V2 - Rapport - Photonique CNRS

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Photonique & Horizons
La photonique est lorigine de nombreuses ruptures conceptuelles, technologiques et socitales. Ce document a pour vocation daider au portage de cette discipline, en particulier via un travail didentification thmatique et communautaire du monde acadmique. Des travaux analogues ont t raliss ou sont en cours de ralisation dans dautres disciplines. Le rsultat de cette expertise ne pouvait pas tre exhaustif ; il consigne simplement les travaux dune dizaine dexperts1 qui ont accept cette charge, eux-mmes aids par de nombreux autres collgues2 sur la scne nationale. Cest ainsi que 13 grandes thmatiques scientifiques ont t identifies ; nous ne sommes pas revenus sur les impacts socitaux de la photonique, que lon pourra trouver dans plusieurs documents labors par les ples de comptitivit ou le CNOP. Ce travail didentification & portage pourra tre poursuivi en synergie avec les sections du comit national, les groupements de recherche et dintrt scientifique, les fdrations, rseaux et coles thmatiques, les ples de comptitivit, et plus simplement les units de recherche et leurs tutelles o sont accueillis nombre dacteurs pour faire avancer le front de la connaissance.
C. Amra, A. Barthlemy, C. Boccara, D. Decoster, B. Desruelle, O. Gauthier-Lafaye, P. Georges, F. Goudail, F. Lozes, A. Ramdane, P. Royer, C. Seassal, M. Sentis, S. Valette, L. Vivien
2
H. Benisty, S. Bize, S. Blaize, J. M. Blondy, P. Bouyer, X. Briottet, A. Browaeys, L. Buchaillot, R. Carminati, J. Chazelas, S. Chenais, T. Coudreau, M. E. Coupry, B. Dagens, S. Demiguel, V. Devlaminck, N. Dimarcq, B. Dubertret, J.Y. Duboz, S. Enoch, C. Fabre, S. Forget, M. Guarrigues, O. Haeberl, X. Hugon, J. Kasparian, A. Landragin, J. L. Leclerc, M. Lequime, G. Lerondel, V. Malka, C. Man, J. Mangeney, A. de Martino, R. Moncorge, G. Pauliat, J. P. Poizat, Y. Rabinovitch, I. Robert, G. Rousset, O. Soppera, S. Tanzilli, C. Voisin, J. Yu, V. Zeninari,
Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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Sommaire
IMAGERIEETMESURE.........................................................................................................9 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Techniquesdimagerie .............................................................................................10 Loptiqueetlebiomdical.......................................................................................21 Spectroanalyse.......................................................................................................26 Mesuresextrmes...................................................................................................33 Matriauxavancs..................................................................................................40 ProcdstechnologiquesInnovants.........................................................................60 Nanostructuresphotoniques...................................................................................66 Sourcesdelumire..................................................................................................75 Dtectiondelumire...............................................................................................87
MATERIAUX......................................................................................................................39
GENERATION,CONTROLEETDETECTION..........................................................................65
10. MOEMSetNOEMS..................................................................................................91 TRANSPORTETTRAITEMENTDELINFORMATION............................................................93 11. TelecommunicationsoptiquesStockageoptique....................................................94 12. Technologiesoptolectroniquesetphotoniquespourlectroniquedessystmes embarqus........................................................................................................................99 13. Optiqueetinformationquantique,optiqueatomique............................................ 102 ANNEXES......................................................................................................................... 110 14. Quelquescentralesdetechnologie......................................................................... 111 15. Recensement.......................................................................................................... 116
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Sommaire
IMAGERIEETMESURE _______________________________________________________9 1.
