Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-

Le transistor bipolaire
cole Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis
Cycle Initial Polytechnique
1645 route des Lucioles, 06410 BIOT
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2012-2013
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII. Amplification en classe B
VIII. Amplificateur oprationnel
Sommaire
I. Historique
II. Caractristiques du transistor
IV. Les fonctions logiques
V. Amplification en classe A
VI. Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH
III. Polarisation du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I.1. Dfinition
I. Historique
Le transistor bipolaire est un composant lectronique utilis comme :
interrupteur command, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur
de signal
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I.2. Histoire du transistor
I. Historique
1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le
transistor contact (transistor) au laboratoire de physique
de la socit BELL (USA). Cette dcouverte est annonce en
juillet 1948.
Transistron 1948
1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent
(indpendamment de BELL) aussi le transistor contact
en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appel le
Transistron pour le distinguer de celui de BELL.
Transistor
contact 1948
1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le
transistor jonction (bipolaire) mais la technique de
fabrication ne sera maitrise quen 1951
Transistor
jonction 1948
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I. Historique
I.2. Histoire du transistor
Les transistors remplacent les contacteurs
lectromcaniques des centraux tlphoniques et
les tubes dans les calculateurs.
1953 : premire application portative du
transistor entant que sonotone.
Sonotone
1010
1953 calculateur
(93 transistors + 550 diodes)
1954 : premire radio
transistors.
Rgency TR-1
(4 transistors)
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I.3. Histoire des premiers circuits intgrs
I. Historique
1958 : Jack KILBY de Texas Instrument
prsente le premier circuit (oscillateur)
entirement intgr sur une plaque de semi-
conducteur.
1960 : production de la premire
mmoire Flip Flop par la socit
Fairchild Semiconductor.
1958 premier circuit intgr
1960 Flip Flop en circuit intgr
1965 : partir du nombre de composants par circuit
intgr fabriqu depuis 1965, Gordon MOORE
(Fairchild Semiconductor) prdit que le nombre de
composants intgrs (par unit de surface) doublera
tous les 12 mois. Cette loi est toujours vraie !
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II. Caractristiques du transistor
II.1. Dfinition dun transistor bipolaire
Le transistor bipolaire est cr en juxtaposant trois couches de semi-
conducteur dops N
+
, P puis N pour le transistor NPN (courant d un flux
dlectrons) ou dops P
+
, N puis P pour le transistor PNP (courant d un flux
de trous). Le niveau de dopage dcroit dun bout lautre de la structure.
Un faible courant de base, I
B
, permet de commander un courant de
collecteur, I
C
, bien plus important.
II.2. Reprsentation

m
e
t
t
e
u
r


c
o
l
l
e
c
t
e
u
r

base
metteur
collecteur
base
P

N
+

N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
Transistor NPN
metteur
collecteur
base
N

P
+
P

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
Transistor PNP
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

Si la tension V
BE
est suffisante, la diode BE
(base metteur) est passante :
V
BE
Courant de trous de B vers E.
Courant dlectrons de E vers B
( )

+ =

=
kT
qV
exp . I I
kT
qV
exp . I I
BE
Se St
BE
S
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N
+
B

E

Si la tension V
BE
est suffisante, la diode BE
(base metteur) est passante :
V
BE
Courant de trous de B vers E.
Courant dlectrons de E vers B
( )

+ =

=
kT
qV
exp . I I
kT
qV
exp . I I
BE
Se St
BE
S
Si le nombre dlectrons dans lmetteur et
100 fois plus grand que le nombre de trous
dans la base alors I
St
<< I
Se
.
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II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

On positionne prsent le collecteur dop N
V
BE
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

V
BE
V
BC

On positionne prsent le collecteur dop N
La jonction BC est polarise en inverse :
augmentation du champs lectrique interne.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N


V
BE
V
BC
On positionne prsent le collecteur dop N
La jonction BC est polarise en inverse :
augmentation du champs lectrique interne.
La longueur de la base est trs courte et les
lectrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
collecteur.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

On positionne prsent le collecteur dop N

V
BE
V
BC
La jonction BC est polarise en inverse :
augmentation du champs lectrique interne.
La longueur de la base est trs courte et les
lectrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
collecteur.
Les lectrons sont propulss dans le collecteur
pas le champ lectrique.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

On positionne prsent le collecteur dop N
La jonction BC est polarise en inverse :
augmentation du champs lectrique interne.

La longueur de la base est trs courte et les
lectrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
collecteur.
V
BE
V
BC
Les lectrons sont propulss dans le collecteur
pas le champ lectrique.
Si on modifie la tension V
BC
(dans une certaine
limite), le champ lectrique est toujours suffisant
pour propulser tous les lectrons :
Le courant de collecteur ne dpend pas de la
tension V
BC
mais uniquement de V
BE
.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

I
B
: courant de trous de B vers E.
Le rapport, , entre les courants I
C
et I
B
dpend entre
autres des niveaux de dopage de lmetteur et de la base
ainsi que de lpaisseur de la base : I
C
= .I
B

I
E
: courant de trous de B vers E + courant
dlectrons de E vers C
I
C
: courant dlectrons de E vers C

=
T
BE
St B
V
V
exp . I I

=
T
BE
Se C
V
V
exp . I I
C B
T
BE
S E
I I
V
V
exp . I I + =

=
Les trois courants du transistor bipolaire sont :
) K 300 mV 6 . 25 (
kT
q
V
T
= =
Par convenance on pose :
I
C
I
B
I
E

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II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

Si la tension V
BC
augmente trop :
I
C
I
B
I
E

Le champ lectrique base collecteur diminue
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
II. Caractristiques du transistor
P

N

B

E

C

N

Si la tension V
BC
augmente trop :
I
C
I
B
I
E

Le champ lectrique base collecteur diminue
Les lectrons ne sont plus tous propulss
dans le collecteur mais une partie sort par la
base
Le courant I
C
tend devenir nul
La tension V
CE
pour laquelle ce phnomne
apparat est note V
CEsat
.
On dit dans ce cas que le transistor est satur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
II.3. Caractristiques I
B
(V
BE
) du transistor NPN
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure la tension
de seuil, V
S
, de cette diode : V
BE
> V
S
.
metteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
La caractristique I
B
(V
BE
) est celle de la diode base-metteur en ne
considrant que le courant de trou.
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

directe
V
S
inverse
Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant dlectrons.
II. Caractristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
metteur
collecteur
base
N

