Sie sind auf Seite 1von 125

Rayonnement lectromagntique des convertisseurs dcoupage

Approche simplifie par le concept des lots rayonnants

Jean-Louis Cocquerelle
Docteur s Sciences Physiques Professeur des universits

Christophe Pasquier
Docteur de luniversit de Nantes

Laboratoire de recherches en lectronique de puissance et C.E.M. EPUN (cole Polytechnique de luniversit de Nantes)

17, avenue du Hoggar Parc dActivit de Courtabuf, BP 112 91944 Les Ulis Cedex A. France

ISBN 2-86883-560-0
Tous droits de traduction, d'adaptation et de reproduction par tous procds, rservs pour tous pays. La loi du 11 mars 1957 n'autorisant, aux termes des alinas 2 et 3 de l'article 41, dune part, que les cc copies ou reproductions strictement rserves l'usage priv du copiste et non destines une utilisation collective , et d'autre part, que les analyses et les courtes citations dans un but d'exemple et d'illustration, << toute reprsentation intgrale, ou partielle, faite sans le consentement de l'auteur ou de ses ayants droit ou ayants cause est illicite >> (alina 1" de l'article 40). Cette reprsentation ou reproduction, par quelque procd que ce soit, constituerait donc une contrefaon sanctionne par les articles 425 et suivants du code pnal.

O EDP Sciences 2002

Prface
Le rayonnement lectromagntique des dispositifs lectroniques modernes est une proccupation majeure des concepteurs et utilisateurs, soucieux de respecter les rgles de la compatibilit lectromagntique. Les mesures directes, bien que parfois dlicates, ne prsentent pas de problmes insurmontables pour les laboratoires comptents au sens de la directive CEM. La difficult concerne en ralit, les tudes de nature prdictive, quil conviendrait de conduire par simulation avant mme le routage des cartes. Les circuits analogiques utiliss en traitement de signal, seraient alors examins principalement dans le contexte de limmunit ou de la vulnrabilit, alors que les cartes numriques et les cartes de puissance dcoupage H.F., le seraient principalement sur le plan de lmission, respectivement en champ lectrique et magntique. Ces tudes sont difficiles et ne sont actuellement dveloppes que par quelques laboratoires de recherche. Elles ncessitent des moyens informatiques puissants et un investissement de temps considrable. J.L. Cocquerelle et C. Pasquier, dans le cadre du prsent ouvrage, prsentent une version didactique, donc accessible sur le plan pdagogique, des rsultats de travaux de recherche autorisant une approche simplifie du rayonnement des cartes de puissance dcoupage. Ils ont en effet cr dans ce but un concept original, celui des (( lots rayonnants , qui correspondent sur une carte lectronique des zones mettrices de champ magntique contribution prpondrante. Un support informatique est joint au livre, il contient un grand nombre de reprsentations graphiques trs pertinentes permettant la meilleure comprhension possible au lecteur. Je tenais, en prfaant cet ouvrage, souligner leffort que ces deux chercheurs de luniversit de Nantes ont entrepris pour assurer le transfert vers la pdagogie, de travaux de recherche dans un domaine dict et soutenu par lvolution des technologies en lectronique.

Joseph SAILLARD Vice-prsident du Conseil Scientifique de luniversit de Nantes Charg de la Recherche

Note des auteurs


Lvolution des technologies en lectronique permet de raliser des convertisseurs de puissance frquence de dcoupage de plus en plus leve. Ltude des champs mis par de telles structures devient donc une obligation pour le concepteur soucieux dviter la pollution lectromagntique de lenvironnement proche et lointain. Cet ouvrage rsulte de travaux de recherche thorique et applique, que nous avons conduits dans cette perspective, au laboratoire dlectronique de puissance et de compatibilit lectromagntique (LEPCEM), de lcole polytechnique de luniversit de Nantes. La reprsentation des champs, dans un livre, simplement ralis en monochrome, est forcment rductrice en qualit graphique. Nous avons donc conu un support informatique, permettant de visualiser en couleurs et avec une meilleure dfinition, la majorit des illustrations du livre ainsi que de nombreuses autres venant en complment. Le mode demploi est trs simple : Licne << 8, , porte droite dune illustration du livre, indique que celleci est reprise sur le support informatique la page x de celui-ci ; Licne << BCDx-y , porte gauche dans le texte suivant une illustration du livre, indique que des reprsentations complmentaires sont disponibles sur le support informatique de la page x la page y ; Page x , porte en bas et droite dune illustration du support informatique, indique que celle-ci est prsente ou annonce, dans le livre la page x.

Table des matires


Introduction................................................................. Chapitre I : Aspects essentiels de l'lectronique de puissance ...... I. 1 La commutation en lectronique de puissance .................................................................
5
1.1.1 Principes fondamentaux ......................................................................................................... 5 I. 1.2 Commutation dure ................................................................................................................. .6 I. 1.3 Commutation douce ......................................................................................... 1.1.4 Commutation adoucie ................................................ ........................... 6

1.2 Convertisseurs et composants associs ........................................ 1.2.1 Convertisseurs la frquence rseau ........................................................................
1.2.2 Convertisseurs frquence indus ........................................................................................ 1.2.2.1 Les hacheurs de puissance............ ............................................................... 1.2.2.2 Les onduleurs ............................ 1.2.3 Convertisseurs frquence leve (30k Hz - 100 kHz) .......................................................... 1.2.4 Caractristiques des SC de puissance associs aux convertisseurs ......................................... 1.2.4.1 Le thyristor ou SCR ........................................................................................................................ 1.2.4.2 Le thyristor GTO ............................................................................................................................. 1.2.4.3 Le MCT .......................................................................................................................................... 1.2.4.4 L'IGBT ........................................................................................ .................................... .................................... 1.2.4.5 Le transistor MOS de puissance ......................................... 1.2.4.6 Le transistor bipolaire de puissance............ .................................................................... .................................................................... 1.2.4.7 Le triac ....................................................... ............................................................................ 1.2.5 Comparatif et bilan ....

8
8 9 9
10 11

12 13 14
15 16 17
18

1.3 Formes d'ondes des courants et modles simplifis correspondants ..............................


1.3.1 Impulsions trs brves de courant d'un pont sortie 3 niveaux ............................................ 1.3.2 Oscillations de courant en amont ou aval d'un hacheur rapide ............................................. 1.3.3 Ondes de base dans les domaines temporel et frquentiel ..................................................... 1.3.3. I Onde rectangulaire .......................................................................................................................... 1.3.3.2 Onde trapzoidale symtrique ......................................................................................................... 1.3.3.3 Onde trapzodale asymtrique................................................................... 1.3.4 Prise en compte des oscillations de commutation ................................

18 21 22 23 24

Chapitre II : Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance II. 1 lot rayonnant, boucle << topologique n et boucle << quivalente B __..
...................................................................................................... II. I . i << iot rayonnant >> 11.1.2 e Boucle topologique >> ......................................................................................... ..................... 11.1.3 << Boucle quivalente >> ..........................................................

33 35

11.2 Formulation mathmatique et reprsentation spati 11.2.1 Equations lectromagntiques ........................................................................


11.2.2 Application la boucle lmentaire ....................................................... 11.2.2.1 Formulation mathmatique ..................................... 11.2.2.2Reprsentations spatiales ........................................ 11.2.3 Application la boucle rectangulaire .....................

.............................

44

11.2.3.1Formulation mathmatique ............................................................................................................ 11.2.3.2Reprsentations spatiales ...............................................................................................................

11.2.4 Domaine de validit de lquivalence << boucle relle-boucle lmentaire >> ........................ 11.2.4.1Premire tude : comparaison directe......................................................... 11.2.4.2Deuxime tude : variation de la taille de la boucle carre ......................... 11.2.4.3Troisime tude : variation des dimensions surface fixe ........................ ............................................................................. 63 11.2.4.4 Quatrime tude : troncature .................. 11.2.5 Limite de validit des quat es dans lhypothse du e champ proche n ..........66 11.2.5.1 Prsentation du paramtre ..................................................................................... 66 11.2.5.2Influence de pr sur Ivolu du champ ..................................................................... 68 11.2.5.3Calcul du champ avec et sans simplification .................................................................................. 69 11.2.6 influence dun plan de masse ventuel ................................................................................ 72 11.2.7 Etude simplifie de lmission conjugue de deux boucles ................................................. 73

44 50 54

Chapitre III : F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit ..........................................

79

.......... .............................. 80 III .1 Recherche et estimation de la f.e.m. induite 111.1.1 Organigramme de la recherche de e(t) ............................................................................... 80 111.1.2 Blocs de calcul .................................................................................................... 84 111.1.2.1Bloc de calc ................................................................................................................. 84 III . 1.2.2 Bloc de calcul avec lhypothse du champ uniforme ................................................................... 85 111.1.2.3Bloc de calcul avec les hypothses du champ uniforme et du flux recueilli maximum ....
111.1.2.4Bloc de calcul avec le maximum de simplification ......................................................... ..................................... 111.1.2.5Bloc de calcul bas sur la notion denveloppe...............................

111.1.3 Application des hypothses et des mthodes .............. ................................. 111.1.3.1Calcul gnral ............................................................................................................................... III .1.3.2Hypothse du champ uniforme ..................................................................................................... 111.1.3.3Hypothse du flux recueilli maximum .......................................................................................... 111.1.3.4Hypothse de la boucle quivalente .............................................................................................. 5 Mthode de lenveloppe ................................................................................................................ 111.1.4 Comparaison des rsultats obtenus ....................................................................................

86 87 87 90 92 93 94 97 99 99
100 101

111.2 Cartographie en situations typiques ............................................................................. 111.2.1 Cas des boucles parallles .................................................................
111.2.1.1Premire position : B, est dans un plan parallle au-dessus de Bp .............................................. 111.2.1.2Deuxime position : vues suivant une coupe parallle au plan YZ ............................................. 111.2.1.3Quipotentielles de la f.e.m. induite dans lespace autour de BP .................................................

101

111.2.2 Cas des boucles perpendiculaires

..........

111.3 Optimisation du positionnement de la boucle sensible

Conclusion gnrale.............................................................................................................. Bibliographie

113

................................................................... 115

INTRODUCTION
Cet ouvrage sinscrit dans les activits de compatibilit lectromagntique (CEM) du gnie lectrique. Il concerne principalement les convertisseurs de puissance frquence de dcoupage leve, que lon trouve par exemple dans les alimentations des micro-ordinateurs, celles des matriels audio-vido modernes, et tous les dispositifs lectroniques de manire gnrale. Ces structures sont intrinsquement gnratrices de perturbations conduites et rayonnes, ces dernires pouvant altrer le fonctionnement de circuits sensibles proches dont, parfois, la carte de commande de la structure elle-mme (autoperturbation). Les tudes en CEM concernent gnralement le rayonnement une distance suffisante pour obtenir une onde plane et ne retenir alors que le champ lectrique. Plusieurs dentre elles sintressent plus particulirement aux convertisseurs de puissance et la prdiction de leur rayonnement. Les mthodes numriques employes (mthode des moments, des lments finis.. .) ont souvent pour objectif la modlisation densemble du convertisseur autorisant lobtention principalement du champ lectrique global mis. Ces tudes sont complexes et sadressent un public averti. Certains logiciels de CEM commercialiss, essentiellement destins aux cartes numriques, permettent dobtenir en 2D et parfois en 3D la cartographie du champ lectrique rsultant. Ces logiciels sont spcifiques et onreux ; les moins coteux dentre eux procdent parfois des simplifications extrmes bases sur lestimation dans le << pire des cas >> au sens des normes en CEM. Si lon se proccupe du rayonnement lectromagntique dans lenvironnement immdiat dune carte lectronique numrique, on sait que le champ lectrique sera prpondrant car les circuits utiliss fonctionnent avec des temps de commutation trs courts, (quelques ns) et les gradients de tension correspondants (dv/dt) peuvent excder lo9 V/s, alors que les courants tant trs faibles (unit courante : le FA) le champ magntique proche est trs rduit. Sil sagit en revanche, dune carte lectronique de puissance dcoupage, les temps de commutation sont rarement infrieurs loons, mais, ds lors que les courants m i s en jeu se chiffrent en ampres, le champ magntique devient important, et son valuation est ncessaire. Dans cette perspective, les auteurs de cet ouvrage ont mis profit lexprience pratique quils ont acquise en laboratoire de tests en CEM concernant diverses cartes lectroniques embarques dans des convertisseurs de puissance dcoupage. Cela leur a inspir une dmarche simplifie particulire. En effet, au voisinage immdiat de telles cartes, le champ magntique mesurable avec une sonde adapte est prpondrant, et se situe en des endroits particuliers quils considrent comme des << lots rayonnants .

Ces << lots >> sont souvent reprables sur la srigraphie du circuit imprim correspondant. Les auteurs ont alors tudi la possibilit dassimiler ces e lots , au demeurant peu nombreux sur une carte standard, de simples << boucles quivalentes . Cette dmarche apporte une simplification vidente accentue par lutilisation de calculs associs allgs ; elle peut sembler manquer de prcision, mais apparatra plus pragmatique la plupart des industriels concepteurs qui connaissent par exprience les << points chauds >) de leur carte. Les auteurs ont donc conduit avec prcaution une tude spcifique sur le rayonnement magntique des boucles de puissance devant permettre dobtenir un outil dvaluation et de reprsentation du champ magntique accessible tous. Ds lors que le champ est connu en tout point de lespace, il est possible de rechercher la force lectromotrice qui pourrait tre induite dans une boucle sensible de lenvironnement immigdiat du convertisseur. En gnral, le concepteur ne souhaite pas mettre en place de blindage ni dcran et dispose, le plus souvent, dun coffret non mtallique. Un apport qui a sembl original aux auteurs de ce livre dans ces conditions, concerne la dtermination de lorientation optimale de cette boucle sensible pour minimiser directement lamplitude de la f.e.m. induite. Cela se traduit pour le concepteur de la faon suivante : sil se fixe un point de lespace environnant, il disposera rapidement, aprs simple reprage et spcification des << lots , des donnes de positionnement et dorientation dune carte sensible ventuelle. La perturbation sera alors minimise. sil dispose de plusieurs emplacements disponibles lintrieur du coffret pour y fixer la carte sensible quil veut ajouter, il pourra obtenir une information sur les zones retenir en priorit que nous appellerons par la suite << zones tranquilles . Dans ces conditions, la f.e.m. induite dans une boucle victime sera dj rduite, le choix dune orientation optimale pouvant conduire jusqu pratiquement lannulation. Le but de cet ouvrage est donc double : proposer au lecteur une approche simple concernant lanalyse des phnomnes lectromagntiques et les calculs associs, et le sensibiliser aux implications industrielles pouvant en dcouler.

CHAPITRE I
ASPECTS ESSENTIELS DE L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE

Ce chapitre a pour but de prsenter et de caractriser dans une dmarche << CEM , les semi-conducteurs utiliss classiquement dans les convertisseurs de llectronique de puissance. Lobjectif final est de dterminer les formes dondes types des courants qui pourront tre lorigine du rayonnement magntique au sein dun montage. Avant tout il est donc ncessaire de rappeler lessentiel sur la commutation.

1.1 La commutation en lectronique de puissance


Le fonctionnement des interrupteurs est dterminant au regard de limportance des champs qui vont rsulter de leur insertion dans un montage.

1.1.1 Principes fondamentaux Les convertisseurs de llectronique de puissance sont prsents dans la quasitotalit des appareils et systmes utilisant lnergie lectrique. Leur rle est de modifier la source lectrique, cest--dire le rseau distribu, soit alternatif, soit continu, pour satisfaire aux exigences dictes par la nature et les caractristiques du rcepteur. Les modifications peuvent concerner la nature mme de la source (courant ou tension) ainsi quun ou plusieurs de ses paramtres, dont essentiellement : lamplitude, la frquence, le rgime de mise la terre, le dbit maximum. Le principe fondamental de llectronique de puissance est de procder ladaptation des sources uniquement par dcoupage temporel des tensions et courants, donc sans pertes apprciables dnergie. Les composants, qui assurent les dcoupages, prsentent alors deux phases de fonctionnement importantes au regard de la CEM : les commutations louverture et la fermeture. Suivant les semi-conducteurs utiliss et la structure du convertisseur considr, diffrents types de commutations sont considrer : concernant linterrupteur, << la commutation D est le mcanisme >> physique douverture ou de fermeture des semi-conducteurs constituant linterrupteur. Elle est soit << commande D cest--dire provoque par lapplication dun signal directement sur la commande du composant, soit << naturelle D ou << spontane >> si elle a lieu sans intervention extrieure. Dans ce dernier cas, elle rsulte uniquement du passage par zro de la tension applique au composant ou du courant qui le traverse ; pour un convertisseur, le mot commutation est relatif aux vnements concernant les lments de la structure directement associs aux interrupteurs qui peuvent tre considrs non plus individuellement, mais assembls dans des sousensembles appels << cellules de commutation . Cest au niveau de celles-ci que lon introduit les notions de commutation << dure D et de commutations << douce D et << adoucie .

