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TEMA 4.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

1
1. Introduccion.
2. El diodo semiconductor: union p-n no polarizada, potencial de contacto.
3. Union p-n polarizada, ecuacion de Schockley.
4. El transistor bipolar (BJT): conIiguracion en base comun y conIiguracion en emisor
comun;
5. El transistor como ampliIicador y conmutador.
6. Transistores de eIecto de campo (FET).

1. INTRODUCCIN
La diIusion de portadores es un Ienomeno tipico de los semiconductores. Mediante
la adicion de impurezas aceptoras o donadoras se crean Iacilmente gradientes de concen-
tracion de electrones, o de huecos, que originan Ilujos de diIusion de portadores mayorita-
rios con densidades de corriente.
J
p
- qD
p
dp/dx J
n
qD
n
dn/dx
Estos Ilujos son el Iundamento de los procesos que ocurren en los diodos de union.
Tambien es el Iundamento de los transistores de union bipolar, BJT. Por ultimo se estudia-
ra el transistor de eIecto de campo, FET, que es un dispositivo controlado por una tension,
a diIerencia del BJT que esta controlado por una corriente. En todos ellos existen uniones
PN (o NP).

2. UNION P-N NO POLARIZADA
2.1. Generalidades
Se obtiene una union cuando un monocristal semiconductor (Si, Ge, AsGa,...) se
dopa sucesivamente con impurezas aceptoras y donadoras, de Iorma que se tengan dos
zonas yuxtapuestas, P y N, de semiconductores extrinsecos tipo-p y tipo-n respectivamen-
te. Entre ellas, en la interIase, aparece una tercera zona llamada de transicion, de de-
plexion, de carga espacial o de vaciamiento, que es de pequeisimo espesor, del orden del
m. Es en la zona de transicion donde tienen lugar los procesos Iundamentales, de rectiIi-
cacion, absorcion y emision de luz, etc., que ocurren en las diversas clases de dispositivos
de union.
Las zonas P y N son neutras, el numero de huecos (o de electrones) moviles mayo-
ritarios en la BV (o en la BC) es igual al numero de aniones de impureza aceptora (o dona-
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2
dora) Iijas en la red. Despreciando los minoritarios, a T 300 K, las concentraciones de
portadores mayoritarios, huecos en la zona P de valor p
p
y electrones en la zona N de valor
n
n
son:
p
p
~ N
a
n
n
~ N
d

En la zona de transicion conIluye el Ilujo de electrones, mayoritarios en la zona N,
que por diIusion se inyectan en la zona P y analogamente, los huecos de la zona P se inyec-
tan en la zona N.
La zona de transicion practicamente no contiene portadores, esta vacia de electro-
nes y huecos de conduccion, las cargas de los iones de impurezas no se compensan con la
carga opuesta de sus correspondientes portadores. Se Iorma una distribucion dipolar de
carga: negativa, de aniones aceptores, junto a la zona P y otra de carga positiva, de catio-
nes donadores, junto a la zona N.
Por tanto, la zona de transicion queda subdividida en dos subzonas con cargas nega-
tiva y positiva respectivamente.
Como consecuencia de esta distribucion dipolar aparece un campo electrostatico
interno, E
i
, dirigido de la zona N a la zona P, que genera tres eIectos interrelacionados:

1) E
i
en la zona de transicion crea una diIerencia de potencial, V
o
, de contacto entre las
zonas neutras, zona P y zona N, y con ello se establece una barrera energetica equiva-
lente al producto de la carga del portador por la diIerencia de potencial, esto es, eV
o
,
que se opone a los dos Ilujos de diIusion de electrones y de huecos.

2) Los electrones y huecos minoritarios en las zonas P y N respectivamente, de concentra-
ciones n
p
y p
n
, que no tienen posibilidad de diIundirse y estan en las cercanias, o dentro
de la zona de transicion, son arrastrados por E
i
originando sendas corrientes de arrastre,
I
sn
e I
sp
, de sentido opuesto a las corrientes de diIusion I
dn
e I
dp
. Las corrientes inversas
de saturacion I
sn
e I
sp
, tienen una magnitud del A, son cuasi independientes de V
o
y de-
penden de la temperatura que regula las concentraciones de minoritarios p
n
y n
p
.

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3
3) En el equilibrio termico ambas corrientes, de diIusion y arrastre, se compensan y dan
lugar a un equilibrio dinamico en el cual los niveles de Fermi, E
Fp
y E
Fn
, de una y otra
zonas neutras, P y N, se igualan.

I
dn
I
sn
0 E
Fp
E
Fn


I
dp
I
sp
0

Por simplicidad se ha supuesto un semiconductor en Iorma de barra, cuya area de seccion
recta es A y con su eje segun X O . Esta restriccion no resta generalidad a los resultados,
que coinciden con los obtenidos experimentalmente con otras geometrias.
Insistamos que en la zona de transicion V(x) varia y existe un campo E(x), mientras que
las zonas P y N del semiconductor, Iuera de la zona de transicion, son equipotenciales. Las
zonas P y N se comportan como conductores ohmicos, cuyas conductividades dependen de
la concentracion de impurezas, N
a
y N
d
. En la zona de transicion, tiene lugar el salto de
potencial, V
o
, entre una y otra zona. En esta se Iorma una doble capa de cargas opuestas
normales a X O . Por todo ello, en esta zona de transicion residen las propiedades:

a) de conduccion no lineal, (rectificacion de corriente, condensador de capacidad varia-
ble, regulador de tension v como puerta logica en un circuito digital), y
b) de interaccion Iotonica, (fundamento para la construccion del diodo laser, el diodo
emisor de lu: o LED, el fotodetector v la celula solar).

En la Figura 1 se muestra el paso del electron de la zona p a la zona n. A continua-
cion se Iorma la zona de transicion ZT donde ya estan los iones positivos en el lado n y
negativos en el lado p. Las zonas P y N son neutras, la zona de transicion, ZT, cuya anchu-
ra W se ha ampliIicado, esta cuasi vacia de portadores y contiene una carga dipolar debida
a las cargas de los iones de impurezas aceptoras o donadoras. Estos iones estan Iijos en la
estructura reticular del semiconductor cuya red no se deIorma en el dopado. Esta carga
dipolar origina el campo electrico E dirigido de n a p, mostrado en la Iigura inIerior


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4












Figura 1
Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga electrica, ya
que en cada cristal, el numero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir
ambos cristales, se maniIiesta una diIusion de electrones del cristal n al p indicada por la
corriente Je. A medida que progresa el proceso de diIusion, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura proIundizando en los cristales a ambos lados de la union. Sin
embargo, la acumulacion de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p,
crea un campo electrico (E) que actuara sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondra a la corriente de electrones y ter-
minara deteniendolos.
Este campo electrico es equivalente a decir que aparece una diIerencia de tension entre las
zonas p y n. Esta diIerencia de potencial (V
o
) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si
los cristales son de germanio.





E
W
E
W
e
-
E
W
E
W
e
-
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5
Por otra parte la densidad (x) de carga se indica en la Figura 2. De acuerdo con el princi-
pio de conservacion de la carga es:

} }
= +
+


n
p
0
0
0
x
x
dx dx









Figura 2
La Figura 2 muestra:
a) La densidad (x) de carga de la distribucion dipolar en la zona de transicion,
ZT.
b) El salto de potencial en la zona de transicion entre P y N.

0
J J J Edx
p n
x
x
n
p
= =
}


La Figura 3 muestra la variacion de energia de los electrones:
oE(x) -qoV(x), q e 1`610
-19
C
Hay que tener en cuenta que el dopado no altera la anchura de la banda prohibida, E
g
, por
tanto se veriIica que:
E
gp
E
cp
E
vp
E
cn
E
vn
E
gn

En el equilibrio los niveles de Fermi E
Fp
y E
Fn
se igualan, E
Fp
E
Fn





Figura 3
E
cp
E
vp
E
Fp
E
Fn
eV
o
E
gp
E
gn
E
cp
E
vp
E
Fp
E
Fn
eV
o
E
gp
E
gn
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6
La Iigura 4 muestra el sentido y la magnitud de los Ilujos de portadores y sus co-
rrientes de diIusion (!) y de arrastre (")

Flujo de particulas Corriente
DiIusion
Arrastre
DiIusion
Arrastre
h

!
h

#
e
-
$
e
-
"
h

!
h

#
e
-
!
e
-
#















Figura 4

2.2. Potencial de contacto, V
o
El potencial de contacto V
o
genera una barrera energetica que han de saltar los por-
tadores que se diIunden y limita este proceso. El campo E
i
, crea un Ilujo de arrastre, co-
rriente inversa de saturacion, en sentido inverso al Ilujo de diIusion.
En el equilibrio isotermico ambos Ilujos se compensan y la corriente neta de la
union PN es nula: J
p
(x) J
n
(x) 0.
ReIiriendonos a los huecos se sigue:
La suma de las densidades de corriente de diIusion, de los mayoritarios, y de arras-
tre, de los minoritarios, se anula.
J
p
(x) q|
p
p(x)E(x) - D
p
dx
) x ( dp
| 0
P
N
Ei
h+ h+ h+
h+
h+
h+
h+
h+
h+
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
J
sn
J
dn
J
dp
J
sp
P
N
Ei
h+ h+ h+
h+
h+
h+
h+
h+
h+
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
Ei
h+ h+ h+
h+
h+
h+
h+
h+
h+
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
J
sn
J
dn
J
dp
J
sp
J
sn
, densidad de corriente de arrastre de e de P a N (minoritarios)
J
dn
, densidad de corriente de diIusion de e de N a P (mayoritarios)
J
sp
, densidad de corriente de arrastre de h de N a P (minoritarios)
J
dp
, densidad de corriente de diIusion de h de P a N (mayoritarios)
J
sn
, densidad de corriente de arrastre de e de P a N (minoritarios)
J
dn
, densidad de corriente de diIusion de e de N a P (mayoritarios)
J
sp
, densidad de corriente de arrastre de h de N a P (minoritarios)
J
dp
, densidad de corriente de diIusion de h de P a N (mayoritarios)
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7

dx
) x ( dp
) x ( p
1
) x ( E
D
p
p
=


Recordando que:

q
kT D
=

y
dx
) x ( dV
) x ( E =

) x ( p
) x ( dp
) x ( dV
kT
q
=
Las zonas P y N son practicamente equipotenciales, el salto de potencial se realiza a
lo largo de ZT. En uno y otro lado de esta zona las concentraciones y los potenciales son:
N
a
~ p
p
y N
d
~ n
n
, V
p
y V
n

Integrando:

} }
=
n
p
n
p
V
V
P
P
p
dp
) x ( dV
kT
q
: V
o
V
n
V
p

n
p
p
p
ln
q
kT
(1)
Como p
p
n
p
p
n
n
n
n
2
i
o bien, N
a
n
p
~ p
n
N
d
~ n
2
i
, el potencial de contacto, V
o
, es:
V
0
: ln ln
2
d
i
a
n
p
N
n
N
q
kT
p
p
q
kT
= ) 2 (
n
N N
ln
q
kT
V
2
i
d a
0
=
V
o
, a T 300 K es del orden de decimas de voltio.
Igual resultado se obtendria anulando J
n
(x).
La expresion (1) puede escribirse como:
p
n
p
p
kT
qV
0
e


Que esta de acuerdo con la ley maxweliana de equilibrio entre las poblaciones p
p
y p
n
de
dos niveles energeticos de separacion E
2
- E
1
qV
0
. Fig. 5.