P
+
P

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

directe
V
S
inverse
II.3. Caractristiques I
B
(V
BE
) du transistor PNP
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction
base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure (en valeur
absolue) la tension de seuil, V
S
, de cette diode soit : V
BE
< V
S
.
La caractristique I
B
(V
BE
) est celle de la diode base-metteur en ne
considrant que le courant des lectrons.
Ici le courant des lectrons est bien plus faible que le courant des trous.
II. Caractristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
metteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

II.3. Caractristiques I
C
(V
CE
) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarise en inverse, alors le courant dlectrons peut
traverser cette jonction.
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B4
Dans ce cas le courant I
C
est indpendant de V
CE
: rgime linaire (I
C
= .I
B
)
II. Caractristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
metteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

II.3. Caractristiques I
C
(V
CE
) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarise en inverse, alors le courant dlectrons peut
traverser cette jonction.
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B4
Dans ce cas le courant I
C
est indpendant de V
CE
: rgime linaire (I
C
= .I
B
)
Si V
CE
= 0 alors aucun courant ne circule entre lmetteur et le collecteur
II. Caractristiques du transistor
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
metteur
collecteur
base
P

N
+
N

V
BE
V
CE
I
C
I
E
I
B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

II.3. Caractristiques I
C
(V
CE
) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarise en inverse, alors le courant dlectrons peut
traverser cette jonction.
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B4
Dans ce cas le courant I
C
est indpendant de V
CE
: rgime linaire (I
C
= .I
B
)
Si V
CE
= 0 alors aucun courant ne circule entre lmetteur et le collecteur
Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit la tension
V
CEsat
(sat pour saturation) : le courant I
C
nest pas proportionnel I
B
.
V
CEsat
Linaire satur
II. Caractristiques du transistor
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III.1. Polarisation simple
La boucle dentre permet de dterminer la valeur de I
B
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
0 B S S 0 B B G
I . R V I . R E + + =
S B
S G
0 B
R R
V E
I
+

=
0 B S S 0 BE
I . R V V + =
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
I
B0
V
BE0
Dtermination de I
B0
et I
C0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
Dtermination de I
B0
et I
C0
B C
I . I = On considre que le transistor est en rgime linaire

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E
G
V
BE
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
R
C
I
C
Dtermination de I
B0
et I
C0
On peut donc rsumer le transistor trois lments :

En entre : V
S
et R
S
(donc la diode base-metteur)

En sortie: un gnrateur de courant I
C
= .I
B
B C
I . I = On considre que le transistor est en rgime linaire

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CE0
I
C0
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
CEsat
Dtermination de I
B0
et I
C0
CE C C DD
V I . R V + = C C DD CE
I . R V V =
Il faut prsent vrifier si le transistor est rellement en rgime linaire par
le calcul de V
CE
Si V
CE
> V
CEsat
alors on confirme le rgime linaire et les calculs sont exacts

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CE0
I
C0
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
CEsat
Dtermination de I
B0
et I
C0
CEsat 0 C C DD
V I . R V + =
C
CEsat DD
0 C
R
V V
I

=
Si on utilise pas la droite de charge, on impose V
CE
= V
CEsat
et on dtermine
la valeur de I
C
avec la boucle de sortie.

Si V
CE
< V
CEsat
le transistor est en rgime satur et lutilisation de la droite
de charge donne les vraies valeurs de I
C0
et V
CE0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
I
B0
V
BE0
Dtermination de I
B0
et I
C0
Il faut aussi re-dterminer la vritable valeur du courant de base.

Les lectrons qui passent de lmetteur la base ne sont pas tous propulss
au collecteur et une partie sort par la base.

Les valeurs de V
S
et R
S
sont donc diffrentes

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
Variation de R
B
avec R
C
constant

On part dune valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
On diminue alors R
B
La droite de charge en sortie ne change pas

E
G
/R
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
Variation de R
B
avec R
C
constant

On part dune valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
On diminue alors R
B
La droite de charge en sortie ne change pas

E
G
/R
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
Variation de R
B
avec R
C
constant

On part dune valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
On diminue alors R
B
La droite de charge en sortie ne change pas

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
Variation de R
B
avec R
C
constant

On part dune valeur de R
B
suffisamment grande
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
I
B0
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
On diminue alors R
B
La droite de charge en sortie ne change pas

I
C0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
Variation de R
C
avec R
B
constant

On part dune valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
On augmente alors R
C
La droite de charge en entre ne change pas

I
B0
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
Variation de R
C
avec R
B
constant

On part dune valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
La droite de charge en entre ne change pas

I
B0
On augmente alors R
C
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
Variation de R
C
avec R
B
constant

On part dune valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
La droite de charge en entre ne change pas

I
B0
On augmente alors R
C
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Polarisation simple
III. Polarisation du transistor
V
CE
I
C
I
B
V
DD
R
B
E
G
R
C
V
BE
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

V
S
E
G
E
G
/R
B
Variation de R
C
avec R
B
constant

On part dune valeur de R
C
suffisamment faible
pour que le transistor soit en rgime linaire

V
CE
0

I
C
V
DD
V
DD
/R
C
V
CEsat
La droite de charge en entre ne change pas

I
B0
On augmente alors R
C
I
C0
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
I
B
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
Les rsistances R
1
et R
2
forment un pont entre la base et V
DD
do le nom.

La dtermination de I
B
passe par celle de I
P
.

I
P
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Approche simple

On considre que I
P
>>> I
B
.

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
Dans ce cas un simple pont diviseur de tension permet de connatre la valeur
de V
BE
et par suite la valeur de I
B
.

DD
2 1
2
BE
V
R R
R
V
+
=
I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On rsout un systme de deux quations qui correspond l criture de deux
mailles en entre

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
B S S P 2 BE
I . R V I . R V + = =
( ) ( )
B S 1 S P 1 BE B P 1 DD
I R R V I . R V I I . R V + + + = + + =
On trouve

2
1
S S 1
S
2
1
DD
B
R
R
. R R R
V 1
R
R
V
I
+ +

+
=
I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en gnrateur de thvenin

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
I
B
Thvenin

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en gnrateur de thvenin

R
C
V
DD
R
1
R
2
V
CE
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en gnrateur de thvenin

R
C
V
DD
R
1
R
2
V
CE
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant I
B
2 1
2 1
th
R R
R . R
R
+
=
Pour dterminer R
th
, on liminer les sources (ici V
DD
= 0) ce qui donne R
1
// R
2
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en gnrateur de thvenin

R
C
V
DD
R
1
R
2
V
CE
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant I
B
On dtermine alors E
th
avec un pont
diviseur de tension