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

1.1.2 Commutation dure La commutation dure, galement appele commutation force, rsulte de lemploi dun composant command louverture et la fermeture. Les contraintes importantes qui sont alors imposes celui-ci dpendent fortement des inductances de connexion et de cblage et de diverses capacits parasites, ce qui entrane : des pertes leves ; des surtensions et des surintensits aux bornes de linterrupteur ; de rapides variations de tension et courant (dv/dt et di/dt) ; de fortes oscillations, en particulier pour le dcoupage haute frquence. Pour limiter ces effets, on peut associer aux semi-conducteurs des circuits daide la commutation (CALC), dont le rle essentiel est de rduire les pertes correspondantes et de limiter les surtensions et/ou surintensits. 1.1.3 Commutation douce En commutation naturelle ou douce, les interrupteurs prsentent une commutation commande et une commutation spontane. I1 est possible de regrouper ces convertisseurs en deux familles : la premire correspond des commutations pilotes par les grandeurs dtat de nature lectrique. I1 sagit par exemple de certains convertisseurs relis au rseau alternatif. Cest kgalement le cas des convertisseurs quasirsonnants qui utilisent un couple de composants passifs L-C pour provoquer lannulation du courant ou de la tension. la seconde est relative aux structures pour lesquelles les commutations spontanes des interrupteurs sont obtenues conscutivement la commutation dautres interrupteurs, cest le cas pour les hacheurs de puissance un thyristor principal dont lextinction est assure par un circuit auxiliaire de nature oscillante comprenant un deuxime thyristor dit de soufflage.
1.1.4 Commutation adoucie La commutation est adoucie par lemploi de CALC associs aux composants, dont les deux mcanismes essentiels consistent : ralentir la monte en courant la fermeture par adjonction en srie dune inductance avec linterrupteur ; ralentir la croissance de sa tension aux bornes par mise en parallle dun condensateur. Avec un CALC, le composant est mme de commuter la totalit du courant alors que la tension ses bornes reste encore faible ou, par dualit, supporter la totalit de la tension, le courant tant annul. A noter pour les puristes quon ne peut thoriquement pas parler de commutation zro de courant (ZCS) ou zro de tension (ZVS) car ces grandeurs ne font quvoluer diffremment tout au long de la commutation et ne sont jamais totalement nulles.

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Lassociation de ces lments passifs a bien entendu ses revers, comme le risque de surtension due linductance louverture, et de surintensit due au condensateur la fermeture, ou encore celui de la gnration doscillations indsirables. Un CALC est en consquence un circuit plus complexe incluant dautres lments comme par exemple une rsistance pour dissiper lnergie lie aux oscillations ainsi que des diodes pour assurer les connexions unidirectionnelles indispensables. La figure 1.1 prsente un CALC dissipatif oprationnel louverture et la fermeture.

++

Figure I. 1 :CALC dissipatif

Pour les petites puissances, des CALC plus labors peuvent tre mis en uvre. Ils se composent gnralement de condensateurs, dinductances et dun autre interrupteur. La commande de ce dernier permet de raliser une oscillation locale qui provoque la commutation du composant principal au <<zrode tension >> ou << zro de courant . Ce sont les techniques ZVS et ZCS voques prcdemment. En conclusion, les CALC amliorent les commutations puisque les surtensions et surintensits sont rduites au niveau de linterrupteur qui ne supporte plus seul les diffrents traumatismes. Cependant, on ne supprime pas les variations rapides de courant et de tension (di/dt et dv/dt) qui sont en fait reportes sur les composants ractifs des CALC, ce qui peut augmenter les probabilits de rayonnement indsirable, en particulier en champ magntique, par les lments bobins. I1 faut encore souligner que le renvoi ventuel la source de lnergiede commutation ainsi que celle des oscillations parasites peut rduire la qualit du signal en amont.

1.2 Convertisseurs et composants associs


Ce paragraphe est une prsentation sommaire des diffrents convertisseurs, qui a pour objectif principal de rappeler quels sont les semi-conducteurs associs, et les perturbations essentielles qui les caractrisent.

1.2.1 Convertisseurs la frquence rseau 1 1 sagit essentiellement des redresseurs commands, des gradateurs et des cycloconvertisseurs. Ces structures traditionnelles sont ralises dans une trs large plage de puissance, elles utilisent essentiellement des thyristors commands par la phase. Les commutations louverture des composants sont spontanes. Les vitesses de commutation sont peu leves car limites par la nature des sources et les caractristiques des composants.

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Les principales perturbations observes concernent essentiellement les harmoniques et sous-harmoniques des courants prlevs au rseau. Le rayonnement proximit immdiate de ces structures peut tre lev, compte tenu des amplitudes trs fortes des tensions et courants mis en jeu, mais la frquence de dcoupage tant trs basse, les champs dcroissent trs vite avec lloignement. On sintressera alors en CEM, essentiellement aux champs dits << proches .

1.2.2 Convertisseurs frkquence in dustrielle (< 16 kHz) I1 sagit essentiellement des hacheurs de puissance utiliss par exemple dans les variateurs de vitesse pour moteurs courant continu et des onduleurs destins aux moteurs alternatifs, ou encore aux alimentations statiques de secours.
1.2.2.1 Les hacheurs de puissance Les sources amont et aval sont de nature continue ce qui nautorise pas bien sr la commutation spontane des interrupteurs employs. Ceux-ci sont donc commands louverture et la fermeture. Les commutations gnrent alors des gradients de courant et de tension importants dans les diffrentes connexions du convertisseur. Les composants utiliss en trs forte puissance sont des thyristors avec circuit de soufflage, ou des GTO (thyristors blocables par la commande). En moyenne puissance, le transistor IGUT est prfr. Les perturbations conduites couvrent un spectre plus tendu que prcdemment, puisque les frquences de dcoupage choisies peuvent atteindre 16 kHz dans un souci de rduction des bruits acoustiques. Les vitesses de commutation sont encore peu leves car toujours limites par la nature des sources et les caractristiques des composants. Les champs proches, du fait des amplitudes leves des tensions et des courants, seront importants et avec un spectre un peu plus tendu en frquence (pouvant atteindre quelques MHz) que pour les convertisseurs prcdents. 1.2.2.2 Les onduleurs Les onduleurs ont une structure en pont ou demi-pont et peuvent tre regroups selon trois familles : les onduleurs de tension, les onduleurs de courant et les onduleurs rsonance (rsonance srie ou rsonance parallle). Les deux premires fainilles utilisent une commande modulation de largeur dimpulsion (M.L.I.) unipolaire ou bipolaire ou gnrent des niveaux discrdits (marches descalier). Chaque commande a pour objectif la rduction des harmoniques de tension OLI de courant aux basses frquences. Les onduleurs rsonance sont sur charge ractive, ils utilisent un lment dual en srie ou parallle pour crer ainsi une source rceptrice oscillante, dont les passages zro des grandeurs lectriques autoriseront les commutations naturelles. Les courants et tensions obtenus sont dallures sinusodales. Les frquences de fonctionnement doivent tre proches de la frquence doscillation du diple LC pour limiter leurs harmoniques.

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Les onduleurs ncessitent gnralement des interrupteurs bidirectionnels en tension ou en courant, entirement commands (GTO, IGBT ou transistors MOS associs une diode). Les commutations peuvent avoir lieu plusieurs fois par priode et tre irrgulirement rparties (commande M.L.I.). Cest alors une squence qui se rpte la frquence de fonctionnement. I1 est ainsi difficile de parler de frquence de commutation pour ces composants. On peut toutefois introduire la notion de << motif . Les perturbations conduites sont observables sur lentre continue et sont directement lies aux dcoupage des ondes ralisant la sortie alternative. Le rayonnement proximit dpendra de la puissance mais aussi du type des composants, puisque leur vitesse de commutation peut tre, comme nous le verrons ensuite, nettement suprieure dans le cas des MOS ou de certains IGBT de dernire gnration.

1.2.3 Convertisseurs frquence leve (30 kHz 100 kHz) Lutilisation de frquences de fonctionnement leves permet de saffranchir des bruits acoustiques, de diminuer la taille des condensateurs, des inductances, des transformateurs et de faciliter le filtrage. Cependant, les composants capables de fonctionner ces frquences admettent des limites en courant et tension restreintes. Ces convertisseurs sont donc principalement utiliss en moyenne et petite puissance. Les alimentations dcoupage constituent lessentiel de cette famille, elles assurent principalement la conversion continu-continu et alternatif-continu (ajout dun pont redresseur en tte). Techniquement, ces structures du type << hacheur , relient des sources de nature diffrente (hacheur sans accumulation) ou identique (hacheur stockage intermdiaire). Les composants les plus employs sont les transistors MOS de puissance, les transistors bipolaires et les IGBT rapides. Les vitesses de commutation sont imposes soit par le composant soit par le CALC. En rgle gnrale, les temps de commutation sont rduits au maximum pour conserver au convertisseur la meilleure dynamique possible et de ce fait le rayonnement lectromagntique peut tre important. Sa rduction est possible dans les cas particuliers des alimentations quasirsonnantes )> ou << rsonnantes .
1.2.4 Caractristiques des SC de puissance associs aux convertisseurs Dans cet ouvrage, nous nous limitons aux semi-conducteurs (SC) destins aux petites et moyennes puissances et cherchons essentiellement les caractristiques concernant leurs commutations et, plus particulirement, celles qui dterminent les variations rapides du courant. Les caractristiques fournies par les constructeurs sont varies, elles donnent gnralement un aperu des performances optimales du composant. Les tests sont en effet raliss avec des circuits particuliers qui sont pour la plupart exempts des lments parasites que lon peut trouver sur des cartes industrielles (inductances de ligne, capacits entres pistes, lments parasites dautres composants...).

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Compte tenu de cela, certaines valeurs relevables sur des montages industriels pourraient tre beaucoup plus importantes que les niveaux proposs. Les caractristiques prsentes ci-aprs pour les diffrents composants signals prcdemment ont t preleves dans diffrents recueils de constructeurs connus. Nous y avons slectionn des semi-conducteurs classiquement utiliss et, pour chaque famille, des caraciristiques types, moyennes, en vue dtablir terme une forme donde de rfrence du courant commut. 1.2.4.1 Le thyristor ou SCK Le thyristor (Silicon Controlled Rectifier) est un composant relativement lent, bien adapt pour des fonctionnements aux basses frquences en forte puissance. Cest un composant unidirectionnel en courant et bidirectionnel en tension, dont la fermeture est commande, alors que louverture est spontane au zro de courant (figure 1.2).

Figure 1.2 :Thyristor

Le tableau 1.1 ci-dessous, accompagn de sa lgende (figure 1.3), prsente quelques caractristiques slectionnes de thyristors de diffrentes gammes.
I di/dt
max (-44s)
200

t, min

dvldtd

300
200
800-1 200

500

500 500

O, 1
0,2
100

1 O00 1 O00

800-1 400

Tableau I. I :Caractristiques slectionnes de quelques thyristors

10

Chapitre I Lgende :
iT

Aspects essentiels de llectronique de puissance

dildt

dildt

dv/dt

Figure 1.3 :Ondes du thyristor

t, (min) : temps minimum estim pour atteindre le niveau & Irms(max) ; dildt : vitesse maximale de croissance et de dcroissance du courant ; t, : temps de blocage du thyristor. Cest le temps minimum entre le passage zro du courant dans le sens direct et la monte de la tension directe sans remise en conduction du thyristor ; dv/dt : vitesse maximale de croissance de la tension directe du thyristor. Au-del de cette valeur, il y a risque damorage intempestif du thyristor.
-

Nous proposons de retenir des ordres de grandeur qui permettront par la suite de dfinir londe type de courant. A noter que la puissance commute natteint pas le maximum possible pour le thyristor, du fait que nous souhaitons pouvoir comparer les diffrents semi-conducteurs dans une plage de puissance commune. temps de commutation la fermeture : 0,l ps quelques ps ; di/dt : 30 A/ps 170 Alps (200 1 O00 Alps en non rptitif). 1.2.4.2 Le thyristor GTO Le GTO (Gate Turn Off), est trs utilis dans le domaine des fortes puissances (figure 1.4). La fermeture et louverture sont commandes.

Figure 1.4 :GTO

Quelques caractristiques slectionnes de thyristors GTO sont donnes dans le tableau 1.2.

11

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Tableau 1.2 :Caractristiques slectionnes de quelques GTO

Lgende : tf, : temps de descente rapide du courant durant la conduction en inverse de la jonction gchette - cathode ; ttq: temps ncessaire au courant de queue pour sannuler (recombinaison des porteurs libres) ; trmin # ITRMSSM . di/dt max Le temps de commutation louverture peut valoir plusieurs microsecondes (tfq + t,,), mais dans le contexte CEM, nous retiendrons uniquement le temps tf qui correspond la plus importante variation du courant lors de louverture. tf est de lordre de la microseconde. 1.2.4.3 Le MCT Cest un thyristor command louverture (figure 1.5) disposant dune grille de type MOS (MOS Controlled Thyristor). Le contrle des commutations peut tre assur par lapplication dune tension positive ou ngative sur la gchette. Son utilisation est cible vers les convertisseurs rsonance.

Figure 1.5 :MCT

Le tableau 1.3 prsente les caractristiques de quelques MCT, (tests raliss avec une charge inductive de 200 pH). A noter que : t, est le temps de mont du courant la fermeture ; tf est le temps de descente du courant louverture.

12

Chapitre I

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance

Tableau 1.3 :Caractristiques slectionnes de quelques MCT Temps de commutation typique que nous retiendrons : une quelques microsecondes.
1.2.4.4 L'IGBT C'est un transistor bipolaire (figure 1.6) command par une entre MOS (Insulated Gate Bipolar Transistor). 1 1 est trs utilis de nos jours. Ses performances ne cessent de progresser et les temps de commutation se rapprochent de ceux du transistor MOS de puissance, mme si un courant de queue persiste en fin de commutation.
I

E Figure i.6 :IGBT

Le graphique 1.1, construit partir des recueils de caractristiques donns par les fabriquants, prsente, les temps de commutation de diffrents IGBT.

Graphique 1.1: t, et tf de diffrents IGBT

13

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

A lexamen du graphique, on voit que les temps t, et tf dfinis sur la figure 1.7 peuvent diffrer fortement dun composant lautre.

tr

tl

Figure 1.7 :Ondes types de 1IGBT

Nous retiendrons : Temps de monte t, : 30 ns 200 ns. Temps de descente tf : 50 ns 200 ns. (I1 sagit des temps de monte et de descente et non pas des temps de commutation).

1.2.4.5Le transistor MOS de puissance Cest le composant le plus rapide utilis en lectronique de puissance (figure 1.8), cependant, la valeur du courant quil peut commuter limite son utilisation aux petites et moyennes puissances. Les familles usuelles prsentent un compromis classique courant /tension, par exemple : (50 N500 V), ( I 10 N200 V), (180 NI00 V).

Figure 1.8 :Transistor MOS de puissance

Les commutations sont caractrises uniquement par les temps de monte (t,) et de descente (tf) du courant. On devra toutefois prter attention aux lments parasites des MOS de puissance, savoir les capacits Ci = CGD + CGSet Cos, ainsi qu la diode de structure en antiparallle qui peut rendre le MOS bidirectionnel en courant. Le graphique 1.2 suivant, construit partir de recueils de caractristiques des fabricants, indique les temps de commutation de diffrents types de MOS de puissance.

14

Sl

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Tableau 1.4 :Caractristiques de diffrents transistors bipolaires Lgende pour les tests sur charge rsistive : to, : temps entre dbut de la commande et fin de la fermeture du composant ; tf (R) : temps de descente du courant. Nous proposons de retenir un temps de commutation a typique >> de 100 quelques centaines de nanosecondes. 1.2.4.7 Le triac Le triac est un composant bidirectionnel en tension et en courant (figure 1.9). I1 est command la fermeture, et son ouverture est naturelle. Le triac est lquivalent de deux thyristors monts en mtiparallle. Sa commande est toutefois dissymtrique, et quatre modes de fonctionnement en rsultent.

Figure 1.9 :Triac

Les principales caractristiques (tableau L5), que nous retiendrons de ces composants sont : le di/dt la fermeture ; le dvidt critique louverture pour un di,/dt de commande donn ; le dv/dt ltat bloqu. Nous retiendrons que : les temps de commutation sont de lordre de plusieurs microsecondes ; les dvidt critiques sont assez faibles (10 V/ys) ce qui limite lutilisation des triacs des puissances moyennes et aux basses frquences.

16

ChaDitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

Tableau 1.5 : Caractristiques de commutation de triacs de petite puissance

1.2.5 Comparatif et bilan Notre objectif est destimer les dures possibles de croissance (t,) et de dcroissance (tf) du courant principal des composants. Pour cela, nous nous limitons au panel retenu prcdemment, pour lequel les tensions et courants maximum sont comparables. A noter que t, et tf sont estims sur une plage de niveau du courant (10 % - 90 %) ce qui exclut lintgration des donnes correspondant aux << courants de queue . Le tableau 1.6 indique les plages de valeurs plausibles de t, et tf pour les chantillons des diverses familles slectionnes.

(*) valeur pour des composants de moindre qualit, ou de technologie plus ancienne.

Tableau 1.6 :Comparatif des temps t, et tfdes diflrents semi-conducteurs En observant le tableau rcapitulatif, il ressort que deux groupements essentiels sont envisageables au regard des temps de commutation dfinis. lergroupement : << thyristor + GTO + triac + transistor bipolaire D ; 2e groupement : << IGBT + transistor MOS de puissance . Par recouvrement approximatif des fourchettes de valeurs, nous pourrions retenir pour le premier groupement les chiffres moyens suivants : t,= 0,2 ps et t f = 0,7 ps et pour le deuxime groupement : t, # tf # 0,l ps.