Fig. 5
La ultima expresion puede Iormularse como:
kT
qV
p
n
n
p
0
e
n
n
p
p
= =
y se denomina LEY DE EQUILIBRIO
qV
0
Pp
P
n
E2
E
1
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2.3. La unin abrupta`
El modelo de union abrupta idealiza la Iuncion (x) de cambio gradual (Figura 2) y
diIicil de modelar por una Iuncion matematica, por dos escalones a x
p
x 0: (x) -eN
a

y 0 x x
n
: (x) eN
d,
Fig. 6a. Este modelo es muy util para el calculo y sus resultados
concuerdan con las medidas obtenidas experimentalmente.













c

=
a
eN
dx
dE

c
=
d
eN
dx
dE

Fig. 6 a y b
De acuerdo con las leyes de la Electrostatica se veriIica:
1) La conservacion de la carga:
Q

Q
-
0: ex
p
AN
a
ex
n
AN
d
: x
p
N
a
x
n
N
d

x
p
x
n
W
De donde resulta:
,
N N
WN
x
d a
d
p
+
=
d a
a
n
N N
WN
x
+
= (3)
Las igualdades (3) nos miden la penetracion de la zona de carga en las semizonas 'p
y 'n de la zona de transicion del semiconductor.
2) La determinacion del campo electrostatico a partir del Teorema de Gauss en Iorma di-
Ierencial:
-x
p
x
n
x
eN
d
-eN
a
(x)
-x
p
x
n
E(x)
x
E
m
a)
b)
-x
p
x
n
x
eN
d
-eN
a
(x)
-x
p
x
n
E(x)
x
E
m
a)
b)
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Tomemos un cilindro inIinitesimal en el semiconductor, con seccion recta de area A y
longitud, dx. La carga en su interior es dq Adx, y el Ilujo neto del campo electrostatico
es segun Iig. 7 el Ilujo saliente menos el Ilujo entrante y por el teorema de Gauss tenemos:






Fig. 7
( )
c

c
|
= = =
|
|

\
|
|

\
|
+ = + = = =
dx
x dE Adx
dxA
dx
x dE
A x E dx
dx
x dE
x E A x E dx x E dS x E
dq
d
x x
) ( ) (
) (
) (
) ( ) ( ) ( ) (
:
La densidad de carga vale: ) (
a d
N N n p q + = donde q e.
Teniendo en cuenta que para:

a p
eN x x = s s , 0
d n
eN x x = s s , 0
Resulta:

c c
) (
a d
N N n p q
dx
dE +
= =
En la Zona de Transicion, p n 0

El cambio de pendiente indica que E (0) E
m
es un valor extremo, minimo de la Iun-
cion E(x), Iig 6b.
0 x x
n

} }
c
=
0
E
x
0
d
m
n
, dx
eN
dE E
m

n
d
x
N
e
c
(4)
-x
p
x 0
} }

c
=
m
p
E
0
0
x
a
, dx
eN
dE E
m

p
a
x
N
e
c
(5)

0
0
> =
< =
c
c
d
a
N
e
dx
dE
eN
dx
dE

E(x dx)
E(x)
A
dx
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E(x) :
dx
) x ( dV
V
0
V (x
n
) V (-x
p
)
}

n
p
x
x
dx ) x ( E
3) Calculo de la anchura, W, de la ZT.
V
o
es la diIerencia de potencial que se establece entre las dos zonas neutras a traves de
la zona de carga, y vale:
} }
+ =

n
p
x
0
0
x
0
dx ) x ( E dx ) x ( E V
El valor de V
o
es igual al area del triangulo rayado Fig., 6.b de base W y altura el valor
maximo del modulo del campo, E
m
:
V
o

d a
a
d n
d
N N
WN
N
e
2
W
x
eN
2
W
2
WE
+ c
=
c
=
Despejando W de la igualdad anterior, resulta:
W
2
1
d a
0
N
1
N
1
e
V 2
(

|
|

\
|
+
c
(6)
La anchura W de la ZT disminuye al aumentar las magnitudes del dopado N
a
y N
d
.

2.4. Capacidad de la unin`
En la ZT la carga espacial Q Q
n
|Q
p
| vale:
Q eN
d
x
n
eN
d
W
2
1
d a
d a
o
d a
a
N N
N N
V e 2
N N
N
(

+
c =
+
(7)
Como hemos indicado, de estas relaciones se establece una analogia con un con-
densador, Iormado por una doble capa. Aun cuando son constantes N
a
y N
d
y por consi-
guiente lo es V
o
, se puede variar el salto de potencial polarizando el semiconductor me-
diante una diIerencia de potencial V aplicada entre las zonas P y N, de Iorma que el nuevo
salto de potencial V
0
sea V
0
V y en este caso la carga espacial tiene por expresion: Q
2 / 1
d a
d a
0
N N
N N
e 2 V
|
|

\
|
+
c . Se deIine la capacidad dinamica C como el cociente
dV
dQ
o
, de don-
de resulta:
dV
0
d (V
0
V) dV, C
2 / 1
0
0
V
2
1
dV
dQ
dV
dQ

= =
2 / 1
d a
d a
N N
N N
e 2
|
|

\
|
+
c (8)
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Ef.1 Se considera la union PN en una barra de un monocristal de Ge con. N
d
10
22
m
-3
v
N
a
310
24
m
-3
, n
i
2,510
19
m
-3
. Determinar a 300 K. a) La diferencia de potencial de
barrera J
0
, v b) la diferencia entre E
i
v E
F
en una v otra region, fig. 8.



Fig. 8

La union no modiIica E
G
E
C
- E
V
ni tampoco
2
E E
E
V C
i
+
= en una y otra region neutra.
La energia de la zona de tipo n disminuye en qV
0
.



V
T

q
kT

A 300 K

b) p
p
n
i
kT / ) E E (
Fp ip
e


n
n
n
i
kT / ) E E (
in Fn
e


E
ip
- E
Fp
eJ
n
N p
J
i
a p
T
304 , 0
10 5 , 2
10 3
ln 026 , 0 ln
19
24
=

=
~

E
Fn
- E
in
eJ
n
N n
J
i
d n
T
155 , 0
10 5 , 2
10
ln 026 , 0 ln
19
22
=

=
~

E
Fn
E
Fp
: qV
0
E
ip
- E
in
(0,304 0,155) eV 0,459 eV




V
T
0,026 eV
qV0
Ecp
E
vp
Eip
Ecn
E
in
E
vn
E
Fn
EFn
a) V
0
V
T
=
2
i
d a
n
N N
ln 0`026
( )
=


2
19
24 22
10 5 , 2
10 3 10
ln 0,459 V
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Ef. 2*. Suponiendo que era una union abrupta la union PN del cristal del efemplo anterior
v sabiendo que c' (Ge) 16 v que el area de la seccion recta de la barra es A
0,3 mm
2
. Calcular.
a) La anchura W de la ZT
b) Las penetraciones x
p
v x
n
de la ZT en las :onas P v N respectivamente
c) Las cargas Q

-Q
-
contenidas en la ZT
d) Campo electrico maximo en la union, E
0


a)
2
1
22 24 19
12 2
1
0
10
1
10 3
1
10 6 , 1
459 , 0 ) 10 849 , 8 16 ( 2 1 1 2
(

\
|
+


=
(

|
|

\
|
+ =

d a
N N q
J
W
c

2,8210
-7
m 0,282 m
b) m
N N
N
W x
d a
a
n
282 , 0
10 10 3
10 3
282 , 0
22 24
24
=
+

=
+
=
m
N N
N
W x
d a
d
p
001 , 0
10 10 3
10
282 , 0
22 24
22
=
+
=
+
=
c) Q

-Q
-
qN
d
x
n
A 1,610
-19
10
22
0,28210
-6
310
-6
1,3410
-11
C
d) m J
x N
q E
n d
/ 10 187 , 3
10 849 , 8 16
10 282 , 0 10 10 6 , 1
6
12
6 22 19
0
=


= =


c


Ef. 3. En un semiconductor (n
i
10
19
m
-3
, c' 10) se forma una union PN. Las conducti-
vidades v movilidades de las regiones P v N respectivamente son.
o
p
810
2
(Om)
-1

p
0,2
S V
m
2

o
n
410
3
(Om)
-1

n
0,4
S V
m
2


Calcular.
a) El potencial de contacto.
b)* La capacidad de transicion si el area de la seccion recta del diodo es A
1,5 mm
2
.

o
n
q
n
n
n
~ q
n
N
d
:
n
n
d
q
N

o
= , analogamente:
p
p
a
q
N

o
=
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

13
J
n q
J
n
N N
J J
i p n
p n
T
i
d a
T
43 , 0
) 10 ( 2 , 0 4 , 0 ) 10 6 , 1 (
10 8 10 4
ln 026 , 0 ln ln
2 19 2 19
2 3
2 2 2
0
=


= = =


o o

|
|

\
|
o

+
o
c
=
|
|

\
|
+
c
=
p
p
n
n 0
d a
0
e
e
e
V 2
N
1
N
1
q
V 2
W
m
5
2 3
12
10 63 , 1
10 8
2 , 0
10 4
4 , 0
43 , 0 10 85 , 8 10 2

= |

\
|

=
pF F
W
A
C 13 , 8 10 13 , 8
10 63 , 1
10 5 , 1
10 36
10
12
5
6
9
= =


= =

t
c


Ef. 4. La forma geometrica de un esquema de bandas de una union PN, no polari:ada, en
unidades kT, son unas lineas quebradas. A la temperatura de 27 C se conocen los
valores. E
JP
0, E
CP
60 kT eJ, E
FN
E
iN
15 kT eJ, E
iP
E
FP
10 kT v
W 5 m.
a) Dibufar el diagrama de bandas.
b) Calcular J
0
, E
i
v (x)

a) Cuando se produce la union isoterma ocurre:
- La anchura de la banda prohibida, 60 kT, permanece constante en P y N.
- Los niveles de Fermi se igualan.
- Se determinan los valores de E
i
en la zona P y N, con origen en el nivel unico de
Fermi como sigue:
E
FN
E
iN
15 kT : E
CN
E
FN
15 kT
E
iP
- E
FP
15 kT : E
CP
E
FP
40 kT






Fig. 9
E
CP
E
CN
40 kT 15 kT 25 kT

ECP = 60 kT
EVP = 0
EiP
ECN
E
VN
E
FN
EFP
W = 5

m
15 kT
A
E = 25 kT eV = eV0
15 kT
10 kT
40 kT
P
N
EiN
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

14
b) V 026 ' 0
e
) C 27 ( kT
= ; J
e
kT
e
E
J 65 , 0 026 , 0 25
25
0
= = =
A
=
m
J
m
J
W
J
dx
dJ
E
6
6
0
10 13 , 0
10 5
65 , 0
=

= = =


Supuesto rectilineo el salto de potencial V
0
, la 0
dx
V d
2
2
= , en la ZT. Por consiguiente
la carga de esta zona se encuentra en Iorma pelicular en las interIaces de la zona P con ZT
y de ZT con N.





Fig. 10
Ef. 5. Con un semiconductor de n
i
10
16
m
-3
, E
G
60 kT, se reali:o una union p

-n no
polari:ada (N
a
210
22
m
-3
, N
d
510
20
m
-3
) a 27C. Dibufar el diagrama de ban-
das (en unidades kT).
KT(27C) 0,026 eV; J
e
kT
026 , 0 = , J J J 65 , 0
10
10
ln 026 , 0
32
43
0
= =
kT kT
eJ
kT
J
kT
kT
eJ
eJ E
o
25
026 , 0
65 , 0
026 , 0
0
0
= = = = = A
kT
) E E (
i n d
FN iN
e n n N

= ~ : E
FN
E
iN
kT
n
N
kT
i
d
6 , 24 ln =
kT
) E E (
i p a
iP FiP
e n p N

= = : E
iP
- E
FP
kT
n
N
kT
i
d
3 , 28 ln =
Desde la recta E
FP
E
FN
se situan E
iP
y E
iN
y desde estas E
CP
y E
VN
. A partir de la
prolongacion de E
CP
se situa E
CN
bajando de 25 kT eV.



Fig. 11
V(x)
(x)
x)
x)
0'65 V
ECP
EVP
EiP
ECN
EVN
EFN
EFP
30 kT 25 kT eV
28'3 kT
EiN
24'6 kT
P
N
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

15
3. UNION POLARIZADA
Cuando se somete al diodo a una diIerencia de tension externa, V, por medio de una bateria
se dice que el diodo esta polarizado, pudiendo ser la polarizacion directa o inversa.
En los circuitos el diodo se representa por el simbolo dado por la Fig. 12



Figura 12
donde al extremo p se le denomina anodo, A, y al n catodo, C.
3.1. Polarizacin directa.
En este caso, la bateria disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a traves de la union; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo este polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de
la bateria al anodo del diodo y el polo negativo al catodo, como se observa en la Figura 13.









Figura 13

En estas condiciones podemos observar que:
- El polo negativo de la bateria repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la union p-n.
- El polo positivo de la bateria atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la union p-n.
A (p)
C (n)
A (p)
C (n)
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

16
- Cuando la diIerencia de potencial entre los bornes de la bateria es mayor que la di-
Ierencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energia suIiciente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales pre-
viamente se han desplazado hacia la union p-n.
- Una vez que un electron libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los multiples huecos de la zona p convirtiendose en
electron de valencia. Una vez ocurrido esto el electron es atraido por el polo positi-
vo de la bateria y se desplaza de atomo en atomo hasta llegar al Iinal del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la bateria.
De este modo, con la bateria cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones
de valencia de la zona p, aparece a traves del diodo una corriente electrica constante hasta
el Iinal.

3.2. Polarizacin inversa.
En este caso, el polo negativo de la bateria se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, como se muestra en la Figura 14, lo que hace aumentar la zona de transicion, W, y
la tension en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tension de la bateria, tal y como
se explica a continuacion:











Figura 14
- El polo positivo de la bateria atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales sa-
len del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

17
llegar a la bateria. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los ato-
mos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electron en el
orbital de conduccion, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia) y
una carga electrica neta de 1, con lo que se convierten en iones positivos.
- El polo negativo de la bateria cede electrones libres a los atomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos atomos solo tienen 3 electrones de valencia, con lo
que una vez que han Iormado los enlaces covalentes con los atomos de silicio, tie-
nen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electron que Ialta el denominado
hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la bateria entran en
la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los atomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga electrica neta de -1,
convirtiendose asi en iones negativos.
- Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial electrico que la bateria.

