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Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14


Kapitel 2
Ladungstrger im Halbleiter
LS Intelligente Mikrosysteme:
2
Leitungsband
Valenzband
Leitungsband
Valenzband
T = 0
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
3
+
-
T > 0
Leitungsband
Valenzband
Leitungsband
Valenzband
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
4
T > 0 T = 0
f(E, T)
1 1/2 0
E
E
pot
~h
E
F
f(E, T)
1 1/2 0
E
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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E
Zustandsdichte
*
Fermiverteilung
dS/dE*f
p
(E)
dS/dE*f
n
(E)
E
F
E
E
F
Ort
Bndermodell
Valenzband
Leitungsband
E
G
0
Zustandsdichte
E
Fermiverteilung
(Besetzungs-
Wahrscheinlichkeit)
1 1/2 0
f
n
(E)
f
p
(E)
E
dS/dE
kT
kT
A ~N
L
A ~N
v
E
F
E
F
E
Trgerdichte
(Boltzmann-
Nherung)
n
0
p
0
n
0
p
0
E
F
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2. Elektronen im Halbleiter
Ladungstrgerdichte im undotierten Halbleiter
Anzahldichte der Elektronen im Leitungsband:
mit:
Hierbei wurde mit der Boltzmann Nherung gerechnet.
( )

Pauli
Dichte Zust
Fermi
FD
dE
dS
T E f
dE
dN
2 ,
.
=


( )
)
`


|
.
|

\
|

+
=
>>
T k
E E
T k
E E
T E f
F
T k E E
F
F
exp
exp 1
1
,
G
n
E E
h
m V
dE
dS


=
3
3 2
2 8
)
`


|
.
|

\
|

= =

T k
E E
h
T k m
dE
dE
dN
V
n
F G
N
n
E
L
G
exp
2
2
1
2 3
2

Boltzmann - Nherung
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)
`


|
|
.
|

\
|

= =


T k
E
h
T k m
dE
dE
dN
V
p
F
N
p
V
exp
2
2
1
2 3
2
0

fr p folgt analog:
N
L
: effektive Zustandsdichte im Leitungs-Band
N
V
: effektive Zustandsdichte im Valenz-Band
z.B.
also:
Gleichgewichtsdichten n
0
=p
0
(Neutralitt)

3 19
3 19
10 0 , 1
10 8 , 2
300 @
cm N
cm N
K Si
V
L
)
`

=
)
`

=
T k
E
N p
T k
E E
N n
F
V
F G
L
exp
exp
0
0
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Folgerungen:
a)
n
i
=Eigenleitungsdichte, nur von Material und Temperatur abhngig
Si @ Raumtemperatur:
b) Lage des Ferminiveaus E
F
:
Fermi Energie praktisch in Mitte der verbotenen Zone
)
`

=
)
`

=
T k
E
T n
T k
E
N N p n
G
i
G
V L
exp ~ exp
3
2
0 0
( )
3 10
10 5 , 1 300

= cm K T n
i
)
`

=
)
`

=
)
`


T k
E
T k
E
N
N
T k
E
N
T k
E E
N
G F
V
L
F
V
F G
L
2
exp
exp exp

G
eV
V
L
eV
G F
E
N
N
T k E E
2
1
ln
2
1
2
1
013 , 0
1 , 1
=


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2.2 Dotierte Halbleiter
Einbau geeigneter Fremdatome in Si Wirtsgitter fhrt zu Elektronen oder
Lcher berschuss:
N - Leitung P - Leitung
5 wertige Donatoren (z.B. P)
bewirken berschuss an Elektronen
Elektronen: Majorittstrger
Lcher in der Minderheit:
Minorittstrger
3 wertige Akzeptoren (z.B. B)
bewirken berschuss an Lchern
Lcher: Majorittstrger
Elektronen: Minorittstrger
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+
T > 0
Leitungsband
Valenzband
Leitungsband
Valenzband
-
+
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+
T > 0
Leitungsband
Valenzband
Leitungsband
Valenzband
-
-
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Donatoren (N
D
) Akzeptoren (N
A
)
Wertigkeit 5 3
Beispiel P, As, Sb B, Al,
Majoritts-
trger
Elektronen Lcher
Minoritts-
trger
Lcher Elektronen
Leitungstyp n Leitung p Leitung
Ortsfeste
Ionen-Ladung
positiv (+q) negativ (-q)
bersicht:
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( ) T n p n
i
2
0 0
=
)
`