1.1 1.2
Techniquesdimagerie_________________________________________________10
Primtre________________________________________________________________ 10 Imageriehyperspectrale____________________________________________________ 11 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________11 Programmesderecherchenationaux ______________________________________________12 Recensementdelacommunautfranaise__________________________________________12 Imageriepolarimtrique____________________________________________________ 12 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________12 Evnementsnationaux __________________________________________________________13 Evnementsinternationaux______________________________________________________13 Recensementdelacommunautfranaise__________________________________________14 Optiqueadaptative________________________________________________________ 14 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________14 Programmesderecherchenationauxetinternationaux _______________________________14 Evnementsnationaux __________________________________________________________15 Evnementsinternationaux______________________________________________________15 Recensementdelacommunautfranaise__________________________________________15
1.2.1 1.2.2 1.2.3
1.3
1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.3.4
1.4
1.4.1 1.4.2 1.4.3 1.4.4 1.4.5
1.5
Imageriepntrante_______________________________________________________ 15 1.5.1 ImagerieTHz__________________________________________________________________15 1.5.2 ImagerieX ____________________________________________________________________15 1.5.3 Imagerie ___________________________________________________________________16 1.5.4 Communautnationale_________________________________________________________16
1.6.1 1.6.2 1.6.3
1.6
Nouvellesmicroscopies_____________________________________________________ 16 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________16 Principalesconfrencesinternationalesdudomaine__________________________________16 Structurationdelacommunautfranaise__________________________________________17 Imagerieenchampproche__________________________________________________ 17 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________17 Evnementsnationaux __________________________________________________________18 Evnementsinternationaux______________________________________________________18 PositiondelaFrancedanslecontexteinternational __________________________________18 Recensementdelacommunautfranaise__________________________________________18 Imageriedanslesmilieuxdiffusants __________________________________________ 18 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________18 Communautfranaise _________________________________________________________19 Confrencesinternationales _____________________________________________________19
1.7
1.7.1 1.7.2 1.7.3 1.7.4 1.7.5
1.8
1.8.1 1.8.2 1.8.3
1.9 Coconceptionetdtectioncompressive:versuneunificationencoreplustroitede limagerieetdutraitementdusignal._______________________________________________ 19 1.9.1 Enjeux,perspectives,dfis_______________________________________________________19 1.9.2 Evnementsinternationaux______________________________________________________20
2.
2.1 2.2
Loptiqueetlebiomdical ______________________________________________21
Primtre________________________________________________________________ 21 Biologie _________________________________________________________________ 21
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2.3
2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5
Mdecine________________________________________________________________ 23 LeDiagnosticMdical __________________________________________________________23 LaThrapie___________________________________________________________________24 LOptiqueBiomdicaleetlesCentrales_____________________________________________25 LOptiquebiomdicaleenFrance _________________________________________________25 Quelquesexemplesdecongrs___________________________________________________25
3.
3.1
Spectroanalyse ______________________________________________________26
3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.1.4 3.1.5 3.1.6 3.1.7
Spectromtreoptiqueintgr _______________________________________________ 26 Primtre ____________________________________________________________________26 Rseauxdediffraction__________________________________________________________26 SpectromtresdeFourier _______________________________________________________26 FabryProtetfiltrageoptique ___________________________________________________27 DfisEnjeux_________________________________________________________________27 LesprincipauxprogrammesderechercheLesmanifestationsnationalesetinternationales__27 Lesacteursfranaisdudomaine__________________________________________________27 Applicationslatmosphredimpulsionsultrabrves ___________________________ 28 Primtre ____________________________________________________________________28 DfisEnjeux_________________________________________________________________28 LesprincipauxprogrammesderechercheLesmanifestationsnationalesetinternationales__28 Lesacteursfranaisdudomaine__________________________________________________29 LIBS:unetechniquemergentepouranalyselmentaire________________________ 29 Primtre ____________________________________________________________________29 DfisEnjeux_________________________________________________________________30 LesprincipauxprogrammesderechercheLesmanifestationsnationalesetinternationales__30 Lesacteursfranaisdudomaine__________________________________________________31 Spectromtrieinfrarougeaveclasercascadequantique_________________________ 31
3.2
3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.2.4
3.3
3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4
3.4
3.4.1 Primtre ____________________________________________________________________31 3.4.2 DfisEnjeux_________________________________________________________________31 3.4.3 LesprincipauxprogrammesderechercheLesmanifestationsnationalesetinternationalesles principauxacteursfranais ______________________________________________________________31
4.