2 1
2 1
th
R R
R . R
R
+
=
DD
2 1
2
th
V
R R
R
E
+
=
Pour dterminer R
th
, on liminer les sources (ici V
DD
= 0) ce qui donne R
1
// R
2
E
th
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On peut aussi transformer V
DD
, R
1
et R
2
en gnrateur de thvenin

R
C
V
DD
V
CE
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant I
B
On dtermine alors E
th
avec un pont
diviseur de tension

2 1
2 1
th
R R
R . R
R
+
=
DD
2 1
2
th
V
R R
R
E
+
=
Pour dterminer R
th
, on liminer les sources (ici V
DD
= 0) ce qui donne R
1
// R
2
R
th
E
th
I
B
V
BE
Do I
B
:

S th
S th
R R
V E
IB
+

=
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.1. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On retrouve le thorme de Thvenin partir des deux mailles en entre :

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
I
B
P 2 BE
I . R V =
( )
BE B P 1 DD
V I I . R V + + =
On extrait I
P
de la premire quation
que lon reporte dans la deuxime

BE B 1
2
BE
1 DD
V I . R
R
V
. R V + + =
Qui s'crit aussi en regroupant les V
BE
BE
2
2 1
B 1 DD
V
R
R R
I . R V

+
+ =
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.2. Pont de base
III. Polarisation du transistor
Dtermination de la valeur de I
B
On retrouve le thorme de Thvenin partir des deux mailles en entre :

R
C
V
DD
V
BE
I
P
+ I
B
R
1
R
2
V
CE
I
P
I
B
P 2 BE
I . R V =
( )
BE B P 1 DD
V I I . R V + + =
On extrait I
P
de la premire quation
que lon reporte dans la deuxime

BE B 1
2
BE
1 DD
V I . R
R
V
. R V + + =
Qui s'crit aussi en regroupant les V
BE
BE B
2 1
2 1
DD
2 1
2
V I .
R R
R . R
V
R R
R
+
+
=
+
th
R
th
E
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.3. Rsistance dmetteur
III. Polarisation du transistor
R
C
V
DD
V
CE
La maille en entre s'crit :

( )
C B E B S S B th th
I I . R I . R V I . R E + + + + =
R
th
E
th
I
B
V
BE
R
E
Dans la rsistance R
E
il passe le courant I
E
donc les courants I
B
et I
C
( )
B E B S S B th th
I . 1 . R I . R V I . R E + + + + =
On trouve le courant I
B
( )
E S th
S th
B
R . 1 R R
V E
I
+ + +

=
Vu de lentre, la rsistance R
E
est
multiplie par (1+)

En fonction de la valeur de on peut
crire :

( )
E E
R . R . 1 +
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.3. Rsistance dmetteur
III. Polarisation du transistor
R
C
V
DD
V
CE
R
th
E
th
I
B
V
BE
R
E
La prsence de R
E
permet une rgulation thermique du transistor

En fonctionnement, le transistor chauffe cause de la circulation du courant
ce qui augmente la valeur du courant qui engendre une augmentation de la
temprature etc

En prsence de R
E
:
V
E
T

I
B


V
E


V
BE


I
B


Si la prsence de R
E
nest pas suffisante, il
faut ajouter un radiateur sur le transistor.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
IV. Les fonctions logiques
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
I
B4
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
Si V
E
= 0 V : V
BE
est
I
B4
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
A

I
B4
Si V
E
= 0 V : V
BE
est ngatif (transistor bloqu) et I
C
= 0 soit V
S
= 24 V
Si V
E
= 24 V : V
BE

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

R

R
B
R
1
24 V

6 V

0 V

V
E
S

E

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
Si V
E
= 0 V : V
BE
est ngatif (transistor bloqu) et I
C
= 0 soit V
S
= 24 V
A

Si V
E
= 24 V : V
BE
> 0 (transistor passant) et I
B
= I
B4
donc V
S
V
CEsat
0 V
B
I
B4
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
Si V
E
= 0 V : V
BE
est ngatif (transistor bloqu) et I
C
= 0 soit V
S
= 24 V
A

Si V
E
= 24 V : V
BE
> 0 (transistor passant) et I
B
= I
B4
donc V
S
V
CEsat
0 V
B
I
B4
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
On trace maintenant la caractristique V
S
(V
E
) de linverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Dblocage

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
On trace maintenant la caractristique V
S
(V
E
) de linverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Dblocage

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B
= I
B1
On trace maintenant la caractristique V
S
(V
E
) de linverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Dblocage

I
B
= I
B1
I
B
= I
B2
I
B
= I
B3
On trace maintenant la caractristique V
S
(V
E
) de linverseur.
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

A

B
I
B4
I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne :
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

C S CE
I . R 24 V V = =
On obtient alors la droite de charge :
R
V
R
24
I
CE
C
=
A

B
I
B4
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

A

B

Dblocage

I
B1
I
B2
> I
B1
I
B3
I
B
= I
B1
I
B
= I
B2
I
B
= I
B3
On trace maintenant la caractristique V
S
(V
E
) de linverseur.
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.1. Linverseur
V
S
(V)

V
E
(V)

24

V
CEsat
24

En pratique on dfinit un gabarit pour linverseur
Table de vrit et symbole logique :
S

E

0

0

1

1

S = E

E

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)
Schma lectrique dune porte NI :
Table de vrit et symbole logique :
S

E
1
0

0

1

1

E
2
0

0

0

1

1

1

0

0

S = E
1
+E
2
E
1
E
2
E
1
E
2
V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
R

R
B
R
1
24 V

6 V

0 V

S

R
2
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
III.3. La fonction mmoire deux portes NI
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

1

0

0

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

1

0

0

1

0

IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

0

0

0

1

0

0

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

0

0

1

1

0

0

1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

0

1

1

0

0

1

0

0

0

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

0

1

1

0

0

1

0

0

0

1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

1

1

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

1

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

1

0

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

1

0

1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Set

Q

Reset

Q

Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

0

0

0

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

0

0

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Schma logique le la mmoire : Table de vrit :
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Chronogramme :
Set

0

Q

0

Q

1

Reset

0

0
1
t
Set

0
1
t
Reset

0
1
t
Q

0
1
t
Q

Set

Q

Reset

Q

0

?

0

?

1

0

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

0

0

?

?

