Unidad 3b:

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA: Resumen de interruptores electrnicos

Introduccin. Interruptores no controlados: DIODO de potencia. Interruptores controlados: BJT, MOSFET, IGBT, GTO Interruptores semicontrolados: TIRISTOR.

U03b-1

Diodo de potencia

Estructura

En polarizacin directa, la capa n+ inunda la capa n- y parece que est fuertemente dopado. En polarizacin inversa la unin p+n- al estar ligeramente dopada soporta una tensin inversa alta.

U03b-2

Diodo de potencia

Efecto de la capa n-

En polarizacin directa, la capa n+ inunda la capa n- y parece que est fuertemente dopado. En polarizacin inversa la unin p+n- al estar ligeramente dopada soporta una tensin inversa alta.

U03b-3

Diodo de potencia

Caractersticas dinmicas
1. Diodo polarizado inversamente. 1. Diodo polarizado inversamente. 2. Transitorio de encendido (paso al ON). 2. Transitorio de encendido (paso al ON). 3. Diodo polarizado directamente. 3. Diodo polarizado directamente. 4+5. Transitorio de apagado (paso al OFF). 4+5. Transitorio de apagado (paso al OFF). 6. Diodo polarizado inversamente. 6. Diodo polarizado inversamente.

En 2, la corriente viene determinada por el circuito, y se utiliza para contrarrestar la carga de la zona de deplexin y reducir la resistencia de la capa n-. El diodo se se asemeja a una resistencia donde su valor decrece con el tiempo. En 4+5 los portadores deben volver a su capa original (4), y cuando ya escasean el movimiento de portadores (corriente) empieza a disminuir (5). Este proceso tiene una duracin determinada denominada tiempo de recuperacin inversa. FACTORES QUE INFLUYEN EN EL trr. - Corriente de polarizacin directa IF. (>>>) - Tensin Inversa, VR. (<<<) - Variacin de corriente, dIF/dt. (<<<) - Temperatura, T. (>>>)

ON OFF OFF

U03b-4

Diodo de potencia

Tipos de diodos
Diodos de recuperacin estndar (de frecuencia de lnea).
Caida de tensin es la ms pequea posible. trr muy grande (>10 s). No se suele especificar. Bloquean varios KVoltios y conducen varios KAmperios. Aceptable en aplicaciones de frecuencia de lnea (50-60 Hz) y para asociacin en serie o en paralelo.

Diodos rpidos (fast recovery) y ultrarrpidos (ultra-fast recovery).

trr pequeo (0.5-2 s). Si viene especificado. Adecuados para circuitos con frecuencias elevadas en combinacin con otros semicond. controlados. Bloquean cientos de voltios y conducen varios cientos de amperios.

Diodos Schottky.
Caida de tensin muy pequea (0.3 V). trr muy pequeo. Dispositivo de portadores mayoritarios. Diodos de bajo voltaje (<100V). U03b-5

Diodo de potencia

Diodos comerciales

Tipo
Propsito general Fast recovery

Part Number
1N3913 SD453N25S20PC MUR815

Max. Tensin
5kV 400V 2500V 150V 600V 1200V 30V 45V 150V

Max. Corriente
10kA 30A 400A 8A 15A 100A 60A 440A 30A

VF
0.7-2.5V 1.1V 2.2V 0.975V 1.2V 2.6V 0.48V 0.69V 1.19V

trr
~25s 400ns 2s 35ns 60ns 60ns

Ultra-fast recovery

MUR1560 RHRU100120 MBR6030L

Schottky

444CNQ045 39CPQ150

U03b-6

Diodo de potencia

Hojas de caractersticas
Tensin inversa de trabajo Tensin inversa de pico repetitivo Tensin inversa de pico nico Tensin de ruptura Corriente media nominal Corriente de pico repetitivo Corriente de pico nico Tensin directa Tensin de recuperacin directa Tiempo de recuperacin directa Tiempo de recuperacin inverra VRWM VRRM
VRSM

Mx. tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Mx. tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frec.de repeticin inferior a 100 Hz. Mxima tensin inversa que puede soportar pur una sola vez cada 10 o ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms. Valor medio de mxima corriente de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (tp.100C). Corriente mxima que puede ser soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms. Corriente mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la duracin del pico sea inferior a 10 ms. Caida de tensin del diodo en rgimen permantente para la corriente nominal. Tensin mxima durante el encendido. Tiempo para al canzar el valor de VON (110%) Tiempo que durante el apagado del diodo tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor mximo).