4.1 4.2
Mesuresextrmes _____________________________________________________33
Primtre________________________________________________________________ 33 Mtrologiedesfrquencesmicroondes_______________________________________ 33 Fontainesatomiques ___________________________________________________________33 Horlogesspatialesatomesfroids ________________________________________________33 Horlogespigeagecohrentdepopulation ________________________________________34 Horlogesatomesfroidscompactes_______________________________________________34 Oscillateursmicroondeultrastables ______________________________________________34
4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4 4.2.5
4.3
Mtrologiedesfrquencesoptiques__________________________________________ 34 4.3.1 Dissminationderfrencesdefrquenceettransfertdutemps________________________35 4.3.2 Interfromtresondesdematire_______________________________________________35 Interfromtresultrasensibles_______________________________________________ 36 Mtrologiedesdistances ___________________________________________________ 36 Programmesnationaux,positionnementinternational___________________________ 37 Structurationdelacommunaut_____________________________________________ 37
4.4 4.5 4.6 4.7
MATERIAUX ______________________________________________________________39
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5.
5.1 5.2
Matriauxavancs____________________________________________________40
Primtre________________________________________________________________ 40 Semiconducteursgrandgap_______________________________________________ 40 ZnSeZnSetalliages ____________________________________________________________41 ZnO_________________________________________________________________________41 GaNetalliages ________________________________________________________________42 SiC__________________________________________________________________________42 Diamant _____________________________________________________________________43 Programmesnationaux,positionnementinternational ________________________________43 Recensementdecommunaut ___________________________________________________43 Semiconducteursporeux:matriauxphotoniquesmultifonctionnels ______________ 44 Gnralitsetfaitsmarquants ___________________________________________________44 Perspectives__________________________________________________________________45 Principauxvnementsnationauxetinternationaux__________________________________45 Rsum______________________________________________________________________46 Lescramiquestransparentespourloptique___________________________________ 46 Historique____________________________________________________________________46 Perspectivestechnologiques_____________________________________________________47 Programmesnationauxetinternationaux___________________________________________47 LespolymresApplicationloptique ________________________________________ 47 Gnralits:lespolymrespourloptique __________________________________________47 Lesphotopolymres____________________________________________________________48 Lesprincipauxdfis ____________________________________________________________50 Principauxvnementsnationauxetinternationaux__________________________________50 Principauxacteursacadmiquesnationaux _________________________________________50 Industrielspotentiels___________________________________________________________50 Lesbotesquantiquescollodales;unmatriauauxmultiplesfacettes ______________ 50 Primtre ____________________________________________________________________50 Perspectivesscientifiques,dfis __________________________________________________51 Programmesnationauxetpositionnementinternational_______________________________52 Recensementdecommunaut ___________________________________________________52 Cristauxpourloptiqueetleslasers___________________________________________ 52 Primtre ____________________________________________________________________52 Lescristauxluminescents ________________________________________________________52 Lescristauxfortesusceptibilitdilectrique _______________________________________53 Perspectivesscientifiques,dfis __________________________________________________54 Programmesnationaux,positionnementinternational ________________________________56 Evnementsinternationaux______________________________________________________56 Recensementdecommunauts __________________________________________________56 Lesnanotubesdecarbone __________________________________________________ 57 Primtreetcontexte __________________________________________________________57 Perspectivesetdfis ___________________________________________________________58 Programmesnationaux,positionnementinternational ________________________________59 Recensementdecommunaut ___________________________________________________59
5.2.1 5.2.2 5.2.3 5.2.4 5.2.5 5.2.6 5.2.7
5.3
5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.3.4
5.4
5.4.1 5.4.2 5.4.3
5.5
5.5.1 5.5.2 5.5.3 5.5.4 5.5.5 5.5.6
5.6
5.6.1 5.6.2 5.6.3 5.6.4
5.7
5.7.1 5.7.2 5.7.3 5.7.4 5.7.5 5.7.6 5.7.7
5.8
5.8.1 5.8.2 5.8.3 5.8.4
6.