=
)
`

=
T k
E
N p
T k
E E
N n
F
V
F G
L
exp
exp
0
0
+
+ = +
A D
N n N p
0 0
Analyse der Ladungstrgerkonzentration im dotierten Halbleiter
Es gilt: (I)
(II)
Auch hier gilt: Massenwirkungsgesetz
Ladungsneutralitt: (III)
3 Gleichungen mit 3 Unbekannten (n
0
, p
0
und E
F
)
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E
Ort
Bndermodell
Valenzband
Leitungsband
+
+ + +
E
F
E
G
0
E
Fermiverteilung
(Besetzungs-
Wahrscheinlichkeit)
1 1/2 0
f
n
(E)
f
p
(E)
E
F
E
Zustandsdichte
*
Fermiverteilung
dS/dE*f
p
(E)
dS/dE*f
n
(E)
E
F
E
Trgerdichte
(Boltzmann-
Nherung)
n
0
p
0
E
F
n
0
p
0
E
Zustandsdichte
dS/dE
kT
kT
A ~N
L
A ~N
V
E
F
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Wichtiger Sonderfall:
und
d.h. alle Strstellen sind aktiviert
dann gilt:
n Halbleiter:
p Halbleiter:
D D
N N =
+
A A
N N =

+
+
=
=
D
D
L
G F
N n
N
N
T k E E
0
ln

=
=
A
A
V
F
N p
N
N
T k E
0
ln
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Zusammenfassung zu Ladungstrger im Halbleiter
1) Massenwirkungsgesetz (gilt immer)
2) Eigenhalbleiter (Intrinsischer Halbleiter)
3) Dotierter Halbleiter
3a) P Halbleiter:
3b) N Halbleiter:
2
0 0 i
n p n =
i
n p n = =
0 0
A A
N N p =

0
D D
N N n =
+
0
Majorittstrger
Minorittstrger
A
i i
N
n
p
n
n
2
0
2
0
= =
D
i i
N
n
n
n
p
2
0
2
0
= =
Majorittstrger
Minorittstrger
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Aktivierung der Strstellen:
je nach Temperatur wird in 3 Bereiche unterschieden
a) niedrige Temperatur: Strstellen Reserve
b) mittlere Temperatur: Strstellen Erschpfung
c) Hohe Temperatur: Eigenleitung
1
2
exp
2
1
2
exp
2
0
0
<
)
`

=
<
)
`

=
T k
E N N
N
p
T k
E E N N
N
n
A A V
A
D G D L
D
A
D
N p
N n
=
=
0
0
A i
D i
N n p
N n n
> =
> =
0
0
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10
13
10
14
10
15
10
16
10
17
E
l
e
k
t
r
o
n
e
n
k
o
n
z
e
n
t
r
a
t
i
o
n

n

/

c
m
-
3
10
15
N
D
=
(1000 / T) / K
-1
cm
-3
Eigenleitungsbereich
Erschpfungsbereich
Reservebereich
0 4 8 12 16 20
n
i
300 K
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Generation und Rekombination
Generation: Erzeugung von Elektronen Loch Paaren
Rekombination: Vernichtung von Elektronen Loch Paaren
R G
dt
dn
dt
dp
= =
Gleichgewicht
( ) ( ) p n T R R T G G , , ; = =
( ) p n T r R =
( ) ( )
( )
( ) T r
T G
n p n
p n T r T G
i
= =
=
2
0 0
0 0
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Geringfgige Strung des Gleichgewichts:
'
0
n n n + = n

: berschussdichte
betrachte p Halbleiter:
0 0
n p >>
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
0
'
0
0 0
'
0 0
p n T r p n T r T G
dt
dn
n n p T r T G R G
dt
dn
=
+ = =

( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( )
|
|
.
|

\
|
= =
= =
= =
+
=
n
t
t n
t p T r t n t n
p n T r
dt
dn
dt
n n d
dt
dn

exp 0
exp 0
'
0
' '
0
'
' '
0
( ) ( )
1
0

= p T r
n

: Minorittstrger - Lebensdauer
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