Etat interdit =>

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Symbole logique de la mmoire RS (bascule RS) :
Schma lectrique de cette mmoire :
Set

Q

Reset

Q

Reset

R

R
B
R
1
R
2
Set

R

R
B
R
1
24 V

6 V

0 V

R
2
Q

Q

Mmoire de type RAM (Random Acces Memory) qui sapparente la SRAM
(Static) : linformation disparat si on teint lalimentation.
Si le pont de base consomme 1 A (sous 30 V) et que lon stocke 10
6
bits
alors la mmoire disperse au moins 30 W !
Set

Q

Reset

Q

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
1971 : 256-bit TTL RAM (Fairchild)
IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
IV. Les fonctions logiques
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.1. Principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe A amplifie tout le signal dentre.
V. Amplification classe A
On travaille dans la partie
linaire du transistor qui est
polaris en statique I
B0
et I
C0
.
Le courant I
B
oscille autour de
I
B0
et donc I
C
oscille autour de I
C0

avec I
C
= .I
B
.
V
E
= V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
R
C
V
DD
V
S
I
C
= .I
B
Sans signal dentre, lampli consomme I
C0
: mauvais rendement (au
mieux 50 %).
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
V
BE
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
C
= .I
B
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
E
G
(V)

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
Gmin
E
G0
E
Gmax
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
E
G
(V)

t

0

t

V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
(V)

0

I
B
(A)

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
I
B
(A)

t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

t

I
B0
I
Bmax
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
B0
I
Bmax
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

0

t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

I
Cmin
I
C0
I
Cmax
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
BE
(V)

0

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

t

t

I
Bmin
I
B0
I
Bmax
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
I
B
(A)

I
B
(A)

V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.1. Principe de fonctionnement
V. Amplification classe A
V
CE
(V)

0

I
B0
I
Bmax
I
Cmin
I
C0
I
Cmax
I
C
(A)

t

0

t

E
Gmin
E
G0
E
Gmax
E
G
(V)

t

t

I
Bmin
V
CE
I
C
I
B
V
DD
V
S
R
B
E
G
R
C
V
BE
I
C
(A)

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
Les gains V
C
/E
G
et V
R
/E
G
correspondent aux filtres passe bas et pas haut
respectivement.
C

R

E
G
V
R
V
C
La frquence de coupure des deux filtres est : F
C
= 1/(2RC).
La notion de haute et basse frquences se reporte la valeur de F
C

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 0,05 F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 0,2 F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002 0.0025 0.003 0.0035 0.004
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 0,5 F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.001
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 2.F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.00005 0.0001 0.00015 0.0002 0.00025 0.0003 0.00035 0.0004
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 5.F
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
0 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.0001
EG
VR
VC
Temps
T
e
n
s
i
o
n
s
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
V. Amplification classe A
En basse frquence V
C
= E
G
et V
R
= 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de E
G
. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
C

R

E
G
V
R
V
C
F = 20.F
C
En haute frquence V
R
= E
G
et V
C
= 0 : la capacit na pas le temps de se
charger et de se dcharger et donc la tension ne varia pas ses bornes. Toutes
les variations de E
G
se reportent aux bornes de la rsistance.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V.3. Elments du montage
V. Amplification classe A
Les rsistances R
1
et R
2
constituent le pont de base : polarisation de la base
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Les rsistances R
1
et R
2
constituent le pont de base : polarisation de la base
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
V.3. Elments du montage
V. Amplification classe A
Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la
composante continue : vite de modifier la polarisation de la base.

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Les rsistances R
1
et R
2
constituent le pont de base : polarisation de la base
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
C
L
est aussi un condensateur de
liaison qui permet la charge R
L

(rsistance dentre du bloc
suivant) de ne pas modifier la
polarisation du transistor.

V.3. Elments du montage
V. Amplification classe A
Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la
composante continue : vite de modifier la polarisation de la base.

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsquon ne considre que le rgime statique (ne dpend pas du temps).
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
R
1
R
2
R
L
V.4. Point de repos du montage
C et C
L
se comportent comme des interrupteurs ouverts.

V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsquon ne considre que le rgime statique (ne dpend pas du temps).
R
C
V
DD
V
CE
V
BE
R
1
R
2
C et C
L
se comportent comme des interrupteurs ouverts.

V.4. Point de repos du montage
V. Amplification classe A
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsquon ne considre que le rgime statique (ne dpend pas du temps).
R
C
V
DD
V
CE
V
BE
R
1
R
2
C et C
L
se comportent comme des interrupteurs ouverts.

V.4. Point de repos du montage
V. Amplification classe A
On calcul I
B
(ce qui donne immdiatement I
C
) en supposant que le transistor
est en rgime linaire

On dtermine alors la tension V
CE

qui doit tre suprieure V
CEsat
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
G
R
g
E
G
est prsent un signal alternatif damplitude suffisamment faible pour ne
pas bloquer et/ou saturer le transistor.
La ou les frquences du signal E
G
sont suffisamment leves pour ne pas
permettre aux capacits C et C
L
de se charger ou de se dcharger. Elles se
comportent comme des interrupteurs ferms.

V.5. Schma en petit signal
V. Amplification classe A
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
E
G
R
g
Les variations de E
G
vont se propager le long du circuit, tre amplifie par le
transistor puis appliques la charge R
L
.
V. Amplification classe A
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Les paramtres importants dun amplificateur sont : les rsistances dentre
et de sortie, le gain en tension et les frquences de coupure haute et basse
Calculer ces paramtres peut tre
long et on prfre utiliser le schma
petit signal qui est une
simplification mathmatique du
schma rel.
V.5. Schma en petit signal
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Pour pouvoir utiliser le schma petit signal il faut que tous les lments
aient un comportement linaire.
V. Amplification classe A
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Dans ce schma, cest le transistor qui est non linaire et, par exemple, les
variations de V
BE
doivent tre suffisamment faibles pour considrer un seul V
S

et surtout un seul R
S
.
V.5. Schma en petit signal
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Pour construire ce schma, on ne conserve que les lments (rsistances,
tensions, fils et on ne conserve que les variations de tension et de courant.
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
E
G
(t) = E
G0
+ e
g
(t) donc on ne conserve que e
g
(t)
La variation de V
DD
est nulle, v
dd
(t) = 0, et il en va de mme pour la masse
donc v
masse
(t) = 0
Donc dun point de vu alternatif, les fils V
DD
et masse sont identiques.
Une tension continue est
quivalente un court circuit
V
S
V
1
(t) = V
10
+ v
1
(t)