6.1 6.2
ProcdstechnologiquesInnovants ______________________________________60
Primtre________________________________________________________________ 60 Lesprocdsdemodificationdespropritsdunmatriausansenlvementdematire60 6.2.1 Dopage,Recuit,Cristallisation____________________________________________________60 6.2.2 Modificationdindice2Det3D ___________________________________________________60
6/120
6.3
6.3.1 6.3.2
Procdsdecrationdenouveauxmatriaux __________________________________ 61 Filmsminces,filmsnanostructursparPLD_________________________________________61 Productiondenanoagrgatsfonctionnalissenmilieuxgazeuxouliquide ________________61
6.4 6.5
Procdsdetraitementsdesurface___________________________________________ 62 Procdsdemicroetnanousinage2Det3D ___________________________________ 62 Usinagedirect _________________________________________________________________62 NanoUsinageparrenforcementlocalduchamplaser_________________________________63 Programmesnationaux,europensetpositionnementinternational _______________ 63 Acteursprincipauxetpositionnementinternational _____________________________ 63
6.5.1 6.5.2
6.6 6.7
GENERATION,CONTROLEETDETECTION _______________________________________65 7.
7.1 7.2
Nanostructuresphotoniques ____________________________________________66
Primtre________________________________________________________________ 66 Structuresplasmoniques ___________________________________________________ 67 Propritsphysiquesdesplasmonsetmodlisation __________________________________67 Transmissionextraordinairesurlestamisphotons __________________________________68 Lesnanoantennes_____________________________________________________________68 Lasers,LED,OLED,cellulesphotovoltaques_________________________________________68 Biocapteurs,nanostructureshybrides,plasmoniquemolculaire ________________________68 Plasmonique"originelle"________________________________________________________69 Lacircuiterieplasmonique____________________________________________________69
7.2.1 7.2.2 7.2.3 7.2.4 7.2.5 7.2.6 7.2.7
7.3
Couchesmincesoptiques ___________________________________________________ 69 7.3.1 Lestechniquesdesynthse______________________________________________________69 7.3.2 Lesprocdsnergtiques ______________________________________________________70 7.3.3 Lecontrleinsituducomposant __________________________________________________70 7.3.4 Latenueauxfluxlumineuxintenses _______________________________________________70
7.4.1 7.4.2 7.4.3 7.4.4
7.4
Cristauxphotoniques ______________________________________________________ 70 Modesdelumirelente,ingnieriedeladispersion __________________________________70 Nouveauxmatriaux,nouvellesfonctions __________________________________________70 Versunegammespectraleplustendue ___________________________________________71 Mthodesdeconception,deralisationetdecaractrisation ___________________________71 Mtamatriaux ___________________________________________________________ 71
7.5 7.6
Fibresoptiquesnanostructures _____________________________________________ 72 7.6.1 StructuresPCFfonctionnalises ___________________________________________________72 7.6.2 Technologiesolgel,fibrescomposites,nanoinclusions _______________________________72 7.6.3 Ondesdeplasmon _____________________________________________________________72 Programmesnationaux,positionnementinternational___________________________ 72 7.7.1 Plasmonique__________________________________________________________________72 7.7.2 Couchesmincesoptiques ________________________________________________________73 7.7.3 Cristauxphotoniques___________________________________________________________73 7.7.4 Mtamatriaux________________________________________________________________73 7.7.5 Fibresoptiquesnanostructures__________________________________________________73
7.8.1 7.8.2 7.8.3 7.8.4 7.8.5
7.7
7.8
volutionetrecensementdecommunaut _____________________________________ 73 Plasmonique__________________________________________________________________73 Couchesmincesoptiques ________________________________________________________74 Cristauxphotoniques___________________________________________________________74 Mtamatriaux________________________________________________________________74 Fibresoptiquesnanostructures__________________________________________________74
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8.