En esta situacion, el diodo no deberia conducir la corriente; sin embargo, debido al eIecto
de la temperatura se Iormaran, por roturas de enlaces, pares electron huecos a ambos lados
de la union produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
inversa de saturacion. Ademas, existe tambien una llamada corriente superficial de fugas
la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superIicie del
diodo, ya que en la superIicie los atomos de silicio no estan rodeados de suIicientes atomos
para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los atomos de la superIicie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin diIicultad a traves de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacion, la corriente superIicial de Iugas
es despreciable.









TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

18
Desde un punto de vista energetico, dependiendo de que la polarizacion sea directa o in-
versa, la diIerencia de potencial, V, se resta o se adiciona a V
o
, de Iorma que la barrera de
potencial disminuye, e (V
o
-V), o aumenta e (V
o
V), Iacilitandose o diIicultandose, los Ilu-
jos de diIusion de huecos o de electrones sin que se altere el valor de las corrientes de
arrastre de minoritarios, como se muestra en la Figura 16 b) y c).



















Figura 16
Como termino de comparacion se ha incluido en la Figura 16 a) la union no polarizada. Es
importante observar que:
Haciendo
e
kT
V
T
= , J K J
T
026 , 0 ) 300 ( ~ se tiene que si es n el numero de electrones
capaces de saltar la barrera energetica, se tiene:


P N
W
V 0
-
-
+
+
P
V ~ 0
I(mA)
P N
V 0
I
s
(mA)
E
i
(O)
E
i
(V)
E
i
(-V)
a)
b) c)
W
V
o
V(x)
x)
V
o
-V
V(x)
x)
V
o
+V
V(x)
x)
P N
W
V 0
-
-
+
+
P
V ~ 0
I(mA)
P N
V 0
I
s
(mA)
E
i
(O)
E
i
(V)
E
i
(-V)
a)
b) c)
W
V
o
V(x)
x)
V
o
-V
V(x)
x)
V
o
-V
V(x)
x)
V
o
+V
V(x)
x)
V
o
+V
V(x)
x)
eV
o
E
Fp
e (V
o
-V)
e (V
o
+V)
eV
eV
E
Fp E
Fn
E
Fn
E
Fp
E
Fn
E
CP
E
VP
E
CN
E
VN
eV
o
E
Fp
e (V
o
-V)
e (V
o
+V)
eV
eV
E
Fp E
Fn
E
Fn
E
Fp
E
Fn
E
CP
E
VP
E
CN
E
VN
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

19
T o
V / V
no
e n n

=

T o
V / ) V V (
no
e n n

=

T o
V / ) V V (
no
e n n
+
=
J
sn
J
sn
J
sn


J
dn
J
dn
J
dn


|J
sn
| J
dn
|J
sn
| J
dn
|J
sn
| ~ J
dn



a) En conIormidad con la experiencia las zonas neutras, P y N, con equipotenciales, salvo
una pequea caida ohmica. La diIerencia de potencial de polarizacion V se produce en
la zona de transicion.
b) La anchura W y el campo interno E
i
disminuyen con la polarizacion directa y aumen-
tan con la polarizacion inversa. Esto se explica Iacilmente porque si se aplica un poten-
cial externo positivo al lado n, como se hace en la polarizacion inversa, se esta aumen-
tando el campo total a traves de la union. Las cargas libres originadas se moveran por
accion del campo. El resultado es la aparicion de mas iones positivos y negativos a am-
bos lados. La zona se ensancha y no contiene cargas libres. Si el potencial externo es
positivo en el lado p, ocurre lo contrario y la zona de transicion se estrecha.
c) Dado que oE qoV (y para los electrones, q -e) entre las bandas E
cp
y E
cn
, E
vp
y E
vn
,
y los niveles de Fermi se produce un salto energetico oE(x) -eV(x).
Al subir el potencial en la zona P el colectivo n
n
disminuye su energia potencial.
Cuanto mayor es el crecimiento del potencial V en la zona de transicion: V
0
V V
0

V
0
V, tanto mayor es la magnitud del salto energetico oE -e(V
0
V), oE
o
-eV
o
,
oE -e(V
o
V) de energia potencial de los electrones.
d) Para V 0 y en estado de equilibrio isotermico estan igualados los niveles de Fermi
E
Fp
E
Fn
. Cuando se polariza la union, los niveles de Fermi se diIerencian: si V ~ 0
E
Fn
sube, eV; si V 0, E
Fn
baja.
En el caso V 0 la corriente neta es nula, se compensan los Ilujos de diIusion y de
arrastre:
|J
sn
| J
dn
; |J
sp
| J
dp

J J
dn
J
sn
J
dp
J
sn
0
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

20
e) El numero de electrones, n, capaz de saltar la barrera energetica es proporcional a la
potencia de base e y exponente (V
0
V)/V
T
potencial de polarizacion de la zona de
transicion:
n(V
0
) : n(V
0
- V) : n(V
0
- V) ::
T
0
V
V
e

:
T
0
V
V V
e

:
T
0
V
V V
e
+


I) La corriente inversa de saturacion, de simbolo , no depende de la barrera energeti-
ca:
J
sn
(V
o
) J
sn
(V
0
-V) J
sn
(V
0
V) J
sn

La corriente de diIusion, de simbolo!, es proporcional a n, y se veriIica que:
J
dn
(V
0
-V) ~ J
dn
(V
o
) |J
sn
| ~ J
dn
(V
0
V)
La densidad de corriente neta, J, en cada caso es:
Con polarizacion nula J J
d
J
s
0.... J
d
,J
s
, ~ A
Con polarizacion directa J (mA) ~ J
d
J
s
~0
Con polarizacion inversa J (-A) ~ J
d
J
s

Si en lugar de reIerirnos a electrones lo hacemos con huecos, el razonamiento y los
resultados son analogos cambiando los signos de los saltos energeticos.

3.3. Caractersticas de un diodo ideal. Ecuacin de Shockley
En una union idealizada se suponen las siguientes hipotesis:
1) La union es abrupta y monodimensional.
2) La zona de transicion esta vacia de portadores.
3) El salto de potencial, V
0
V, esta localizado en la zona de transicion.
4) El numero n de portadores capaces de saltar la barrera de potencial es:
T
o
V
V V
Ce n

=
5) Las uniones del diodo con el circuito son ohmicas y estan relativamente alejadas
de la zona de transicion. Esta ultima condicion se introduce, porque en los ca-
sos usuales, la corriente de diIusion de minoritarios se atenua exponencialmen-
te al alejarse de los bordes de la zona de transicion y debe ser practicamente
nula en las uniones del diodo.
Si es
e
kT
V
T
= y de acuerdo con la ley del equilibrio:
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

21
- V 0 : J
n
J
dn
J
sn
0 J e C
sn
V
V
n
T
0
= +

: J
sn

T
0
V
V
n
e C


Donde se ha supuesto que la corriente de diIusion es proporcional al numero n de
electrones que pueden saltar la barrera de potencial.
- V = 0 : J
n
-J
sn
=

T
0
V
) V V (
n
e C -J
sn
=

T T
0
V
V
V
V
n
e e C ,J
sn
, ) 1 e (
T
V
V

Analogamente para los huecos, J
p
,J
sp
, ) 1 e (
T
V
V

La densidad de corriente inversa de saturacion total es, J
s
:
J
s
J
sn
J
sp

La densidad de corriente total, J, es la suma de las densidades de corriente de elec-
trones y de huecos:
J J
n
J
p

La intensidad, I, total se obtiene multiplicando por el area A de la seccion recta del
diodo:
) 1 e ( , I , I
T
V
V
S
= Ecuacion de Schockley.

Para polarizaciones directas, V ~ 0, la corriente crece exponencialmente. La union
PN es conductora. Para polarizacion inversa, V 0, la corriente es muy pequea, cuasi la
de saturacion, y la union PN no es conductora. Todo ello hace que un diodo PN sea rectiIi-
cador, solo deja pasar la corriente en un sentido.
La curva caracteristica del diodo se representa en la Figura 17.







Fig. 17

TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

22
Donde los parametros representados son:
- Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
La tension umbral (tambien llamada barrera de potencial) de polarizacion directa coin-
cide en valor con la tension de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al po-
larizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incremen-
tando la corriente ligeramente, alrededor del 1 de la nominal. Sin embargo, cuando la
tension externa supera la tension umbral, la barrera de potencial desaparece, de Iorma
que para pequeos incrementos de tension se producen grandes variaciones de la inten-
sidad.
- Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente maxima que puede conducir el diodo sin Iundirse por el eIecto
Joule. Dado que es Iuncion de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.
- Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la Iorma-
cion de pares electron-hueco debido a la temperatura, admitiendose que se duplica por cada
incremento de 10 en la temperatura.
- Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superIicie del diodo (ver polarizacion inversa),
esta corriente es Iuncion de la tension aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tension,
aumenta la corriente superIicial de Iugas.
- Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tension inversa maxima que el diodo puede soportar antes de darse el eIecto avalan-
cha.

Teoricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducira la corriente inversa de
saturacion; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tension, en el diodo nor-
mal o de union abrupta la ruptura se debe al eIecto avalancha; no obstante hay otro tipo de
diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos eIectos:
- Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacion inversa se generan pares
electron-hueco que provocan la corriente inversa de saturacion; si la tension inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energia cinetica de Iorma que al cho-
car con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccion. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por eIecto de la tension, chocando con mas elec-
trones de valencia y liberandolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que
provoca una corriente grande. Este Ienomeno se produce para valores de la tension supe-
riores a 6 V.
- Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto mas dopado esta el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo electrico E puede expresarse como co-
ciente de la tension V entre la distancia d; cuando el diodo este muy dopado, y por tanto d
sea pequeo, el campo electrico sera grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas condicio-
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

23
nes, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementandose
la corriente. Este eIecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos eIectos.

Ef.6. Para determinar la corriente inversa de saturacion, I
S
, de un diodo de union se mon-
to el circuito que se adfunta. Calcular I
S
v la resistencia del diodo si se invierte su
polari:acion.




Fig. 18

Se tiene:
mA I 92 , 0
10 5
6 , 4
3
=

=
La tension de polarizacion directa del diodo es V 5 4,6 0,4 V
A
e e
I
I
T
J
J
S
10
026 , 0
4 , 0
4
10 9 , 1
10 2 , 9
1

=
Al invertir la polarizacion es : I I
S
1,910
-10

V
R
510
3
O1,910
-10
9,510
-7
V ~ 0
La tension aplicada al diodo es: V 5 V
La resistencia del diodo en esas condiciones es O =

= =

9
10
10 3 , 26
10 9 , 1
5
A
J
I
J
R
D
D








V
V 5 V
5 KO
V
R
4,6 V
V
V 5 V
5 KO
V
R
4,6 V
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

24
3.4. Anlisis del circuito de un diodo
La bateria (o dispositivo equivalente) que polariza al diodo conecta su polo positivo
a la union ohmica, M
p
, metal-semiconductor, tipo P. La bateria suministra una corriente I y
el diodo es recorrido por los Ilujos de huecos y electrones que originan cuatro corrientes,
Iig. 19a y b








Fig. 19a
En todo instante y en cualquier seccion del diodo semiconductor se veriIica:
I
pp
I
np
I
pn
I
nn
I
En el contacto M
p
, metal-semiconductor tipo P, Fig. 19b, por la bateria se extraen
electrones y por consiguiente se generan huecos. Estos compensan la perdida de huecos
debido a la corriente I
pp
, que se dirige hacia la zona de transicion, de Iorma que la concen-
tracion de huecos en P, p
p
, es practicamente constante, p
p
~ N
a.










Fig. 19b

I ~ 0 V ~ 0
-
M
p
M
n
h

e
-
e
-
e
-
Inyeccion
Uniones metal-semiconductor
P
N
P ZT N
I
pp
I
np
I
nn
I
pn
Simbolo de huecos
Simbolo de electrones
I
pp
corriente de huecos en la zona P
I
pn
corriente de huecos en la zona N
I
nn
corriente de electrones en la zona N
I
np
corriente de electrones en la zona P
I corriente total que circula por el diodo
I I
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

25
Simultaneamente, la corriente de electrones, I
np
inyectados en la Irontera de la zona
P, se van diIundiendo y recombinando con parte de los huecos de P, y esto hace que la co-
rriente I
np
no sea constante, sino que vaya disminuyendo conIorme nos acercamos a la zona
de transicion, Fig. 19a.
Los huecos no recombinados alcanzan la zona de transicion y saltan la barrera de
potencial energetica e (V
0
V) y se inyectan en la zona N.
Estos huecos inyectados, minoritarios en la zona N, originan una corriente de diIu-
sion, I
pn
, que avanza por esta zona. La corriente I
pn
se va atenuando exponencialmente al
recombinarse con los electrones mayoritarios de la zona N, Fig. 19.
Analogamente, por el contacto M
n
, metal-semiconductor tipo N, conectada al polo
negativo, introduce electrones en la zona N, que compensan la perdida de estos electrones
debida a la corriente I
nn
, de Iorma que permanece practicamente constante la concentracion
de electrones en N, n
n
, de esta zona.
Cuando los electrones no recombinados alcanzan la zona de transicion saltan la
barrera energetica e (V
0
V) y se inyectan en la zona P, originando una corriente de diIu-
sion de minoritarios, I
np
, que se va atenuando exponencialmente por recombinacion al ale-
jarse de la zona de transicion con los huecos, mayoritarios en P.
A distancias suIicientemente grandes de la zona de transicion, se veriIica que am-
bas corrientes de minoritarios I
pn
I
np
0, y consecuentemente I
pp
I
nn
I.

