Transistor

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Distintos encapsulados de transistores.

Entramado de transistores.

Entramado de transistores representando 0xA o 10 en decimal. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El t rmino !transistor! es la contraccin en ingl s de transfer resistor "!resistencia de transferencia!#. Actualmente se los encuentra pr$cticamente en todos los aparatos dom sticos de uso diario% radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio & video, 'ornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relo(es de cuar)o, computadoras, calculadoras, impresoras, l$mparas fluorescentes, equipos de ra&os *, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp+, tel fonos mviles, etc.

Contenido
,ocultar 1 .istoria / 0ipos de transistor o /.1 0ransistor de contacto puntual o /./ 0ransistor de unin bipolar

/.+ 0ransistor de unin unipolar /.1 0ransistor de efecto de campo /.2 3ototransistor + 0ransistores & electrnica de potencia 1 El transistor como amplificador o 1.1 Emisor comn o 1./ 4ase comn o 1.+ 5olector comn 2 El transistor frente a la v$lvula termoinica 6 7 ase tambi n
o o o

8 Enlaces externos

[editar] Historia
Artculo principal: Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los 9aboratorios 4ell de EE. ::. en diciembre de 1;18 por <o'n 4ardeen, =alter .ouser 4rattain & =illiam 4radford S'oc>le&, quienes fueron galardonados con el ?remio @obel de 3Asica en 1;26. 3ue el sustituto de la v$lvula termoinica de tres electrodos, o triodo. Al principio se usaron transistores bipolares & luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo "3E0#. En los ltimos, la corriente entre la fuente & la p rdida "colector# se controla usando un campo el ctrico "salida & p rdida "colector# menores#. ?or ltimo, apareci el BCS3E0 "transistor 3E0 de tipo metalDxidoDsemiconductor#. 9os BCS3E0 permitieron un diseEo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados "F5#. .o& la ma&orAa de los circuitos se constru&en con la denominada tecnologAa 5BCS "semiconductor de xido met$lico complementario#. 9a tecnologAa 5BCS es un diseEo con dos diferentes BCS3E0 "BCS3E0 de canal n & p#, que se complementan mutuamente & consumen mu& poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato "usualmente silicio# & tres partes dopadas artificialmente "contaminadas con materiales especAficos en cantidades especAficas# que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta & la tercera, que est$ intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dic'os portadores "base#. A diferencia de las v$lvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente & del que se obtiene corriente amplificada. En el diseEo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mec$nica cu$ntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el !colector! es funcin amplificada de la que se in&ecta en el !emisor!, pero el transistor slo grada la corriente que circula a trav s de sA mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la !base! para que circule la carga por el !colector!, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de base & corriente de colector, se denomina 4eta del transistor. Ctros par$metros a tener en cuenta & que son particulares de cada tipo de transistor son% 0ensiones de ruptura de 5olector Emisor, de 4ase Emisor, de 5olector 4ase, ?otencia B$xima, disipacin de calor, frecuencia de traba(o, & varias tablas donde se grafican los distintos par$metros tales como corriente de base, tensin 5olector Emisor, tensin 4ase Emisor, corriente de Emisor, etc. 9os tres tipos de esquemas"configuraciones# b$sicos para utili)acin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn & base comn.

Bodelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar "transistores 3E0, BCS3E0, <3E0, 5BCS, 7BCS, etc.# no utili)an la corriente que se in&ecta en el terminal de !base! para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o re(a de control & grada la conductancia del canal entre los terminales de 3uente & Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador "D# ser$ funcin amplificada de la 0ensin presente entre la ?uerta "Gate# & 3uente "Source#. Su funcionamiento es an$logo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a ?uerta, Drenador & 3uente son He(a, ?laca & 5$todo. 9os transistores de efecto de campo, son los que 'an permitido la integracin a gran escala que disfrutamos 'o& en dAa, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centAmetro cuadrado & en varias capas superpuestas.

[editar] Tipos de transistor

[editar] Transistor de contacto puntual
3ue el primer transistor capa) de obtener ganancia, inventado en 1;18 por <. 4ardeen & =. 4rattain. 5onsta de una base de germanio sobre la que se apo&an, mu& (untas, dos puntas met$licas que constitu&en el emisor & el colector. 9a corriente de base es capa) de modular la resistencia que se !ve! en el colector, de a'A el nombre de !transfer resistor!. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su dAa. Es difAcil de fabricar "las puntas se a(ustaban a mano#, fr$gil "un golpe podAa despla)ar las puntas# & ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin "=. S'oc>le&, 1;1I# debido a su ma&or anc'o de banda. En la actualidad 'a desaparecido.

