Sie sind auf Seite 1von 5
BPX 61

BPX 61

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

BPX 61

fmo06011

fmo06011
fmo06011
fmo06011

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5)

Features

Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm

Short switching time (typ. 20 ns)

Hermetically sealed metal package (similar to TO-5)

Anwendungen

Application

Lichtschranken für Gleich- und

Photointerrupters

Wechsellichtbetrieb

IR-remote controls

IR-Fernsteuerungen

Industrial electronics

Industrieelektronik

For control and drive circuits

“Messen/Steuern/Regeln”

Typ

Bestellnummer Ordering Code

Type

BPX 61

Q62702-P25

Semiconductor Group

357

10.95

BPX 61

BPX 61

Grenzwerte Maximum Ratings

Bezeichnung

   

Symbol

Wert

 

Einheit

Description

Symbol

Value

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range

 

op ; T stg

T

– 40

+ 125

C

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s)

 

T

S

 

230

 

C

Sperrspannung

   

V

R

32

 

V

Reverse voltage

   

Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation

 

P

tot

250

 

mW

Kennwerte (T A = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (T A = 25 C, standard light A, T = 2856 K)

 

Bezeichnung

   

Symbol

Wert

 

Einheit

Description

Symbol

Value

Unit

Fotoempfindlichkeit, V R = 5 V Spectral sensitivity

 

S

70 (50)

nA/Ix

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity

 

S max

850

 

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

 

400

1100

nm

S

= 10 % von S max

 

Spectral range of sensitivity

S

= 10 % of

S max

Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area

A

 

7.00

 

mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area

 

L

B

2.65 2.65

mm

L

W

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- fläche Distance chip front to case surface

 

H

 

1.9

2.3

mm

Halbwinkel

   

±

55

Grad

Half angle

 

deg.

Dunkelstrom, V R = 10 V Dark current

 

I

R

 

2 (

30)

nA

Semiconductor Group

358

BPX 61

BPX 61

Kennwerte (T A = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (T A = 25 C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung

 

Symbol

Wert

 

Einheit

Description

Symbol

Value

Unit

Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity

S

0.62

 

A/W

Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield

 

0.90

 

Electrons

 

Photon

Leerlaufspannung, E v = 1000 Ix Open-circuit voltage

V

O

375 (320)

mV

Kurzschlußstrom, E v = 1000 Ix Short-circuit current

 

I SC

70

A

Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent

t r , t f

20

ns

R L = 50 ;

V R = 5 V;

= 850 nm; I p = 800 A

Durchlaßspannung, I F = 100 mA, E = 0 Forward voltage

V

F

1.3

V

Kapazität, V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance

C

0

72

pF

Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of V O

TC V

– 2.6

 

mV/K

Temperaturkoeffizient von I SC Temperature coefficient of I SC

TC I

0.18

 

%/K

Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power

NEP

4.1

10 14

W

 

÷Hz

V R = 10 V,

= 850 nm

Nachweisgrenze, V R = 10 V, = 850 nm Detection limit

 

D*

6.6

10 12

cm · ÷Hz

   

W

Semiconductor Group

 

359

 
BPX 61

BPX 61

Relative spectral sensitivity S rel = f ( )

Photocurrent I P = f (E v ), V R = 5 V Open-circuit-voltage V O = f (E v )

Dark current Capacitance I R = f (V R ), E = 0 C =
Dark current
Capacitance
I R = f
(V R ), E = 0
C = f
(V R ), f
= 1 MHz, E = 0

Total power dissipation P tot = f (T A )

Dark current I R = f (T A ), V R = 5 V, E
Dark current
I R = f (T A ),
V R = 5 V, E = 0
( T A ) Dark current I R = f (T A ), V R =
Directional characteristics S rel = f ( )
Directional characteristics S rel = f ( )

Semiconductor Group

360

This datasheet has been download from:

Datasheets for electronics components.