17

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

A ces chiffres, on pourrait faire correspondre des frquences e quivalentes D dfinies en CEM pour une transition suppose unique par lexpression: 1 Feq = _ _ , ce qui conduirait aux indications de valeurs suivantes :

%,f 1

premier groupement deuxime groupement

450 kHz < Fe,< 1,6 MHz Fe, # 30 MHz

1.3 Formes dondes des courants et modles simplifis correspondants


Suivant la nature des sources et le type de conversion, les formes dondes des courants seront trs varies. Les lments passifs, mais galement les impdances parasites vont influencer fortement les allures. I1 est vident que lon ne peut pas traiter le problme du rayonnement de manire exhaustive. Sachant que les commutations les plus rapides seront les plus gnantes au regard des perturbations conduites et rayonnes, nous proposons alors de traiter plus spcifiquement le cas des cartes de conversion dcoupage. Londe de base du courant (sans tenir compte de lenvironnement, et en privilgiant les aspects haute frquence) est un trapze asymtrique ou symtrique, ou ventuellement une onde rectangulaire. Les ondes particulires, isoles, ou superposes cette onde de base, sont les impulsions et oscillations invitables lies aux inductances et aux capacits parasites, des pistes et des SC. Avant de passer la dtermination dans le domaine frquentiel de ces ondes, nous jugeons utile de prsenter deux montages simples susceptibles de gnrer ces ondes particulires. 1.3.1 Impulsions trs brves de courant dun pont sortie 3 niveaux Voici le schma de principe dun pont onduleur (figure I.lO), fonctionnant 20 kHz, quip de transistors MOS de puissance dont la capacit << drain-source >> est de lordre de 400 pF. La charge prvue est rsistive. Londe de sortie est une onde traditionnelle << 120 . La commande retenue par le concepteur se veut la plus conomique. Les MOS sont contrls par paires (une paire = transistor du haut dun bras et transistor du bas de lautre bras), avec signal de grille appliqu durant 1/3 de priode et sans dcalage du deuxime bras sur le premier. On sait que ce choix ne permet pas de forcer la tension de sortie zro si la charge nest pas strictement rsistive. Ce sera le cas ici, puisque nous tenons compte de la prsence dune inductance de connexion en sortie. Lapparition de signaux perturbateurs pouvant tre lorigine de lapparition des champs proches est dans ces conditions nettement favorise.

18

Chapitre I

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance

Figure 1.10 Pont onduleur transistors MOS de puissance

Les ondes essentielles relatives aux lments signals-sur le schma sont obtenues par simulation avec le logiciel EDWIN 32'M(figure 1.1 1). On distingue : des oscillations de tension lies la nature malencontreusement inductive de la charge et l'existence des capacits << drain-source >> des transistors MOS. Elles apparaissent l'ouverture, aux bornes des MOS et en sortie du montage. Elles se positionnent mi-amplitude, quand nul semi-conducteur n'est passant. Ces oscillations seront gnratrices de champ lectrique. Des impulsions de courant dans les diodes, croissance trs rapide, de dure dpendant de l'importance du stockage inductif. (On notera que durant ces impulsions, la tension de sortie change de polarit et que le potentiel du drain du transistor MOS rejoint la tension source. Ces niveaux seraient annuls avec une commande de bras dcale qui ferait apparatre, comme il est bien connu des lectroniciens de puissance, la conduction mixte << transistor - diode , inexistante dans le cas prsent.) ............ Commande "'"
de gnlk
,O"

T e " , , , , "
dram
WUTLL

bo"

OY
2"" 44

COW*"i

dudr.im

114
14

couront dide BIIKlCC


Tension de sortie

'A

Il*

"'"
'Iv 60"

cuuranr de \ortie
courant

**
'I4

44

diide du h I \
II*

courant d tnirec

'1.1 *A
4 0

~ :

..........:
TrnS

*OW

a 007

Figure I 1 I . Ondes essentielley du pont

Un zoom de l'encadr 1 est prsent sur la figure I. 12 dans lequel on notera les transitions rapides des courants.

19

oz

I
I

I
"P
I "//
Vi

800

..........

...........

Chatitre I

AsDects essentiels de l'lectroniaue de puissance

Ces dernires impulsions de courant, de niveau double dans la boucle d'alimentation, sont de dure trs courte, car voisine de 3 4 ns. Elles peuvent donc gnrer un champ magntique d'amplitude significative dont la frquence quivalente peut atteindre 100 MHz.

1.3.2 Oscillations de courant en amont ou aval d'un hacheur rapide La figure 1.14 reprsente le schma d'un hacheur 100 VI100 kHz. La charge est une rsistance de 20 Q, laquelle il convient d'adjoindre une inductance de ligne de 2 pH. L'interrupteur comprend un transistor MOS de puissance de capacit drainsource relativement leve (400 pF) et une diode rapide en anti-parallle.

Figure I.14 :Hacheur rapide

Des oscillations vont naturellement apparatre, aussi bien en tension, qu'en courant. La figure 1.15 reprsente les ondes temporelles qui en tmoignent. I1 faut alors constater que l'oscillation de courant, dans la charge, dont la frquence est voisine de 700 kHz et dont l'amplitude atteint 4 A, sera gnratrice d'un champ magntique perturbateur mis par la boucle indsirable que constitue la liaison au rcepteur. r.............
20"

""
5"

Figure I.15 :Ondes temporelles du hacheur

21

ChaDitre 1

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance

Un zoom de l'encadr de la figure 1.15, est prsent figure 1.16. On peut ainsi observer que la diode est sans effet sur l'oscillation de tension ds lors que l'amplitude de celle-ci est infrieure a la tension source.

&
5"

* " " r l I
UV
5"

E;
ii"

UV

\?

1.3.3 Ondes de base dans les domaines temporel et frquentiel


Nous allons examiner successivement les diffrents cas prcits, avec pour objectif la dtermination de leur spectre frquentiel, lequel sera utilis ultrieurement pour le calcul du champ magntique mis par des boucles de cblage. Les ondes de bases vont tre prsentes dans le domaine temporel, leur dcomposition spectrale est obtenue par le calcul des coefficients de Fourier.
Rappel sur les coefficients de Fourier

Soit x(t) une fonction priodique de priode T. Cette fonction peut s'crire sous la forme d'une somme de fonctions harmoniques :

avec
a, = - Jx(t)dr TT

a,=-

T T

2 jx(t).cos n-t

[;I

22

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

En rcrivant cette galit sous forme exponentielle complexe, on obtient la dcomposition en srie de Fourier de la fonction x(t) :

avec :

a -jb pour n < O. n > O, , , = 2 2 Les coefficients c, sont les coefficients de Fourier, mais seuls les c, pour n > O ont une signification physique. On peut en effet exprimer x(t) comme suit :

c, = a,,

= u pour

(Ac, : argument du complexe c, ). 1.3.3.1 Onde rectangulaire

(1.7)

+
j
:

tM

T
Figure I.17 :Onde rectangulaire de rapport cyclique E C D 012 : Onde rectangulaire pour cx = 0,04 (figure L17a)

a = tM I T

Pour une onde rectangulaire (figure 1.17), les coefficients de Fourier sont

Les amplitudes des harmoniques sont donc : H, = 21c, (figure I. 18).

23

Chapitre I
0 7 '

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance


" " '

'

'

, , , , ,

-40

-50

IO

1 o6 Frquence ( H z )

1 0'

Figure 1.18 :Dcomposition spectrale de l'onde rectangulaire (rapport cyclique

CL

= 0,04)

L'enveloppe des amplitudes des harmoniques dcrot suivant une pente de moins 20dB/dcade partir du rang T/(tM.n). Si le rapport cyclique augmente, l'excursion du piedestal (niveau de dpart observable sur la figure 1.18) va se rduire et les perturbations lies aux premiers rangs des harmoniques seront minimises. Cela est illustr sur le CD d'accompagnement :
R C D 014-015: Reprsentations temporelle et frquentielle de l'onde rectangulaire pour a = O, 18 (figures

I. 18a et I. 18b)
RCD 016-017 : Reprsentations temporelle et frquentielle de l'onde rectangulaire pour a = 0,9 (figures I. 18c et I. 18d)

1.3.3.2 Onde trapzodale symtrique

T
Figure 1.19 :Onde trapzodale symtrique

BCD 018 : Onde trapzodale symtrique pour a = 0,15 et t, = 500 ns (figure L19a)

24

Chapitre I

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance

Pour un trapze rgulier (figure 1.19) les coefficients de Fourier sont : (1.10)

Les amplitudes des harmoniques sont donnes par : Hn= 2 . ICn (figure 1.20).
(I. 1 1)

Frquence ( H z )
Figure 1.20 :Dcomposition spectrale de l'onde trupzodule symtrique pour

E019

a = O, 15

L'enveloppe des harmoniques prsente trois pentes distinctes : la premire est nulle pour les harmoniques de rang infrieur T/(n.(t,+tM)); la seconde de -20dB/dcade pour les harmoniques compris entre T/(n.(tr+tM)) et T/(x.tr) ; la troisime de - 40 dB/dcade pour les harmoniques suprieurs T/(x.t,). Quand le rapport cyclique augmente, le piedestal disparat, comme illustr sur le CD avec a = 0,45.
BCD 020-021 : Reprsentations temporelle et frquentielle de l'onde trapzodale pour a = 0,45 (figures I.20a et I.20b)

25

Chapitre I

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance

1.3.3.3 Onde trapzodale asymtrique


i(t)

. . (

T Figure 1.21 :Onde trapzodale asymtrique

BCD 022 : Onde trapzodale asymtrique pour a = 0,2

t,

= 400 ns tf = 2 rns (figure I.21a)

Les expressions des coefficients de Fourier d'une telle (figure 1.21) sont :
(1.12)
n r l
] j ; , nx(t+lM)

La figure 1.22 donne la dcomposition spectrale de ce type d'onde, pour un rapport cyclique a = 0,2 et des temps de transition t, et tf gaux respectivement 400 ns et 2 ms.

, ,
I

10'

1O"

IO'

Frquence (Hz)
Figure 1.22 :Dcomposition spectrale de l'onde trapzodale asymtrique

Bo23

26

Chapitre I

Aspects essentiels de l'lectronique de puissance

L'enveloppe des harmoniques prsente trois pentes distinctes dont les points d'inflexion sont proches de ceux relatifs au cas de l'onde trapzodale symtrique. Les niveaux sont cependant lgrement diffrents comme indiqu sur la figure. En augmentant a,comme prcdemment, le piedestal peut de nouveau disparatre et 2 pentes au lieu de 3 subsistent pour l'enveloppe des maximas du spectre.
B C D 024-025 : Reprsentations temporelle et frquentielle de l'onde trapzodale pour CL = 0,5 (figures I.22a et L22b)

1.3.4 Prise en compte des oscillations de commutation Au sein d'un convertisseur dcoupage, il va sans dire que des courants de formes diverses vont apparatre, porteurs d'oscillations. I1 est bien videmment difficile de vouloir prendre en compte toutes les allures possibles. Nous proposons donc de ne considrer que l'allure trapzodale prcdemment tudie, laquelle nous superposons une oscillation de commutation l'ouverture mais ventuellement galement la fermeture, sachant que ce cas de figure est tout fait envisageable. Formulation mathmatique Les oscillations parasites vont tre modlises par une sinusode amortie du type :
p ( t ) = Dp'e"''cos(wp . t + ( P p ) .
(1.13)

Reprsentations temporelles et frquentielles Cas de l'oscillation isole


6

,-. 0
2

-2

-4

0.5

1 Temps ( a )

I .5
x 10

HO26

Figure 1.23 :Onde temporelle de l'oscillation isole, f = 8 MHz B C D 027: Oscillation 8MHz (figure I.23a), zoom de l'onde de la figure 1.23

27

Chapitre I

Aspects essentiels de llectronique de puissance

a
-10

-20

!2 3 -30
4
-50

-60
106 ._

loi

Frquence (Hz)
Figure L24 :Dcomposition spectrale de loscillation isole de frquence 8 MHz

Cas de loscillation la fermeture porte par une onde trapzodale type

Figure 1.25 :Onde temporelle de loscillation u la fermeture de frquence f = 8 MHz

28

Chapitre I
20
10

Aspects essentiels de llectronique de puissance

--lo

2 -20
$30

4
-50

-60
los

IO6

10

Erquence (Hz)
Figure :1.26 Dcomposition spectrale de loscillation la fermeture de frquence f = 8 MHz

030

Cas de loscillation louverture porte par une onde trapzodale type

0.5

1 T e m p s (s)

1.5

Mo31

Figure L27 :Onde temporelle de loscillation louverture de frquence f = 8 MHz

29

Chapitre I
20
10 C

Aspects essentiels de llectronique de puissance

E-l0
. a

$ -20

E-30

4
-50
-60

IO6 Frquence @Iz)

10

H o 3 2

Figure 1.28 :Dcomposition spectrale de loscillation louverture de frquence f = 8 MHz

Commentaire

I1 apparat clairement que la prsence dune oscillation parasite modifie lenveloppe du spectre du courant de manire significative aux frquences les plus leves. Le phnomne sera amplifi par drivation de la fonction comme nous le prendrons en compte ultrieurement.
Conclusion du chapitre

Nous venons de voir brivement ce quest la fonction de commutation en lectronique de puissance, et quelles sont les structures de conversion classiques qui lutilisent. Nous avons galement prsent une tude statistique des temps de transition dun chantillonnage de semi-conducteurs associs ces structures. Deux groupements de semi-conducteurs peuvent tre retenus. Les plus rapides prsentent des temps de commutation conduisant des frquences quivalentes pouvant atteindre 3 MHz. On peut donc sattendre un rayonnement lectromagntique important au voisinage des circuits associs. De manire aborder ce problme, nous avons slectionn des ondes typiques de courant, construites partir des considrations prcdentes sur les temps de transition des semi-conducteurs, mais galement sur la prsence possible doscillations parasites lies aux imperfections des cblages.

30

CHAPITRE II
PRSENTATION SIMPLIFIE DU RAYONNEMENT DES CARTES DE PUISSANCE

Les convertisseurs raliss sur cartes sont de petites et moyennes puissances, mais ils constituent le plus grand nombre. Nous allons donc cibler essentiellement notre prsentation sur ces structures coplanaires 2D, sachant que les systmes de grande puissance ncessairement tri-dimensionnels doivent faire lobjet dtudes spcifiques individualises.

11.1 lot rayonnant, boucle << topologique B et boucle 4< quivalente >>
11.1.1i i lot rayonnant >>
Les mesures du champ magntique au-dessus de cartes lectroniques, que lon peut effectuer laide de sondes de champ proche, permettent en gnral de reprer des << lots rayonnants B localiss. Pour une carte simple dalimentation dcoupage par exemple, on pourrait reprer deux ou trois << lots >> localiss prpondrants dont on peut considrer que laction conjugue dtermine lessentiel du champ magntique rsultant de la carte. Dans ces conditions, nous allons dans un premier temps tudier tous les aspects du rayonnement de boucles particulires gomtrie simplifie et conjuguer leurs effets dans un deuxime temps.

11.1.2 << Boucle topologique N


La << boucle topologique >> voit son nom inspir par la notion de << topologie D qui est une forme de reprsentation du schma structurel limit aux semi-conducteurs et pistes parcourus par des courants. La << boucle topologique >> est donc une partie de la structure un instant donn. Nous allons expliciter cette notion sur quelques exemples. La prsentation qui va tre faite se veut didactique et se base sur des schmas simplifis, auxquels peuvent correspondre des implantations gomtriques voisines. Notre objectif terme est dobtenir le rayonnement de <<boucles quivalentes )> aux lots prcits, dans lespace environnant (3D).
Hacheur abaisseur

Le schma retenu est donn par la figure II. 1. Dans cet exemple, deux topologies essentielles peuvent tre slectionnes, auxquelles correspondent les deux << boucles topologiques D suivantes : - Bt1: [ C, T Z 1 ; Bt2: [ Q Z I En implantation relle, la boucle Bt2peut tre constitue simplement par les pistes de sortie vers les bornes de connexion de la charge, souvent relie par un cble bifilaire ne prsentant pas de surface de boucle.

33

Chapitre II

mq@
Bti

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Bt 2

Figure I L I :c Boucle topologique

dun hacheur abaisseur

La prsence dun CALC associ au transistor T peut videmment ajouter dautres boucles topologiques . Pont monophas Le schma de principe dun onduleur de tension est donn figure 11.2.

c e

....................

........ .....
........................

Figure II..! :R Boucle topologique

dun pont monophas

Limplantation relle pourrait tre de gomtrie voisine de celle du schma, ou trs diffrente suivant, par exemple la disposition du (des) refroidisseur(s), la prsence de potentiels communs (exemple celui des metteurs des semi-conducteurs du bas) etc. Notre prsentation ne pouvant tre exhaustive, nous proposons dobserver les topologies sur le schma de principe. Les << boucles topologiques N B,, et Bt2ont pour particularit dtre : de mme surface ; symtriques ; parcourues par des courants de mmes sens. Elles prsentent en outre une partie commune incluant le condensateur haute frquence C. On notera que la charge suppose ramene comme prcdemment par un cble bifilaire, nintroduit pas de boucle extrieure.

