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Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14


Kapitel 3
Strme in Halbleitern
LS Intelligente Mikrosysteme:
2
3. Strme im Halbleiter
Strme knnen bedingt sein durch:
- Elektrische Felder Driftstrom
- Konzentrationsgeflle Diffusionsstrom
- Wechselfelder Verschiebungsstrom
- Temperaturgeflle
|
.
|

\
|
dt
dD
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
3
|
.
|

\
|


=
s
km
s
cm
m
T k
v
n
th
100 10
8
7
3.1. Festkrper im elektrischen Feld
Auch ohne Feld: Elektronen sind stndig in thermisch angeregter, regelloser
Bewegung
aber: kein Strom makroskopisch feststellbar
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th
c
v
l
=
E v

=
: mittlere freie Weglnge
: mittlere freie Flugdauer
unter Einwirkung uerer Feldstrke stellt sich Driftgeschwindigkeit ein
: Beweglichkeit
Modellvorstellung:
thermische Bewegung fhrt zu Zusammensten mit Streuzentren
Whrend wird das Elektron beschleunigt
l
c

mit
l
c

: mittlere freie Weglnge


: mittlere freie Flugdauer
c

( ) !
th
v <<
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c
c
E
m
q
v
m
E q
m
F
a a v

= = = mit
v stellt die mittlere Driftgeschwindigkeit dar
Beweglichkeit ergibt sich zu:
Siehe hierzu Folie:
Elektronen:
Lcher:
| |
(

= =
s V
cm
m
q
c
2

( ) E f v =
s V
cm
m
q
n
n
n

=
2
1450
s V
cm
m
q
p
p
p

=
2
450
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6
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
5
10
6
10
7
10
8
Feldstrke V/cm
L
a
d
u
n
g
s
t
r

g
e
r
g
e
s
c
h
w
i
n
d
i
g
k
e
i
t





c
m
/
s
GaAs
Elektronen
GaAs
Lcher
Si
Elektronen
Si
Lcher
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Driftstrom: mit : Leitfhigkeit
Betrachte vorerst nur Lcher:
E S
E S
=
~

dx
A
p
v A p q
dt
dx
A p q
dt
dQ
I
dx A p q dV p q dQ
= = =
= =
E p q v p q
A
I
S
p p p
= = =
Gesamtstrom:
n p
S S S + =
( ) E n p q S
n p
+ =
E

( ) E n q S
E p q S
n n
p p
=
=

Lcher- und Elektronenstrom in positiver


technischer Stromrichtung!
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Temperaturabhngigkeit von :
abhngig von der Art der Streuprozesse:
-Streuung an Phononen
- Streuung an Strstellen
- Streuung an Versetzungen
2 3
~

T
2 3
~
+
T
2 1
~

T
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10
14
10
15
10
16
10
17
Dotierstoffkonzentration / cm
-3
10
18
10
19
B
e
w
e
g
l
i
c
h
k
e
i
t

/

(
c
m
2
/
V
s
)
10
2
10
3
10
4
10
2
10
3
10
4
10
2
10
3
10
4

p
Germanium
Silizium
GaAs
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10
100
200
400
600
800
1000
2000
4000
-50 0 50 100 150 200
E
l
e
k
t
r
o
n
e
n
b
e
w
e
g
l
i
c
h
k
e
i
t

/

(
c
m
2
/
V
s
)
10
20
40
60
80
100
-50 0 50 100 150 200
200
400
600
800
1000
L

c
h
e
r
b
e
w
e
g
l
i
c
h
k
e
i
t

/

(
c
m
2
/
V
s
)
Temperatur / C
Temperatur / C
N
D
=10
19
N
D
=10
18
N
D
=10
17
N
D
=10
16
N
D
=10
14
N
A
=10
19
N
A
=10
18
N
A
=10
17
N
A
=10
16
N
A
=10
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Ohmsches Gesetz:
l
A
I
U
l A V =
l E U =
R l
A
l E
A E
U
I 1
= =

A E A S I = =
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w
l
d w d
l
A
l
R

= =

1 1 1
Flchenwiderstand:
Schicht konstanter Dicke d, z.B. bei Integrierten Schaltungen
w
l
d
w d A =
R

fasst alle herstellungsbedingten Parameter zusammen


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Diffusionsstrom:
Ladungstrger - Konzentrationsgeflle fhrt zu Diffusionsstrom
D
P
, D
N
: Diffusionskonstanten
p grad D q
x
p
D q S
p p Diff p
=
|
.
|

\
|

=
,
n grad D q
x
n
D q S
n n Diff n
=
|
.
|

\
|

=
,
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Diffusion
Gelbe Lebensmittelfarbe verteilt sich in warmem (links) und kaltem (rechts) Wasser
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Zwischen D und besteht folgender Zusammenhang:
Nernst Townsend Einstein Beziehung
Zusammenfassung von Drift und Diffusionsstrom:
K mV U
q
T k D
D
T
n
n
p
p
300 @ 26 =