8.1 8.2
Sourcesdelumire ____________________________________________________75
Primtre________________________________________________________________ 75 Laserssemiconducteur___________________________________________________ 75 Amliorationdespropritsdegaindumatriauactif ________________________________75 Augmentationduspectredmissionaccessible ______________________________________76 Amliorationdesperformancesdescomposants,obtentiondesperformancesultimes ______76 Rupturestechnologiques:VECSELS,Cristauxphotoniques,microlasers__________________76 Intgrationphotonique(interne/externe) __________________________________________77 Laserscascadequantique______________________________________________________77 Recensement _________________________________________________________________78 Diodeslectroluminescentesinorganiques(LED)________________________________ 79 Diodeslectroluminescentesorganiques(OLED) ________________________________ 80 Recensement _________________________________________________________________81
8.2.1 8.2.2 8.2.3 8.2.4 8.2.5 8.2.6 8.2.7
8.3 8.4 8.5
8.4.1 8.5.1 8.5.2 8.5.3 8.5.4
Sourceslasersltatsolide_________________________________________________ 81 Laserssolidespompspardiodes _________________________________________________81 Lasersfibre _________________________________________________________________82 Conversionnonlinaire_________________________________________________________83 Recensement _________________________________________________________________83 Sourcesdelumireextrme_________________________________________________ 83 Grandsinstrumentslaser________________________________________________________83 Rayonnementsynchrotronetlaserlectronslibres __________________________________85
8.6
8.6.1 8.6.2
9.
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5
Dtectiondelumire __________________________________________________87
Primtre________________________________________________________________ 87 Dtectionpourletraitementdelinformationhautdbit_________________________ 87 Lesimageurs _____________________________________________________________ 87 Lescellulesphotovoltaques_________________________________________________ 89 Acteurs,programmesetvnementsprincipaux________________________________ 90
10. MOEMSetNOEMS ____________________________________________________91

10.1 10.2 10.3 Contexte_______________________________________________________________ 91 Leschampsdapplication_________________________________________________ 91 Prospectives____________________________________________________________ 92
TRANSPORTETTRAITEMENTDELINFORMATION________________________________93 11. TelecommunicationsoptiquesStockageoptique____________________________94

11.1 11.2 11.3 11.4 11.5 11.6 Primtre______________________________________________________________ 94 Tlcommunicationsoptiques _____________________________________________ 95 IntgrationdelaphotoniquesurcircuitsCMOS _______________________________ 95 Stockageoptique________________________________________________________ 97 Programmesnationaux,positionnementinternational _________________________ 97 Evolutionetrecensementdecommunaut___________________________________ 98
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12. Technologiesoptolectroniquesetphotoniquespourlectroniquedessystmes embarqus _______________________________________________________________99

12.1
12.1.1 12.1.2
Primtre______________________________________________________________ 99 Cblageetdportoptique_______________________________________________________99 Traitementoptiquedesignauxhyperfrquences____________________________________100 Axesdtude __________________________________________________________ 100 Principauxvnementsnationauxetinternationaux__________________________ 101 Principauxacteursacadmiques __________________________________________ 101
12.2 12.3 12.4
13. Optiqueetinformationquantique,optiqueatomique_______________________102
13.1 13.2 Primtre_____________________________________________________________ 102 Sourcesatomiquesultrafroides ___________________________________________ 102
13.2.1 Lesgazultrafroids:unmilieuopaque__________________________________________103 13.2.2 Lesmlangesdgnrsfermionsbosons,versdessimulateursquantiquespourlamatire condense __________________________________________________________________________103 13.2.3 Lelaseratomes,versunenouvelleoptiqueatomique____________________________103
13.3 13.4 13.5 13.6 13.7 13.8 13.9 13.10 13.11
Composantspourloptiqueatomique ______________________________________ 104 Communicationsquantiques _____________________________________________ 104 Gnrationetdtectiond'tatsquantiquesdelalumire______________________ 105 Mmoiresquantiques___________________________________________________ 105 Porteslogiquesquantiques_______________________________________________ 106 Imageriequantique_____________________________________________________ 108 Manipulationoptiquedespin_____________________________________________ 109 Programmesnationaux,positionnementinternational ________________________ 109 Structurationdelacommunaut __________________________________________ 109