3.5. DIODO REAL
Un diodo real diIiere en algunos aspectos del diodo ideal tan exitosamente modeli-
zado por Schockley. En la Fig. 20 se indican las caracteristicas I I(V) para dopados de
magnitud media de los semiconductores Ge, Si y AsGe.





Fig. 20




(mA)
Ge
V
D
(V)
Si AsGa
0'3 V 0'7 V 0'9 V
200
50
100
150
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

26
Fundamentalmente hay dos clases de diIerencias entre los diodos ideal y real:

3.5.1. Polarizacin directa
En los diodos reales existe un voltaje umbral, V

, tal que si no se alcanza no se inicia el


paso de corriente. La Fig. 20 indica algunas tensiones umbrales, V

(Ge) 0`3 V, V

(Si)
0,7 V y V

(AsGe) 0,9 V.
En aproximacion practica, cuando el diodo Iorma parte de un circuito se sustituye el
diodo ideal por un generador de Iuerza electromotriz - V

y una pequea resistencia R


d
~
0, Fig. 21
.









Fig. 21

Ef.7. Calcular la intensidad que recorre el circuito en los casos de que el diodo sea de Si o
de Ge.




Fig. 22

mA
k
J
Si I 65 , 4
2
) 7 ' 0 10 (
) ( =
O

= mA
k
J
Ge I 85 , 4
2
) 3 , 0 10 (
) ( =
O

Vab

Vab
a
b
a
b
R
D
V

u
tg
u
= 1/R
D
u
=
t
/2
R
D
= 0
~
+ 10 V
R = 2 K O
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

27
Ef. 8. Sabiendo que la tension umbral del silicio es J

(Si) 0,7 J determinar la intensi-


dad I
D
que recorre el diodo v la diferencia de potencial en la resistencia de 3 kO.,
fig.22







Fig. 22

Calculando el circuito equivalente de Thevenin entre los nudos a y b:
V 6 4
4 8
18
V
TH
=
+
= y O =
+

= K
3
8
8 4
4 8
R
TH

Como el orden de las tensiones es del voltio y de las resistencias del KO se puede
sustituir la caracteristica del diodo por su tension umbral; V

0,7 V. En este caso,


mA I
D
93 , 0
3
3
8
7 , 0 6
=
+

= y la caida de tension en la R 3 KO es V 0,933 2,79 V.



Ef.9. Determinar la intensidad, I
D
, v las diferencias de potencial aplicadas a la resisten-
cia v al diodo (de caracteristica indicada) en el circuito esquemati:ado en la fig. 23.





Fig. 23

La relacion entre las variables del diodo, intensidad, I
D
y tension, V
D
, veriIican:
18 V
8 K O
a
b
4 K O
3 K O
R = 200
O

D V
D
V
CC
= 50 V
VD
D(mA)
10 20 30 40 50

300
200
100
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

28
V
CC
I
D
R V
D
: 1
R / V
I
V
V
CC
D
CC
D
+ : 1
25 , 0 50
D D
I J
+
I
D
y V
D
estan en el plano V, I sobre una recta, recta de carga, que pasa por los pun-
tos O
1
(V
CC
,0) y O
2
(0,V
CC
/R). La recta de carga intercepta con la caracteristica, I
D
I(V
D
),
en Q el punto de trabajo del diodo, Fig. 24.
En este caso O
1
(50 V, 0) y O
2
(0,250 mA) interceptando a la caracteristica en
el punto Q (20 V, 150 mA).
Sabiendo que I
D
150 mA, la caida de potencial en R 200O, es V 2000,15
30 V y en el diodo V
D
20 V.






Fig. 24
Ef.10. Calcular la capacidad que es necesario conectar al circuito de la Fig. 25 para que
se obtenga en J
out
una seal de salida rectificada con ri:ado inferior al 2 respecto
a una seal continua ideal. Datos. J
int
A sen wt, f 10 KH:, R 100 KO.





Fig. 25

a) Si no se considera el condensador, puede ocurrir que (1) la tension de entrada V
int
sea
positiva, polariza directamente el diodo, entonces equivale a un corto, por tanto la ten-
sion de salida, V
out
V
int
, (2) la tension de salida sea negativa, polariza inversamente el
diodo, entonces equivale a un abierto, V
out
0. En la Figura 26 se muestra la tension de
salida y la de entrada si no hay C.
VD
D(mA)
Q
D=f (VD)
O2
O1
10 20 30 40 50

300
200
100
V
int
+
_
~
V
out
R C ?
V
int
+
_
~
V
out
R C ?
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

29






Fig. 26

b) Con condensador. En ese caso al alcanzarse la tension maxima de entrada dado por A,
el condensador comienza a descargarse a traves de la R. Si el valor de la constante de
tiempo del circuito RC es del orden del periodo T de la seal, entonces no es util el cir-
cuito para rectiIicar la seal de alterna y convertirla a continua, Fig. 27








Fig. 27
La tension de descarga del condensador viene dada por la expresion:
RC
t
C
Ae t J

= ) (

Si por el contrario, T RC, el condensador se descarga lentamente y se puede controlar
el rizado.
La relacion entre el valor de la pequea amplitud del rizado a y el valor de la amplitud de
la seal de entrada A, vale:

RC
T
RC T Tavlor por
A
e A
A
a
RC
T
= + ~

~

) / 1 ( 1 ) (
) 1 (

Para obtener un rizado del 2 , resulta:
0,02 1 / IRC, siendo I la Irecuencia. Por tanto la capacidad C 50 / IR 50 /(10
4
10
5
)
510
-8
50 nF.
Si se calcula el valor de RC resulta 510
-3
que equivale a 50 T, ya que el periodo T , inver-
so de la Irecuencia, vale 10
-4
s.




V
int
t
V
out
t
V
int
t
V
out
t
V
out
t
V
out
t
A
t
descarga
a
Si RC ~ T no vale aproximacin
T
V
out
t
V
out
t
A
t
descarga
a
Si RC ~ T no vale aproximacin
T
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

30
4. EL TRANSISTOR BIPOLAR (B1T): CONFIGURACIN EN BASE COMUN Y
EMISOR COMUN.

4.1 Introduccin
Los transistores constituyen el componente basico universalmente utilizado en la
electronica, tanto analogica como digital. Son el Iundamento de la microelectronica y con
ella del hardware. Los transistores son dispositivos de estado solido que realizan Iunda-
mentalmente Iunciones de ampliIicacion y de conmutacion.
Los transistores se introducen en la ciencia y en la tecnica a mediados del siglo XX. En
1948 aparece el transistor bipolar. En 1956 se concedio el premio Nobel a Shockley, Bar-
deen y Brattain por sus contribuciones en este campo. En la decada de los 60 empezaron a
construirse los dispositivos de eIecto de campo, FET, aunque el concepto basico ya se co-
nocia en 1930.
Existen dos clases de transistores:
1. Bipolares que conducen por electrones y huecos. Se les conoce con las iniciales ingle-
sas BJT -bipolar junction transistor, transistor de union bipolar-. Se utilizan general-
mente en electronica analogica y en algunas aplicaciones de electronica digital como
la tecnologia TTL transistor transistor logic, logica transistor a transistor.
2. Monopolares, conducen por portadores mayoritarios, electrones o huecos. Se les co-
noce con las iniciales inglesas FET -Iield eIIect transistor, transistor de eIecto campo,
porque son controlados por tension. A su vez la Iamilia de los FET engloban varios ti-
pos, como los JFET - junction Iield eIIect transistor-, transistor de union de eIecto
campo, los MOSFET -metal-oxide-semiconductor Iield eIIect transistor, transistor de
eIecto campo metal-oxido-semiconductor-, los MISFET, metal insulator semiconduc-
tor, que utilizan un aislante en lugar de un oxido, etc. El transistor MOS es usado ex-
tensamente en toda la electronica digital y es el componente Iundamental de los cir-
cuitos integrados.
Trataremos de describir de Iorma casi cualitativa el Iundamento Iisico de los transisto-
res bipolares y de los de eIecto de campo.



TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

31
4.2. TRANSISTORES BIPOLARES, B1T
4.2.1 Estructura
El transistor de union bipolar es un dispositivo obtenido dopando un monocristal
semiconductor, de Iorma que se tengan tres regiones yuxtapuestas PN P o N P N. Las tres
zonas semiconductoras se denominan Emisor, E, que emite portadores y esta Iuertemente
dopada, Base, B que esta intercalada entre las dos zonas y que sirve para modular el paso
de portadores y colector, C, que recibe o colecta los portadores. Entre ellas hay dos unio-
nes, emisor-base y base-colector, analogas a las de un diodo de union. En la Iig. 28, se sim-
boliza los dos tipos de transistores NPN y PNP.






Fig. 28
Para que estas dos uniones puedan Iuncionar como transistor se necesitan, al me-
nos, dos condiciones:
1. Que la anchura de la base, W
B
, del orden del micrometro, sea muy pequea
comparada con la longitud de diIusion, L, de los portadores que inyecta el emi-
sor en la base.
2. Que la base este ligeramente dopada con relacion al emisor.
Si no se cumple la primera condicion, el dispositivo se comporta mas bien como
dos diodos de union en serie y no como transistor. Con la segunda condicion se Iavorece la
inyeccion y se diIiculta la recombinacion de electrones y huecos en la base durante su diIu-
sion desde el emisor hacia el colector.
Por simplicidad el estudio se va a limitar a un transistor monodimensional de Iorma
cilindrica y area de su seccion recta A. Su eje, tomado como OX, es normal a las zonas de
transicion que separan emisor-base y base-colector.



N
N
C
B
E
P
B
C
E
N
N
C
B
E
P
N
N
C
B
E
P
B
C
E
B
C
E
P
N
P
C
B
E
C
B
E
P
N
P
C
B
E
P
N
P
C
B
E
C
B
E
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

32
4.2.2 Potenciales y distribucin de portadores en un transistor sin polarizar
Veamos como son los potenciales electrostaticos en las distintas zonas de un transistor y
como se distribuyen los portadores de cargas cuando Iunciona en modo activo, esto es,
cuando las polarizaciones de las uniones son las indicadas en la Iig.29 para un PNP.
Potenciales:







Fig. 29
Sean V
D
y V
I
las polarizaciones directa o inversa de las dos uniones contenidas en
el transistor. Aun cuando las uniones no esten polarizadas, en cada una de ellas se crea su
correspondiente barrera de potencial, entre emisor-base, V
o
, y entre colector-base V
o
. En
cada una de las zonas de transicion aparece un campo electrostatico, E
0
y E
0
`
, ambos de
sentidos opuestos, Iig. 30a. Puesto que la magnitud del dopado en el emisor y en el colec-
tor pueden ser distintas, los valores de las diIerencias de potenciales V
o
y V
o
tambien
pueden serlo. Recuerdese que V
o
V
T
ln (N
a
N
d
/n
i
2
) y que V
o
V
T
ln (N
a
N
d
/n
i
2
) por lo
que al ser la concentracion de aceptores del emisor N
a
mucho mayor que la del colector N
a

sera V
o
~V
o
en valor absoluto, Iig. 30b.
Si se polariza directamente la union emisor-base con una tension V
D
~ 0, e inver-
samente la union base-colector con una tension V
I
0 disminuye la altura de la barrera de
potencial en la primera union en V
D
y aumenta en la segunda en V
I
. Consecuentemente hay
una disminucion del campo electrostatico en la union emisor-base E
O
,

y un Iuerte aumento
del campo en la union colector-base E
O
, Iig. 30c, ya que |V
o
V
I
|~ |V
o
-V
D
|. La dis-
minucion del campo electrostatico entre el emisor y base Iacilita el Ilujo de huecos por
inyeccion entre uno y otra.



P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
D
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
D
V

P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
D
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
D
V

TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES



33
La Iig. 30c esta necesariamente deIormada en escala segun la direccion horizontal
ya que las anchuras de las uniones y de la base estan muy aumentadas.















Fig. 30
El mayor porcentaje, o, de los huecos inyectados por el emisor en la base se diIun-
de por esta hacia la union base-colector. Los huecos que han penetrado en esta union son
acelerados por su intenso campo electrostatico y se inyectan en el colector originando casi
la totalidad de la corriente de colector. Como la longitud de diIusion de los portadores de-
ntro de la base es muy grande, se cumple que L
p
~ W
B
, y por tanto solo una pequea pro-
porcion, 1-o, de los huecos inyectados en la base se recombinan con los electrones de la
misma. Este pequeo porcentaje de huecos constituye en gran medida la corriente de base.






E
B C
P P N
-
-
-
-
E
0
E
0
a)
V
V
0
V
0
V 0
b)
V
V
0
V
0 c)
V
0
-V
D
V
D
V
I
V
0
V
I
E
0
E
0
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

34
4.2.3. Flujos de portadores y corrientes en un transistor
Por convenio se ha tomado el sentido de las intensidades de corrientes que se indi-
can en la Iig. 31.







