Subsecretara de Educacin Superior

Direccin General de Educacin Superior Tecnolgica Instituto Tecnolgico de Apizaco

MANUAL DE PRCTICAS DE LABORATORIO DE LA MATERIA DE ELECTRONICA ANALOGICA.

APIZACO, TLAX. AGOSTO 2013.

Manual de Prcticas de laboratorio

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INDICE

ndice...................................................................................................................................... Prologo ................................................................................................................................. Practica #1: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ................................................................. Practica #2: EL DIODO COMO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Y ONDACOMPLETA ........... Practica #3: EL DIODO COMO LIMITADOR DE TENSIN........................................................ Practica #4: TRANSISTOR BJT ................................................................................................ Practica #5: POLARIZACIN DEL TRANSISTOR ..................................................................... Practica #6: EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DIFERENCIAL....................................... Practica #7: EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO ........................................................... Practica #8: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA SCR, TRIAC, DIAC .............. Practica #9: APLICACIONES CON OPTO-ELECTRNICA ...................................................... Practica #10: PROYECTO DE LABORATORIO ........................................................................ APENDICES ..........................................................................................................................

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PROLOGO
El presente manual de prcticas correspondiente a la asignatura terica practica de electrnica Analgica plan 2010, comprende nueve prcticas y un proyecto final definido como practica diez que corresponden al curso de un semestre de la materia.

Estos ejercicios fueron clasificados como bsicos y describen la operacin de los elementos electrnicos usuales, las prcticas presentan la operacin y diseo en ciertas condiciones de trabajo, los dispositivos y la de aplicacin corresponden tanto a la utilizacin de los dispositivos en prototipos elementales que ejemplifican el uso de estos, as como a la presentacin de un proyecto personal a desarrollarse en las ltimas sesiones del laboratorio.

Bajo lo anterior descrito, este manual completa la serie de actividades terico practicas que proporcionan al alumno de la materia de Electrnica Analgica, las habilidades necesarias para el manejo de los dispositivos electrnicos ms usuales en el rea de la Ingeniera Mecatrnica, Electrnica y Electromecnica.

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PRACTICA No 1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva caracterstica.

OBJETIVOS PARTICULARES
Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multmetro. Determinar el estado del diodo (conduccin) aplicando la polarizacin directa e inversa. Construir la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores.

INTRODUCCIN
Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de los aos cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la electrnica. La miniaturizacin que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces ms pequea que un solo elemento de las redes iniciales. El tipo ms simple de dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempea un papel importante en los sistemas electrnicos. Con sus caractersticas que son muy similares a la de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las ms sencillas a las ms complejas. El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos de la misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante tcnicas especiales. En el momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unin, debido a la disminucin de portadores en ella.

ANODO

CATODO

Figura 1.
En la figura 1, se muestra el smbolo y el aspecto fsico de un diodo rectificador, la flecha que simboliza el nodo representa la direccin del "flujo convencional de corriente y el ctodo se identifica con una banda en los diodos pequeos. La aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibles polarizaciones: Sin polarizacin (VD = 0. ); Polarizacin directa (VD>0 .) y Polarizacin inversa (VD<0 .) Un diodo semiconductor tiene polarizacin inversa cuando se asocia el material tipo P a un potencial negativo y el material tipo N a un potencial positivo. La polarizacin directa se da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo P y un potencial negativo al material tipo N. Manual de Prcticas de laboratorio Pgina 4

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A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente de saturacin inversa (IS). Mediante el empleo de la fsica del estado slido se ha llegado a encontrar que la corriente a travs del diodo semiconductor es una funcin del voltaje aplicado entre sus terminales, de la siguiente manera:
KV/T

ID= IS [ e ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes.

- 1]

IS: es el valor de la corriente de saturacin inversa, es del orden de los nanoamperes o de microamperes. K: es una constante que depende tambin del material del dispositivo, 11600/ con =1 para Ge y =2 para Si. T: es la temperatura ambiente expresada en K, ( K = C + 273).