VBD IF(AV) IFRM IFSM VON, VF VFr tON trr

U03b-7

Diodo de potencia

Hojas de caractersticas (ii)

U03b-8

Diodo de potencia

Hojas de caractersticas (iii)

U03b-9

BJT de potencia

Estructura

Para GANANCIA ELEVADA anchura de base y dopado lo menor posible Para TENSIN INVERSA GRANDE: Anchura de base grande y dopado pequeo. Al ser dopado pequeo, la zona de deplexin es ancha.
SOLUCIN DE COMPROMISO: BJT de potencia SOLUCIN DE COMPROMISO: BJT de potencia tienen ganancia pequea tienen ganancia pequea

Estructura en meseta
(en desuso)
COLECTOR

BASE

Estructura vertical
EMISOR

Maximiza el area que atraviesa la corriente. Minimiza la resistencia trmica.

U03b-10

BJT de potencia

Estructura multiemisor
En la estructura vertical pueden aparecer puntos calientes. Por tanto, se agrupan celdas individuales para tener la estructura multiemisor. Esta estructura reduce la focalizacin de corriente en la base y la resistencia de base, por tanto, tambin las prdidas.

Estructura multiemisor NPN

U03b-11

BJT de potencia

Regiones de operacin.
Zona de CORTE.
Unin BE y BC estn polarizadas inversamente. La corriente de base no es suficiente para activarlo.

Zona ACTIVA.
Unin BE polarizada directamente y BC polarizada inversamente. Acta como amplificador. La tensin VCE disminuye con la corriente de base.

Zona de SATURACIN.
Unin BE y BC polarizada directamente. Acta como interruptor. Corriente de base muy grande y VCE alcanza el valor de saturacin.

VCE

IB

U03b-12

BJT de potencia

Caractersticas estticas
En corte: IB=0. En conduccin: IB>IC/ La ganancia de corriente decrece con corriente elevadas.

BVCBO: Voltaje de ruptura por avalancha en la unin BC con el emisor abierto. BVCEO: Voltaje de ruptura ha en la unin CE con la corriente de base nula. BVsus: Voltaje de ruptura CE con corriente de base. Generalmente no se debe superar la segunda.
U03b-13

BJT de potencia

Transitorios de conmutacin

1. Transistor en corte. 1. Transistor en corte. 2+3+4. Transitorio de encendido (paso al ON). 2+3+4. Transitorio de encendido (paso al ON). 5. Transistor en saturacin. 5. Transistor en saturacin. 6+7+8. Transitorio de apagado (paso al OFF). 6+7+8. Transitorio de apagado (paso al OFF). 9. Transistor en corte. 9. Transistor en corte.

Tiempo de retraso. (2) Tiempo de almacenamiento (6).

U03b-14

BJT de potencia

Zona de operacin segura

Delimitada por: ICM Corriente mxima de colector. Lmite trmico de disipacin de potencia. Zona de ruptura secundaria. BVCEO.

f1<f2<f3

U03b-15

BJT de potencia

Transistor Darlington
Mayor Los El

ganancia de corriente, para aplicaciones de alto voltaje.

transistores Q1 y Q2 se construyen en la misma oblea.

diodo D1 ayuda a reducir la duracin del transitorio de apagado.

U03b-16

BJT de potencia

Conclusiones

El BJT ha sido reemplazado por MOSFET en aplicaciones de bajo voltaje (<500V). El BJT ha sido reemplazado por IGBT en aplicaciones de alto voltaje (>500V).

Dispositivo de portadores minoritarios: Mas lento en conmutar que el MOSFET pero tiene menor resistencia para altos voltajes.