ANNEXES________________________________________________________________110 14. Quelquescentralesdetechnologie ______________________________________111

14.1
14.1.1 14.1.2
Grandescentralestechnologiques_________________________________________ 111 LeprogrammeRTB____________________________________________________________111 LaphotoniquedansleprogrammeRTB____________________________________________112 Lescentralesspcifiqueset/oudeproximit ________________________________ 113 Plateformefibresoptiquesdenouvellegnration ___________________________ 114
14.2 14.3
15. Recensement________________________________________________________116
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IMAGERIEETMESURE
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1 . TECHNIQUES DIMAGERIE
1.1 Primtre Limagerie est au cur de nombreux dveloppements rcents dans le domaine de la photonique. Cest aussi souvent le vecteur par lequel les technologies photoniques diffusent dans dautres domaines scientifiques. Le dveloppement rapide de limagerie est rendu possible par les progrs technologiques raliss essentiellement dans deux domaines. Le premier est linstrumentation, en particulier les capteurs dimages, qui permettent de raliser des images dans des domaines autrefois interdits comme le faible flux, les phnomnes rapides ou dans de nouvelles gammes spectrales, mais aussi les modulateurs spatiaux de lumires (en intensit, en phase ou en polarisation), qui sont des lments essentiels dans de nombreuses techniques dimagerie innovantes. Le second est laugmentation de la capacit des moyens de calcul. En effet, les systmes dimagerie modernes utilisent tous des traitements numriques pour extraire ou reprsenter linformation et ncessitent pour cela des puissances de calcul toujours croissantes. On constate galement que les dveloppements instrumentaux en imagerie suscitent de nouvelles questions thoriques, ou plutt les posent avec une acuit nouvelle, de nouveaux moyens dobservation et des perspectives applicatives suscitant souvent leffort ncessaire pour faire sauter des verrous thoriques. Cest le cas par exemple pour le rayonnement thermique en champ proche, dont ltude thorique a connu un regain dintrt grce aux progrs de la microscopie de champ proche, ou de limagerie de polarisation o les masses de donnes rendues disponibles par les imageurs polarimtriques poussent approfondir la thorie des matrices de Mueller. Cet aller-retour entre dveloppements exprimentaux et recherche thorique est lune des caractristiques les plus intressantes du domaine de limagerie. Dune manire gnrale, un grand nombre de mesures physiques qui taient autrefois ralises de manire ponctuelle le sont maintenant sous forme dimages N dimensions. Cest le cas par exemple des mesures spectrales, polarimtriques ou des proprits non-linaires de la matire. Cela induit une convergence toujours plus forte entre les domaines de linstrumentation, de la physique et du traitement du signal et des images. En effet, le dveloppement dune technique dimagerie fait aujourdhui intervenir de manire totalement imbrique et simultane linstrumentation, qui permet dacqurir le signal, le traitement du signal, qui permet dextraire linformation utile du signal mesur et la physique qui permet dinterprter les mesures et den suggrer de nouvelles. Aujourdhui, un imageur nest donc plus simplement un instrument mais un systme complet. Cela induit des convergences entre des domaines de la physique autrefois disjoints. Cette confluence peut se manifester au niveau des technologies instrumentales : loptique adaptative en est un bon exemple, puisquelle a diffus de lobservation militaire vers lastronomie, et maintenant vers le domaine de limagerie biomdicale. On peut aussi citer le concept de synthse douverture, dvelopp lorigine dans le domaine du radar et du sonar, qui est de plus en plus utilis pour augmenter la rsolution des imageurs optiques. Enfin, cest lapplication des technologies microlectroniques la photonique qui permet de concevoir des capteurs de taille toujours plus rduite et dintgrer des fonctions de traitement dans le capteur lui-mme. Cette confluence se manifeste galement au niveau des techniques de traitement numrique des images, qui peuvent tre vues comme un trait dunion entre des techniques dimagerie qui intressent des domaines de la physique trs diffrents. Ainsi, la dconvolution dimages, lestimation de position, la reconstruction et la visualisation de donnes multidimensionnelles sont des problmatiques communes des communauts aussi diffrentes que lastronomie, la tldtection ou limagerie biologique. Limagerie est donc un domaine o la pluridisciplinarit est non seulement souhaitable mais absolument ncessaire, o elle sexprime dailleurs dj et ne demande qu tre reconnue et soutenue.
