EL TRANSISTOR DE UNA SOLA UNIN PROGRAMABLE (PUT)

Definicin:
El transistor de una sola unin programable (PUT) tiene 4 capas. El transistor PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K nodo ! puerta ".

a) #onstruccin bsica

b) $%mbolo

aracter!sticas" #iferencias $ se%e&an'as con otros tiristores:

Re(acin #e( PUT)U*T

El PUT es en realidad un tipo de tiristor y no es en absoluto como el U&T en cuanto a estructura. 'a (nica similitud con un U&T es )ue el PUT puede ser utili*ado en algunas aplicaciones de osciladores para reempla*ar el U&T. ! di+erencia del U&T este transistor permite )ue se puedan controlar los ,alores de -.. y /P )ue en el U&T son +i0os. 'os parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal ". 'a principal di+erencia entre los transistores U&T y PUT es )ue las resistencias: -.1 2 -.3 son resistencias internas en el U&T mientras )ue en el PUT estas resistencias estn en el e4terior y pueden modi+icarse. !un)ue el U&T y el PUT son similares El 5p es ms d6bil )ue en el U&T y la tensin m%nima de +uncionamiento es menor en el PUT.
Re(acion PUT)S R

El PUT es similar a un $#- e4cepto por)ue su ,olta0e en el nodo con respecto a la compuerta puede ser utili*ado tanto para encender como para apagar el dispositi,o. 'a estructura del PUT es ms similar a la de un $#- (cuatro capas) )ue a la de un U&T. 'a e4cepcin es )ue la compuerta )ueda a+uera.

+UN IONAMIENTO Un PUT (transistor de una sola unin programable) conduce cuando el ,olta0e en el nodo e4cede el ,olta0e en la compuerta. 'a compuerta est conectada a la regin n adyacente al nodo. Esta unin pn controla los estados de encendido y apagado del dispositi,o. 'a compuerta siempre esta polari*ada positi,amente con respecto al ctodo. #uando el ,olta0e en el nodo e4cede el ,olta0e en la compuerta en apro4imadamente 7.8 / la unin pn est polari*ada en directa y el PUT se enciende. El PUT permanece as% 9asta )ue el

,olta0e se reduce por deba0o de este ni,el en cuyo caso el PUT se apaga. Para pasar al modo acti,o desde el estado de corte(donde la corriente entre ! y K es muy pe)ue:a) 9ay )ue ele,ar el ,olta0e entre ! y K 9asta el /alor /p )ue depende del ,alor del ,olta0e en la compuerta ". $lo 9asta )ue la tensin en ! alcance el ,alor /p el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado 9asta )ue 5! corrien t e )ue

atra,iesa el PUT sea reducido de ,alor. Esto se logra reduciendo el ,olta0e entre ! y K o reduciendo el ,olta0e entre " y K.

POLARI,A ION

Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (9ay corriente entre ! y K y la ca%da de ,olta0e es pe)ue:a) y otro de corte cuando la corriente de ! a K es muy pe)ue:a. Este transistor se polari*a de la siguiente manera:

Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

APLI A ION El +uncionamiento es el siguiente: El condensador # se carga a tra,6s de la resistencia 9asta )ue el ,olta0e en ! alcan*a el ,olta0e /p. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El ,olta0e en /" cae casi 9asta 7 (cero) ,oltios y el PUT se apaga repiti6ndose otra ,e* el proceso(oscilador).

/er a +ormas de onda en # K y ".

continuacin las de las tensiones

'a +recuencia de osci(acin es: + ; 1 < 1.3 4 -#.

PUT 2N 02! "#$% Un&'un()&on T*an+&+)o* ,*o-*a.a/%e e+)0 d&+e1ado ,a*a ,e*.&)&* 2ue e% &n-en&e*o de% ,*o-*a.a (a*a()e*3+)&(a+ .onoun&4n (o.o RBB, 5, IV e IP (on +4%o +e%e((&ona* do+ 6a%o*e+ de *e+&+)en(&a" 7,%&(a(&4n &n(%u8e (&*(u&)o+ de d&+,a*o de )&*&+)o*e+, o+(&%ado*, ,u%+o 8 )&e.,o" $+)e d&+,o+&)&6o )a./&9n ,uede +e* u)&%&:ado en a,%&(a(&one+ de )&*&+)o*e+ e+,e(&a%e+ de/&do a %a d&+,on&/&%&dad de una ,ue*)a de 0nodo" ;e +u.&n&+)*a en un /a*a)o T<#=2 ,a2ue)e de ,%0+)&(o ,a*a %a+ ne(e+&dade+ de a%)o 6o%u.en, e+)e ,a2ue)e e+ >0(&%.en)e ada,)a/%e ,a*a +u u+o en e2u&,o+ de &n+e*(&4n au)o.0)&(a"

Caractersticas

?a*(ado*: @o-o, )&,o de d&+,o+&)&6o, ,o* e'e.,%o, 2N 02!, Ae(Ba C4d&-o Ba'o %a ,ue*)a de 0nodo 10 n7 Co**&en)e de >u-a .0x&.a Ba'a Ten+&4n o>>+e) 0,CD 6o%)&o+ )3,&(o+ (R P*o-*a.a/%e R
BB G

= 10 E oB.&o+)
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Ba'a en e+)ado de )en+&4n 1,D Vo%)+ .0x&.o F I ,B,I

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7%)o 6o%)a'e de +a%&da ,&(o 11 Vo%)+ T3,&(a Pa2ue)e+ de P/#%&/*e+ e+)0n d&+,on&/%e+