U03b-17

BJT de potencia

Hojas de caractersticas

U03b-18

MOSFET de potencia

Estructura
La corriente circula entre fuente y drenador a travs del canal que se induce/modula entre ambos a partir de la tensin de puerta.

Si el canal existe fsicamente se llama transitor MOS de deplexin. Si el canal se crea con tensin de puerta es un transistor MOS de acumulacin. El transistor MOS puede ser de canal tipo p o canal tipo n (ms utilizado aqu).

DRENADOR (D)

PUERTA (G)

Estructura MOS de acumulacin de canal n

SURTIDOR FUENTE (S)

U03b-19

MOSFET de potencia

Estructura
La primera que se utiliz para MOS de potencia. La corriente circula en sentido vertical.

Estructura en celdas elementales

Evolucin desde estructura en V. Capa n- para bloquear tensiones elevadas.

Estructura en V

Estructura en trincheras
U03b-20

MOSFET de potencia

Regiones de operacin (VDS>0).

Zona de CORTE. (OFF)
VGS<VT. iD=0. Interruptor abierto.

Zona OHMICA. (ON)

VGS-VT>VDS. Interruptor cerrado. RDS pequea (valores pequeos de VDS). Coef. T positivo.

Zona SATURACIN de canal.

VGS-VT<VDS. iD=cte. Fuente de corriente controlada por VGS, no por VDS.

Zona de RUPTURA
VDS>VBD.

U03b-21

MOSFET de potencia

Celdilla elemental. Operacin

Estado EstadoON ON

Estado EstadoOFF OFF

Lmite Lmitezonas zonas

Saturacin Saturacin
U03b-22

MOSFET de potencia

Body diode
La unin n-pn+ forma un transistor, que se transforma en un diodo que se polariza directamente cuando VDS<0. Aqu hay corriente en sentido contrario. (desde la fuente hasta el drenador). El MOSFET no est optimizado respecto a la velocidad de este diodo y las grandes corrientes de pico que pueden aparecer durante el tiempo de recuperacin inversa (trr, Qrr) pueden destruir el dispositivo.

SOLUCIN

Diodos rpidos en serie y antiparalelo.

U03b-23

MOSFET de potencia

Caractersticas estticas

Estado OFF.
- VGS<VT. VT3V

Estado ON.
- VGS>VT. VT3V. - VGS12-15V para minimizar VDS. - RDS(on) tiene coeficiente de temperatura positivo, por lo que es fcil colocar en paralelo varios MOSFET.

U03b-24

MOSFET de potencia

Zona de operacin segura

Delimitada por: IDM Corriente mxima de drenador. Lmite trmico de disipacin de potencia. Lmite debido a RDS BVDSS.. Mxima tensin drenador-surtidor.bloqueada.

U03b-25

MOSFET de potencia

Resumen

Dispositivo de portadores mayoritarios. Ms rpido. Frecuencias de trabajo de hasta cientos de kHz. Facil de disparar.

Resistencia aumenta con el voltaje bloqueado. Se seleccionan en funcin de la baja resistencia y no de las caractersticas de tensin y corriente.

Utilizado para BV<500V. llegan hasta 1000V.

Algunos

U03b-26

MOSFET de potencia

MOSFET comerciales

Part Number
IRFZ48 IRF510 IRF540 APT10M25BNR IRF740 MTM10N40E APT5025BN APT1001RBNR

Max. Tensin
60V 100V 100V 100V 400V 400V 500V 1000V

Max. Corriente
50A 5.6A 28A 75A 10A 15A 23A 11A

RDS(ON)
0.018 0.54 0.077 0.025 0.55 0.3 0.25 1.0

U03b-27

MOSFET de potencia

Hoja de caractersticas

U03b-28

IGBT

Caractersticas

Transistor Bipolar de Puerta Aislada. (Isolated Gate Bipolar Transistor).

Dispositivo de cuatro capas moderno para mejorar caractersticas estticas MOSFET.

Construccin similar al MOSFET mas la capa p. Entrada como MOSFET y salida como BJT. Resistencia de conduccin mas pequea que el MOSFET.

