UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA FACULTAD DE INGENIERAS CARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA

Practica: 10 Tema: el transistor FET. Alumno: Jorge Duchitanga Profesor: Ing. Ren vila
Objetivos:

1. Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin con el transistor FET. a. Polarizacin con dos fuentes. b. Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin. c. Polarizacin con divisor de tensin. d. Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

MARCO TEORICO TRANSISTOR FET: El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P". En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.

Smbolos de los transistores JFET, canal N y canal P.

Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor. Un tercer contacto, la compuerta (G), es anlogo a la base. Principio de operacin del JFET (de canal N). Zona Lineal. Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VDS. Valores pequeos de voltaje VDS. La figura 3 muestra la situacin cuando se polariza la unin GS una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin menor entre D y S.

Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia: La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS. La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal y mayor la corriente obtenida. Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS - VP )VDS Por lo tanto en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y VDS. Valores altos de VDS. Para Valores altos de VDS comparables y superiores a VGS, la situacin cambia con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFet pierde su comportamiento hmico. Veamos por que sucede esto. Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, ste se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S

el voltaje ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativo (-2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna corriente.

En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante por lo que la anchura de la zona de deplecin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin en la seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Ecuaciones del FET. El desempeo del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley, en 1952. De ah el nombre que rige la ecuacin de este tipo de transistores; la llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY". Esta expresin dice lo siguiente:

Donde: ID = IDSS = VGS = VP = Corriente de Drenaje Corriente de Drenaje de Saturacin Voltaje Puerta-Fuente Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Curvas caractersticas del Transistor de Efecto de Campo.

CALCULOS 1. Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin con el transistor FET. a. Polarizacin con dos fuentes.

b. Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin.

)(

c. auto polarizacin sin RS

Vdd= 13V VDS=6V IDSS=14mA VP=-8V VGS=0V ID=IDSS=14mA VDD=6V+13mA*rd Rd=460 d. Polarizacin con divisor de tensin.

VGs=2.1v

( (

) )

VDS=VD-VS

e. Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

VGS=-3v
( )

ID=1.25mA

MEDICIONES a. Polarizacin con dos fuentes. VDS ID VGS Calculado 6v 3.2mA -3V Medidos 6.14v 2.88mA -2.91v b. Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin. VDS ID VGS VS Calculado 12.38v 4.5mA 2V 1.87V Medidos 11.09v 5.03mA 1.97V 2.03V c. Polarizacin sin RS VDS ID VGS VS Calculado 6v 14mA 0V 0V Medidos 6.22v 14.30mA 0V 0V d. Polarizacin con divisor de tensin. VDS ID VGS VS Calculado 9.77v 3.1mA 2.1V 3.41V Medidos 12.37Vv 2.17mA 2.33V 2.54V e. Polarizacin con fuente doble positiva y negativa. VDS ID VGS Calculado 6v 1.25mA -3V Medidos 5.56v 1.27mA -3.53v

Simulaciones: a) Polarizacin con dos fuentes.

b) Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin.

c) Polarizacin sin RS

d) Polarizacin con divisor de tensin.

e) Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

CONCLUSIONES En esta prctica he podido comprobar el funcionamiento del transistor FET, sus configuraciones y conexiones, tambin he podido comprobar que los resultados de los clculos y las mediciones de la practica coinciden en gran porcentaje, los errores de las mediciones se deben a la tolerancia de las resistencias; adems que los parmetros del transistor varan de acuerdo al modelo y por eso es necesario ver sus caractersticas en el catalogo. Tambin puedo decir que los clculos son fciles cuando se toma en cuenta todos los parmetros y los que no se tiene se imponen, solo cuando se disea el circuito, pero si se comprueba el funcionamiento lo que se impone son los materiales; es muy importante indicar que los parmetros cambian con cada transistor.

Conclusions: In this practice I have been able to check the operation of the transistor FET, their configurations and connections, I have also been able to check that the results of the calculations and the mensurations of he/she practices it they coincide in great percentage, the errors of the mensurations are due to the tolerance of the resistances; also that the parameters of the transistor vary according to the pattern and for that reason it is necessary to see their characteristics in the I classify. I can also say that the calculations are easy when he/she takes into account all the parameters and those that one doesn't have are imposed, alone when the circuit is designed, but if he/she is proven the operation what is imposed they are the materials; it is very important to indicate that the parameters change with each transistor.
BIBLIOGRAFIA

Unicrom, www.unicrom.com Electrnica 2000, www.electronica2000.net/curso_elec/leccion61.htm Boylestad, Robert. Anlisis introductorio de circuitos, 1999 Enciclopedia electrnica