Fig. 31
En un transistor PNP, en modo activo (la zona donde ampliIica el transistor), las
uniones EB y BC estan polarizadas en Iorma V
D
~ 0, V
I
0. Los Ilujos de los portadores
se indican en la Fig. 32.










Fig. 32
(1) Flujo de huecos h

inyectados por el emisor en la base. El sentido de su corriente, I


pE
,
coincide con la corriente de emisor, I
E
.
(2) Flujo de electrones e
-
inyectados por la base en el emisor. El sentido de su corriente,
I
nE
, es opuesta al de su Ilujo de estos electrones y coincide con el sentido de I
E
.
I
E
I
pE
I
nE

Ambos Ilujos estan generados por inyeccion de la union PN directamente polariza-
da emisor-base.
E
B
C

E
E
B
C

E

C

B
P P
E C
N
B
N N
E C
P
B
E
B
C

E
E
B
C

E
E
B
C

E

C

B
E
B
C

E

C

B
P P
E C
N
B
P P
E C
N
B
N N
E C
P
B
N N
E C
P
B
E B C

C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)

pE

pE
-
BB
h
+
h
+

nE

nC
e
-
e
-
e
-
e
-
E B C

C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)

pE

pE
-
BB
h
+
h
+

nE

nC
e
-
e
-
e
-
e
-

BB
E B C

C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)

pE

pE
-
BB
h
+
h
+

nE

nC
e
-
e
-
e
-
e
-
E B C

C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)

pE

pE
-
BB
h
+
h
+

nE

nC
e
-
e
-
e
-
e
-

BB
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

35
(3) Fraccion del Ilujo de huecos que se recombinan con los electrones de la base. El senti-
do de esta corriente, I
BB
, coincide con la corriente de base, I
B
.
(4) Flujo de electrones de colector a base. El sentido de su corriente, I
nC
es opuesto al de la
base. I
nC
es una corriente inversa de saturacion en la union inversamente polarizada
colector-base.
I
B
I
BB
I
nE
- I
nC

(5) Fraccion del Ilujo de huecos diIundidos en la base, y que no se han recombinado, que
alcanzan el colector. El sentido de su corriente, I
pE
-I
BB
coincide con el sentido de la
corriente de colector, I
C
.
I
C
I
pE
- I
BB
I
nC

De acuerdo con la ley de KirchhoII, se veriIica que I
E
I
B
I
C
.
El orden de magnitud de las corrientes son: del mA, para I
E
~ I
pE
y I
C
I
pE
- I
BB
.
El resto de las intensidades son del orden del A.
Aplicando las leyes de KirchhoII a los terminales de un transistor y teniendo en
cuenta el sentido de las corrientes, Fig. 32, podemos escribir: V
EB
V
BC
V
CE
0, I
E

I
B
I
C








Fig. 32
El transistor PNP es complementario del NPN de Iorma que todos los voltajes y corrientes
son opuestos a los del transistor NPN. Asi para encontrar el circuito complementario de un
NPN se sustituye el transistor NPN por el PNP y despues se invierten todas las tensiones y
corrientes.
En el analisis realizado, no se han considerado las corrientes de recombinacion en
las zonas de transicion emisor-base y base colector, por ser despreciables Irente al resto.
N P N P
N
P
-
B
E
-
C

V
EB
C E
B B
E
C
I
E I
C
I
E
I
C
E

C
-
B
V
EB V
BC
V
BC
I
B
-

B
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

36
En principio, para cada transistor, teorica y experimentalmente, se establecen dos
parametros, o y|. En el caso mas simple:
I
C
o I
E
,
I
C
| I
B

que relacionan las intensidades de emisor, base y colector en corriente continua.
Teniendo en cuenta que I
E
I
B
I
C
podemos establecer una relacion entre los parametros o
y |:

o
o
= | o +
|
o
= + = + =
1 I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
1
E
C
E
C
C
B
E
C
E
B

Los valores de o y | son especiIicos de cada transistor y varian en corriente alterna.
Ef. 12. En el esquema indicado en la fig. 33, se representa un transistor en configuracion
emisor comun. Su parametro | es 80 v la resistencia emisor-base, es de 100 O.. De-
terminar las intensidades de base, colector, emisor v el parametroo.








Fig. 33
Admitimos que V
CC
es tal que el transistor esta en modo activo. Entonces,
mA
R R
J
I
EB
BB
B
314 , 0
100 5000
6 , 1
=
+
=
+
=
I
C
|I
B
800,314 mA 25,12 mA
I
E
I
B
I
C
0,314 25,12 25,424 mA 987 , 0
81
80
1
= =
+
=
|
|
o



B
E
C
IC
IB
IE
VCC
R5 K
O
V
BB
= 1'6 V
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

37
Ef. 13. En el circuito, fig.34, suponiendo que J
CE
-6 J, que el parametro | 100 v que
la tension emisor-base J
EB
es de 0,7 J, calcular la resistencia R
B
de polari:acion de
la base.







Fig. 34
1) Por el camino T (tierra) E(emisor) C(colector), resulta:
Dado que V
EC
6 V (mayor que 0,2 V, tension normal de saturacion se su-
pone que el transistor esta en modo activo).
V
EC
R
C
I
C
V
CC
0
A
R
J J
I
C
EC CC
C
08 , 0
50
6 10
=

=

=
A
I
I
C
B
4
10 8
100
08 , 0

= = =
|


2) Por el camino TEB, resulta:

I
B
R
B
V
EB
V
CC
0
O = =

=

=

625 . 11 10
8
3 , 9
10 8
7 , 0 10
4
4
B
EB CC
B
I
J J
R






R
C
I
C
V
EC
V
CC
V
EC
R
C
I
C
-V
CC
I
B
R
B
V
EB
V
CC
V
EB
R
B
I
B
-V
CC

B
E
C
IC
IB
IE
50 O R C
-10 V V
CC
RB
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

38
Ef. 14. Sabiendo que el transistor de la fig. 35 tiene los parametros | 40 v J
EB
0,7 J.
Determinar las intensidades de base, colector v emisor. Calcular tambien J
CE








Fig. 35
(1) Por el camino TEBR
B
V
CC
resulta:
V
EB
I
B
R
B
-V
CC
0, de donde I
B
R
B
V
CC
V
EB
de aqui:
mA
K R
J
I
B
EB
B
54 , 0
8
7 , 0 5 5
=
O

=
mA I I
B C
6 , 21 54 , 0 40 = = = |
(2) Por el camino: TECR
C
V
CC
resulta: V
EC
I
C
R
C
-V
CC
0
(3) I
E
I
C
I
B

Luego:
I
E
I
C
I
B
22,14 mA
V
EC
V
CC
- I
C
R
C

V
EC
5 - I
C
R
C
5 21,6 mA0,1 KO 2,84 V

Ef. 15 En el circuito de la fig. 36, sabiendo que la tension de la bateria es de 9 J, | 100,
R
B
100 KO v R
c
0.5 KO, determinar las intensidades I
B
, I
C
e I
E
, asi como la J
CE
.
La tension umbral base-emisor, J
BE
~ 0.6 J (NPN) para un transistor de Si.






Fig. 36
B
E
C
I
C
I
B
-
I
E
R
C
R
B
V
C
9 v
V
B
E
C
I
C
I
B
-
I
E
R
C
R
B
V
C
9 v
V
B
E
C
I
C
IB
I
E
R
B
=8 k
O
R
C
= 100 O
V
CC
= -5 V
B
E
C
I
C
IB
I
E
R
B
=8 k
O
R
C
= 100 O
V
CC
= -5 V
R
B
= 8 kO
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C

C R
B
= 8 kO
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C

C
Tierra Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C

C R
C
= 100 O R
B
= 8 kO
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C

C R
B
= 8 kO
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C

C
Tierra Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C

C R
C
= 100 O
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

39
(a) En la primera malla resulta: -9 V I
B
R
B
V
BE
0,
mA
K
J
R
J J
I
B
BE C
B
084 , 0
100
6 , 0 9
=
O

=
(b) I
C
|I
B
1000,084 8,4 mA
(c) I
E
I
C
I
B
8,4 mA 0,08 mA ~ 8,48 mA
(d) En la segunda malla : -9 V I
C
R
C
V
CE
0;
Luego V
CE
9 I
C
R
C
9 8,4 mA x 0,5 kO 4,8 V
Como V
CE
V
EB
V
BC
0 : V
CB
V
CE
V
EB
4,8 0,6 4,2 V; luego V
CB
esta
inversamente polarizado. Como V
BE
esta directamente polarizado, el transistor esta en mo-
do activo, tal y como se ha supuesto en la resolucion.
4.2.4. Modos de funcionamiento de un transistor
Hasta ahora hemos tratado el transistor en modo activo:
- union E-B directamente polarizada, V
EB
~ 0
- union C-B inversamente polarizada, V
CB
0
Este modo es el general y exclusivamente utilizado en procesos electronicos analo-
gicos. En estos procesos se relacionan en Iorma continua las magnitudes V
EB
, I
E
, I
B
e I
C
.
Estas magnitudes estan ligadas por Iunciones continuas que se corresponden con un con-
junto continuo de estados de trabajo del transistor como ampliIicador.
En procesos electronicos digitales las variables solo pueden tomar dos valores que
corresponden a dos estados discretos (on y oII, 0 y 1). A los de transistores se les obliga a
Iuncionar como conmutadores y a operar en otros modos distintos del activo. El cuadro de
la Iigura indica el signo de las polarizaciones D (directa, ), o I (inversa, -) en los cuatro
modos posibles.
PNP NPN
MODO
V
EB
V
CB
V
BE
V
BC
Activo ,D -,I ,D -,I
Inverso -,I ,D -,I ,D
Saturacion ,D ,D ,D ,D
Corte -,I -,I -,I -,I




V
CB
V
EB
Inverso Saturacion
Corte Activo
V
BC
V
BE
Inverso Saturacion
Corte Activo
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

40

En la Figura 37 se recogen todos los modos de operacion del transistor.
1. En el modo activo las diIerencias de potenciales de las uniones E-B y C-B tienen pola-
rizacin directa e inversa respectivamente. Es el modo usual cuando se utiliza el tran-
sistor como ampliIicador analogico. Se comporta como una Iuente de corriente constante
controlada por la intensidad de base (ganancia en corriente). Este parametro lo suele pro-
porcionar el Iabricante dandonos un maximo y un minimo para una corriente de colector
dada (I
C
).
4. El modo inverso es antisimetrico del anterior, sin cambiar la estructura Iisica y
geometrica del transistor se permutan las Iunciones del emisor y el colector. Este mo-
do suele carecer de interes.
5. En el modo saturacin las dos uniones estn polarizadas directamente. El
transistor se comporta como dos diodos en oposicion que suman sus intensidades de
salida en la intensidad de la base. En este modo el transistor es utilizado para aplica-
ciones de conmutacion (potencia, circuitos digitales, etc.) y lo podemos considerar
como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
6. En el modo de corte ambas polarizaciones son inversas. Si se desprecia las corrientes
inversas de saturacion (del orden del A) son I
E
~ I
c
~ I
B
~ 0. Se utiliza para aplicaciones
de conmutacion.













TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

41
Figura 37
4.2.5. Configuraciones de un transistor
Independientemente de que un transistor sea un PNP o un NPN, es un dispositivo
de tres terminales E, B y C que se conectan a dos circuitos: de entrada por el que entra en
el transistor la seal que le excita y de salida por el que sale la seal que ha sido procesada
por el transistor.
Los dos circuitos, de entrada y de salida, tienen necesariamente un terminal comun
(normalmente puesto a tierra), Iig. 38.






Fig.38
El terminal comun puede ser la base, el emisor o el colector. La Iigura 39 esquematiza las
tres conIiguraciones para un transistor PNP.







Fig. 39
De estas tres conIiguraciones la mas utilizada es la de emisor comun y por brevedad nos
limitaremos a ella estudiando un transistor como ampliIicador y como conmutador.





1 2

3
E
E
S
S
Entrada
Salida
Seal de
entrada
R
L ~
B
E
C
B
E
C
B
E
C
Base comun Emisor comun Colector comun
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

42

Ef.16. Reali:ar un esquema de tensiones e intensidades en la configuracion emisor comun
de un transistor NPN en el modo activo.
Cuando el transistor funcione en modo directo son.
J
BE
~ 0 polari:acion directa
J
CB
~ 0 polari:acion inversa
J
BE
J
EC
J
CB
0
J
EC
- (J
BE
J
CB
) 0
I
C
I
B
I
E

Fig. 40
Para un PNP se debe cambiar el sentido de tensiones e intensidades.