V
2
(t) = V
20
+ v
2
(t) = V
1
(t) V
S
V
20
= V
10
V
S
v
2
(t) = v
1
(t)

donc
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Pour construire ce schma, on ne conserve que les lments (rsistances,
tensions, fils et on ne conserve que les variations de tension et de courant.
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
E
G
(t) = E
G0
+ e
g
(t) donc on ne conserve que e
g
(t)
La variation de V
DD
est nulle, v
dd
(t) = 0, et il en va de mme pour la masse
donc v
masse
(t) = 0
Donc dun point de vu alternatif, les fils V
DD
et masse sont identiques.
Une tension continue est
quivalente un court circuit
V
S
V
1
(t) = V
10
+ v
1
(t)

V
2
(t) = V
20
+ v
2
(t) = V
1
(t) V
S
V
20
= V
10
V
S
v
2
(t) = v
1
(t)

donc
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

R
1
R
2
R
L
C
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
1
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
R
2
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
1
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
B
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
B
i
b
v
be
B

V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
V
DD
/ masse

E

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
E
G
R
g
V
e
R
C
V
DD
V
s
C

R
1
R
2
R
L
C
L
.I
B
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
R
L
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
R
L
Il faut aussi ajouter deux lments parasites donns par la matrice hybride
du transistor.
h
re
.v
ce
1/h
oe
ce re b ie be
v . h i . h v + =
ce oe b fe c
v . h i . h i + =
bipolaire
i
b
i
c
v
be
v
ce
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
e
g
R
g
R
B
i
b
v
be
B

h
ie
E

V
DD
/ masse

h
fe
.i
b
C

i
c
v
ce
R
C
R
L
Il faut aussi ajouter deux lments parasites donns par la matrice hybride
du transistor.
h
re
.v
ce
1/h
oe
ce re b ie be
v . h i . h v + =
ce oe b fe c
v . h i . h i + =
bipolaire
i
b
i
c
v
be
v
ce
Dans ce cours, nous ngligerons toujours la tension h
re
.v
ce
(par rapport
h
ie
.i
b
) et en fonction des cas nous ngligerons aussi la rsistance 1/h
oe
devant
les rsistances branches en parallle.

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Dtermination de h
ie
0 CE CE ce
V V
B
BE
0 v
b
be
ie
I
V
i
v
h
= =

=
Dtermination de h
fe
=

=
=0 v
b
c
fe
ce
i
i
h
Dtermination de h
oe
0 i
ce
c
oe
b
v
i
h
=

=
Dtermination de h
oe
0 i
ce
be
re
b
v
v
h
=

=
0

I
C
(A)

V
CE
(V)

V
BE
(V)

I
B
(A)

I
B0
I
C0
V
CE0
V
BE0
V
CE0
h
ie
h
fe
h
oe
h
re
Les paramtres h
dpendent du point
de repos (ou point
de polarisation)
!
V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
Les 4 paramtres sont obtenus partir du point de polarisation.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
V.6. Paramtres : rsistances et gains
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
Impdance dentre :
ie B
ie B
ie B e
h R
h . R
h // R R
+
= =
R
e
V
DD
/ masse

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
Impdance dentre :
ie B
ie B
ie B e
h R
h . R
h // R R
+
= =
R
e
V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
Thvenin quivalent
Thvenin
R
gs
et e
gs
V. Amplification classe A
V
DD
/ masse

V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
Thvenin quivalent
Thvenin
R
gs
C gs
R R =
V. Amplification classe A
Pour la rsistance on court-circuite e
g
donc i
b
devient nul ainsi que h
fe
.i
b

et il reste :

V
DD
/ masse

V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
Thvenin quivalent
Thvenin
e
gs
C gs
R R =
V. Amplification classe A
Pour la rsistance on court-circuite e
g
donc i
b
devient nul ainsi que h
fe
.i
b

et il reste :

Pour la tension, on exprime v
ce
donc e
gs
en fonction de v
be
ce qui
correspond rechercher le gain vide du quadriples transistor :

C
ie
fe
b ie
c C
be
ce
0 V
R .
h
h
i . h
i R
v
v
A = = =
be 0 V gs
v . A e =
V
DD
/ masse

V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Thvenin quivalent
C gs
R R =
V. Amplification classe A
Pour la rsistance on court-circuite e
g
donc i
b
devient nul ainsi que h
fe
.i
b

et il reste :

Pour la tension, on exprime v
ce
donc e
gs
en fonction de v
be
ce qui
correspond rechercher le gain vide du quadriples transistor :

C
ie
fe
b ie
c C
be
ce
0 V
R .
h
h
i . h
i R
v
v
A = = =
be 0 V gs
v . A e =
e
g
R
g
R
e
R
L
i
1
i
2
v
2
v
1
e
gs
R
gs
V
DD
/ masse

V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
e
g
R
g
R
e
R
L
i
1
i
2
v
2
v
1
e
gs
R
gs
Gain en tension :
L C
L C
ie
fe
0 V
L gs
L
be
ce
1
2
V
R R
R . R
.
h
h
A .
R R
R
v
v
v
v
A
+
=
+
= = =
1 0 V
L gs
L
gs
L gs
L
ce 2
v . A .
R R
R
e
R R
R
v v
+
=
+
= =
V
DD
/ masse

V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
Gain en tension :
L C
L C
ie
fe
0 V
L gs
L
be
ce
1
2
V
R R
R . R
.
h
h
A .
R R
R
v
v
v
v
A
+
=
+
= = =
1 0 V
L gs
L
gs
L gs
L
ce 2
v . A .
R R
R
e
R R
R
v v
+
=
+
= =
On retrouve le gain vide :
C
ie
fe
R
V 0 V
R .
h
h
A A
L
= =

Gain composite :
e g
e
V
g
ce
vg
R R
R
A
e
v
A
+
= =
e
g
R
g
R
e
R
L
i
1
i
2
v
2
v
1
e
gs
R
gs
V
DD
/ masse

V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V. Amplification classe A
X . h . h X . h . h h
h . X
A
21 12 22 11 11
21
V
+

=
avec
L
R X =
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
1
V
DD
/ masse

On peut retrouver tous ces rsultats partir de la thorie des quadriples
V.6. Paramtres : rsistances et gains
2 1 B ie 2 12 1 11 1
v . 0 i . R // h v . h i . h v + = + =
2
C
1
ie B
B
fe 2 22 1 21 2
v .
R
1
i .
h R
R
. h v . h i . h i +
+
= + =
i
1
i
2
v
2
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
La variation de la tension v
bc
implique une variation de la longueur de la
zone de charge despace (ZCE) de la diode Base-Collecteur

e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
v
be
C
BC
V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
La variation de la ZCE correspond une variation de charge et donc la diode
est quivalente une capacit note C
BC
.