34

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

11.1.3 << Boucle quivalente >> Les logiciels de routage proposent en gnral des parcours de pistes tenant compte des encombrements des composants, des densits de courant et de rgles essentielles pour limiter les effets de diaphonie et de couplage par impdance commune. Les parcours des pistes sont parallles ou perpendiculaires. Les << boucles topologiques >> qui peuvent se dgager sont donc essentiellement des formes gomtriques construites partir de segments perpendiculaires. Sur une carte relle, les <<bouclestopologiques D correspondent des semiconducteurs, des composants passifs, et des lments de piste dtermins. Dans leur environnement, il existe galement des composants faible courant destins par exemple la commande des interrupteurs, la rgulation, au dcouplage etc. Sachant que les << boucles topologiques >> constituent lessentiel du champ magntique rayonn proximit, on peut alors cerner gographiquement n un lot correspondant. Une carte standard dalimentation dcoupage prsentera plusieurs << lots , donc sera schmatise par autant de e boucles quivalentes H (Be) de forme simples. Le rayonnement global de la carte observe au travers de celui des <<boucles quivalentes >> sera estim au sens de la CEM, cest--dire dans les conditions les plus dfavorables.
( (

11.2 Formulation mathmatique et reprsentation spatiale du champ magntique


La plupart des ouvrages prsentent essentiellement la boucle lmentaire (circulaire infinitsimale). I1 convient de sinterroger sur plusieurs points, concernant la comparaison possible de cette boucle lmentaire avec la << boucle quivalente >> relle type de surface finie, de forme rectangulaire ou carre. Voici les points dinterrogation quil faut retenir : quel est le domaine de validit en fonction de lloignement, de lquivalence possible entre la boucle lmentaire et la boucle rectangulaire ? quelle est la validit dune dmarche de simplification dcriture mathmatique base sur le paramtre pr (produit : nombre donde x distance) ? quelle est linfluence de la dimension des conducteurs constituant la boucle ? comment prendre en compte leffet dun plan de masse ventuel situ immdiatement sous le circuit ?

11.2.1 Equations lectromagntiques Expressions locales des quations de Maxwell

VxE=--

&
dt dt
(11.1)

dD VxH=J+-

(11.2)

35

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

v.D=p

(11.3)

v.B=o

(11.4)

Prcisions sur les oprateurs et grandeurs considres : V .: calcul de divergence ; V x : calcul de rotationnel ; E : vecteur champ lectrique (V/m) ; H : vecteur champ magntique (A/m) ; B : vecteur dinduction magntique (Vs/m2ou T) ; 6 : vecteur champ de dplacement (As/m2ou C/mz) ; : vecteur densit de courant (A/m*) ; p : densit volumique de charge (Urn3). Dans les milieux isotropes homognes nous retiendrons les relations suivantes entres les grandeurs :

B = p H = poprH - D = E E= ,,E

(11.5)

(11.6)

J=a
avec :
-

(11.7)

E : permittivit absolue, Er : permittivit relative, EO =


O : conductivit S/m.

1/(36.n.l09)AsNm ;

p : permabilit absolue, pr : permabilit relative, po= 4.n.lO-Vs/Am ;

Du fait de V . = O , il existe un vecteur potentiel magntique 2 tel que : B=VXA (11.8) Ce vecteur potentiel nest pas compltement dfini par cette relation, il le sera ultrieurement par lexpression de sa divergence. En introduisant (11.8) dans (11.1) on obtient :

V X E+-

Comme le rotationnel dun gradient est nul, cela permet de dfinir le potentiel scalaire lectrique V suivant :

[- $1
aA
at

=O

(11.9)

E+-=-V(V)

(11.10)

V(v) tant le gradient de V.


Ce potentiel scalaire lectrique est alors dfini une constante prs. A partir de lquation (2) et en utilisant (8) et (10) on obtient : - a 2A - F E ~ -dV V X V X A =pJ -FE-

a 2t

(11.1 1)

a t

36

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

En utilisant la relation

v x v x A = V(V.A) - VA,

(1 1) devient
(11.12)

En utilisant (10) dans lquation (3) il vient :


(11.13)

Sachant que

v . V(V) = V 2 v , on peut crire (13) sous la forme :


(11.14)

Pour dfinir compltement le vecteur potentiel magntique et le potentiel scalaire lectrique on impose la condition de Lorentz :

dV v.A + p&-

at

=O

(11.15)

I1 sen suit que (12) et (14) deviennent aA V2A-p&-=-pJ


v2v-p&p

:
(II. 16)
(11.17)

a2v=--p
a2t
E

a 2t

Ce sont les deux quations donde. Les solutions particulires de ces quations sont
A(M t )=
1

fj j j d r v
V

J(t--)

r
(II. 18)

(11.19)

M : point dobservation R : distance entre le point dobservation M et llment dv Ces solutions vrifient les conditions aux limites suivantes : iimA = O et iimv =
r+ai
!

+-

A ( M , ~ et ) v ( M , ~ )sont des potentiels retards. Cest--dire que leurs valeurs linstant (t) dpendent du courant ou de la charge linstant (t-du) correspondant au retard d la propagation la vitesse u des effets lectromagntiques.

Nous allons maintenant uniquement nous intresser au vecteur potentiel magntique. Tout signal priodique pouvant tre dcompos sous la forme dune somme de fonctions sinusodales, nous pouvons introduire la notation complexe dans lcriture des formules.

37

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Soit G ( t ) un vecteur. En rgime sinusodal permanent et en coordonnes cartsiennes il peut s'exprimer sous la forme : G = G,.Z+G,.F +G,.Z
(11.20) (11.21) (11.22) (11.23)

avec : G, = G, cos (wt + cp, ) G, = G, cos(wt + cp, )


G, = G, cos(wt + ipz) En utilisant l'criture complexe on obtient : G, = ~ e ( G M x e J n r e s Je ~( ~~ )= ,e'"~ avec ) : G, - = G,$J'PX

(11.24)

G, , G, , G, sont des grandeurs complexes indpendantes du temps (parfois


-

appeles phaseurs) dont le module reprsente l'amplitude maximale de G ( t ) suivant chaque direction. A partir de ces grandeurs, on peut dfinir le vecteurg - (parfois appel vecteurphaseur) : (11.27) G = G,.? G;.? - + G, .y + -

La relation qui relie G Remarque :

et G ( t ) est

donc : G(t) = %e@ejwt)

(11.28)

(11.29)

Le vecteur-phaseur sera souvent utilis dans la suite de cette prsentation car il permet de dterminer l'amplitude maximale du champ tout en simplifiant les critures. A partir de cette criture on peut exprimer en rgime sinusodal les expressions complexes du courant excitateur et du potentiel vecteur :

7 = Sekeeijwr))
-

(11.30)

: vecteur densit de courant dans le conducteur ; - : vecteur-phaseur densit de courant.


(11.31)

38

Chatitre II

Prsentation simdifie du rayonnement des cartes de puissance

11.2.2 Application a la boucle lmentaire


11.2.2.1 Formulation mathmatique Le milieu de propagation est lair, donc p = poet E = EO. Hypothses de calcul : les conducteurs sont supposs filiformes donc :
(11.32)
I

les dimensions des boucles sont petites devant la longueur donde des frquences considres. Le courant est donc constant tout le long de la boucle. Nous considrons une excitation sinusodale du courant dont nous prenons lexpression complexe : I = 1M ent (11.33)
-

Lexpression complexe du potentiel vecteur magntique est donc :


(11.34)

avec : 2n. p =. nombre donde

h : la longueur donde associ la frquence f


Lcriture simplifie (sans faire apparatre la dpendance temporelle) est donc :
(11.35)

La dtermination du champ magntique se fait partir de (11.5) et (11.8) :


H -= - V x A
(11.36)

P n
Pour une boucle lmentaire (figure 11.3), les composantes des champs sont en coordonnes sphriques.
(11.37)

(11.38)

39

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Fig.II.3 :Systme de coordonnes pour lu boucle lmentaire

avec : I : amplitude du courant excitateur ; Se : surface de la boucle lmentaire. Suivant la valeur du produit pr on distingue deux rgions de lespace ou lon peut simplifier les critures du champ magntique. En champ proche : pr < . : 1, les termes dominants sont ceux de plus haut degr ; de plus on peut considrer que e(-JPr) # 1. Dans ces conditions, les composantes du champ magntique deviennent :
(11.39)

2m3 Lamplitude du champ rnagntique est donc :


-

H , =e cos8

IS

(11.40)

(11.41)

Donc, en champ proche. lamplitude du champ magntique est indpendante de la frquence. Elle ne dpend que du courant dans la boucle, de la surface de celle-ci et du point dobservation. La frontire de cette zone de champ proche sera prcise plus loin. En champ lointain : Or : . > 1, ce sont les termes de plus bas degr qui dominent.
(11.42)

(11.43)

He est en (Ufir) et H, est en (Ufir). Dans ces conditions on ne considre que He Dans le cas gnral :

40

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

(11.45)

11.2.2.2 Reprsentations spatiales L'objectif est de mettre en vidence la distribution du champ en tout point de l'espace sur la base de trois descriptions particulires : (a) Le lieu des points est un hmisphre recouvrant la boucle lmentaire. (b) Le lieu est constitu par des plans parallles, tous perpendiculaires au plan de la boucle et rgulirement loigns de celle-ci. (c) Le lieu des points est un quart de plan perpendiculaire la boucle lmentaire et dont l'intersection avec celle-ci est un rayon (localisation en 2D parr et 9). Reprsentation suivant la description (a) La figure 11.4 donne l'amplitude maximale et l'orientation en tout point de l'hmisphre, frquence donne, du champ magntique proche. Cette reprsentation permet de souligner que les directions du champ ne sont videmment pas radiales (sauf 9 = O) mais rsultent d'une composition de vecteurs ( H , ,He).

X (m)

BO33

Figure 11.4 :Champ magntique sur un hmisphre centr sur la boucle lmentaire

RCD 034 : Reprsentation pour une sphre complte (figure IL4a)

41

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Nous allons examiner maintenant l'influence de l'loignement (r) sur la variation d'amplitude du champ magntique en considrant celui-ci dans le plan Y-Z. Remarque : nous sommes en << champ proche , on pourra vrifier la concordance avec les expressions mathmatiques sur le rapport 2 entre les amplitudes observes la verticale de la boucle et dans son plan.
n 12

0.1

4
Paramtres : F = 1 MHz S , = 4 cmz I=lOA

3 h

n 02

no2

no2

no4

006

oox

01

012

Y (m) Figure 11.5 ; Champ magntique proche de la boucle ( r = 10 cm)

go35

""'I
v

'
'

' 3

40

20
O

Paramtres : F = 1 MHz S , = 4 cm2 I = 10A

-20
L

50 y (m)

1O0

a036

Figure 11.6 . Champ magntique loign de la boucle ( r = IOOm)

42

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Commentaire : nous sommes cette fois en zone de transition et le rapport prcdent diminue, devenant infrieur l'unit. NB : les conditions d'aflchage sont diffrentes dans un souci de lisibilit. Il convient videmment de ne pas effectuer de comparaison directe d'amplitude. Reprsentation suivant la description (b) La figure 11.7 est une illustration de la dcroissance rapide de l'amplitude maximale du champ magntique avec l'loignement dans deux directions orthogonales (X et Y) pour diffrentes hauteurs par rapport au plan de la boucle. On observe galement les changements d'orientation correspondants.

',

.
'

.,
,
I

, .'
.
.

go37
Figure II. 7 :Champ magntique suivant diffrents plans parallles la boucle

RCD 038 : Vision priphrique du champ magntique suivant diffrents plans parallles la boucle (figure II.7a)

Reprsentation suivant la description (c) de l'espace

La boucle tant circulaire, on peut ne retenir que les variations en r et 8, et se situer ainsi dans un plan perpendiculaire la boucle passant par son centre.
RCD 039 : Amplitude du champ H en fonction de (r et 8) cp = O S, = 4 cmz, 1=1O A (figure II.7b)
O,

avec pour paramtres : f = 100 kHz,

Bien videmment, on vrifie que l'amplitude maximale du champ magntique dcrot rapidement avec l'loignement (la frquence n'tant pas trs leve). D'autre part, l'influence de 8 peut tre observe aux limites (trs prs ou trs loin de la boucle) faisant ainsi clairement apparatre des sens de variation opposs.

43

ChaDitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

11.2.3 Application la boucle rectangulaire


Nous jugeons utile dintgrer dans ce chapitre le calcul complet des expressions du champ dans le cas de la boucle rectangulaire qui donnera lieu ensuite une implantation sur MAT LAB^^. Une telle boucle est reprsente figure 11.8, avec le systme daxes associ.

Figure 11.8 :Boucle rectangulaire

11.2.3.1 Formulation mathmatique Pour effectuer le calcul du champ mis par une boucle rectangulaire nous allons dcomposer lquation (11.36) en une somme dintgrales. Chaque intgrale correspond un cot du rectangle dans ce cas. (Si la forme gomtrique correspondant la boucle mettrice est plus complexe mais toujours forme de segments, il suffira deffectuer une dcomposition par segment).

(11.47)

Le vecteur potentiel sexprime suivant les coordonnes cartsiennes de la faon suivante : (11.48) = A, + A , + A ,

(11.49)

On notera que

3 = 0 car la boucle mettrice est dans le plan z = O. aZ


(11.50)

Nous obtenons donc :

44

Chatitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

(11.51)

(11.52)

Calculons le champ magntique H :


1 - 1 H =-VxA=-d PO
(11.55)

PO

H,=--=

1 3%

(11.56)

PO J Z M
(11.57)

(11.58)

Dans le calcul des expressions des composantes du champ magntique, on peut remarquer que les oprations de drivation et dintgration portent sur des variables diffrentes. I1 est donc possible de permuter ces oprations.

3% . Exemple sur le calcul de = .


h l
(11.59)

45

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance it :


(11.60)

Tzl =-

(11.61)

azh4

T,, =

a
~

(11.62)

azh4

Dcomposons cette expression :

-,P[(xv + $ Z + ( h

(11.63)

et :
(11.64)

donc :
1

T:, = -zM e

-/P[(xM

+ 1 ) 2 + h -y)'+:M2]1

(11.65)

46

Chapitre I I

Prksentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Cette expression peut tre mise sous la forme simplifie suivante

(11.66)

de mme :

(11.67)

L'expression de H, est donc la suivante :

Les calculs pour dterminer H, sont similaires, on obtient donc :

Pour le calcul de H, nous dterminons T,,

(11.70)

47

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

donc :

(11.73)

que l'on peut exprimer sous la forme simplifie :


(11.74)

de mme : (11.75)

1
r

(11.76)

(11.77)

48

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

On obtient alors lexpression de H,

(11.77)

Les diffrentes expressions obtenues peuvent tre implantes sous un logiciel comme MATLABTM ce qui permet de connatre en tout point de lespace le champ mis par la boucle rayonnante rectangulaire.

49

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

11.2.3.2 Reprsentations spatiales La boucle prcdente dite lmentaire donne lieu a une formulation mathmatique simplifie nautorisant pas lexamen de linfluence de la proximit du conducteur la constituant, puisque seul le produit S,xl (surfacexcourant maximal) est considr. En revanche, dans le cas maintenant de la boucle rectangulaire, le courant I est parfaitement localis dans le conducteur (suppos filiforme) dcrivant un contour dtermin. La figure 11.9 permet dillustrer ce prambule. En effet, si lon recherche le champ H (amplitude maximale et orientation) dans un plan parallle la boucle au-dessus de celle-ci, on voit se << dessiner >> le profil du contour.

0.015

0.005

O
-0.05

7,
0.05

.......

<..............._.<<..<_______

x (m)
Figure 11.9 :Chump H duns un plan au-dessuset parallle
lu

go40
boucle ( Z = 2.5 cm)

Remarques : On peut effectuer des rotations en 3D comme reprsent sur le CD :


BCD 041-042 : Variantes 3D de reprsentation du champ H dans un plan au-dessus et parallle la boucle pour z = 2,5 cm (figures I1.9a et II.9b)

Lincidence du rapprochement est videmment forte :


BCD 043 : Champ H dans un plan au-dessus et parallle la boucle pour z = 5 mm (figure 11.9~)

I1 est intressant de reprsenter les courbes de mme niveau damplitude du champ magntique, dans le plan de la boucle (figure 11.10). Linfluence de la proximit des conducteurs est dautant plus faible, que lon se place dans un plan de plus en plus loign de la boucle. On pourra observer cela sur le CD. I1 est galement intressant de reprsenter les courbes de mme niveau damplitude du champ magntique dans un plan perpendiculaire cest--dire dans le plan YZ, en coupe suivant OX (figure II. 11). Linfluence des conducteurs sattnue cette fois avec lloignement suivant OX :

50

ChaDitre 11

Prsentation simvlifie du rayonnement des cartes de puissance

044
Figure II. I O :Courbes dgale amplitude du champ H dans le plan (XY) B C D 045-046 : Courbes dgale amplitude de H dans un plan situ z = 2 et 6 cm (figures II. IOa et b)

0.05

, / -

IHI

1 .

, I . _

I l
\._
1

1 -

. _ ,

, . , ,

-0.05 -0.05

0
y (m)

0.05
a047

Figure ILI I :Courbes dgale amplitude du champ H dans le plan (E) X =O B C D 048-050 : Courbes dgale amplitude de H dans un plan YZ situ x = 2.5 cm; 3,75 cm et 5 cm (figures II. 1la, II. I 1b et II. 11c)

On notera que le champ est bien plus important proximit des conducteurs, en particulier lintrieur de la boucle.