4.2.6. El transistor como amplificador
Como es sabido el transistor es un dispositivo capaz de transIerir una intensidad
practicamente constante, I
C
oI
E
~ I
E
desde un circuito de pequea resistencia emisor-
base, R
EB
, resistencia de entrada, correspondiente a una union PN directamente polarizada,
hacia otro circuito de gran resistencia base-colector, R
BC
, debida a una union inversamente
polarizada. El valor de R
BC
disminuye al crecer I
E
de Iorma que I
E
lo regula independien-
temente del valor de R
C
. Como se veriIica que es I
C
oI
E
, la Iuente energetica V
CC
entrega
una potencia I
2
C
R
C
o
2
I
2
E
R
C
, de Iorma que la corriente del emisor o de la base, controla la
salida de energia de la Iuente V
CC
.
De aqui se sigue que el nombre de transistor proviene de las palabras inglesas trans-
Ier resistor, es decir, transIerencia de resistencia, Iig. 42.








B
C
E E
V
BE
V
CE
I
E

-
I
B
I
C
R
EB
Transistor
R
BC
R
C
V
CC

C
R
BC
>> R
EB

R
BC
>> R
C

R
BC
= f(
E
)
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

43
Fig. 42
La mayor parte de los equipos electronicos necesitan de circuitos que recibiendo
pequeas seales electricas en su entrada resultan reproducidos a mayor escala a la salida.
A estos circuitos se les llama ampliIicadores. La Iigura 43.a representa un esquema de un
ampliIicador ideal, sin distorsion, en el se incrementa la amplitud de la seal sin alterar su
Irecuencia.
.





a) b)
Fig. 43
Un elemento basico de los ampliIicadores es el transistor. El analisis de un ampliIi-
cador mediante su asimilacion a un cuadripolo (red de dos puertas), resulta de interes ya
que permite caracterizarlo mediante una serie de parametros relativamente simples que nos
proporciona inIormacion sobre su comportamiento, Fig. 44.






Figura 44

De esta Iorma podemos deIinir los siguientes parametros:

1. Ganancia de tension (normalmente en decibelios): A
v
V
o
/ V
i

2. Impedancia de entrada (ohmios): Z
i
V
i
/ I
i

3. Impedancia de salida (ohmios): Z
o
V
o
/ I
o
(para V
g
0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): A
i
I
o
/ I
i

5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): A
p
P
o
/ P
i

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia de tensin y menor
sea su impedancia de entrada y salida.
AmpliIicador
Entrada
Salida
VCC
-VCC
V2
V1
-VCC
-V2
-V1
t
t
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

44
En cuanto a la Irecuencia, los ampliIicadores dependen de esta, de Iorma que lo que es
valido para un margen de Irecuencias no tiene porque serlo necesariamente para otro. De
todas Iormas, en todo ampliIicador existe un margen de Irecuencias en el que la ganancia
permanece practicamente constante (banda de paso del amplificador), Fig. 45
El margen dinmico de un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal
que es capaz de presentar sin distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios
de pico (V
p
) o voltios pico-pico (V
pp
).






Fig. 45
Existe una gran variedad de clases de ampliIicadores, dependiendo del tipo de seal a am-
pliIicar. Asi podemos encontrar ampliIicadores de corriente o de tension, de baja o alta
potencia, de baja o alta Irecuencia, etc., pero todos tienen en comun una Iuncion de ganan-
cia, A, ya sea de tension, corriente, potencia, etc., deIinida como:
entrada de seal amplitud
salida de seal amplitud
A =
Hay que decir que la ganancia en potencia de un amplificador es compatible con el prin-
cipio de conservacion de la energia, porque no es el transistor el dispositivo que aporta
energia, sino la Iuente de alimentacion -bateria- que lo polariza. Como maximo la poten-
cia de la seal de salida estara limitada por la potencia de alimentacion; como se muestra
en el esquema de la Iigura 43.
La ampliIicacion cuando se cuantiIica en decibelios, por ejemplo para la potencia, viene
dada por la expresion:

entrada de potencia
salida de potencia
log 10 db =
El circuito mas simple de un ampliIicador con un transistor, se muestra en la Iigura 46:
Como se observa, una pequea seal de tension v
e
(t) se adiciona a la tension de ba-
teria V
BB
que alimenta el circuito de polarizacion en la base. La corriente que recorre R
B
es
la superposicion de la corriente I
B
de la bateria, V
BB
mas la corriente variable i
b
que genera
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

45
la pequea seal a ampliIicar v
e
(t). El haz de curvas de un transistor, I
C
I (V
C
), tomando
como parametro I
B
se denomina caracteristica de salida del transistor.
Ya que v
e
(t) puede ser positiva o negativa, al superponerse a V
BB
, debemos estar
seguros de que V
BB
sea suIicientemente grande como para que el transistor Iuncione en
modo activo, esto es, que este polarizada directamente la union emisor-base. Para ello, se
determina el punto de operacion del circuito sin seal externa (NPN), Iigura 46:










Fig. 46
Determinar el punto de operacion Q es elegir los valores de R
B
y R
C
para que el
transistor Iuncione en este punto en modo activo. Se veriIica que: V
CC
I
C
R
C
V
CE
. Por
tanto Q es la interseccion de la caracteristica de salida I
B
y la recta de carga de R
C
:
1
/
= +
CC
CE
C CC
C
J
J
R J
I
.Usualmente Q se toma en el punto medio de la region lineal de la ca-
racteristica.
La seal v
e
(t) genera cambios en las corrientes de base y consiguientemente varia-
ciones i
c
(t) y v
CE
(t) en I
C
y V
CE
. El punto de trabajo en cada instante Q(t) (I
B
i
B
, I
C

i
C
, V
CE
v
CE
) oscila alrededor del punto de operacion (I
B
, I
C
,V
CE
). En el ejemplo de la Iig.
18.b son: R
C
0,2 MO, I
B
6 A, V
CE
5 V, I
C
31 mA, y la amplitud oscilaciones de i
B

del orden de 2 A que generan vibraciones de amplitud 10 mA en la corriente de colector.



R
B
R
C
0,2 M O
C
E
B
V
BB
V
e
(t)
10 V V
CC
~ 0
~ V
S
(t)
I
B
2
4
6
I
B
10 A
I
C
(mA)
V
CE
(V) 10
50
Q
10
20
30
40
8
5
a)
b)
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

46
4.2.7. Clculo de la ganancia en tensin del amplificador
Consideramos un transistor PNP conectado en emisor comun, polarizado en modo
activo, V
EB
~ 0 y V
CB
0, Iig. 47.








Fig. 47
Sean:
r
BE
la resistencia de la union emisor-base
R
L
, la resistencia de carga.
V
cc
, la tension de alimentacion
V
BB
la bateria de polarizacion de emisor-base
v
e
y v
s
las tensiones de entrada y salida respectivamente.
Sean i
B
e i
c
los incrementos de las corrientes de base I
B
y de colector I
C
. Estas co-
rrientes aunque son constantes elegidas para que Iuncione el transistor en su region lineal,
no intervienen en el calculo de la ganancia en tension.
Se veriIica:
BE B
e
B
R R
v
i
+
=
e
BE B
B C
v
R R
i i
+
|
= | =
e
BE B
C
C C S
v
R R
R
R i V
+
| = =
La ganancia en tension,
BE B
C
e
S
V
R R
R
v
v
A
+
| = =
Asi, si son | 100, R
BE
0,5 KO, R
C
10 KO y R
B
5 KO, es:
R
B
C
E
B
V
BB
V
CC
R
C
v
e
v
S
R
B
C
E
B
V
BB
V
CC
R
C
v
e
v
S
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

47
181
5 , 0 5
10
100 =
O +
O
=
K
K
A
J

Practicamente como rr
BE
y | no son totalmente constantes, ni bien determinadas,
es mas conveniente recurrir a metodos graIicos.

Ef. 17. El circuito de la figura 48 esquemati:a un transistor NPN de | 20 v R
EB
15 O
(que suponemos constante). Una seal v
s
v
e
3senet se aplica al circuito de en-
trada. Calcular la tension v
s
de salida v la ganancia A
v
.







Fig. 48
R 485 O R
C
20 KO

952 , 0
21
20
1
= =
+
=
|
|
o
mA 6
) 15 485 (
V 3
R R
v
i
EB
e
E
=
O +
=
+
=
mA mA i i
E C
712 , 5 952 , 0 6 = = = o
2 , 114 10 20 712 , 5
3
= O = = mA R i v
C C S
V
v
S
114senet 38
3
114
v
v
A
e
S
v
= = =



R
I
B
V
BB
V
CC
R
C
v
e
(t)
I
E
I
C
v
S
(t)
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

48
Ef. 18. Hallar el punto de funcionamiento Q v el factor de amplificacion de tension en el
circuito de la figura 49.







Fig. 49
J
BB
2 J, J
BE
0,6 J, J
CC
15 J, R
B
20 KO, R
C
2,5 KO, R
BE
~ 0, | 60
A I
B
70
10 20
6 , 0 2
3
=

= mA A I I
B C
2 , 4 70 60 = = = |
V
CE
V
CC
I
C
R
C
15 2,510
3
O4`210
-3
A 4,5 V
Q (V
CE
, I
C
) (4,5 V , 4,2 mA)
5 , 7 60
10 20
10 5 , 2
3
3
=

=
+
= |
B
C
J
R R
R
A
Ef. 19. Las figuras 50 a, b v c representan un esquema de un circuito, las caracteristicas
de entrada I
B
f(J
BE),
parametro J
CE
v de salida I
C
f(J
CE
), parametro I
B
del tran-
sistor tipo NPN conectado en forma de emisor comun.







!" $" %"
Fig. 50
Determinar.
1) La intensidad del colector, si son J
BE
0.8 J v J
CC
15 J.
2) Las regiones de saturacion, activa v de corte
R. ACTVA
Regin de
saturacin
Regin de corte
R
B
V
BB
V
CC
R
C
I
E
I
C
I
B
E
B
C
E B
C
R
C
3 KO
V
CC
15 V
v
S
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

49
1) En la caracteristica de entrada se observa que si es, V
BE
0,8 V para V
CE
10
V es I
B
17,5 A
De la caracteristica de salida se obtiene: I
C
I(V
CE
, I
B
) I(5 V, 17,5 A) 2,7
mA.
Tambien podriamos haber hecho:
15 V I
C
R
C
V
CE
! 1
15
V
R / 15
I
CE
C
C
= + ; R
C
3 KO : 1
V 15
V
mA 5
I
CE C
= +


que representa la recta de carga dibujada, de coordenadas (15 V, 5 mA). Esta
recta, para V
CE
5 V, tiene como I
C
2,7 mA, en las caracteristicas de salida.
2) Las regiones rayadas:
- de corte entre I
b
0 y el eje V
CE
; V
EB
0`5 : I
B
~ 0, I
C
0, v
s
V
CC

- de saturacion entre el eje I
c
y la envolvente al haz de caracteristicas de
salida.
V
EB
~ 1 V; I
B
~ 40 A, I
C
~ |I
B
; V
CC
~ I
C
R
C
; V
CE
~ 0, v
s
~ 0

Ef. 20: En la figura 51 a se esquemati:a un BJT, (NPN) conectado como emisor comun.
Sus curvas caracteristicas (I
C
f(J
CE
), parametro I
b
) se indican en la figura 23 b.










Fig. 51
R
C
50O , R
B
9.5KO v R
EB
500O.
Determinar. El punto de reposo, las variaciones de J
BE
v las ganancias de tension
v de intensidad para una seal de entrada oscilante de J
pp
2 J.
RB RC
C
E
B
VS
Ve
VCC 30 V
IB
IC
IE
6
5
4
3
2
1 mA = B
a)
b)
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

50

v
e
0: mA 3
) 500 9500 (
V 30
R R
V
I
EB B
CC
b
=
O +
=
+
=
V
CC
I
C
R
C
V
CE
J
J
A
I
J
J
R J
I
CE C
CC
CE
C CC
C
30 6 , 0 /
1 + = + =

Las variables I
C
y V
CE
veriIican una relacion lineal, recta de carga que pasa por
los puntos:
O
1
(30 V, 0) y O
2
(0 V, 6 A)
La interseccion del haz de caracteristicas: I
C
I(V
CE
, I
B
3 mA) y la recta de carga
es el punto, Q (15 V , 0`3 A), de reposo o de operacion.
Calculemos los limites entre los que varia V
EB
durante la excitacion de entrada V
s
.
En Q: V
EB
I
B
R
BE
310
-3
500 1,5 V; V
pp
/2 1 V
Durante la excitacion:
V
EB
1,5 1 2,5: I
b

500
5 , 2
5 mA
V
EB
1`5 - 1 0`5: I
b

500
5 , 0
1 mA
El punto Q oscila entre los puntos Q
1
y Q
2
:
Q
1
(0,42 A ,8 V), Q
2
(0,17 A , 22 V)
7
) 1 ( 1
8 22
v
v
A
e
S
v
=


=
A
A
=
62
10 ) 1 5 (
17 , 0 42 , 0
3
=


=
A
A
= =

B
C
i
I
I
A |










TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

51
4.2.8. El transistor como conmutador
La logica algebraica de Boole utiliza variables, proposiciones o conjuntos, que solo
pueden tomar dos valores: verdadero o Ialso, o sus equivalentes (on-oII, 1-0).
La electronica digital descompone, o compone, la magnitud de una seal en impul-
sos de tension de niveles 1 o 0 que se enlazan mediante un codigo, analogamente a como
se hace en el sistema de numeracion digital.
Entre las variables se establecen tres operaciones basicas:
Operacion SigniIicado Simbolo del operador (puertas)
Union, Disyuncion
Interseccion, Conjuncion
Negacion
p q p o q p OR q
p q p y q p AND q
p nop NOT p


Con un transistor se puede realizar la operacion NOT. En este caso se dice que el
transistor trabaja como un conmutador o un inversor, Fig. 52.