Cette capacit fait un pont entre lentre et la sortie ce qui complique le
calcul du gain en tension

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Nous considrons la capacit entre la base et le collecteur : C
BE
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
Elle peut tre ramene en entre et en sortie du transistor avec le thorme
de MILLER :

V BC 1 BC
1
A 1
1
.
. C . j
1
. C . j
1
Z

=

=
V
V
BC 2 BC
2
A 1
A
.
. C . j
1
. C . j
1
Z

=

=
C
BC2
( )
BC V BC 1 BC
C A 1 C C >> =
BC
V
V
BC 2 BC
C
A
A 1
C C

=
V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
Gain composite :
R
eq
e g
e
V
g
ce
vg
R R
R
A
e
v
A
+
= =
R
e
V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
Gain composite :
R
eq
R
e
C
BC1
C
BC2
( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
= =
V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
C
BC2
Gain composite : ( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
= =
( )
eq 2 BC e g 1 BC e g
e eq
ie
fe
g
ce
vg
R C j 1
1
.
R // R C j 1
1
.
R R
R . R
.
h
h
e
v
A
+ + +
= =
soit
R
eq
Gain aux frquences moyennes
A
m
V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Il existe deux frquences de coupure hautes avec F
HF1
<< F
HF2
:

e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
C
BC2
( )
HF
e g 1 BE
1 HF
F
R // R C 2
1
F =

=
Gain composite : ( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
= =
( )
eq 2 BC e g 1 BC e g
e eq
ie
fe
g
ce
vg
R C j 1
1
.
R // R C j 1
1
.
R R
R . R
.
h
h
e
v
A
+ + +
= =
soit
R
eq
Gain aux frquences moyennes
Frquence de
coupure haute
de lampli
A
m
V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
IV. Amplification classe A
IV.7. Frquences de coupure hautes
Il existe deux frquences de coupure hautes avec F
HF1
<< F
HF2
:

e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
C
BC1
C
BC2
( )
HF
e g 1 BE
1 HF
F
R // R C 2
1
F =

=
Gain composite : ( )
( )
( )
1 BC e g
1 BC e
2 BC eq
ie
fe
g
ce
vg
C // R R
C // R
C // R .
h
h
e
v
A
+
= =
( )
eq 2 BC e g 1 BC e g
e eq
ie
fe
g
ce
vg
R C j 1
1
.
R // R C j 1
1
.
R R
R . R
.
h
h
e
v
A
+ + +
= =
soit
R
eq
eq 2 BE
2 HF
R C 2
1
F

=
Gain aux frquences moyennes
Frquence de
coupure haute
de lampli
A
m
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
A
m
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) :
A
vg
(db)

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
10
6
1

10
3
10
9
20 db/dec

40 db/dec

e g
e eq
ie
fe
R R
R . R
.
h
h
log 20
0

20

20

40

V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Diagramme de bode en phase (chelle semi-log) :
()

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
180

270

10
6
1

10
3
10
9
90

360

gain A
m
ngatif

V. Amplification classe A
V.7. Paramtres : Frquences de coupure hautes
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
e
g
R
g
C

C
L
R
L
v
be
passe haut passe haut
v
l
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
B

E

C

i
b
i
c
v
ce
R
C
On prend en considration les capacits de liaison C et C
L
.
V. Amplification classe A
V.8. Paramtres : Frquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
On prend en considration les capacits de liaison C et C
L
.
e
g
R
g
C

C
L
R
L
v
be
Gain composite :
v
l
C j
1
R R
R
. A .
C j
1
R R
R
e
v
.
v
v
e
v
A
g e
e
0 V
L
S L
L
g
be
be
1
g
1
vg

+ +

+ +
= = =
R
e
A
V0
.v
be
R
s
( ) ( )
g e C L L
g e
e eq
ie
fe
vg
R R C
j
1
1
.
R R C
j
1
1
.
R R
R . R
.
h
h
A
+

+
=
A
m
( )
e g
1 BF
R R C 2
1
F
+
=
( )
C L L
2 BF
R R C 2
1
F
+
=
Il existe deux frquences de coupure basses :

V. Amplification classe A
V.8. Paramtres : Frquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) :
A
vg
(db)

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
10
6
1

10
3
10
9
20 db/dec

40 db/dec

e g
e eq
ie
fe
R R
R . R
.
h
h
log 20
0

20

20

40

A
m
F
BF1
F
BF2
V. Amplification classe A
V.8. Paramtres : Frquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Diagramme de bode en phase (chelle semi-log) :
()

F (Hz)

F
HF1
F
HF2
180

270

10
6
1

10
3
10
9
90

360

gain A
m
ngatif

F
BF1
F
BF2
V. Amplification classe A
V.8. Paramtres : Frquences de coupure basses
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Si le transistor chauffe il risque de semballer et dtre dtruit.
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

I
P
R
1
R
2
R
L
C
L
V. Amplification classe A
V.9. Rsistance dmetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Si le transistor chauffe il risque de semballer et dtre dtruit.
La rsistance R
E
vite lemballement thermique du transistor :
T

I
B


V
E


V
BE


I
B


V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

I
P
R
1
R
2
R
L
C
L
R
E
On obtient alors la droite de charge :
E C
CE
E C
DD
C
R R
V
R R
V
I
+

+
=
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

V
DD
V
CE0
V. Amplification classe A
V.9. Rsistance dmetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Gain en tension vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
= =
e
g
R
g
R
B
h
ie
h
fe
.i
b
R
C
R
L
B

E

C

i
b
i
c
v
l
v
e
R
E
Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de
la rsistance R
E
.
V. Amplification classe A
V.9. Rsistance dmetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Gain en tension vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
== =
Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de
la rsistance R
E
.
V
e
R
C
V
DD
V
s
V
BE
C

I
P
R
1
R
2
R
L
C
L
R
E
C
E
On ajoute la capacit de
dcouplage C
E
(passe bas) qui
permet la suppression de la
rsistance R
E
en rgime alternatif :
augmentation du gain.

V. Amplification classe A
V.9. Rsistance dmetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Gain en tension vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
== =
Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de
la rsistance R
E
.
On ajoute la capacit de
dcouplage C
E
(passe bas) qui
permet la suppression de la
rsistance R
E
en rgime alternatif :
augmentation du gain.

E C
R R
1
pente
+
=
Droite de charge statique

V
CE
(V)

0

I
C
(A)

V
DD
V
CE0
statique
V. Amplification classe A
V.9. Rsistance dmetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Gain en tension vide :
( )
C
fe E ie
fe
e
l
0 V
R .
h 1 R h
h
v
v
A
+ +
== =
Le gain vide (et donc le gain composite) a t diminu par lintroduction de
la rsistance R
E
.
On ajoute la capacit de
dcouplage C
E
(passe bas) qui
permet la suppression de la
rsistance R
E
en rgime alternatif :
augmentation du gain.