51

Chapitre Il

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

0.05 . .

........................................
,

. .
.

.
.

. . . . . . . . . . . . . . . . . * . . . . , . . . .
.
.

i Paramtres : i F = 100kHz

. . .
. \
l

, , < , , ,
, & L i , , , < -

ii=i2=5cm I=IOA . . . .: .........................................

:
i

- -

,--.

. . , , _
i

- . \ i

E
N

0-

. , .
-

, \

&/Ti
I
, , , , *

I
I
I
, , I ,

1
I
I
, $

i
i
i i ,

1
I
\ \

/,/
\ . \ -

I
I
$

I l ;
-

.-.,/
,

. . . . . . . , . .. . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . .
, , ,

.
.

.
.

-0.05-

Figure 11.12 :Champ H prs de lu spire


BCD 052 : Champ H trs prs du conducteur (figure II.12a)

I1 est possible dtablir une reprsentation en trois dimensions cp donn de lamplitude maximale du champ magntique en fonction de r et 8 (figure 11.13). On voit ainsi pertinemment que laccroissement marqu damplitude est le tmoin de linfluence du conducteur proche. La figure 11.14 donne lamplitude du potentiel vecteur A , dans les mmes conditions dobservation que pour la figure II. 11. Cette nouvelle reprsentation souligne nouveau de manire flagrante lincidence de la proximit du conducteur. I1 convient de rappeler que A est li au champ par la relation :
P O

Remarque sur linfluence ventuelle de la frquence

Avec les quations simplifies de la boucle lmentaire sous lhypothse du champ proche, nous avons montr aisment lindpendance de lamplitude du champ de la frquence. En ce qui concerne la boucle rectangulaire, la mise en vidence du phnomne est moins directe, cest pourquoi nous prsentons des tracs compars (figure II. 15) pour la boucle lmentaire et la boucle rectangulaire.

52

ChaDitre II

Prsentation simdifie du rayonnement des cartes de puissance


H=f(R,B)

~. ...................................... I Paramtres :

f
j

F=100kHz 5cmx5cm

1053
Figure 11.13 :Amplitude maximale du champ magntique en fonction de r e t 0 (cp = O ")

RCD 054-055 : Variantes de la figure 11.13 (figures II.13a et 11.13b)

IO?

Paramtres

fi

F = 100 kHz 5 cm x 5 cm I = 10A


.....................................

02

0.04

Figure I l , 14 :Amplitude du potentiel vecteur

E C D 057-058 : Variantes en 3D et 2D de la figure 11.14 (figures I1.14a et 11.14b)

53

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de Duissance

Conditions retenues pour effecter les tracs compars de la figure II. 15 : choix du mme point dobservation (X = O, Y = 4 cm , Z = 2,5 cm) ; on vite de situer le point dobservation proximit immdiate du conducteur (cas de la boucle rectangulaire) ; on fixe le produit &XI la mme valeur pour les deux boucles.
1.05

1
I , , , , ,

, ,

/ , , , ,

z
e,

.20.95
O>

to

x=O y=4cm

& 0.9 m
0.85

O. 8 1o5

1o6

Frquence (Hz)

I o7

os

I o9

1059

Figure 11.15 :Evolution de lamplitude du champ H e n fonction de la frquence

On remarquera que le changement du champ magntique ne seffectue qu partir dune valeur parfaitement identifiable pour laquelle on quitterait les hypothses du champ proche. Cela souligne nouveau lindpendance de lamplitude du champ davec la frquence (dans la limite dun loignement modr bien sr).

11.2.4 Domaine de validit de lquivalence << boucle relle-bouclelmentaire >> Nous allons examiner la possibilit dassimiler, au regard du champ magntique mis, une boucle de petites dimensions une boucle lmentaire. Cette quivalence se fait sur lhypothse de la conservation de la valeur du produit IxS (courant x surface de la boucle). I1 nest bien sr pas concevable deffectuer cet examen pour une boucle relle de forme trop allonge (pistes parallles par exemple). De plus, les cas concrets dimplantation conduisent statistiquement dans le cas du rectangle un rapport longueur/largeur infrieur 4. Pour des formes plus complexes, le rectangle coin tronqu (prsentant une enclave) de la figure II. 16 est un cas reprsentatif que nous pouvons retenir. Pour dgager les conditions dquivalence, il convient de procder plusieurs tudes comparatives.

54

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Figure II. 16 :Piste rectangulaire coin tronqu

11.2.4.1 Premire tude : comparaison directe Nous valuons IxS donn en fonction de la distance r dloignement, les champs magntiques respectifs de la boucle lmentaire et dune boucle carre. Le point dobservation est dans le plan des boucles (mme circuit imprim). La figure 11.17 donne lamplitude maximale HMdu champ (valuation par code de couleurs) pour les deux boucles, z = O. Les paramtres pour le trac sont : f = 100 kHz, Se = 25 cm2, I = 10 A.
50

O1

45 40

O1

0 05
h

35

005
h

E O

30
25

20

O
30

-0 05 -0 1 -0

15

-005
20

10

5 O

-0 1 -0

10

Figure 11.17: Amplitude maximale du champ magntique pour les deux boucles
RCD 061-062 : Influence de lloignement (figures II. 17a et II.17b)

On observe que pour r suprieur deux fois le ct du carr, les amplitudes sont pratiquement quivalentes. On notera galement que le champ est maximum au centre de la boucle lmentaire, ce qui est normal puisquelle est suppose << infinitsimale , alors que le champ le plus lev (damplitude plus faible) se situe au voisinage du fil pour la boucle carre. 11.2.4.2 Deuxime tude : variation de 1a taille de la boucle carre Nous proposons maintenant dexaminer linfluence de la taille de la boucle carre sur lamplitude du champ magntique en des points situs dans le plan de la boucle. Pour des raisons de facilit de reprsentation, les points suivent une trajectoire rectiligne partant du centre de la boucle et perpendiculaire un ct (figure II. 18). Nous proposerons ensuite une variante de ltude dans un plan parallle la boucle quelques millimtres au-dessus de celle-ci.

55

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

0.030.02
~

0.01

1,

p 2 l
dobservation

O-0.01

-0.02
-0.03

-0.03-0.02 -0.01

O
X

0.01 0.02 0.03

Figure 11.18 :Reprsentation des diffrentes boucles carres tudies

La figure 11.19 reprsente lvolution de lamplitude maximale (HM) du champ magntique en fonction de lloignement r, pour les deux types de boucles avec, pour la boucle carre, un paramtrage par la longueur a du ct. Lobservation est ralise en 2D dans le plan des boucles (XY).

- Boucle

Cam
- ,

-40

0.02

0.04

0.06

0.08

o. 1
&63

R (m)
Figure 11.19 :Evolution de HMpOUr les diffrentes boucles

ECD O64 : Variante en 3D (figure II. 19a)

56

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Observations essentielles : pour les spires carres, HM prsente des pics trs marqus quand r = a/2 (situation sur le fil) ; r = O, (au centre des spires) les valeurs de H M sont distribues en rapport avec la pondration ( IxS donn) entre la valeur du courant et celle de la surface, ce qui est normal ; les courbes HM(r) de la boucle carre se confondent progressivement avec HM(r)de la spire lmentaire pour des valeurs de r leves. A lissue de ces observations, il semble que lquivalence sous condition des boucles lmentaires (BE) et carr (Bc) soit envisageable. Pour examiner cette possibilit avec un minimum de rigueur nous proposons maintenant dtudier lerreur relative entre les champs des deux boucles types, soit :
(11.79)

La figure 11.20 reprsente les courbes correspondantes A %(R), paramtres par (a). On observe la convergence asymptotique vers O % ds que r est suffisant.

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

r (m)
Figure 11.20 :Erreur relative sur lvaluation HM entre les deux boucles enfonction de r

rn065

La figure 11.21 permet dapprcier lquivalence en fonction du rapport r/a de lloignement au ct de la boucle carre. Dans ce cas, lerreur est sensiblement la mme quel que soit a. En acceptant 10 % derreur, il suffit de sloigner de 2a pour, sans trop dimprcision, assimiler la boucle carre une boucle lmentaire et profiter ainsi de la simplification importante des expressions mathmatiques implanter.

57

Chauitre II

Prsentation simulifie du ravonnement des cartes de Duissance

100

80

60
6=
e> c

1 L u

20

da

a066

Figure II.21 :Erreur relative sur lvaluation de lamplitude maximale entre les deux boucles en f(r/a)

Comme annonc au dbut de ce paragraphe, nous proposons de dplacer le point dobservation et sa trajectoire au-dessus de la boucle dans un plan parallle (lvation suivant laxe OZ) comme indiqu sur la figure 11.22.

J
Figure 11.22 :Reprt:sentation de la direction dobservation et des variables X,, et r

La variable dloignement r (coordonnes sphriques) se confondait avec la variable X, des coordonnes cartsiennes au point dobservation dans ltude prcdente, maintenant, les variations de HMpeuvent tre observes en fonction de r ou de X, de manire diffrencie. La figure 11.23 reprsente les courbes HM(X,) paramtres par a pour la boucle carre, lobservation tant ralise lcm au-dessus de ces boucles.

58

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

0.02

0.04 XP (m)

0.06

0.08

o. 1
067

Figure 11.23 Evolution de lamplitude H , en fonction de X,,

ECD 068 : Variante en 3D (figure II.23a)

On observe que les pics prcdemment voqus sont maintenant trs amortis, et que la convergence vers la courbe H,(X,) trace pour la boucle lmentaire se produit pour des valeurs de lloignement plus rduites. La figure 11.24 montre que lerreur relative est plus faible que prcdemment loignement identique.

-4OUu 0.02

0.04

,
0.06
0.08
0.1

0.12

0.14

0.16

0.18

0.2

Figure 11.24 :Erreur relative sur lvaluation de HM entre les deux boucles en fonction de r QCD 070 : Variante en 3D (figure Ii.24a)

59

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de missance

Remarque : si au lieu de dplacer le point dobservation paralllement la boucle au-dessus de celle-ci, on lui fait suivre une trajectoire radiale (8 fix et r variable), lerreur relative sur H M , en fonction de lloignement, est diffrente suivant le choix initial de 8. On vrifie ainsi que lquivalence entre les deux types de boucles est aussi conditionne par 6. 11.2.4.3 Troisime tude : variation des dimensions surface fixe Toujours dans lobjectif dexaminer lquivalence entre les deux boucles, nous allons maintenant tudier linfluence des dimensions dune boucle rectangulaire. Nous choisissons de fixer le courant et la surface de la boucle dont le rapport 6 entre deux cts adjacents sera nanmoins variable de 0,2 5. La figure 11.25 illustre ce choix. Le point dobservation se situe dans le plan de la boucle et sur un axe passant par le centre perpendiculaire lun des cts.

0.015
0.01

Direction dobservation
-

0.00s

+ -0.005

o ~1
-

i
i-____l
I

-il-0.02
I

6= 0.2
I

-0.02

-0.01

0.01

, 0.02

x (m)

Figure 11.25 :Reprsentation des diffrentes boucles et de la direction dobservation

La figure 11.26 reprsente lvolution de lamplitude maximale ( H M ) en fonction de lloignement r, avec pour paramtre 6 . Au point (O,O), les carts observs sont lis au rapprochement ou non des fils. Pour les valeurs extrmes (0,2 et 5) de 6, lamplitude HMest maximale, deux cts tant alors trs rapprochs du centre. Les pics observables sont nouveau trs marqus. Ils ne dpendent que de la valeur de 6 (I et S fixs). Ils se produisent toujours quand le point dobservation est sur le fil avec une faible contribution globale des autres cts de la boucle. La variation damplitude des pics est donc non significative sachant que dautre part

60

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

la discrtisation introduite au niveau des calculs numriques ne conduit pas plus de prcision si l'on veut conserver un temps de calcul raisonnable.

0,)

10080-

6 1

~ ~

i-[[l!~ ~ ~ ~

;-.

'

" ...................... ! ......................... [ Paramtres : I=10A '! -'/ Yp=O,Zp=O


, :..................................................

! ;

i i
;

0.0 1

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

r (m)
Figure 11.26 :volution de HM en fonction de l'loignement rparumtre pur 6

H O 7 1

RCD 072 : Variante en 3D (figure II.26a)

La figure 11.27 donne l'erreur relative en fonction de r entre le champ de la boucle rectangulaire considre et celui de la boucle carre (6 = 1).

r (m)
Figure 11.27 :Erreur relative sur HMentre les diffrentes boucles et lu boucle carre

61

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Les trajectoires observes paramtres par 6, << encadrent D la valeur O correspondant videmment 6 = 1. Ces trajectoires convergent toutes vers zro ds que r st suffisante. La figure 11.28 reprsente nouveau lerreur mais en fonction du rapport << r/longueur I du ct parallle lloignement .

rll

lL4074

Figure 11.28 :Erreur relative sur HM entre les diffrentes boucles et la boucle carre en f(r/l)

Toutes les courbes convergent franchement vers zro avec rll. Si lon tient compte du ct considr et du sens dloignement conjointement, la convergence est trs comparable. On peut considrer si le rapport longueurflargeur dun rectangle nest pas excessif ni dans un sens ni dans lautre que lquivalence sous conditions est acceptable, comme en tmoigne nouveau les isoclines de la figure 11.29. Avec lloignement, toutes les amplitudes sattnuent et tendent vers zro, comme illustr par les figures complmentaires du CD daccompagnement. En conclusion, nous pouvons par N quivalences n successives, sous certaines conditions voques auparavant, assimiler une boucle rectangulaire une boucle lmentaire.

62

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance


... ................................ I Paramtres : I

x (m)
Figure 11.29 :Courbes dgale amplitude du champ Hpour 6=5

QCD 076-077 : Figures complmentaires (figures IL29a et II.29b)

11.2.4.4 Quatrime tude : troncature Nous proposons dans cette dernire tude, comme voqu en dbut de paragraphe, de dterminer les conditions dquivalence entre une boucle rectangulaire coin tronqu et la boucle lmentaire. Nous ne pouvons bien sr pas tudier tous les cas possibles. Nous retiendrons donc celui de la boucle carre avec une a enclave n gale 25 % de la surface (figure 11.30). De manire effectuer une tude dquivalence avec la boucle lmentaire dans les meilleures conditions, il est opportun de centrer cette dernire au centre de gravit ( 0 ~ du ) c carr tronqu D et de retenir une direction dobservation respectant un minimum de symtrie. Aprs modlisation et simulation on obtient lvolution de lamplitude HM en fonction de lloignement (figure 11.31), suivant la direction dobservation (figure 11.30). On observe que deux pics se produisent correspondant aux valeurs rl et r2 de r, ils << encadrent D le pic unique du champ de la boucle lmentaire. Ces pics sont attnus bien sr avec lloignement, comme illustr sur le CD. Les champs de la boucle tronque et de la boucle lmentaire convergent rapidement avec lloignement vers la mme valeur. La figure 11.32 donne lerreur relative sur le champ de BT compar celui de BE. Lerreur tend sannuler nouveau rapidement avec lloignement mais dpend fortement de la direction retenue, la plus favorable correspondant au choix prcdent.

63

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

0.03

0.02
0.01

O
-0.01

-0.02

I- GL
-0.04

-0.04 -0 05

-003 -0.02 -0.01

O 0.01 X (m)

O O2

0.03

O 04

Figure 11.30 :Boucle carre coin tronqu (25 %)


. . . 140- ............................ Paramtres : 120I = 10A . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .

. . . . .

S e = 19crnZ zp=0 100- .............................

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . .

-2

-8.I

LI
-0.05

0.05

0. 1

Figure 11.31 :Evolution de HMpour BEet BTsuivant la direction dobsemation choisie

B C D 079-080 : Influence de lloignement (figures II.3la et II.3lb)

64

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Erreur ( % )
0.1 20

0.05

Paramtres I = 10A

a *

0-

-0.05

-0.1

-0.05

O
XP i m )

0.05

0.1

A 0 8 1

Figure 11.32 :Courbes reprsentant lerreur relative sur H entre BT et BE

BCD 082-083 : Influence de lloignement (figures II.32a et 11.32b)

En conclusion, lquivalence entre les boucles BT et BE au regard de lvolution du champ HM serait encore possible, sous rserve dajouter aux conditions restrictives des tudes prcdentes une condition lie au respect de lquilibre de la distribution des surfaces de la forme tronque. Si lon sloigne trop de cette condition supplmentaire, comme par exemple dans le cas de la boucle tronque de la figure 11.33 qui prsente une partie trs troite, on peut avoir une erreur damplitude trs diffrente en priphrie de la forme, comme en tmoigne la figure 11.34. En effet sur celle-ci, sont reprsentes les courbes dgale erreur autour de BT tmoins de cette dernire remarque.
O 02

0.01

v 0
>
O
-0.01

Centre de gravit OG
-0.02
-0.02 -0.01 O 0.01

0.02

x (m)
Figure 11.33 :Boucle mettrice trs dissymtrique

65

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

Erreur (%)
100

.................................
O N

; Paramtres : 601 I = l O A i S,=4cmz

1 420
v

40)

zp=o

;
;

!...<<<<<<.......................I

0-

O XP (m)

0.05

BO84

Figure 11.34 :Erreur relative sur H entre la boucle dissymtrique et BE

RCD 085-086 : influence de lloignement (figures IL34a et II.34b)

11.2.5 Limite de validit des quations simplifies dans lhypothse du << champ proche >> Avant dtudier la validit des quations simplifies, il semble opportun de prsenter le paramtre or et son influence sur lvolution temporelle du champ magntique.