Fig. 52
Vimos que un transistor trabajando como ampliIicador puede adoptar un conjunto
continuo de estados de polarizacion, en regimen lineal y modo activo, cada uno de ellos
situado sobre la linea de carga para cada I
B
.


Como conmutador el transistor solo adopta dos estados correspondientes a los mo-
dos de saturacion y de bloqueo o corte. Para lograr esto debemos proceder asi:
(a) Modo de corte: el transistor opera como un interruptor abierto, esto es, no conduce o
esta en estado de OFF. Para ello se polari:an inversamente las dos uniones, Fig. 53a. En
ese caso solo circulan las corrientes inversas de polarizacion. Por tanto I
B
0, de donde I
C

~ 0. Asi V
C
~ 0 y V
E
~ 0.
(b) Modo de saturacin: Si las dos uniones se conectan en polari:acion directa. En este
caso las corrientes a traves de las uniones son, I
B
~ 0 y por tanto I
C
puede ser muy alta. Se
Inversor
1 0 0 1
ve vs
0 1 1 0
p
q
p
q
p
p + q
p x q
p
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

52
dice que esta saturada. El transistor Iunciona como interruptor cerrado, conduce la corrien-
te o esta en estado de ON, Fig. 53b.




(a) (b)
Figura 53
Al tomar I
B
valores extremos, 0 o un valor muy alto, el punto de Iuncionamiento conmuta
entre Q
1
y Q
2
, como se muestra en Fig. 54.


Al oscilar I
B
en este caso entre 0 y 45 A, I
C
varia
entre 0,1 y 18 mA. V
CE
a su vez oscila entre 15 y
0,2.




Fig. 54
En terminos de tensiones un 1` logico signiIica un valor de tension a la entrada suIicien-
temente alta como para poner el transistor en saturacion, y por tanto, su salida sera un 0`
logico, cuya tension suele variar en torno a 0,2 V: v
s
~ 0,2 V. El valor de tension para el 1`
logico dependera del circuito. Asi, en un circuito, sera suIiciente 0,5 V para poner el tran-
sistor en saturacion y en otro caso sera necesario mas de 1 V.
Por otra parte, el 0` logico se corresponde con un valor de tension tal que pone el
transistor en zona de corte. Por lo tanto, como el transistor no conduce, a la salida existira
un 1` logico cuya tension real se corresponde con la tension de alimentacion con lo que
estamos polarizando.


I
B
0
10
20
I
B
50 A
I
C
(mA)
V
CE
(V) 15
20
Q
2
0,2
40
30
Q
1
0,1
I
B
0
10
20
I
B
50 A
I
C
(mA)
V
CE
(V) 15
20
Q
2
0,2
40
30
Q
1
0,1
V
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
E
salida
entrada
V
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
E
salida
entrada
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
E
salida
entrada V
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
E
salida
entrada
V
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
E
salida
entrada
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
P N P
V
o
V
o
'
E
B
C
V
E
salida
entrada
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

53
El ejemplo 21, muestra un ejemplo de calculo de estos niveles de tensiones.
Ef.21. En el esquema del circuito de la figura 55, el parametro | 50.
Se aplica una tension de J
BE
de 1J.
Determinar.
a) La tension de salida si I
C
2 mA
b) Si se aade a J
BE
una seal procedente de una fuente de alterna, cual deber
ser la amplitud minima de esta para sacar al transistor del modo activo?
c) Como deberia ser una seal para que el transistor fuera alternativamente de
corte a saturacion. Como seria la seal de salida en este caso?
Suponer que la union base-emisor es ideal con tension umbral, J

06 J (J


J
BE
|
activa
J
BE
|
sat





Fig. 55
V
CC
I
C
R
C
V
CE
I
C
R
C
V
S

a) 20 V 5 KO 2 mA V
S
~ V
S
V
CE
20 10 10 V
b) Transistor en corte: V
BE
no esta directamente polarizada, la tension base-emisor
no es suIiciente para polarizarlo. Admitimos que por simplicidad que la tension umbral es
igual a V 0,6 V V
BE
.
En este caso, la amplitud del generador, V
g
debe ser tal que se veriIicara Fig. 56:







Fig. 56
R
B
10 K O
R
C
5 KO
C
E
B
V
BB
1 V
I
E
I
B
0
I
C
0
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t) 20 V
R
B
10 K O
R
C
5 KO
C
E
B
V
BB
1 V
I
E
I
B
I
C
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t)
R
B
10 K O
R
C
5 KO
C
E
B
V
BB
1 V
I
E
I
B
I
C
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t)
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

54
-V
BB
V
g
V
BE
0 Condicion limite
V
g
V
BB
V
BE
1 0,6 0,4 V
Si V
g
> 0,4 V, V
BE
0,6 V ! corte
Habria que aplicar una tension opuesta a V
BB
de 0,4 V en adelante.
Transistor en saturacion: condicion unica de saturacion V
CE
~ 0,2 V.
Cerramos el bucle, Fig. 57 a








Fig. 57 a Fig. 57 b

-V
CC
I
C
R
C
0,2 0
mA
R
J
I
C
CC
C
96 , 3
2 , 0
=

=
En el limite de activa-saturacion, L, Fig. 57 b se sigue cumpliendo que I
C
|I
B
,
luego mA
mA
I
I
C
sat
B
0792 , 0
50
96 , 3
. lim
= = =
|

-V
BB
V
g
I
B
|
lim. sat
R
B
V
BE
|
sat
0
-1 V
g
0,0792 mA10 KO 0,6 0
V
g
-0,39 V

Habria pues que aplicar una tension opuesta a la sealada, mayor o igual de 0,39 V.
La seal V
g
deberia ser cuadrada, segun se esquematiza en la Fig. 58 a.



