nace en los aos 80, IGBT (del ingls, Insulated Gate Bipolar Transistor) como un dispositivo semiconductor de gran capacidad que generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrnica realmente potentes y con velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz. Aunque no seamos conscientes de ello, los IGBT nos acompaan en todo momento y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de potencia. Sus aplicaciones principales se centran en los sectores de: control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura,

iluminacin de baja frecuencia y alta potencia. Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que controlan los motores elctricos. Dichos transistores IGBT son la ltima generacin en el campo de los dispositivos de conmutacin para alta tensin que combina los atributos del BJT y del MOSFET. La combinacin de una puerta aislada tipo MOS y un colector/emisor bipolar le permite conmutar tensiones y corrientes mucho mayores. II. CONSTRUCCIN DE UN IGBT El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

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IV. CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, sera VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C. Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura. Se pueden conectar en paralelo fcilmente. Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,(1.200 o 1.600 Amperios). En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Fig. 1. Construccin de un IGBT

III. FUNCIONAMIENTO Y ESTRUCTURA Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.

Fig. 2. Estructura del IGBT

Fig. 3. SOA directamente Polarizada y SOA inversamente polarizada.

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V. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN DEL IGBT Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd) La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base (huecos en la regin n-). Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento. La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico. Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n- con una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la corriente.

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano. Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica. Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control de motores en automviles y vehculos elctricos hbridos, equipos de soldadura. VII. SIMULACIN Para la simulacin del circuito se utiliz el software ORCAD, aqu el circuito IGBT en el que se muestra el esquema del mismo y su grfica o curva caracterstica representativa.

Fig. 5. Circuito del IGBT.

Fig. 4. Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva.

VI.

APLICACIONES GENERALES DE IGBT

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Fig. 6. Simulacin con la fuente de CD.

Fig. 7. Data sheet IGBT

I. CONCLUSIONES Un aspecto de fundamental importancia en la utilizacin del IGBT son los lmites de funcionamiento del mismo, definidos por la temperatura mxima de la unin y por las reas de seguridad. La temperatura de la unin depende de las prdidas, las cuales, una vez fijados el radiador y la resistencia de puerta, obligan a una relacin de compromiso entre corriente y frecuencia de conmutacin. Las nuevas generaciones de IGBT tienden hacia una disminucin de prdidas a travs de la reduccin tanto de los tiempos de conmutacin como de la tensin de saturacin. En definitiva, un buen diseo trmico es la clave para una utilizacin ptima del IGBT.
REFERENCIAS

[1] Albert Malvino, David J. BatesPrincipios de electrnica sptima edicin. [2] Gonzales, J, Quiroz de Bernaldo Ingeniera Electrnica Autores
Banda Assam Alejandro , Santilln Parra Sergio Jess: Actualmente cursando el 5to semestre del rea Mecnico Electricista de la Facultad de Ingeniera

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