11.2.5.1Prsentation du paramtre pr Partant dune boucle carre, on peut, dans lhypothse dun loignement faible, apporter un minimum de simplifications aux quations compltes permettant ainsi dobtenir une rsolution numrique plus rapide. Avec le respect des conditions dquivalence dictes prcdemment, on peut raisonner galement sur la boucle lmentaire et obtenir en << champ proche >> les quations beaucoup plus simples prsentes auparavant. Les rsultats danalyse de validit sont trs comparables, nous exposons simplement ici ceux qui concernent la boucle lmentaire. Les limites permettant de qualifier de champ << proche >> ou << lointain )> dpendent du paramtre mixte pr (produit nombre dondexloignement). Nous jugeons opportun dtudier pralablement ce produit pr en fonction de la frquence et de lloignement (figure 11.35). La vision 3D (figure 11.36) permet dobserver entre autre la << zone de transition entre le <<champproche Y. et le <<champlointain >) et conduire une premire rflexion connexe sur linfluence de la frquence et/ou de lloignement.

))

66

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

0.8

0.2

- -O 1o6

. I

1o7 lo8 Frquence (Hz)

1o9

HO87

Figure 11.35 :Evolution de pr en fonction de l'loignement r e t de la frquence


pxR =2nfKIC
25
\

BxR

088
Figure 11.36 :Evolution de fir en fonction de l'loignement r e t de la frquence en 3 0

Suivant que la valeur de pr est trs suprieure, trs infrieure ou voisine de 1, on sait que l'on est priori en << champ lointain , en << champ proche >> ou en << zone de transition . La reprsentation en 3D permet dans chaque cas de conduire une rflexion sur la pondration entre les valeurs de r et f.

67

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

11.2.5.2 Influence de pr sur lvolution temporelle du champ Jusqu prsent nous navons retenu que la valeur maximale du champ. Nous allons ici observer son amplitude au cours du temps, le courant dexcitation suppos sinusodal de la boucle tant discrtis en une vingtaine de points. La figure 11.37 donne la reprsentation de H ( t ) laide de vecteurs, pour 8 fix 45 O et pour diffrentes valeurs de pr. Chaque vecteur correspond un instant donn.

............................................................................................................................................

i
:

.............................................................................................................................................................................

pr = O, 04 pr = O, 80 zone de champ proche zone de transition unidirectionnalit modification azimutale

pr = 2 zone de transition I modification azimutale j


,

/
...................................................................................................................................................................................................................................

pr = 3, 70 zone de transition j mod$cation azimutale

pr = 6,30 zone de transition modification azimutale

pr = 42 zone de champs coupls unidirectionnalit

Figure 11.37 :Evolution de

H ( f )en fonction de b r

On peut constater quil est trs difficile de trouver une orientation privilgie en zone de transition, illustrant ainsi les difficults danalyse des convertisseurs de puissance haute frquence. La figure 11.38 reprsente G ( t ) pr fix et 8 variable de O 90 O.

68

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

On peut observer que la direction nest plus unique chaque instant pour les valeurs intermdiaires de 8. Cela traduit le dbut du passage de la zone de << champ proche H la zone de transition. Le changement minime sur la figure va saccentuer avec laugmentation de pr, ce qui rend difficile la dtermination dune orientation privilgie en un point de lespace en zone de transition.

0.4

0.35 0.3

- 0.25
E

/
........................................................ I Paramtres : I = I O A

;0.2 0.15
~

e
j

I
I
:

0.1

.......................................................

S e = i cm2, R=40cm pr = 0,7

rra
% b

a ,

0.05

k t
!

O Z

0.1

0.2 Y (m)

0.3

O .4

aOS9

Figure 11.38 :Evolution de H ( f ) prfixfi.. en,fonction de 0

11.2.5.3 Calcul du champ avec et sans simplification La figure 11.39 reprsente lvolution du module de HMen fonction de pr dans le plan de la boucle obtenu par le calcul simplifi e n << champ proche >> et le calcul exact. On observe une parfaite convergence pour pr < 1, puis une dispersion progressive au-del de 1. La figure 11.40 donne lerreur relative sur le champ en un point dun hmisphre au-dessus de la boucle, en fonction de pr et pour diffrentes valeurs de 0. On observera que lerreur est rapidement importante ds que pr devient suprieur 1, et que 8 a une influence considrable gaiement (variation de +I- 20 % environ pour pr 5 1). Dans ces conditions, il tait intressant dobtenir la plage derreur pour pr 5 1. la figure 11.41 prsente les courbes correspondantes, partir desquelles on peut proposer des limites de validit par exemple : si lon tolre 15 % derreur, quel que soit 8, on prendra pr < 0,6 ; pour 5 % derreur on prendra pr < 0,3 correspondant r # hI6n.

69

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

2o

1i

A . . . . . ,

.............................. I Paramtres :

I S e = 1 cmz

:.............................. zp=o

4
Br

10

Figure 11.39 :Evolution de H M (enveloppe)

I 00
80

. . . .

' , e =O 0

'

W '

Figure 11.40 :Erreur relative sur H en fonction de Pr pour diffrentes valeurs de 0

RCD 092 : Variantes en 3D en fonction de 0 (figure II.40a)

En conclusion, nous retiendrons que l'usage des quations simplifies est envisageable mais conditionn par une valeur de pr << franchement B infrieure 1.

70

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

, e = o o

BCD 094 : Vue en 3D en fonction de 8 (figure II.4la)

En optant pour la valeur 0,3 il suffit enfin de vrifier que la direction de H en un point quelconque et pour chaque instant est pratiquement unique. La figure 11.42 trace pour pr = 0,3 et @E[0,90 "1 illustre cela (un vecteur reprsente H(t) t donn).
0.18

0.16 0.14

0.12
h

o. 1
0.06
0.04

N' 0.08

i
I

...................................... Paramtres :

i I=IOA I Se= icm*


I

I I I
I

0.02
O

r=15cm ....................................

0.05

o. 1
Y (ni)

0.15

0.2

E l -095

Figure 11.42 :Evolution de H ( t ) pr = 0,3 pour dfl'rentes vuleurs de 0

71

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

11.2.6 Influence dun plan de masse ventuel Comme prsent dans lintroduction gnrale, les auteurs de ce livre veulent proposer une piste de rflexion pour dfinir une position idale des cartes sensibles dans le botier suppos non mtallique dun constructeur. I1 est vident que lintrt est de minimiser ainsi le nombre dcrans mettre en place. Dans ces conditions dictes par des considrations technico-conomiques, la prsence dun plan de masse peut tre non souhaitable. Cest pourquoi ltude qui va suivre a t effectue priori sans ce plan de masse et que les auteurs se sont contents de montrer rapidement les effets essentiels qui seraient lis sa prsence. Ils sintressent uniquement au champ magntique proche. Le plan de masse ventuel en cuivre qui serait dispos lencontre du champ lectrique a une influence rduite sur le champ magntique. Une partie du champ est absorbe et une faible partie du champ restant est rflchie. Seule est prsente linfluence de lcartement << boucle - plan de masse >> sur le champ rsultant aprs ahorption et tenant compte dune rflexion limite en amplitude 20 % par exemple. Compte tenu de ces hypothses restrictives, lapplication de la thorie des images suffira. Voici ainsi linfluence dun champ rflchi mis par une boucle image de la boucle relle pour diffrentes valeurs de lcartement boucle - plan. La figure 11.43 donne lamplitude maximale HM rsultant, dans un plan perpendiculaire la boucle coupant celle-ci en son centre suivant OX et situ 1 cm au-dessus.
45 r
cart = 10 mm

40

35

-0.05

0.05

XP
Figure 11.43 :Evolution de HM en fonction de la hauteur du plan de masse

BO96

Ki

72

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

La courbe la plus leve correspond au champ que lon obtiendrait sans plan de masse. Les autres courbes sont paramtres par la distance entre la boucle et le plan de masse. On observe : une rduction du champ quand le plan de masse est trs proche de la boucle (face cuivre du circuit imprim par exemple) ; deux maxima qui correspondent linfluence du fil (tude prcdente). La figure 11.44 montre pour Z = 5 cm que lorientation du champ rsultant peut tre un peu diffrente de celle du champ initial.
0 09

O085
0 08
O 07s

H dveL plan de mduc

\
-

H sans plan de mane

0.065

0.055 0.05
0.045

I
\ /

-0.1

-0 05

O OS

OI

X (m)

097

Figure 11.44 :Champ mis avec et sans plan de masse

11.2.7 Etude simplifie de lmission conjugue de deux boucles Les boucles priori de tailles diffrentes, sont supposes proches et dans un mme plan (exemple de la figure 11.45). I1 est trs difficile denvisager tous les cas de figure suivant les frquences, les amplitudes et les phases des courants dans les deux boucles. La plupart des logiciels qui permettent dobserver le champ lectrique des cartes numriques supposent que les signaux sont identiques dans les diffrentes pistes excites. Nous nous contenterons ici dune approche similaire pour le champ magntique. Les paramtres essentiels sont donc gomtriques. La figure 11.46 donne lamplitude du champ rsultant pour les deux boucles de la figure 11.45, excites par le mme signal sinusodal avec Z = 2 cm, Y = O et X variant de -0,8 0,l m. Lorientation dans lespace du vecteur H rsultant est videmment galement un peu modifie.

73

ChaDitre II

Prsentation simdifie du ravonnement des cartes de Duissance

. . . . .

dO O O1 O 02

II

~.

-0 0 3 -0 O3 -0 0 2 -0 O 1

O 03

O 04

O 05

x (m)
Figure II 45 Position des deux boucles mettrices duns le plan X Y

lOOr

-0.1

-0.05

0.05

o. 1

XP (m)
Figure 11.46 :Amp!itude des champs mis pur chaque boucle et champ rsultant

ECD 099 : Variante pour deux boucles plus loignes (figure II.46a)

Les figures 11.47 et 11.48 donnent les courbes d'gale amplitude du champ magntique dans un plan parallle aux boucles, respectivement, pour Z = 2 cm et O cm.

74

ChaDitre II

Prsentation simvlifie du rayonnement des cartes de vuissance

-0.05

0.05

O.

x (m)
Figure 11.47 :Courbes d'gule amplitude du champ Hpour Z = 2 cm

100

BCD 101 : Variante pour deux boucles plus loignes (figure II.47a)

7 o .....................................

i
:
:

Paramtres :

! I=IOA 60 F = 100 kHz

z=o

/
:

.....................................

50

-0.05

x (m)

0.05

O.

k 4 102

Figure 11.48 :Courbes d'gale amplitude du chump Hpour 2 = O

ECD 103 : Variante pour deux boucles plus loignes (figure II.48a)

75

Chapitre II

Prsentation simplifie du rayonnement des cartes de puissance

En conclusion, laction conjugue des deux boucles est un problme dlicat traiter dans le cas gnral, dautant plus que la proximit des fils modifie fortement lamplitude du champ rsultant comme en tmoignent les courbes traces dans le cas simple retenu. Dans un contexte de CEM, o lon estime souvent les perturbations extrmes, on peut imaginer que lon ajoute directement les champs en supposant quils ne sont pas dphass (certains logiciels du commerce procdent de cette faon).
Conclusion du chapitre Dans ce chapitre, nous, avons prsent la notion de << boucle quivalente D lie une << topologie D dun convertisseur de puissance. Nous avons ensuite estim les limites raisonnables fixarit les conditions dquivalence possible entre cette boucle et la boucle dite lmentaire. Les paramtres tant lis lloignement, la frquence, la taille de la boucle et les dimensions du conducteur correspondant. Au travers de multiple:; illustrations, nous avons montr comment vrifier que les facteurs dterminants sont essentiellement le produit pr et le rapport entre les dimensions de la boucle et lloignement. Les boucles ne sont pas en gnral de simples rectangles, cest la raison pour laquelle nous avons vu le cas particulier dun carr << tronqu . Linfluence de cette modification gomtrique a t examine en comparant le champ mis celui de la boucle lmentaire. Les dimensions du conducteur ont t galement prises en compte dans une tude comparative sappuyant sur le calcul direct et lapplication de la mthode des lments finis. Enfin, nous avons voqu linfluence possible dun plan de masse et laction conjugue de deux boucles coplanaires.

En rsum, lensemble de ces investigations a permis, sous certaines conditions explicites, de dgager la notion de boucle << quivalente D pour la recherche simplifie du champ magntique proche mis par une carte de puissance. Dans le chapitre suivant, o nous allons tudier le signal reu par une boucle victime, nous allons retenir cette notion de << boucle quivalente >> de forme simplement circulaire OLI carre suppose ralise avec un conducteur de section ngligeable.

76

CHAPITRE III
F.E.M. INDUITE DANS UNE BOUCLE SENSIBLE ET IMMUNIT

La dmarche prsente ici est limite la recherche dune stratgie de rduction de la tension que peut induire une boucle perturbatrice (Bp) dans une boucle (B,) victime voisine, rceptrice du champ 2. B, est une boucle topologique que lon assimilera un simple carr ou une boucle << quivalente B comme explicit au chapitre II. La rduction de la tension recueillie par B, sera simplement obtenue ici par optimisation de son positionnement par rapport Bp. Avec cette dmarche, on vitera lutilisation dcrans. Ltude est conduite sur une boucle BP unique correspondant un << lot D tel que prsent au chapitre II. B, est une partie de la carte de commandekontrle dune structure de puissance incluant Bp, ou appartient une carte additionnelle de traitement de signal dun capteur extrieur (temprature par exemple) associ au convertisseur. La boucle rceptrice B, peut ainsi tre constitue par les connexions entre la sortie dimpdance Zs et lentre dun autre circuit (dimpdance Ze). Sa gomtrie dpend de la trajectoire des pistes (liaison entre nuds et liaisons au potentiel de rfrence, O V ou +Vcc). Limpdance de cette boucle potentiellement victime est donc lie la technologie des circuits et aux longueurs des pistes. La recherche du courant dans la boucle victime est difficile car lie de nombreux facteurs (technologiques en particulier). Dautre part, nous savons que les tests habituels dintgrit de signal procdent par << excitation B en tension dune piste. Cela nous a conduit retenir essentiellement la f.e.m. induite comme grandeur perturbatrice, pouvant introduire par exemple dans le cas dun amplificateur oprationnel un bruit prjudiciable au signal utile. Comme prcdemment, nous avons eu le souci de simplifier les critures implanter, et avons en consquence conduit une tude comparative tenant compte ou non des simplifications introduites. Le chapitre se dcompose ainsi : tude thorique pour la recherche de la f.e.m. induite e(t) incluant plusieurs dmarches simplificatrices compares ; cartographie de e(t), les boucles B, et B, tant dans des plans perpendiculaires ou parallles correspondant des assemblages usuels industriels ; recherche de la position optimale de B, tenant compte des contraintes techniques de fixation de la carte sensible.

79

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.1 Recherche et estimation de la f.e.m. induite


Dans le souci de simplification souhaite, plusieurs dmarches sont entreprises pour la dtermination de e(t). Pour les prsenter de manire cohrente, nous proposons un organigramme incluant des blocs de calcul reprs par les chiffres 1 5. Les calculs seront explicits et les rsultats compars.

111.1.1 Organigramme do la recherche de e(t) La reprsentation est donne figures III. 1 et 111.2.
Description gnrale
i(t) est le courant dentre dans la boucle perturbatrice Bp, il est choisi de forme trapzodale tel que dfini au chapitre I avec ou sans oscillation due par exemple un CALC associ au composant en commutation ; i(Q est ce mme courant dans le domaine frquentiel (spectre) ; @(t)est londe temporelle de flux ; e(t) est londe temporelle de la f.e.m. induite dpendante de X, Y, Z ou Y, z, a ; e,(f), ez(f), e3(f), e4(Q et e5(f) sont les spectres de la f.e.m. induite dtermins pour les blocs de calculs correspondants. Concernant le paramtrage [X,Y,Z,a] il convient de prciser que la boucle rceptrice B, est centre ail point P de coordonnes Xp, Yp, Zp (BP tant centre en [O,O,O]) et en rotation possible (repre par un angle a) autour dun diamtre parallle OX (figure 111.3). ps,fi.H reprsente le produit scalaire du vecteur normal la surface de B, par

x,

le champ magntique hi multipli par pS, (produit permabilit X surface de B,) de manire dterminer le flux $(f); p s , reprsente ~ It: produit de la surface de B, par la valeur maximale (note H) du champ au point .Yp, Yp, Zp en supposant le champ normal B,. Ce qui correspond galement au flux maximal que peut recevoir B, (pire des cab au sens de la CEM) ; la notation de bloc << F.F.T. B signifie que lon applique la transforme de Fourier rapide au signal dentre (calcul numrique). << I.F.F.T. >> est la transformation inverse ; la notation de bloc <<drivation par rang >> signifie que lon applique lopration de drivation (par rapport au temps) chaque onde sinusodale de frquence harmonique constituant le spectre du flux ; la notation << drivation >> signifie que lon effectue directement la drivation du flux @(t); la question <<champuniforme? D signifie que lon sinterroge sur la possibilit de considrer quen tout point de B, , le champ H a la mme amplitude et la mme orientation. L,es figures 111.4 et 111.5 illustrent cette dmarche ;
~

80

Chauitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

edt) ou edt) paramtrage par x, Y, z, et a

(1) : Bloc de calcul gnral (2) : Bloc de calcul avec lhypothse du champ uniforme
Figure 111.1 :Orgcrnigrcinirne (1/2)

81

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

(3)

I.F.F.T.