I
C
V
CE
L
I
B
0'2 V
R
B
10 K O
R
C
5 KO
C
E
B
V
BB
1 V
I
E
I
B
~~~
I
C
0
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t) 0 V
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

55







a) b)
Fig. 58
La seal de salida se esquematiza en la Fig. 58 b. Se observa que cuando V
g
-0,4 V, el
transistor no conduce y V
S
V
CC
20 V.
Cuando el transistor esta en saturacion, V
g
0,39 V, en ese caso V
S
V
CE
0,2 V.
Por otra parte, el punto de trabajo, oscila en la recta de carga, de Iorma casi instan-
tanea, dependiendo de la velocidad de conmutacion del generador, entre los puntos L y C,
Fig. 59





Fig. 59
















I
C
V
CE
L
C
V
g
0'39
-0'4
corte
saturacin
T
2T
t
Entrada
V
S
0'2
20
T
2T
t
Salida
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

56
4.2.9. Modelo de Ebers-Moll (`)
Las igualdades:
I
C
oI
E
I
E

C
I
1
o

I
C
|I
B
I
B
I
E
- I
C

no son mas que expresiones de muy buena aproximacion en el modo directo V
EB
~ 0 y
V
CB
0 para un PNP. Como I
E
y I
C
son del orden del mA en ellas se han despreciado las
corrientes inversas de saturacion de orden del A. Teniendolas en cuenta se tiene:
) 1 e ( I I I
T CB
V / V
CO E F C
+ o =
) 1 e ( I I I
T EB
V / V
EO C R E
+ o =
Los nuevos coeIicientes o
F
y o
R
, directo e inverso, en el modo directo son proxi-
mos a o y 1/o respectivamente.
Ebers-Moll probaron experimental y teoricamente que en un transistor estan aco-
plados en mayor o menor medida los diodos emisor-base y base-colector en todos los mo-
dos. Por consiguiente, las corrientes I
E
e I
C
dependen linealmente de exponenciales en las
variables de V
EB
y V
CB
.
Tanto para los modos directo como inverso, se Iormulan las ecuaciones para I
E
e I
C

en Iuncion de las variables V
EB
y V
BC
en el caso de un transistor bipolar tipo PNP:
) 1 e ( a ) 1 e ( a I
T CB T EB
V / V
12
V / V
11 E
+ =
) 1 e ( a ) 1 e ( a I
T CB T EB
V / V
22
V / V
21 C
+ =
Este modelo representa el transistor en los diIerentes modos de operacion. Asi por
ejemplo, cuando trabaja en modo de corte, V
EB
0 y V
CB
0, el modelo se reduce a dos
corrientes inversas de saturacion de las dos uniones, y I
E
e I
C
tienden a cero.
Los coeIicientes de acoplo a
11
, a
12
y a
12
a
21
son parametros Iisicos especiIicas del
transistor dado.
Estas ecuaciones son utilizadas:
a) En los programas de calculo de simulacion de circuitos como el programa
SPICE (Simulation Program with Integrate Circuit Emphasis).
b) En la Iormulacion de distintos circuitos equivalentes a transistores aptos para
distintas circunstancias (de Irecuencia, de alto o bajo nivel de seal, etc.).

TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

57
5. TRANSISTORES MONOPOLARES
Los transistores bipolares tienen una impedancia de entrada baja, lo que representa
en muchos casos una gran diIicultad. En los monopolares esto no ocurre, su impedancia de
entrada es alta, en especial en el MOS.
Anteriormente hemos visto que en los transistores bipolares una pequea corriente de
base controla una corriente de colector muy superior. Los transistores de eIecto de campo
son dispositivos de tres terminales en los que la corriente principal se controla mediante
una tension. Las caracteristicas principales son:
1. La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal de
control.
2. Una seal muy debil puede controlar el dispositivo.
3. La tension de control se emplea para crear un campo electrico.

5.1. TRANSISTOR DE UNIN DE EFECTO DE CAMPO, JFET

En los transistores monopolares circula una sola clase de portadores mayoritarios a
lo largo de un canal n o p entre la Iuente, S, y el drenador, D. Estos portadores moviles son
arrastrados por el campo electrico generado por la diIerencia de potencial establecida entre
el drenador y la Iuente V
D
V
DS
. Un campo transversal electrostatico a este Ilujo, creado
por la diIerencia de potencial V
GS
, entre la puerta G y la Iuente S, controla la magnitud de
este Ilujo y con ella la corriente de drenador, I
D
.

Un JFET de canal N se Iabrica diIundiendo una region de tipo P en un canal de tipo
N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los termina-
les de Iuente (S, Source) y drenador (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G,
Gate).




TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

58







Figura 1. Esquema del transistor JFET de canal N
Los simbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura 2: Simbolos de los transistores JFET
Las explicaciones incluidas en este apartado se reIieren Iundamentalmente al transistor
NJFET, teniendo en cuenta que el principio de operacion del PJFET es analogo.
PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET
A continuacion se explica como se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede
con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacion:
- Region de corte
- Region lineal
- Region de saturacion
Canal N Canal N
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

59
Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacion alude a un Ienomeno completamente
distinto al de los transistores BJT.
Region de corte
Centremos nuestra atencion en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta Iorma
un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordara, cuando se Iorma una union PN
aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccion en la que no hay portadores de
carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacion aplicada. Si esta es in-
versa, la zona se hace mas ancha, proporcionalmente a la tension aplicada. Aplicando una
tensin &
'(
negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin, con lo que
disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de J
GS
se hace lo suIicientemente negativo, la region de agotamiento se exten-
dera completamente a traves del canal, con lo que la resistencia del mismo se hara inIinita
y se estabiliza el valor de I
D
(Figura 3). El potencial al que sucede este Ienomeno se deno-
mina potencial de bloqueo (Pinch Joltage, J
P
). En este caso por mucho que se aumente
V
DS
, la corriente I
D
permanece constante.

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tension de bloqueo
Por lo tanto, para valores mas negativos que J
P
el transistor NJFET se encuentra polariza-
do en la region de corte, y la corriente de drenador resulta ser nula.
Region lineal
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tension J
DS
mayor que cero, aparecera una
corriente circulando en el sentido del drenador a la Iuente, corriente que llamaremos I
D
. El
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

60
valor de dicha corriente estara limitado por la resistencia del canal N de conduccion. En
este caso pueden distinguirse dos situaciones segun sea J
DS
grande o pequea en compara-
cion con J
GS
.
Valores pequeos del voltaje drenador-fuente
La Figura 4 presenta la situacion que se obtiene cuando se polariza la union GS con una
tension negativa, mientras que se aplica una tension entre D y S menor.

Figura 4: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con V
GS
0
Por el terminal de puerta (G) no circula mas que la corriente de Iuga del diodo GS, que en
una primera aproximacion podemos considerar despreciable. La corriente I
D
presenta una
doble dependencia:
- La corriente I
D
es directamente proporcional al valor de J
DS

- La anchura del canal es proporcional a la diIerencia entre J
GS
y J
P
. Como I
D
esta
limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea J
GS
- J
P
, mayor sera la an-
chura del canal, y mayor la corriente obtenida.
Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresion:

Por lo tanto, en la region lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a J
GS
y
a J
DS
.
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

61
Valores altos del voltaje drenador-fuente
Para valores de J
DS
comparables y superiores a J
GS
la situacion cambia con respecto al
caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su compor-
tamiento ohmico. Veamos por que sucede esto.
Cuando se aplica un voltaje J
DS
al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo
largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tension sera de 5 V, pero a
medio camino la corriente circulante habra reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el
terminal S el potencial sera nulo. Por otra parte, si J
GS
es negativa (- 2 V, por ejemplo), la
tension se distribuira uniIormemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente
(Figura 5). (NOTA: se desprecia la caida de tension en las zonas situadas por debajo de los
contactos). Si V(x) es el potencial debido a la caida de tension entre D y S resulta si S esta
unido a tierra que: 0 V(0) V(x) V(L) V
DS
siendo L la longitud del canal.

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con J
GS
-2 V y J
DS
5 V
En las proximidades del terminal S la tension inversa aplicada es de 2 V, que se correspon-
de con la J
GS
-2 V. Sin embargo, conIorme nos acercamos a D esta tension aumenta: en
la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al
canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de depleccin tampoco lo ser
(Figura 6). Cuando J
DS
es pequea, esta diIerencia de anchuras no aIecta a la conduccion
en el canal, pero cuando aumenta, la variacion de la seccion de conduccion hace que la
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

62
corriente de drenador sea una Iuncion no lineal de J
DS
, y que disminuya con respecto a la
obtenida sin tener en cuenta este eIecto.

Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la region de conduccion no lineal
Regin de saturacin
Si J
DS
se incrementa mas, se llegara a un punto donde el espesor del canal en el extremo
del drenador se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene indepen-
diente de J
DS
, puesto que los incrementos de tension provocan un mayor estrechamiento
del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la region de corriente constante
La region de saturacion se da cuando se estrangula el canal en el drenador, lo que sucede
cuando la tension puerta-drenador es mas negativa que V
P
, es decir:
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

63
J
GD
J
P
~ J
GS
- J
DS
J
P
~ J
DS
~ J
GS
- J
P
Antes de seguir adelante, comparemos las Iiguras Figura 3 y Figura 7. En el caso del blo-
queo, todo el canal resulta aIectado por la zona de depleccion, que es constante porque la
tension J
GS
se aplica uniIormemente a lo largo de la union. En cambio, en la region de co-
rriente constante solo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por J
DS
, que varia a
lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacion de la corriente. Se demuestra que
cuando el canal esta estrangulado en el extremo cercano al drenador pero no en el extremo
cercano a la Iuente, la corriente I
D
ya no depende de J
DS
y la expresion de I
D
viene dada
por:
2
1
|
|

\
|
=
P
GS
DSS D
J
J
I I .

CURVAS CARACTERISTICAS
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET.
En primer lugar, en la representacion de I
D
Irente a J
GS
, para una J
DS
dada, se aprecia cla-
ramente el paso de la region de corte a la de saturacion (Figura 8). En la practica solo se
opera en el segundo cuadrante de la graIica, puesto que el primero la J
GS
positiva hace
crecer rapidamente I
G
.

Figura 8: Caracteristica J
GS
- I
D
del transistor NJFET
En la caracteristica J
DS
- I
D
del transistor NJFET se observa la diIerencia entre las regiones
lineal y de saturacion (Figura 9). En la region lineal, para una determinada J
GS
, la corriente
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

64
crece proporcionalmente a la tension J
DS
. Sin embargo, este crecimiento se atenua hasta
llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacion, en donde I
D
solo depende de J
GS
.








Figura 9: Caracteristica J
DS
- I
D
del transistor NJFET
Notese que, segun esta graIica, la region de saturacion del JFET se identiIica con la region
activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en los BJT la corriente de colector
solo depende de la de base, aqui la magnitud de control es la tension J
GS
. Por el contrario,
si la resistencia del JFET en la region lineal es muy pequea puede encontrarse un cierto
paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturacion del BJT.
PARAMETROS DEL JFET
Se presenta a continuacion algunas de las caracteristicas de los transistores JFET que oIre-
cen los Iabricantes en las hojas de datos:
- )
*((
: Es la corriente de drenador cuando el transistor JFET se encuentra en conIigura-
cion de Iuente comun y se cortocircuita la puerta y la Iuente (J
GS
0). En la practica
marca la maxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en
cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor.
- &
+
(Pinch-Off Joltage): es la tension de estrangulamiento del canal. Al igual que I
DSS
,
presenta Iuertes dispersiones en su valor. Cuando se aplica V
P
, se estabiliza I
D
.
- ,
*(-./"
: Es el inverso de la pendiente de la curva I
D
/J
DS
en la zona lineal. Este valor se
mantiene constante hasta valores de J
GD
cercanos a la tension de estrangulamiento.
- 0
&*(
(Drain-Source Breakdown Joltage): es la tension de ruptura entre Iuente y dre-
nador. Tensiones mas altas que B
JDS
provocan un Iuerte incremento de I
D
.
3 V
Pinch-off
3 V 3 V
Pinch-off
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

65
- 0
&'(
(Gate-Source Breakdown Joltage): es la tension de ruptura de la union entre la
puerta y la Iuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de B
JGS

provocan una conduccion por avalancha de la union.

Ef. 22 El JFET del circuito esquemati:ado tiene por potencial de estrangulamiento J
p

-5 J v la corriente de saturacion para J
G
0, es I
DSS
5 mA. Calcular la corriente
de drenador v la diferencia de potencial entre drenador v puerta.







mA
J
J
I I
P
GS
DSS DSat
8 , 1
5
2
1 5 1
2
2
= |

\
|

=
|
|

\
|
=
J R I J J
C DS CC DS
9 , 3 5 , 4 8 , 1 12 = = =

Ef. 23 En el JFET canal-p del circuito esquemati:ado, determinar la
corriente de drenador v la tension de puerta para que la tension J
DS

sea 12 J, sabiendo que la corriente I
DSS
-8 mA v J
p
4 J.
- -4 mA; 1,2 V.



mA I K I
R I J J
D D
D D CC DS
4 2 20 12 = O =
=

2
1
|
|

\
|
=
P
GS
DSS D
J
J
I I De aqui que sustituyendo resulte:
4
1
8
4
GS
J
=


Luego J J
GS
2 , 1 =
R
C
4,5 K O
V
CC
12 V
I
D
-2 V
G
D
S
V
CC
-20 V
R
D
2 KO
I
D
D
G
S
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

66
5.2 TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio
de operacion y su estructura interna son diIerentes. Existen cuatro tipos de transistores
MOS:
- Enriquecimiento de canal N
- Enriquecimiento de canal P
- Empobrecimiento de canal N
- Empobrecimiento de canal P
Los simbolos son:


Figura 10: Transistores MOSFET
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

67
La caracteristica constructiva comun a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) esta Iormado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El oxi-
do es aislante, con lo que la corriente de puerta es practicamente nula, mucho menor que en
los JFET. Por esa razon en el simbolo de la Figura 10 la puerta esta aislada de los otros
electrodos y los MOS al ser la corriente de puerta casi nula se emplean para tratar seales
de muy baja potencia.
PRINCIPIO DE OPERACION
De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de Iun-
cionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.
5.2.1 NMOS de enriquecimiento
En la Figura 11 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento. Las dos
regiones N estan Iuertemente dopadas.

Figura 11: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento
Supongamos que se aplica una tension J
DS
mayor que cero mientras que J
GS
se mantiene
en cero. Al aplicar una tension positiva a la zona N del drenador, el diodo que Iorma este
con el sustrato P se polarizara en inversa, con lo que no se permitira el paso de corriente: el
MOS estara en corte.
Supongamos que aplicamos un potencial J
GS
positivo pero pequeo, mientras mantenemos
la J
DS
positiva tambien. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite
al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y se produce en una primera Iase una
zona de vaciamiento y si se sigue aumentando el potencial se atraen a los electrones (mino-
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

68
ritarios del sustrato de tipo P presentes en todo el semiconductor debido a la rotura espon-
tanea de enlaces). A mayor potencial aplicado, mayor numero de electrones sera atraido, y
mayor numero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que
debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drena-
dor con la Iuente. La Iuente constituye una isla de donde Iluyen los portadores que Iorman
el canal cuando se establece la corriente y es el terminal negativo en los NMOS. Recapitu-
lando, por encima de un valor positivo J
GS
J
TH
(Tension umbral, Threshold Joltage) se
posibilita la circulacion de corriente I
D
(Figura 12). Nos encontramos ante una region de
conduccion lineal.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conduccion
Si el valor de J
DS
aumenta, la tension eIectiva sobre el canal en las proximidades del dre-
nador (J
GS
- J
DS
) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se
pierde la linealidad en la relacion I
D
- J
DS
. Finalmente se llega a una situacion de satura-
cion similar a la que se obtiene en el caso del JFET.
Proceso de acumulacin: si la polarizacion que se aplica a la puerta G Iuese negativa res-
pecto al sustrato tipo p, se produce una acumulacion de carga positiva (huecos, mayorita-
rios en el sustrato p) debida a la creacion de un campo electrico entre ambas partes del ais-
lante que tiende a aproximar los huecos hacia la zona inmediatamente debajo del aislante.
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

69


5.2.2 NMOS de empobrecimiento
En la Figura 13 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.

Figura 13: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento
En este caso el canal ya esta creado. Por lo tanto, si con J
GS
0 aplicamos una tension J
DS

aparecera una corriente de drenador I
D
. Para que el transistor pase al estado de corte sera
necesario aplicar una tension J
GS
menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte
Tambien en este caso, la aplicacion de una J
DS
mucho mayor que J
GS
provoca una situa-
cion de corriente independiente de J
DS
.
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

70
CURVAS CARACTERISTICAS
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de graIicas: la caracteristica J
GS
- I
D
, con
J
DS
constante, y la J
DS
- I
D
con J
GS
constante.
5.2.3 Transistor NMOS de enriquecimiento

Figura 15: Caracteristica J
GS
- I
D
del transistor NMOS de enriquecimiento
En la Figura 16 se pone de maniIiesto como la intensidad I
D
aumenta bruscamente cuando
se supera la tension umbral J
TH
(Threshold Joltage) y se crea el canal. Es un componente
idoneo para conmutacion, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conduccion a
partir de un valor de la seal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de
aluminio y el aislante de oxido de silicio, la tension umbral esta en torno a los cinco vol-
tios.

TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

71
Figura 16: Caracteristica J
DS
- I
D
del transistor NMOS de enriquecimiento
La caracteristica J
DS
- I
D
del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del
JFET, pero los valores de J
GS
cambian: en este caso la conduccion se da para voltajes posi-
tivos por encima del umbral.
5.2.4 Transistor NMOS de empobrecimiento

Figura 17: Caracteristica J
GS
- I
D
del transistor NMOS de enriquecimiento
El NMOS de empobrecimiento puede Iuncionar tambien como transistor de enriquecimien-
to. Si la tension J
GS
se hace positiva se atraeran electrones al canal. Ademas, a diIerencia
de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy elevada.

Figura 19: Caracteristica J
DS
- I
D
del transistor NMOS de empobrecimiento
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

72

PARAMETROS
Los parametros comerciales mas importantes del transistor MOS son analogos a los de los
JFET.

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Las aplicaciones generales de todos los FET son:
ELECTRONICA ANALOGICA
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrien-
tes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.
- Resistencias variables de valor gobernable por tension (variando la anchura del ca-
nal).
- AmpliIicadores de tension, especialmente en la ampliIicacion inicial de seales de
muy baja potencia.
- Control de potencia electrica entregada a una carga.
En el caso de la ampliIicacion los circuitos se disean para que el punto de operacion DC
del MOS se encuentre en la region de saturacion. De este modo se logra una corriente de
drenador dependiente solo de la tension J
GS
.
ELECTRONICA DIGITAL
Los MOS se emplean a menudo en electronica digital, debido a la capacidad de trabajar
entre dos estados diIerenciados (corte y conduccion) y a su bajo consumo de potencia de
control. Para esta aplicacion se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que
idealmente pueda considerarse que:
- La caida de tension en conduccion es muy pequea.
- La transicion entre el estado de corte y el de conduccion es instantanea.


TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

73

Ef.24 Las constantes especificas de un MOS de canal-n son. J
inv
-4 J v la corriente
de saturacion a J
G
0 es I
DSS
6 mA. Con buena
aproximacion la corriente de drenador viene dada por
la expresion I
Dsat

2
inv
GS
DSS
V
V
1 I
|
|

\
|
. Calculese en el
esquema indicado las tensiones drenador-fuente, J
DS
, v
puerta-fuente, J
GS
, para que la corriente de saturacion
sea I
Dsat
4 mA.

J J J K mA J R I J
DS DS DS D DSat CC
7 2 4 15 = + O = + =
J J
J
GS
GS
73 , 0
4
1 6 4
2
= |

\
|

=




V
CC
15 V
R
D
2 KO
I
Dsat
4 mA

-
V
DS
V
GS