MATERIAL 4 Diodo de Silicio IN4001 o IN4004. 4 Diodos Zener a 9 volts. 2 Diodos de Germanio 0A90. 4 LED de diferente color. 1 Resistor de 220 a 1/2 W. 1 Resistor de 1 K a 1/2 W. 1 Resistor variable de 10K. Tablilla de experimentacin (protoboard). Multmetros; Analgico y Digital. Fuente de voltaje variable de 0 a 30 V. Generador de seales. Osciloscopio. Tres puntas para osciloscopio. Juego de alambres para conexin.
DESARROLLO EXPERIMENTAL

EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS. a) Por observacin, identifique el nodo y Ctodo de los distintos diodos que est utilizando, dibuje y anote sus observaciones. b) Empleando un MULTIMETRO ANALGICO, como primera prueba, en la funcin de OHMS compruebe el inciso anterior, conectando el ohmetro en los extremos del diodo en polarizacin directa y polarizacin inversa, como se indica en la figura 1, reportando en cada caso la resistencia medida:

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c) Con un MULTIMETRO DIGITAL en funcin de "DIODO", realice la medicin del voltaje de conduccin (V0) en polarizacin directa y polarizacin inversa de cada elemento.

Nota: Tome en cuenta la polaridad de las terminales del multmetro. EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR. a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2, utilizando un diodo de Silicio. Verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

Figura 2. b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin, anote los valores de VD e ID, en la tabla 1. TABLA 1 ID VD c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior. ID VD mA VOLTS mA VOLTS

d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 K, como se muestra en la figura 3, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus datos en la tabla 2.

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VOLTMETRO XMM2

Figura 3: TABLA 2 ID VD mA VOLTS

e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra en la figura 3 y anote las mediciones en la tabla 3.

Figura 3. TABLA 3 ID VD mA VOLTS

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f) Construya las graficas de la curva caracterstica de los diodos en polarizacin directa con los valores obtenidos de las tablas anteriores.

g) Arme el circuito de la figura 4, utilizando un diodo de Germanio.

VOLTMETRO AMPERMETRO XMM2

Figura 4. h) Ajuste el valor de la fuente de alimentacin a 8 Volts y utilizando la resistencia variable de 10K, ajuste es ta resistencia desde su valor mximo hasta un valor en el que se puedan obtener valores de corriente ID. i) Obtenga los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la resistencia, hasta obtener valores de la tensin de conduccin, registre los valores.

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EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIN INVERSA. a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra en la figura 5.
AMPERMETRO XMM1

Figura 5. b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15 volts, y obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 4 y anote los valores de la corriente ID correspondiente a cada voltaje VAB indicado. c) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15 volts, y obtenga los valores ID indicados en la parte media de la tabla 4 y anote los valores de voltaje VAB correspondiente a cada valor de la corriente ID indicado. TABLA 4 Voltaje de fuente V1 VAB 0.0 2.0 6.0 7.0 10.0 IDmA RZ

2.0 5 10 20 30 40 50 60 d) Para cada valor de VAB y su correspondiente ID, calcule la resistencia RZ del diodo ( RZ = VAB/ID ), anote sus resultados en la columna correspondiente.

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EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIN DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACIN DIRECTA

a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.
AMPERMETRO XMM1

Figura 5
b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15 volts, obtenga los

valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 5, anote los valores de corriente ID correspondiente a cada valor de voltaje VAB indicadoy obtenga el valor de la resistencia del diodo RZ.
TABLA 5

VAB I mA RZ

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

c) Grafique la resistencia del diodo en funcin del voltaje tanto para la configuracin de polarizacin Directa como en polarizacin Inversa.

EXPERIMENTO 5. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN FRECUENCIAS ALTAS. a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la figura 6.
OSCILOSCOPIO XSC1 GENERADOR DE

Figura 6.

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b) Ajuste la salida del generador a una seal senoidal de 5 VPP, partiendo de 10 Hz, realice incrementos en la frecuencia hasta un mximo de 20 MHz. c) Con el osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la seal de salida obtenida en la resistencia, realice 10 lecturas a diferentes frecuencias. d) Remplace el diodo de germanio por el diodo de Silicio y repita los incisos b y c, anote sus observaciones para cada caso.

ANLISIS DEL EXPERIMENTO Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el resultado experimental. CUESTIONARIO 1 Qu son los materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos? 2 3 4 Qu significa polarizacin directa y polarizacin inversa de un diodo? Cul es la importancia de los semiconductores? Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.

5 Explique qu pasa si se aumenta el voltaje de polarizacin inversa a un diodo semiconductor y se tiene una sobrecarga. 6 7 8 9 10 11 12 Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente. Describa el comportamiento de un diodo ideal Explique cmo afecta la temperatura a un material semiconductor. Explique que es la regin ZENER. Qu es resistencia esttica y resistencia dinmica? Describa la electroluminiscencia en un LED. Cules son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio?. Explique la respuesta de conduccin de corriente de un semiconductor sujeto a frecuencias altas.

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