( 3 ) : Bloc de calcul avec les hypothses du champ uniforme et du flux recueilli maximum (4) : Bloc de calcul avec le maximum de simplification (5) : Bloc de calcul bas sur la notion denveloppe
Figure 111.2 :Organigramme (2/2)

82

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immuriitb

la question << simplification des quations ? >> signifie que l'on s'interroge sur la possibilit d'appliquer les relations de la boucle lmentaire quivalente en champ proche la place des relations gnrales de la boucle carre retenue initialement ; la question estimation par la mthode des enveloppes ? B concerne la possibilit de retenir essentiellement les points de l'enveloppe des maxima des harmoniques du spectre de i(t), correspondant aux changements de pentes.

Vue en coupe (YZ) pour <p = O

Figure 111.3 :Position et reprage de Br et Bp

Figure 111.4 :Champ quasi uniforme sur la boucle B,

83

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Fipure 111.5 :Chump non uniforme sur B,

111.1.2 Blocs de calcul Le calcul s'effectue dans le domaine frquentiel en considrant que les harmoniques de champ ont pour amplitude maximale leur valeur t = 0. Cela limite la validit du calcul un loignement raisonnable. Par exemple, pour pr < 0,3, l'erreur relative maximale sur l'amplitude du courant est infrieure 5 %.
III. 1.2.1 Bloc de calcul gnral Le calcul du flux @(f) peut tre effectu sans hypothse d'uniformit du champ,

avec les quations exactes pour le champ mis par la boucle carre dont toutefois on ngligera la section du conducteur et les effets d'interaction avec une boucle rceptrice quivalente circuhire.
$(f) =

JJB(f). isr = JJ(F7X


s,
sr

A ( f > ) isr . = f A ( f ) .dl


1,

(111.1)

Nous pouvons raliser le calcul de l'intgrale curviligne par la mthode des trapzes. I1 suffit pour cela de discrtiser en N points le contour de la boucle rceptrice comme indiqu sur la figure 111.0. Pour chacun de ces points, nous avons dtermin le vecteur potentiel A i ( f ) i
partir des quations du chapitre prcdent et ralis le calcul du produit scalaire.

Ai(f).dli
Pour -90 < a < 90 : dli = -sin(yi)i'+cos(yi)j' avec : y'= c o s ( a ) j + sin(cil)F et X'= X
(111.2)

84

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

(111.3)

Figure 111.6 :Reprisentution de lu discrtisation de In boucle rceptrice dans son plan

Le contour de la spire rceptrice tant circulaire, lexpression du flux est donc la suivante :
J

1,

i=2

111.1.2.2 Bloc de calcul avec lhypothse du champ uniforme Une premire simplification peut tre introduite avec lhypothse de luniformit du champ recueilli par B, mais lutilisation du produit scalaire 6.H permet toujours de tenir compte de sa position (Xp, Yp, Zp) et de son orientation (a). Bien entendu lhypothse de luniformit du champ a une limite de validit lie au rapprochement des boucles. Une remarque ce sujet sera prsente au paragraphe (111.1.3). Calcul du flux 2 partir du champ au centre de la boucle :
(111.5)

t; m t I n nnrmnlp

A In w r f n w de IRhniirle rcentrire et Fi le chamn maentiaue au

M = O cos(a) sin(a) O -sin(a) cos(a)

85

Chapitre III donc :

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

(111.6)

le calcul du flux est donc le suivant :

n 4 = p 0 S r H , cos(-a) = p 0 S r H c sin(a)
2

(III. 7)

111.1.2.3 Bloc de calcul avec les hypothses du champ uniforme et du flux recueilli maximum Cette hypothse constitue une tude dans le << pire des cas , correspondant donc au maximum possible de f.e.m. induite obtenu lorsque le champ est perpendiculaire B,. Le flux est donc calcul dans le domaine frquentiel avec les harmoniques damplitude maximum. Dans ces conditions le flux sexprime simplement par :

4 = pOSrHc

(111.8)

III. 1.2.4 Bloc de calcul avec le maximum de simplification Nous mettons profit ici la notion de boucle quivalente prsente au chapitre II en assimilant la boucle came une boucle lmentaire centrke en [O,O,O] dans le plan X,Y,Z. Par ailleurs, lhypothse du champ proche tant retenue, les quations sont trs simplifies ds le dpart et autorisent lobtention directe de la f .e.m. : e4(f). Le flux est toujours donni par 4 = poS,H,.

H, est dtermin partir des quations simplifies de la boucle lmentaire en champ proche donc :
(111.9)

La tension induite sexprime en rgime sinusodal de la faon suivante :

4 -4.f) = -- _ dt
do :

(111.10)

(111.11)

III. 1.2.5 Bloc de calcul bas sur la notion denveloppe I1 sagit ici essentiellement de retenir les points de changement de pente des segments constituant lenveloppe des maxima du spectre e4(f) dtermin par le bloc 4. Cette dmarche permet dobtenir es(t) limite lenveloppe de e4(f) rsultant de lapplication sur BP du signal i(t) toujours suppos trapzodal mais sans oscillation de commutation superpose. Les enveloppes sont prsentes dans le paragraphe III. 1.3.

86

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.1.3 Application des hypothses et des mthodes


III. 1.3.1 Calcul gnral Courant i(t) inject : le courant est de type trapzodal symtrique (1.3.3.2) avec superposition d'une oscillation parasite (quation I. 13), dont les paramtres sont les suivants : courant : I M =10 A, f = 100 kHz, tf= t,= 0,l ys tM= 2 PS, fp = 10 MHz, D,= 10 A ; paramtres de B, : centrage en (O,O,O), ct de 5cm, surface de 25 cm2 ; le point d'observation est repr par : 0 = 60 O, <p = 90 r = 0,05 m.
O,

18,

2
x 10"

temps (SI
Figure III. 7 :Courant parcourant B,, (f,, = I O M H z )

106 BCD 107 : Courant parcourant B,avec fp= 7 MHz (figure III.7a)

Le spectre du courant : i(f) est reprsent figure 111.8. On pourra observer que ce spectre est identique un coefficient peu variable prs H(f) et Wf). Le spectre de la f.e.m. induite, el(f), est prsent figure 111.9. Les paramtres de la boucle B, ainsi que le point d'observation sont inchangs. Les paramtres de B, sont : cercle de 2 cm de diamtre centr en P (0 = 60 cp = 90 O, r = 0,05 m) ; a = 9 1 (choisi de manire obtenir une f.e.m. quasimaximale).
O, O

87

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Frquence ( H z )
Figure 111.8 :Spectre i(f) du courant parcourant la boucle B p avecf;, = I O M H z

108

P C D 109 : Spectre du courant pircourant

Bp

avec fp = 7 MHz (figure III&)

1O'

IOb

Frquence ( H z )

Figure 111.9 :Spectre e&) de 1ajk.m. induite dans B, avec f , = 10 MHz

MCD 1 1 1 : Spectre el(f) de la f.e.m. induite dans B, avec fp= 7 MHz (figure 111.9a)

88

ChaDitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

A partir du spectre e,(f) il est possible de reconstituer lvolution temporelle de la f.e.m. induite ei(t). Le trac correspondant est donn figure 111.10.

t e m p s (s)
Figure Ill.10 :Evolution temporelle de 1ate.m. induite e d t )

Ml12

BCD 113 : Evolution temporelle de la f.e.m. induite dans B, avec fp= 7 MHz (figure III.10a)

a- Remarque concernant les limites du calcul Un essai avec un courant i(t) trapzodal sans oscillation superpose est ralis. La figure 111.11 prsente sa dcomposition spectrale et la figure 111.12 la dcomposition spectrale du champ magntique qui lui est associ au point dobservation choisi, avec le paramtrage suivant : courant : IM = 10 A, f = i MHz, t, = tf = ,i ps, M t = ,2 ps ; B, : centrage : (O,O,O), ct 5 cm, surface : 25 cm2 ; point dobservation : 8 = 45 O , cp = O O , r = 1 m. On observera des variations damplitude rapides lies des conditions paradoxales dtude. En effet, lexcursion pousse en frquence nous entrane en zone de transition o le maximum du champ nest plus atteint t = O comme retenu en hypothse de calcul.

89

Chapitre III
20

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

-20
CU
-0
1

3 1
.E

-40

-60

-80

-100
106

Frquence (Hz)
Figuni 111.11 :Dcomposition spectrale du courunt
-50

-60

-70
-80
-90
V 1

ai

-3 -100
R

-II0

-120

-130
-140 106 IO'

I O*

Frquence (Hz)
Figure 111.1? :Spectre du champ magntique H correspondant

III. 1.3.2 Hypothse du champ uniforme Le champ suppos uniforme est calcul au centre de B,. I1 a pour paramtres : courant : IM= 10 A. f = 100 kHz, tf = t,= 0,l ps, tM = 2 ps, fp = 10 MHz, D,= 10 A ; paramtres de B, : centrage (0,0,0), ct 5 cm, surface : 25 cm2 ;

90

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

paramtres de B, : cercle de 2 cm de diamtre, centre P (6 = 60 O , cp = 90 O , r = 0,05 m, a = 91 O , choisi de manire obtenir une f.e.m. quasimaximale). Le spectre de la f.e.m. induite e2(Q est prsent figure 111.13.
-

IOb

IO

Frquence ( H z )
Figure 111.13 :Spectre de 1ate.m. induite calcul avec lhypothse du champ uniforme

116

La f.e.m. induite e2(t) est reprsente figure 111.14.

1 Temps (s)

2
117

Figure III. 14 :$e.m. induite calcule avec lhypothse du champ uniforme

91

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.1.3.3 Hypothse du flux recueilli maximum Le flux est maximum czr le champ en P suppos uniforme est normal B,. Le spectre de la f.e.m. induite e3(f), (figure III.lS), a pour paramtrage : I M = 10 A, f = 100 I C Z tf= , t ,= 0,I Ps, tM= 2 Ps, fp = 10 MHz, Dp= 10 A ; B, : centrage en (O,O,O), ct 5 cm, surface : 25 cm2 ; B, : cercle de 2 cm ide diamtre, centre P (0 = 60 cp = 90 r = 0,OS m).
O, O,

1 O'

1 Ob

10'

Frquence (Hz)

4 1 8
Figure 111.15 :Spe,ztre de 1aJe.m. induite uvec l'hypothse du flux maximum

f.e.m. induite e3(t) correspondante (figure III. 16) :


0.3

T e m p s (s) Figure Ill.16 :$e.m. induite uvec 1 'hypothse du flux maximum

gii9

92

ChaDitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

,
.
~ ~ ~

,
~ ,

,
~

, ,
,

,
~

,
~

,
,

, ,
, ~

-45 .,.,.,,.,

. ,

, , , , ,

, , , , ,,,
, , , ,, , , , , , , , , , , , , , , I , , ,- , r , r

, ,

,
,

,.,,~ . , , , , , ,
,

,. 1 .

, , ,

,
~

, , , , , ,

'

'

-1

I-

Frquence ( H z )
Figure III. I7 :Spectre de la5e.m. induite

LJ120

La f.e.m. induite e4(t) correspondante est reprsente figure III. 18.

I Temps (s)
Figure 111.18 :F.e.m. induite e4(t)

93

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

III. 1.3.5 Mthode de lenveloppe On notera les points P1, P2, P3 correspondant aux changements de pentes. Nous allons chercher lenveloppe de i(f), avec les mmes paramtres quauparavant, et a = 91 O (choisi de manire obtenir une f.e.m. quasimaximale) Le courant est reprsent dans les deux domaines figures 111.19 et 20.
I

2
x

T e m p s (s)
Fi,pure 111.19 :Onde temporelle du courant
20

E3

122

- , - ,-

*-, ,-, - - - ,- -

-,-,-,-,

V I - ,

,^-20

P
a 3

.-

a-40
E

<
-60

-80

IO5

Io6 Frquence (Hz)

IO

Figure 111.20 :Dcomposition spectrale du courant et points caractristiques

94

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Lenveloppe de e(f) est donne par la figure 111.21.

Frquence (Hz)
Figure 111.21 :Enveloppe de la j e m . induite

Remarque concernant les limites de la mthode de lenveloppe Les figures 111.22 et 111.23 reprsentent le spectre de la f.e.m. induite pour un courant i(t) de forme rectangulaire (signal numrique) et de frquence leve (>l MHz) une distance de 10 cm, puis 3 m. On constatera quil est difficile dans le deuxime cas de situer lenveloppe. Cela est bien sr li la non-validit des quations, puisqu cette frquence et cette distance (or lev) lhypothse du champ proche est errone ! Pour que la dmarche reste valide il faut toujours que les conditions du champ proche soient runies.

95

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

,
I

, , ,

I , ,

,
I

, , , , , ,
, I ,

.. ..

-150 10

10'

IO8
CL2

Frquence (Hz)
Figure 1ii.22 :Spectre de la$e.rn. induite pour r = 10 crn

125

126

96

Chaoitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.1.4 Comparaison des rsultats ob tenus Les essais avec les blocs 1 4 ont t effectus avec superposition dune oscillation parasite ; dans un but comparatif nous proposons dexaminer e(f) i(t) donn. Nous observons donc (figure 111.24) conjointement el(f), e2(f), e3(f) et e4(f).

1o6 Frquence (Hz)

IO6

Frquence (Hz)

v a l -50
c .iJ

8
a
C

-45

v
.%

-45

-so

.5 -55
.9 7 , c

a .Ei -55

.3
-60 -65
1O

2 $

-60
-65

Frquence (Hz)

Frquence (Hz) H l 2 7

Figure 111.24 :Dcomposition spectrale de 1ate.m. pour les diffrents blocs de calcul

De manire effectuer la comparaison avec le calcul n5, nous avons trac les courbes prcdentes avec un courant i(t) sans oscillation haute frquence. La comparaison seffectue en examinant directement les courbes de la figure 111.25.
Interprtation des rsultats

Dans la mesure o langle a (calculs 1 et 2 ) est choisi de manire obtenir un niveau induit maximum, il est normal, compte tenu des dimensions des boucles et de lloignement choisis, dobtenir des niveaux comparables pour ei(f) et e2(f). Si le flux est suppos maximal, il faut sattendre un niveau suprieur, pour la f.e.m. induite e3(f). La f.e.m. e4(f) est trs semblable e3(f) dans la mesure o les conditions de champ proche et dquivalence de la boucle sont alors runies. On vrifie enfin que e4(f) prsente des maxima autorisant le reprage ais des points particuliers permettant dobtenir sans difficult lenveloppe e5(f). Lquivalence des rsultats est tmoin de la validit des calculs et hypothses.

97

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

-45

..................

-45

-50
-55

% v

I'
.9
E:

.3 P

ei

-so

i l to: -60
-65

.fi -55 c O .-

t 1od Frquence (Hz)


..................

-60
-65
1od

Frquence (Hz)

-45

%
ei

1
.fi -55
.-

.3 a
.A

-50

.............

.fi -55 . . . . . . . . . . * . . . :
-BO
I -

.........

.......

.......

-Bo

" '

" '

'

-65

lod

Frquencr: (Hz)

: " \ '
I o6

Frquence (Hz)

. . . . . .

-80

I
Frquence (Hz)

128

Figure 111.28 :Dcomposition spectrale de 1ate.m. pour les diffrents blocs de calcul

En conclusion, il est possible d'valuer sans trop d'imprcision la f.e.m. induite dans une boucle victime B, avec la notion de boucle quivalente pour la boucle perturbatrice BP et les quations du champ proche, sous rserve de respecter les conditions rappeles ci-aprs : dimensions de B,. relativement petites devant celles de BP et devant l'loignement ; forme de BP proche du carr comme explicit au chapitre II ; produit pr (proportionnel fxr) infrieur 0,3 ;

98

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

position de B, proche de B, mais suffisamment carte pour viter les champs proximit des conducteurs ralisant B,. Cette valuation donne bien entendu les valeurs extrmes de la f.e.m. induite (pire des cas).
-

111.2 Cartographie en situations typiques


Ltude prcdente avait pour but de montrer les possibilits de simplifications diverses lies des conditions prcises. Dans ce nouveau paragraphe nous retiendrons essentiellement le calcul gnral (bloc l), car notre objectif est maintenant dvaluer la f.e.m. induite dans la boucle B, dont lorientation est fixe priori perpendiculairement ou paralllement BP rendant impossible le choix particulier prcdent de a qui correspondait la rception maximale du flux. De manire prsenter le plus simplement possible le problme, nous raisonnons sur une seule frquence pour i(t) laquelle pourrait tre par exemple celle de loscillation parasite puisque, priori, la plus critique au regard de la perturbation engendre. Le calcul, en particulier la drivation, est alors trs simple.

111.2.1 Cas des boucles parallles Dans cette hypothse, les boucles BP et B, appartiennent la mme carte de circuit imprim ou deux cartes distinctes, disposes pour des raisons techniques dassemblage sur des glissires parallles. Langle a vaut donc O O et les seuls paramtres considrer sont Xp, Yp, Zp (coordonnes du centre P de B, dans lespace). La figure 111.26 montre une disposition respectant lhypothse annonce.