E C
R R
1
pente
+
=
Droite de charge statique

Droite de charge dynamique

C
R
1
pente =
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

V
DD
V
CE0
dynamique
statique
V. Amplification classe A
V.9. Rsistance dmetteur
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
t

V
BE1
V
CE2
t

V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t < t
0

T
1
satur : V
CE1
= V
CEsat
= 0

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2 0.6 V

0

t

0

t

t

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t < t
0

T
1
satur : V
CE1
= V
CEsat
= 0

T
2
bloqu : V
CE2
= V
DD
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2 0.6 V

V
DD
V
C2
V
BE2
< 0,6 V

V
C2
= V
DD
0,6

t

0

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t = t
0

C
1
sest charge travers R
1
V
BE2
devient gale 0,6 V

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2 0.6 V

V
DD
V
C2
0

t

0

VI.1. Prsentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t = t
0

T
2
devient satur : V
CE2
= 0

La charge de C
2
impose la
tension V
BE1
= 0,6 V
DD
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
V
C2
0

t

0

0.6 V
DD

T
1
se bloque

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t = t
0
+
C
1
se charge travers R
C1
avec
une constante de temps trs
faible

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
0

t

0

V
DD
0.6 V

0.6 V
DD

V
CE1
= V
DD
R
C1
.C
1
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t > t
0

C
2
se charge travers R
2
avec
une constante de temps plus
grande que R
C1
.C
1
.

t

0

R
C1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
0

R
2
.C
2
La tension V
BE1
augmente

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

VI.1. Prsentation
Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t = t
1

V
BE1
= 0,6 V
t

0

R
C1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
R
2
.C
2
t
1
0.6 V

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

Instant t = t
1

t

0

R
C1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
R
2
.C
2
t
1
V
C1
0

0.6 V
DD

T
1
devient satur : V
CE1
= 0

La charge de C
1
impose la
tension V
BE2
= 0,6 V
DD
T
2
se bloque

VI.1. Prsentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

R
C1
.C
1
R
2
.C
2
t
1
Instant t = t
1
+
C
2
se charge travers R
C2
avec
une constante de temps trs
faible

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
0

V
DD
0.6 V

0.6 V
DD

V
CE2
= V
DD
R
C2
.C
2
VI.1. Prsentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

R
C1
.C
1
R
2
.C
2
t
1
Instant t > t
1
+
C
1
se charge travers R
1
avec
une constante de temps plus
grande que R
C2
.C
2
.

R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
La tension V
BE2
augmente

0

R
C2
.C
2
R
1
.C
1
VI.1. Prsentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
t

t

Circuit dont le schma sapparente
celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
V
BE2
V
CE1
V
BE1
V
CE2
V
DD
0.6 V

t
0
t

0

V
DD
0.6 V

t

0

R
C1
.C
1
R
2
.C
2
t
1
R
C2
.C
2
R
1
.C
1
R
C1
V
DD
C
1
R
C2
C
2
R
1
R
2
T
1
T
2
Le signal carr est pris sur le
collecteur de T
1
ou de T
2
La priode du signal carr dpend
des valeurs de R
1
, R
2
, C
1
et C
2
Il faut aussi R
C1
<< R
1
et R
C2
<< R
2
VI.1. Prsentation
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.1. Dfinition et principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe B namplifie que la
moiti du signal dentre.
VII. Amplification classe B
V
CE
(V)

0

I
C
(A)

I
Bmax
Il cre beaucoup de distorsion mais a un
rendement bien meilleur que le classe A avec
en thorie 78.5 %.
I
C
(A)

t

I
C0
I
Cmax
I
C0
I
Cmax
V
E
= V
BE
V
CE
= V
S
I
C
I
B
R
C
V
DD
V
S
Le point de repos se situe la limite du
blocage du transistor
I
B0
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
Les deux transistors ont le mme gain .
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

V
DD
R
L
I
L
V
E
(V)

0.6

0.6

Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqus
et V
S
= 0.
Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

V
DD
R
L
I
L
V
E
(V)

0.6

0.6

Les deux transistors ont le mme gain .
Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqus
et V
S
= 0.
Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
rgime linaire et le PNP est bloqu :
V
S
= V
E
0.6.
Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

V
DD
R
L
I
L
V
E
(V)

0.6

0.6

Les deux transistors ont le mme gain .
Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqus
et V
S
= 0.
Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
rgime linaire et le PNP est bloqu :
Si V
E
< 0.6 V, le transistor PNP est en
rgime linaire et le NPN est bloqu.
V
S
= V
E
0.6.
V
S
= V
E
+ 0.6.
Distorsion pour les faibles valeurs de V
E
.
Saturation de V
S
si |V
E
| > V
DD
.
Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
Les deux transistors ont le mme gain .
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

t

0

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

V
DD
R
L
I
L
Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqus
et V
S
= 0.
Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
rgime linaire et le PNP est bloqu :
Si V
E
< 0.6 V, le transistor PNP est en
rgime linaire et le NPN est bloqu.
V
S
= V
E
0.6.
V
S
= V
E
+ 0.6.
0.6

0.6

Distorsion pour les faibles valeurs de V
E
.
Saturation de V
S
si |V
E
| > V
DD
.
V
DD
V
DD
Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

V
DD
R
L
I
L
0.6

0.6

V
DD
V
DD
V
E
(V)

V
DD
Les deux transistors ont le mme gain .
Si V
E
= 0, les deux transistors sont bloqus
et V
S
= 0.
Si V
E
> 0.6 V, le transistor NPN est en
rgime linaire et le PNP est bloqu :
Si V
E
< 0.6 V, le transistor PNP est en
rgime linaire et le NPN est bloqu.
V
S
= V
E
0.6.
V
S
= V
E
+ 0.6.
Distorsion pour les faibles valeurs de V
E
.
Saturation de V
S
si |V
E
| > V
DD
.
Amplificateur de puissance et non de tension
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VII.2. Amplificateur push-pull
VII. Amplification classe B
V
S
(V)

V
E
V
DD
V
S
NPN

PNP

V
DD
R
L
I
L
0.6

0.6

V
DD
V
DD
V
E
(V)

V
DD
Afin dviter la distorsion du signal, on place
un pont de base avec deux diodes polarises
en directe (et passantes).
0.6 V