Soporta voltajes elevados (<1700V). Velocidad intermedia BJTMOSFET.

U03b-29

IGBT

Estructura

Cuatro capas: a partir de la estructura MOSFET mas capa p. del MOSFET y Colector-Emisor del BJT. Capa n- mas ancha y menos dopada para soportar tensiones BVDSS mayores. Portadores minoritarios de p en n-. Comparado con MOSFET: - Resistencia mas pequea. - Cada de voltaje menor. - Dispositivo ms lento.
EMISOR

Puerta

Soporta tensiones inversas.

COLECTOR

PUERTA

EMISOR

COLECTOR

U03b-30

IGBT

Circuito equivalente

EMISOR

Dos caminos para la corriente CE

- A travs del MOSFET efectivo (i1) - A travs del BJT efectivo (i2).

COLECTOR

U03b-31

IGBT

Corriente de cola

Se mejora la cada de tensin y resistencia cuando est en ON. El inconveniente es los tiempos de conmutacin., especialmente el paso a OFF.

Se produce la corriente de cola.

- El MOSFET efectivo se apaga rpidamente al quitar la tensin de puerta. (i2=0).

- La corriente i2 sigue circulando debido a los portadores minoritarios inyectados en la regin n-. - Estos portadores slo se eliminan por recombinacin => Corriente de cola en el apagado.

Provoca prdidas altas y limita la frecuencia de funcionamiento.

Para acelerar este proceso se introducen centros de recombinacin => Mayor resistencia. Hay que llegar a un compromiso.
U03b-32

IGBT

Regiones de operacin y Area de operacin segura

Se mejora la cada de tensin y resistencia cuando est en ON. El inconveniente es los tiempos de conmutacin., especialmente el paso a OFF.

Se produce la corriente de cola.

- El MOSFET efectivo se apaga rpidamente al quitar la tensin de puerta. (i2=0).

- La corriente i2 sigue circulando debido a los portadores minoritarios inyectados en la regin n-. - Estos portadores slo se eliminan por recombinacin => Corriente de cola en el apagado.

Lmite trmico de disipacin de potencia. BVDSS. Mxima tensin colector-emisorr.bloqueada.

Delimitada por: IDMax Corriente mxima de drenador.

U03b-33

IGBT

Resumen

Es el dispositivo utilizado en aplicaciones de 500-1700V y potencias de 11000kW. positivo de temperatura facil de poner en paralelo. Facil de disparar. Caida de voltaje pequea. Velocidad intermedia entre MOSFET y BJT. Frecuencia de trabajo tpica 3-30kHz. La tecnologa avanza rpidamente.

Coeficiente

Dispositivos de 3300 V (HVIGBT) Frecuencias de hasta 150kHz.

U03b-34

IGBT

IGBTs comerciales

Part Number
HGTP12N60A4 Single Chip Modules HGTG32N60E2 HGTG30N120D2 CM400HA-12E Multiple Chip Modules CM300HA-24E CM800HA-34H CM800HB-50H High Voltage Modules CM600-90H

Max. Tensin
600V 600V 1200V 600V 1200V 1700V 2500V 4500

Max. Corriente
23A 32A 30A 400A 300A 800A 800A 900A

Vf
2.0V 2.4V 3.2A 2.7V 2.7V 3.3V 3.15V 3.3V

tf
70ns 0.62s 0.58s 0.3s 0.3s 0.6s 1.0s 1.2s

U03b-35

IGBT

Hojas de caractersticas

U03b-36

Tiristores (SCR, GTO, MCTs)

El SCR

Rectificador controlado de silicio (Silicon-Controlled Rectifier) Es el ms antiguo de todos los dispositivos de potencia. Soporta las mayores tensiones (6kV) y corrientes (2kA) => potencias elevadas.

Se emplea en lneas de grandes potencias para transmisin CC, o para interfaces con la red elctrica.