= =

|
.
|

\
|
=
dx
dp
U E p q S
T p p

|
.
|

\
|
+ =
dx
dn
U E n q S
T n n

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3.2. Strungen des Gleichgewichts
Im Gleichgewicht gilt:
Nach Wegfall der Ursache der Strung kehrt System zum Gleichgewicht
zurck! Relaxation
2 Gedankenexperimente:
1) Majorittstrger Injektion
n: berschussdichte
n
0
: Gleichgewichtsdichte
2
0 0 i
n p n =
n - Halbleiter
n
n
0
n
0
+n
x
t=0!
Erdkontakt
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Was passiert?
a) berschussdichte n Raumladung
b) Raumladung elektrisches Feld E
c) elektrisches Feld E Driftstrom S der Majorittstrger
d) Driftstrom S Rckkehr zur Neutralitt
berschussladung klingt exponentiell ab. Zeitkonstante?
n
0
n(t=0)
D

t
?
D
=
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l
A
r
,
C
R
A
l
R =

1
r
l
A
C =
0
Dielektrische Relaxations Zeitkonstante

r
D
C R

= =
0
;
Abschtzung: Si
Praktisch augenblickliche Rckkehr zum Gleichgewicht!
cm
F
cm
14
1 1
10 12
1


=
=

ns ps s
D
1000 1 1 10
12
= = =

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2) Minorittstrger Injektion
Wirkungskette:
a) berschussdichte n Raumladung
b) Raumladung elektrisches Feld E
c) elektrisches Feld E Driftstrom der Majorittstrger
(Lcher!)
d) Driftstrom Abschirmung, d.h. berschuss
an Elektronen und Lchern!
e) Relaxation durch Rekombination
p - Halbleiter
n
n
0
n
0
+n
x
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Fr die Rekombination ist die Minorittstrger-Lebensdauer mageblich!
: Dielektrische Relaxationszeit (ps!)
: Minorittstrger Lebensdauer (s)
n,p
n(t=0)
D

n
t
p
D

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Kontinuittsgleichung
Betrachte Volumenelement mit Raumladung
Strom in Volumenelement hinein:
Strom aus Volumenelement hinaus:
dx
A
S(x+dx) S(x)
x A V =
( ) A x S I
EIN
=
( ) A dx x S I
AUS
+ =
( ) t
Im Volumenelement wird Ladung gespeichert:
( ) ( )

= = =
V
dx A t V t dV Q
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( )
dt
t d
S div

=
( ) ( )
( )
dx A
dt
t d
A dx x S A x S I I
dt
dQ
AUS EIN
=
+ = =

( ) ( ) ( ) ( )
dx
x dS
dt
t d
dx
x S dx x S
= =
+


Dreidimensional:
= + +
dz
dS
dy
dS
dx
dS
z
y
x
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Im Halbleiter sind Lcher und Elektronen zu betrachten:
Rekombination von Minorittstrgern:
: Lcher Lebensdauer im N HL
: Elektronen Lebensdauer im P HL
g : Generationsterm (z.B. wg. Lichteinfall)
( )
( )
dt
dn
q G R q S div
dt
dp
q G R q S div
n
p
= +
= +


HL P
n
HL N
p
g
n
g
p
G R

=

'
bzw.
'
p

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dt
dn
g
n
S div
q
n
n
' ' 1
= +

dt
dp
g
n
S div
q
n
p
' ' 1
= +

dt
dn
g
p
S div
q
p
n
' ' 1
= +

dt
dp
g
p
S div
q
p
p
' ' 1
= +

fr Lcher
fr Elektronen
(n=p!)
fr Lcher
fr Elektronen
0 0
' , ' p p p n n n = =
Damit ist im N HL:
und im P HL:
mit (berschussdichten)
n
0
und p
0
sind zeitlich konstant
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Schwache Injektion
Gedankenexperiment: kontinuierliche Injektion von Minorittstrgern
n - HL
0
p
S
p=p
n
-p
0
x
L
p
p(x)
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Ansatz: Kontinuittsgleichung
S
p
im n HL ist Diffusionsstrom:
eingesetzt in Kontinuittsgleichung liefert:
Lsungsansatz:
dx
dp
D q p grad D q S
p p p
'
' = =
Stationrer Zustand
( ) ( )
0
' ' 1
= = +
dt
x dp x p
S div
q
p
p

( ) ( )
0
' '
2
2
= +
p
p
x p
dx
x p d
D

( ) ( )
p
L x
e x p x p

= = 0 ' '
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liefert:
L
p
heit Diffusionslnge und kennzeichnet das rumliche Abklingen von
Minoritts-Trger berschuss (Si: 1200m)
p p p
p p p
D L
D L

= =

0
1 1
2
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Poisson Gleichung
verknpft Raumladung mit elektrischem Potential
E grad = D E
r

=

0
1
( )
+
+ = =
A D
N N n p q D div
( )
+
+

= =
D A
r
N N p n
q
grad div


0
wichtiger Sonderfall: keine Raumladung (Quasineutralfall)
z.B. bewegliche und feste Ladungen kompensieren sich
. 0 const E =
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Raumladungsfall:
z.B. ortsfeste Strstellen im pn - bergang
( ) 0 x

( )
dx
x
E

( )

= Edx x

E
x
x
x
(x)
-x
p
-x
p
-x
p
+x
n
+x
n
+x
n
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