Lamplificateur push-pull est utilis comme
tage de sortie des gnrateurs de fonction et
des amplificateurs audio.
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.1. Dfinition
VIII. Amplificateur oprationnel
Il se caractrise par deux entres (une inverseuse,
note , une non inverseuse, note +), une sortie et
un gain A lis par la relation :
V
S
= A.(V
1
V
2
) = A.V
d
V
1
V
2
V
S
V
d
V
DD
V
DD
Limpdance dentre trs grande ( 500 k), limpdance de sortie est
presque nulle et la bande passante part du continu.
Les premiers amplis oprationnels (raliss
laide de tubes vide) taient destins aux
calculatrices analogiques, do leur nom.
Le gain est trs grand ( 50000) ce qui signifie quun amplificateur
oprationnel aliment sous 15 V sature pour V
d
= 300 V !
Il est constitu de plusieurs montages de base : paire diffrentielle, miroirs de
courant, amplificateur push-pull
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T1

T2

Entre
+

R
C
R
C
V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schma lectrique globale
Entre

VIII. Amplificateur oprationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T1

T2

Entre
+

R
C
R
C
V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schma lectrique globale
Entre

T3

R
4
T4

VIII. Amplificateur oprationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
V
DD
T1

T2

Entre
+

R
C
R
C
V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schma lectrique globale
Entre

T3

R
4
T4

T5

R
5
VIII. Amplificateur oprationnel
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T1

T2

Entre
+

R
C
R
C
V
DD
I
0
Sortie

VIII.2. Schma lectrique globale
Entre

T3

R
4
T4

T5

R
5
R
6
T6

VIII. Amplificateur oprationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
T5

R
5
T1

T2

R
C
R
C
T3

R
4
V
DD
I
0
T4

R
6
T6

T7

T8

R
7
R
8
VIII.2. Schma lectrique globale
Entre
+

Sortie

Entre

VIII. Amplificateur oprationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.2. Schma lectrique globale de lAOP 741
VIII. Amplificateur oprationnel
V
DD
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.3. Montage amplificateur : linverseur
VIII. Amplificateur oprationnel
V
E
V
S
V
d
R
2
R
1
Les entres ne consomment pas de courant.
I

d 1 E
V I . R V =
Loi des mailles applique au montage :
S 2 d
V I . R V + =
avec
d S
V . A V =
A

On limine I en divisant ces deux quations.
( )
( ) 1 A G
G A
1 A
V
V
V
V
A
A
1
1 V
A
V
V
R
R
E
S
E
S
S
S
E
2
1
+
+
=
+
+
=

+
+
=
avec
E
S
V
V
G=
On obtient alors lexpression du gain G :
( )
1
2
2
1
R
R
1 A
R
R
1
A
G
+ +

=
Hors saturation de la sortie, V
d
reste trs faible et ngligeable devant les
autres tensions. On remplace habituellement V
d
par .
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.4. Montage amplificateur : ladditionneur
VIII. Amplificateur oprationnel
Somme des courants :
V
2
V
S
R

R
1
I

A

R
2

I
2
I
1
V
1
R
V
R
V
R
V
S
1
1
2
2

=

+

R
V
R
V
R
V
S
1
1
2
2
= + soit
Application de la loi des nuds
lentre :
2 1
I I I + =
Tension de sortie :

+ =
2
2
1
1
S
V
R
R
V
R
R
V
Si R
1
= R
2
:
( )
2 1
1
S
V V
R
R
V + =
Si R
1
= R
2
= R : ( )
2 1 S
V V V + =
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.5. Montage amplificateur : lintgrateur
VIII. Amplificateur oprationnel
Rappels :
I . R V
E
=
V . C Q=
dt
dV
C
dt
dQ
I = =
et
Loi des mailles :
C

V
E
V
S
R

I

A

V
C
C S
V V =
et
Expression de V
S
:
dt
dV
. C . R V
S
E
= dt V
C . R
1
dV
E S
=

= dt V
C . R
1
V V
E 0 C S
V
C0
est la tension initiale aux bornes du
condensateur
0

V
E
I
B0
V
S
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.6. Montage amplificateur : le suiveur
VIII. Amplificateur oprationnel
V
E
V
S

R

Le courant I est trs faible (base du bipolaire)
et la valeur de est ngligeable ce qui donne :
E E S
V V I . R V + + =
A

Limpdance dentre est trs grande et celle
de sortie trs faible. On peut donc prlever la
tension V
E
sans modifier le circuit.
I

En pratique R est gal limpdance de sortie du circuit.
C
i
r
c
u
i
t

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
VIII. Amplificateur oprationnel
On veut savoir si la tension V
E
et plus
forte (ou plus faible) quune tension de
rfrence note V
1
.
DD
2 1
2
1
V
R R
R
V
+
=
V
E
V
S
A

V
DD
V
d
R
2
R
1
V
DD
V
S
V
E
V
1
V
1
V
DD
V
DD
0

Il ny a pas de rtroaction entre la
sortie et une des entres donc :
d S
V . A V =
Donc la sortie de lAOP va saturer
pour une valeur trs trs faible de :
LAOP ne consomme pas de courant
dans la borne donc :
1 E d
V V V =
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Si V
E
< V
1
: V
d
< 0 et V
S
sature au
niveau le plus bas de lalimentation de
lAOP.
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
VIII. Amplificateur oprationnel
V
E
V
S
A

V
DD
V
d
R
2
R
1
V
DD
V
S
V
E
V
1
V
1
V
DD
V
DD
0

Si V
E
> V
1
: V
d
> 0 et V
S
sature au
niveau le plus haut de lalimentation
de lAOP.
Par exemple V
E
= 0 V, V
1
= 1 V et A =
50000. Dans ce cas : V
S
= 1V
d
=
50000 V ce qui nest pas possible donc
V
S
= 0 V
Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Il est videment possible dinverser
les entres + et .
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
VIII. Amplificateur oprationnel
V
E
V
S
A

V
DD
V
d
R
2
R
1
V
DD
V
S
V
E
V
1
V
1
V
DD
V
DD
0

Pascal MASSON Le transistor bipolaire -Cycle Initial Polytechnique-
Le but est de transformer un signal analogique et suite de 0 et de 1.
VIII.8. Montage comparateur : CAN Flash
VIII. Amplificateur oprationnel
R

R

R

A

V
DD
V
E
R

R

R

R

R

B

C

D

E

F

G

C
i
r
c
u
i
t

d
e

d

c
o
d
a
g
e

S
0
S
1
S
2
Circuit
mmoire

Horloge

V
E
t

V
DD
0