ANODO (A) ANODO (A)

Circuito equivalente

PUERTA (G) PUERTA (G) CATODO (K)

Estructura Smbolo

CATODO (K)

U03b-37

SCR

SCR. Funcionamiento

Bloquea tensiones VAK positivas o negativas.

Union pn- polarizada inversamente en ambos casos.

DISPARO DESEADO DEL TIRISTOR.

Corriente en la puerta, (Q1BASE), activa Q1, y a su vez se activa Q2. Porque la base de Q2 y el colector de Q1 estn unidos. Hay realimentacin => No se necesaria la corriente en la puerta. Disparo por rfagas.

No se puede apagar de forma controlada. (SEMICONTROLADO).

Tiene que anularse la corriente en funcin del circuito.
Extincin libre o forzada. ANODO (A) ANODO (A)

DISPARO NO DESEADO.
Por tensin excesiva VAK. Por luz. Por variacin excesiva de tensin o corriente. Se utilizan protecciones.

PUERTA (G) PUERTA (G) CATODO (K) CATODO (K)

U03b-38

SCR

Regiones de funcionamiento
Zona de BLOQUEO DIRECTO.
No hay disparo en la puerta. VAK<VBO.

Zona de CONDUCCIN.
Disparo en la puerta. Igual que un diodo. (pendiente=1/RON). Resistencia y cada de tensin pequeas.

Zona de BLOQUEO INVERSO.

VAK<0.

Zona de RUPTURA.

AK<VRWM.

U03b-39

SCR

Polarizacin directa e inversa

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

U03b-40

SCR

Caractersticas dinmicas
tq: Tiempo que debe estar polarizado inversamente. trr: tiempo de recuperacin inversa (igual qne en diodos).

U03b-41

SCR

Hoja de caractersticas
Tensin directa de pico repetitivo Tensin umbral Tensin de ruptura Corriente media nominal Corriente RMS Corriente de enganche Corriente de mantenimiento. Tiempo de encendido Tiempo de recuperacin inversa Tiempo de bloqueo Corriente minima de disparo Tensin minima de disparo Variacin mxima de tensin VDRM VT VBO IF(AV) IFRMS IL IH toN trr tq IGTmin VGTmin dV/dt Mx. tensin directa que puede soportar el tiristor entre nodo y ctodo. Tensin umbral necesaria para disparar el tiristor. Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms. Corriente directa mxima recomendada que puede conducir el tiristor en valor medio. Corriente directa mxima recomendada que puede conducir el tiristor (RMS). Corriente mnima de nodo que es necesaria para mantener el tiristor en funcionamiento despus de ser disparado. Valor de corriente por debajo del cual el tiristor deja de conducir. Tiempo que tarda en dispararse un tiristor. Tiempo que tarda el tiristor en extinguirse. Tiempo que debe estar el tiristor bloqueado inversamente para que se apage efectivamente. Corriente mnima de puerta para disparar el tiristor. Tensin mnima de puerta para disparar el tiristor. Variacin mxima de tensin que es capaz de soportar el tiristor.

U03b-42

SCR

Hoja de caractersticas (ii)

U03b-43

GTO

Funcionamiento

Tiristor de apagado por puerta (Gate Turn-off Thyristor). Se activa por una seal positiva en la puerta. (= tiristor) Se apaga con una seal negativa en la puerta. Es un interruptor totalmente controlado. Ms rpido que el SCR.

U03b-44

MCT

Funcionamiento

Tiristor controlado por MOS. (MOS Controlled Thyristor) Dispositivo moderno. Intenta aprovechas las ventajas del MOSFET para el disparo y la extincin.

U03b-45

Tiristores (SCR, GTO, MCTs)

Resumen.

La doble inyeccin implica resistencias muy bajas y por tanto cadas de tensin pequeas para voltajes elevados. de colocar en paralelo.

Difciles SCR:

Tensin y corrientes elevadas.

Bajo coste. No se puede apagar.

GTO: Valores de tensiones y corrientes intermedia entre SCR e IGBT.

Ms lento que el IGBT y MCT. Difcil de disparar.

MCT:
Facil de disparar. Mas lento que el IGBT. Dispositivo moderno.

U03b-46