SISTEMAS DIGITALES III

Unidad I MEMORIAS

Introduccin a las Microcomputadoras

Toda memoria contiene 5 elementos escenciales: Unidad de Memoria. Unidad de Control. Unidad Aritmtica Lgica. Unidad de Entrada. Unidad de Salida.

Organizacin Bsica de la Microcomputadora

CPU ALU

Entrada

Control

Salida

Memoria

Conceptos Bsicos
Memoria Principal: En ella se guardan las instrucciones y
datos sobre los que el CPU trabaja. Es la memoria ms rpida del sistema de compto y en general, esta formada por dispositivos de memoria de semiconductor.

Memoria Secundaria: Este tipo de memoria se conoce

como memoria auxiliar. Almacena grandes cantidades de informacin externa a la memoria interna de la computadora. En general es ms lenta que la memoria interna y siempre es no voltil.

Terminologa Empleada en Memorias

Celdas de Memoria : Dispositivo o circuito elctrico que se
usa para alamacenar un solo bit (0 1).

Palabra de Memoria: Grupo de celdas de memoria que

representan instrucciones o datos de algn tipo.Algunos palabras de memoria son:
BYTE. Palabra de 8 bits. NIBBLE. Palabra de 4 bits. WORD. Palabra de 16 bits.

Capacidad de Memoria: Forma de especificar, el nmero

de bits que puede almacenar una memoria o bien un sistema de memoria completo.

Capacidad = #Palabras X #Bits de cada Palabra.

Direccin : Nmero que identifica la localidad de una

palabra de memoria.

Direcciones 000 001 010 011 100 101 110

Palabra Palabra 0 Palabra 1 Palabra 2 Palabra 3 Palabra 4 10100010 11110000

Tipos de Memorias de Semiconductor

Memorias Volatiles (RAM)
Dinmicas Estticas

Memorias No Volatiles (ROM)

PROM (Program Read Only Memory) EPROM (Erasable PROM) EEPROM (Electric Erasable PROM)

Memorias Vlatiles
Definicin :
Tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa elctrica a fin de almacenar la informacin. Si se retira la energa elctrica, toda la informacin almacenada se perder.

RAM(Random Access Memory): Memoria en la

cual la localizacin fsica real de una palabra em la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tarda en leer o escribir en esa localidad. El tiempo de acceso es el mismo para cualquier localidad de memoria.

Memoria Dinmica:

Dispositivos de memoria de semiconductor en los cuales los datos almacenados no se quedarn permanentemente guardados, aun con energa aplicada, a menos que los datos se reescriban en forma peridica en la memoria. Esta operacin se conoce como REFRESCO.

Memoria Esttica: Dispositivos de memoria de semiconductor

en los cuales los datos alamacenados se quedarn permanentemente guardados, mientras se aplique energa elctrica, sin necesidad de escribir perodicamente los datos en la memoria.

Memoria Esttica
En este caso se utiliza un circuito FLIP- FLOP formado por Un par de transistores regularmente MOSFETS de doble gatillo utilizados por su bajo consumo de energa electrica. Teniendo en cuenta que actualmente el almacenamiento temporal ha crecido en forma acelerada. Este tipo de memorias se consideran lentas en comparacin a las memorias Dinmicas, pero su tamao es mucho mas pequeo que la que presenta una memoria dinmica.

Memorias Dinmicas
En este caso, las memorias dinmicas son una de las ms rapidas que se pueden encontrar, son ideales para el almacenamiento temporal en un PC. Generalmente las memorias RAM Dinmicas tambin conocidas com DRAMs contienen un bus de direcciones de forma distinta a la de una RAM esttica o SRAM, lo que las hace mejores para ciertas aplicaciones. Una celda de memoria dinmica esta formada por un circuitoseguidor con un FLIP FLOP el cual tiene un circuito RC que es el que da la caracterstica de la seal de REFRESCO que se menciono en la diapositiva anterior.

Memorias No Voltiles
Definicin: Estos tipos de memoria solo requieren de energa
elctrica para tener acceso a la informacin que tienen alamacenada o grabada previamente. Al quitar la energa elctrica la informacin se mantiene dentro de la memoria.

ROM (READ ONLY MEMORY). : Son previamente grabadas

para despus ser nicamente extraida su informacin existen diferentes tipos de nomenclaturas que identifican el tipo de grabacin utilizada y si pueden ser borradas las memorias y como. PROM ( Program Read Only Memory). : Tambin conocidas como OTPPROM o ROMS de programacin nica. A diferencia de las ROM de mascarilla estas memorias estan listas para ser programadas por el usuario esto quiere decir que las mascarillas se encuentran conectadas por fusibles que se quemaran para crear un cero 0 para quemar el fusible se requieren de 12.5v hasta 21.5v de acuerdo a las caracteristicas del fabricante.

Memorias De Solo Lectura (ROM)

EPROM ( Electric Program Read Only Memory): En esta memoria el usuario puede programar y borrar al dispositivo cuantas veces como lo desee mientras lo permita la memoria. ( Es decir hasta que el fabricante indique que cantidad de veces soporta de grabacin.) En esta memoria se utilizan transistores MOSFET que tienen compuerta de SILICIO con ninguna conexin elctrica ( COMPUERTA FLOTANTE). El cero lgico se crea al inyectar alta energa en la compuerta y como no hay trayectoria de salida en el transitor este queda ENCENDIDO de manera permanente. Para el proceso de borrado la EPROM se expone a LUZ ULTRAVIOLETA. La luz o foto corriente choca contra el sustrato de silicio que es foto sensible y produce que el transistor se apague. Este proceso permite que la la memoria se borre.

Memorias De Solo Lectura (ROM)

EEPROM (Electric Erasable Program Read Only Memory). : La EEPROM se invent en 1980 como una mejora a la EPROM. La EEPROM aprovecha la misma estructura de compuerta flotante que la EPROM. Agrega la caracterstica de borrado elctrico atravs de la adicin de una delgada regin de oxido, arriba del DRENADOR del MOSFET esto provoca que con el mismo voltaje de programacin pueda ser borrada la memoria. El borrado es para una sola localidad deseada, adems no se re escribe la todalidad de las localidades de la memoria. El acceso a la informacin de estas memorias son por lo regular lento en referencia a una memoria RAM.

Circuito de Memoria General

Vcc Bus de Direcciones Bus de Datos

Circuito de Memoria

Bus de Control*

* Nota : No en todos los casos el bus de control es de entrada o salida en algunos casos es bidireccional.

Arreglos de Memoria
Expansion de la capacidad. El nmero de palabras
en un sistema de memoria se aumenta multiplexando la salida de dos ms dispositivos de memoria. Los circuitos de memoria tiene carctersticas que facilitan esto.

Expansion de Palabra. La longitud de palabra se

incrementa colocando la salida de dos o ms circuitos de memoria en paralelo.

Expansin de Palabra.
Bus de 4 Mem 1 Bus de 8 Mem Bus de 4 2 Bus de Direcciones en Paralelo

Expansin de Capacidad
Bus de 4 Mem 1 Selector De Memorias cs Bus de Direcciones en Paralelo

Direccin

Mem Bus de 4 2 cs