[editar] Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar, o 4<0 por sus siglas en ingl s, se fabrica b$sicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales & los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma mu& controlada tres )onas, dos de las cuales son del mismo tipo, @?@ o ?@?, quedando formadas dos uniones @?. 9a )ona @ con elementos donantes de electrones "cargas negativas# & la )ona ? de aceptadores o !'uecos! "cargas positivas#. @ormalmente se utili)an como elementos aceptadores ? al Fndio "Fn#, Aluminio "Al# o Galio "Ga# & donantes @ al Ars nico "As# o 3sforo "?#. 9a configuracin de uniones ?@, dan como resultado transistores ?@? o @?@, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterAstica de la base, & las otras dos al emisor & al colector que, si bien son del mismo tipo & de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas "por lo general, el emisor esta muc'o m$s contaminado que el colector#. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender$ de dic'as contaminaciones, de la geometrAa asociada & del tipo de tecnologAa de contaminacin "difusin gaseosa, epitaxial, etc.# & del comportamiento cu$ntico de la unin.

[editar] Transistor de unin unipolar

0ambi n llamado de efecto de campo de unin "<3E0#, fue el primer transistor de efecto de campo en la pr$ctica. 9o forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo @ o ?. En los terminales de la

barra se establece un contacto 'mico, tenemos asA un transistor de efecto de campo tipo @ de la forma m$s b$sica. Si se difunden dos regiones ? en una barra de material @ & se conectan externamente entre sA, se producir$ una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor & al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador & el surtidor & conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polari)acin cero. 5on un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

[editar] Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo, o 3E0 por sus siglas en ingl s, que controla la corriente en funcin de una tensinJ tienen alta impedancia de entrada.

0ransistor de efecto de campo de unin, <3E0, construido mediante una unin ?@. 0ransistor de efecto de campo de compuerta aislada, FG3E0, en el que la compuerta se aAsla del canal mediante un diel ctrico. 0ransistor de efecto de campo BCS, BCS3E0, donde MOS significa BetalDKxidoD Semiconductor, en este caso la compuerta es met$lica & est$ separada del canal semiconductor por una capa de xido.

[editar] Fototransistor
9os fototransistores son sensibles a la radiacin electromagn tica en frecuencias cercanas a la de la lu) visibleJ debido a esto su flu(o de corriente puede ser regulado por medio de la lu) incidente.

[editar] Transistores y electrnica de potencia

5on el desarrollo tecnolgico & evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada ve) ma&ores niveles de tensin & corriente 'a permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es asA como actualmente los transistores son empleados en conversores est$ticos de potencia, controles para motores & llaves de alta potencia "principalmente inversores#, aunque su principal uso est$ basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

[editar] El transistor como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos "Bodelo de EbersDBoll#, uno entre base & emisor, polari)ado en directo & otro diodo entre base & colector, polari)ado en inverso. Esto quiere decir que entre base & emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,I 7 para un transistor de silicio & unos 0,1 para el germanio. ?ero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base% F5 L M F4, es decir, ganancia de corriente cuando MN1. ?ara transistores normales de seEal, M varAa entre 100 & +00. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador%

[editar] Emisor comn

Emisor comn. 9a seEal se aplica a la base del transistor & se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seEal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente & alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, HE N 20 O, & para frecuencias ba(as, la ganacia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin% J & la impedancia de salida, por H5 5omo la base est$ conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, 7g. 0ambi n supondremos que M es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es% VE L VB P Vg

Q la corriente de emisor%

9a corriente de emisor es igual a la de colector m$s la de base% . Despe(ando 9a tensin de salida, que es la de colector se calcula como%

5omo M NN 1, se puede aproximar%

&, entonces,

Rue podemos escribir como

7emos que la parte

es constante "no depende de la seEal de entrada#, & la parte

nos da la seEal de salida. El signo negativo indica que la seEal de salida est$ desfasada 1I0S respecto a la de entrada.

3inalmente, la ganancia queda%

9a corriente de entrada,

, que aproximamos por

Suponiendo que 74NN7g, podemos escribir%

& la impedancia de entrada% ?ara tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utili)ar modelos de transistor m$s elaborados. Es mu& frecuente usar el modelo en pi.

[editar] ase comn

4ase comn. 9a seEal se aplica al emisor del transistor & se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seEal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganacia slo de tensin. 9a impedancia de entrada es ba(a & la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aEadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seEal, un an$lisis similar al reali)ado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente% .

9a base comn se suele utili)ar para adaptar fuentes de seEal de ba(a impedancia de salida como, por e(emplo, micrfonos din$micos.

[editar] Colector comn

5olector comn. 9a seEal se aplica a la base del transistor & se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seEal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por 1TM