0.08

Figure 111.26 :Disposition possible de B, par rapport B p

99

Chatitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Le champ est reprsent uniquement au centre de la boucle sur la figure prcdente, de manire reprer aisment ses changements dorientation dicts par la translation de BI dans le plan parallle Bp. On voit de suite linfluence significative de la position sur lamplitude. Nous proposons maintenant dexaminer les quipotentielles de la f.e.m induite e(t) obtenues par le calcul gnral (1) pour diffrentes positions de B, par rapport Bp. Chaque point des quipotentielles est repr par le point P, centre de BI, de coordonnes: Xp, Yp, Zp. Les dimensions des boucles sont fixes comme prcdemment ( 5 cm de ct pour le (( carr D BP et 2 cm de diamtre pour Br). 111.2.1.1 Premire position : B, est dans un plan parallle au-dessus de BP
20 = O
Tension induite (V) 0.07

O06
O 05

O04 O 03
O 02

O O1

Figure 111.27 :Equipotentielles de 1ate.m. induite quand B, est dans le plan de B,, (Z,, = O )

RCD 131-134 : Reprsentations pour Z, variable de 0,5 5 crn (figures III.27a IIL27d)

1O0

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.2.1.2 Deuxime position : vues suivant une coupe parallle au plan YZ La figure 111.28 prsente les quipotentielles correspondantes de la f.e.m. induite.
xp=o
Tenuon induite (V)

-0 05

O 05

YP (m)
Figure 111.28 :Equipotentielles def.e.m. induite dans le plan YZpour X p = O

MCD 136-139 : Reprsentations pour X, variable jusqu 5 cm (figures III.28a IIL28d)

A noter que lune des figures du CD correspond au cas particulier intressant o un fil de cot est situ dans le plan observ (figure III.28b). Ces figures bien que non exhaustives permettent de tirer les conclusions suivantes : prs des conducteurs, la f.e.m. est trs leve, il faudra donc viter ces positions ; laxe de la boucle est bien sr viter galement ; des zones que nous qualifierons de << tranquilles >> notes ZT correspondant des quipotentielles de niveau rduit sont parfaitement reprables et utilisables pour positionner B, << au mieux .
111.2.1.3 Equipotentielles de la f.e.m. induite dans lespace autour de Bp Le paramtre est la valeur efficace E de la f.e.m. induite qui peut tre dicte par le seuil de sensibilit dun circuit sensible (boucle Br). Les figures 111.29 et 111.30 de reprsentation en 3D confirment les remarques prcdentes. En effet, les zones << tranquilles >> se situent lextrieur des volumes maills avec la possibilit de se rapprocher suffisamment de la priphrie de BP avec un niveau de f.e.m. restreint. Les volumes sont dlimits par les quipotentielles de f.e.m. induite.

101

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Figure 111.29 :Equipotentielles de lu5e.m. induite pour E = 15 mV

RCD 141-144 : Reprsentations pour plusieurs valeurs de E dgressives (figures II1.29a III.29d)
T e n u o n induite ( V )

~0.05 -0.05

@I
102

Figure 111.30 :Equipotentielles de 1uJe.m. induite dans l'espace pour quelques valeurs de E

RCD 146-149 : Variantes de reprsentations dans l'espace (figures III.30a I11.30d)

ChaDitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.2.2 Cas des boucles perpendiculaires Cest le cas par exemple des cartes en faade dun appareil perturbes par une carte de puissance sur glissire perpendiculaire la faade. La figure 111.31 montre une disposition correspondante, avec deux positions possibles de B, et indication du champ en son centre. On observe le fort changement dorientation de celui-ci.

0.04 -

0.03
0.02
0.01
O

-0.01 I

150
Figure 111.31 :Disposition possible de B,perpendiculaire B,,

Nous allons nouveau examiner les quipotentielles de la f.e.m. induite dans B, avec les mmes hypothses que prcdemment sauf pour langle a qui vaut maintenant 90 O (au lieu de O O). Deux positions sont prises pour exemple : a) un diamtre de B, est dans le plan de BP (figure 111.32). Les quipotentielles obtenues sont donnes figure 111.33. On observe deux zones << tranquilles >> de chaque ct de la boucle (la position intrieure ntant pas envisageable). b) cette fois, le centre de la boucle a pour coordonnes : Xp = O, Yp et Zp variables. La figure 111.34 est le trac des quipotentielles de f.e.m. induite dans le plan YZ, Br tant comme annonc, perpendiculaire Bp. Dautres tracs disponibles sur le CD, permettent de dduire linfluence dune augmentation progressive de Xp. On pourra observer que sur la figure 111.34 sont indiques 2+2 zones << tranquilles >> lextrieur de BP correspondant aux deux cas suivants : Zp # O avec Yp variable mais suprieur aux dimensions de BP et Yp # O avec Zp variable mais suprieur un minimum (dimension de B,).

103

ChaDitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Zp = lcm

Tension induite (V)

10.025

Figure 111.33 :Equipotentielles (de1uJe.m. induite dans le plan X Y , B,perpendiculaire Bp(Zp= l c m )

BCD 152-153 : Rduction de niveau avec l'accroissement de Zp (figures 111.33~1 III.33b)

104

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

-0.0

.k

# /

O YP (m)

0.05

L I 154

Figure 111.34 :Equipotentielles de 1aje.m. induite dans le plan YZ pour B, perpendiculaire B,, (Xp=O)

RCD 155-156 : Equipotentielles de la f.e.m. dans le plan Y2 : Influence de X,(figures IIL34a et III.34b) RCD 157-160 : Equipotentielles de la f.e.m. dans le plan X7. : Influence de Y,(figures II1.34~ 111.340

Ltude de ces deux positions de B, dans un plan perpendiculaire B, montrent que des zones << tranquilles D privilgies de positionnement de B, sont ici nouveau prsentes. La figure 111.35 de reprsentation en 3D confirme cette remarque. En effet, les zones << tranquilles D se situent lextrieur des volumes maills avec la possibilit de se rapprocher suffisamment de Bp avec un niveau de f.e.m. induite restreint. Bien entendu, cette tude nest pas exhaustive.

105

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit


Tension induite (v)

O os

E o
3

-0 05 -0 05

Figure 111.35 :Equipotentielles en 3 0 de 1ate.m. induite pour E = 3 mV R C D 161-166 : Equipotentielles en 3D de la f.e.m. induite pour les valeurs dgressives de E suivantes : 40-30-20-1s-IO et 5 mV(figures IIL35a III.35f) R C D 167-169 : Equipotentielles de la f.e.m. dans lespace pour quelques valeurs de E (figures IIL3Sg

III.3 5 i)

En conclusion de ce paragraphe, il apparat que dans les cas typiques dassemblage industriel des cartes, il soit possible par simple modification de srigraphie autorisant la <<translation D de B, sur le circuit imprim de la carte sensible, de rduire la f.e.m. induite par le champ perturbateur de Bp. Pour rduire davantage la f.e.m. induite, il faudrait introduire un degr de libert supplmentaire en se dgageant des astreintes lies aux dispositions techniques habituelles. I1 apparat neanmoins difficile de faire accepter des assembleurs des positions totalement quelconques conduisant la ralisation de fixations de formes non dquerre . Dans ces conditions, nous nenvisageons comme dans ltude prcdente quune simple rotation de B, suivant un diamtre parallle (OX), direction qui peut correspondre une arte du botier non mtallique du dispositif global. Le paramtrage seffectuera donc en Xo, Yp, Zp et avec a variable de O 90 O. En un point donn le positionnement pourra donc tre optimis par a. Le paragraphe suivant concerne cette dmarche.
O

106

ChaDitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

111.3 Optimisation du positionnement de la boucle sensible


Nous allons dans un premier temps prsenter une recherche des valeurs de a permettant de rduire la f.e.m. induite, Xp, Yp, Zp donns, cela avec les relations gnrales. Dans un deuxime temps nous examinerons les possibilits de considrer les dmarches de calcul simplifi prsentes prcdemment. Notre dmarche se veut pragmatique, cest ainsi que nous partons dun cas concret. Pour une carte incluant BP donne, il existe un botier rel dont les dimensions sont en rapport avec celles de la carte. Partant de l, il existe des espaces disponibles dans ce botier dans lesquels on peut disposer la carte sensible incluant B,. Nous allons donc fixer pour Xp, Yp et Zp des limites minimales et maximales, tenant compte du souci de ne pas << ctoyer >> de trop prs la boucle BP et de ne pas sortir des limites du botier. On a ainsi : Xpmin < IXPI < X~max YPmm < IYPI < Y ~ m x ZPmin < IZPI < Z~max Notre dmarche consiste rechercher pour une combinaison Xp, Yp, Zp ( courant donn dans BP) la valeur de a autorisant la rduction maximale de la f.e.m. induite. La figure 111.36 montre le bornage en Xp, Yp. La variable Zp interviendra plus tard en paramtrage de surfaces gauches, lieux des valeurs particulires de a (notes a,) pour lesquelles la f.e.m. induite sera minimale. A noter que la boucle BP tant carre, une symtrie vidente apparat, nous permettant de travailler dans un seul quadrant du plan XY.

x/
Figure 111.36 :Limite de Xp et Yp pour Z < Zp,,

107

ChaDitre 111

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Recherche de linclinaison optimale

Sur la base de la reprsentation de la figure 111.36, nous pouvons programmer le calcul informatique de manire obtenir les surfaces gauches, lieux des valeurs de a,paramtres par Zp. Les figures 111.37, 111.38 et 111.39 donnent a,(Xp, Yp) dans un quart de plan (Xp > O et Yp > O) pour Zp = 2 cm, Zp = 5 cmet Zp = 10 cm. Grce la mise en uvre dun algorithme relativement simple de recherche de @, on voit quun concepteur peut rapidement trouver linclinaison idale de la carte sensible quil souhaite inclure dans un botier de convertisseur. Remarque concernant la prise en compte dun signal i(t) quelconque Ltude prcdente taii: base dans un but de simplification sur un courant de frquence et damplitude donnes. Si i(t) est priodique de forme quelconque, il suffit de le dcomposer en srie de Fourier et de raisonner pw rang. La courbe 3D de la figure 111.40 donne la variation de lamplitude du flux r e p en fonction de a et de la frquence. Le calcul a t effectu pour le calcul gnral (bloc 1). On voit que lamplitude du flux une valeur unique fixe (In) des harmoniques du courant i(t) dans B, ne dpend pas de la frquence, mais exclusivernent de a. Dans ces conditions ltude prsente pour la recherche de cq,est valable pour un signal priodique quelconque.

Figwe 111.37 :Angle optimal %pour Zp = 2 cm

108

ChaDitre 111

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

1O0

6 80
v
#

.&
O
#

e>

60
40

20
O O

0.1

0.1

X P (m)

YP (m)
Figures 111.39 :Angle optimal &,pour Zp = IO cm

L 2172

109

Chauitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Figure 111.40 : Variation du flux en fonction de la frquence et de

Conclusion du chapitre Nous avons vu au chapitre prcdent que sous certaines conditions, acceptables dans le contexte de notre tude, on peut apporter des simplifications importantes dans la dmarche de recherche du champ magntique induit par une boucle de cblage dune carte de convertisseur de puissance. Ces simplifications peuvent aller jusqu la prise en compte dune quivalence possible avec une <<boucle lmentaire >> et le choix des quations du champ proche. Lobjectif du prsent chapitre tait de montrer comment valuer les effets de ce champ sur une boucle << potentiellement >> victime au travers de la recherche de la f.e.m. induite dans celleci. Dans un souci de rigueur, la recherche de la f.e.m. a t prsente suivant un organigramme dinvestigation incluant la dmarche simplifie rappele ci-dessus, mais galement une dmarche gnrale sans simplifications importantes de manire observer les divergences possibles entre les rsultats obtenus. On peut conclure que sous rserve de respecter des contraintes de dimensions et dloignement, autorisant ltude en champ proche, les quations simplifies permettent dobtenir la valeur de la f.e.m. avec une erreur raisonnable. Aprs avoir calcul ou valu la f.e.m. dans la boucle << victime >>, nous avons vu comment mener une recherche doptimisation de la position puis de son orientation de manire rduire la pntration du champ et par suite la f.e.m. induite. Nous avons ainsi dmontr que des zones prcises dans lespace, que nous avons qualifies de <c zones tranquilles >> pour lesquelles la f.e.m. recueillie sera minimale, existent proximit de la boucle mettrice.

110

Chapitre III

F.e.m. induite dans une boucle sensible et immunit

Si cela est possible, lassembleur pourra fixer sa carte sensible au mieux, sinon il pourra obtenir par des programmes complexit rduite, en un point donn de lespace quil aura choisi, les conditions dorientation optimales prendre en compte. En rsum nous avons vu comment apporter une aide au positionnement de cartes sensibles dans un environnement lectromagntique agressif.

111

CONCLUSION GNRALE
Dans cet ouvrage les auteurs ont prsent une contribution la recherche du meilleur positionnement dun circuit lectrique sensible dans lenvironnement immdiat dune carte de puissance (convertisseur en 2D). Lapproche se veut globalement la plus simple possible et rpond directement aux interrogations issues des tests de mesure en champ proche sur les cartes de puissance. Par de multiples comparaisons et tests de validit, les auteurs ont prouv que lon peut adopter une dmarche trs simplifie sous certaines conditions prcises respecter. Lintrt pour le concepteur est une rponse approximative mais quasi immdiate la question << o placer ma carte sensible ? . Bien entendu le champ magntique a t essentiellement retenu, car le sujet concerne principalement des cartes de puissance, donc des frquences limites et des niveaux de courant significatifs.

Ce livre est une contribution laquelle on pourrait en adjoindre une autre par une dmarche << duale >> concernant alors le champ lectrique, et donc les tensions sur les pistes ou cbles et les courants induits dans les pistes << victimes D dun circuit sensible.

113

BIBLIOGRAPHIE
J.-L. Cocquerelle, << CEM et lectronique de puissance >>, Ed. Technip, collection Technologies, Paris, 1999. ISBN 2-7108-0764-5 ISSN 1243-0226. Sciences et

C. Pasquier, P. Levron, J.-L. Cocquerelle, << Fields radiation of an elementary power electronic converter N 8th European Conference on Power Electronics and Applications EPE99, Lausanne, Switzerland, 7 - 9 Sep. 99 (CDROM dit). C. Pasquier, P. Levron, J.-L. Cocquerelle, N Simplified model of a 2D power converter "topological" loop, elaborated in order to take into account geometrical design and skin effect >), 5th International Symposium on Electric and Magnetic Fields EMF 2000, Gand, 17-19 May 2000. C. Pasquier, P. Levron, J.-L. Cocquerelle, N Fast calculation method of the near field radiated by a power converter loop in order to optimise the position of the associated sensitive card )>, International Conference on Power Conversion, Intelligent Motion, Power Quality, PCiM 2000, Nuremberg June 6-8, 2000, Power Conversion proceedings pp 41 - 46. P. Levron, C. Pasquier, G. Perpera, J.-L. Cocquerelle, << EMI-RH Mains Filters Modelling and Simulation in order to estimate the probability of trouble due to the realistic impedances of mains and load n, 6th international Conference ELECTRIMACS 99, 14 - 16 Sep. 99, Vol. 3 , pp. III- 189 - III- 193. P. Levron, C. Pasquier, J.-L. Cocquerelle, N Difficults de mesures dmissions conduites selon la CISPR 25 n, N e congrs sur la compatibilit lectromagntique CEM Expo 99, Paris 13 et 14 Oct. 1999. C. Pasquier, P. Levron, J.-L. Cocquerelle, << Reduction of the self-disturbance of a power converter due to magnetic field effects. Research of the optimal control card orientation >>, 5th International Symposium on Electric and Magnetic Fields EMF 2000, Gand, 17-19 May 2000.

J.-L. Cocquerelle, C. Pasquier, << CEM et lectronique de puissance , Journes Technologiques : Stratgies de dpollution harmonique des rseaux lectriques, 27-28 avril 2000, Saint Nazaire, Dpartement Gnie Electrique de l'Ecole Polytechnique de l'universit de Nantes, p. 215-222.
C. Pasquier, M. Ameziani, J.-L. Cocquerelle, << Compatibilit lectromagntique (CEM) en lectronique de puissance >>, colloque sur l'enseignement des technologies et des sciences de l'information et des systmes en lectronique, lectrotechnique et automatique, CETSIS-EEA'99, 4 et 5 novembre 1999, universit Montpellier II, Ed. Cpadus, Toulouse, p. 265-268, ISBN 2.85428.5 15.8. C. Pasquier, J.-L. Cocquerelle, << Rayonnement en champ proche des boucles "topologiques" des convertisseurs de l'lectronique de puissance >>, colloque lectronique de puissance du futur EPF 2000, 29 et 30 Novembre et ler Dcembre 2000, Lille. P. Levron, C. Pasquier, P. Lambert, J.-L. Cocquerelle, << Aspect de la pollution des rseaux en continu des navires de plaisance par les convertisseurs de puissance. Choix de la stmcture la moins polluante , Troisime symposium international sur le navire tout lectrique civil ou militaire, AES 2000 (All Electric ship), Paris, 26 et 27 octobre 2000.

115

Das könnte Ihnen auch gefallen