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Dans la suite de ce texte, on dcrit les perspectives et enjeux de diffrentes techniques dimagerie. Limagerie est un domaine foisonnant qui recouvre pratiquement tous les domaines de la physique, il nest donc pas possible de prtendre lexhaustivit. Notre objectif est donc simplement de donner des exemples en insistant sur leur aspect pluridisciplinaire et innovant. Nous avons choisi les domaines suivants : limagerie hyperspectrale, limagerie polarimtrique, loptique adaptative, limagerie pntrante, les nouvelles techniques de microscopie, limagerie travers les milieux diffusants. Nous conclurons avec des approches rcentes qui unifient encore plus troitement imagerie et traitement de linformation : la co-conception et la dtection compressive. Pour chacun de ces domaines, nous avons fait la liste des vnements et des programmes de recherche nationaux et internationaux ainsi quune liste des principaux laboratoires franais, sans prtendre ici non plus lexhaustivit.
1.2 1.2.1
Imagerie hyperspectrale Enjeux, perspectives, dfis
Limagerie spectrale consiste faire une image dans plusieurs bandes spectrales diffrentes pour obtenir une analyse spectrale de chaque point dune scne. Cette technique a connu ses premiers dveloppements importants dans le domaine de la gologie puis de la dfense. Aujourdhui, alors que des instruments commerciaux fiables apparaissent, les applications potentielles dans le domaine civil sont innombrables mais demandent en gnral des sensibilits et des prcisions trs importantes. Elles constituent autant de dfis en termes dinstrumentation, de modlisation physique et de traitement. La plupart des instruments existants fonctionnent dans le spectre visible et proche infra-rouge (appel aussi domaine rflectif) et reposent sur une technologie dispersive utilisant un rseau de diffraction. Le domaine infra-rouge plus lointain (domaine missif) a t moins explor bien quil recle de nombreuses applications potentielles dans les domaines de la gologie, de la dfense et du contrle de lenvironnement. Dans ce domaine spectral, des recherches instrumentales sont menes en parallle sur des mthodes dispersives et des mthodes par transforme de Fourier. Ce dernier type darchitecture, qui prsente des avantages en termes dinstrumentation et de rapport signal bruit ncessite la fois des dveloppements instrumentaux en ce qui concerne les mthodes d'talonnage et plus fondamentaux sur la manire de dfinir les rsolutions spatiale et spectrale de ces instruments, o le spectre est mesur de manire indirecte. En matire dinterprtation physique des images, un enjeu essentiel est la modlisation des changes radiatifs dans le systme Terre-atmosphre. Lorsque les instruments ont des rsolutions spatiales faibles, il est raisonnablement possible dassimiler les zones observes des surfaces planes. Or on peut maintenant accder de la haute rsolution spatiale (infrieure au mtre en aroport), ce qui ncessite de prendre en compte la structure 3D du paysage dans linterprtation physique des images. En particulier, de nouveaux outils de modlisation des changes nergtiques et d'inversion pour remonter aux proprits radiatives du milieu observ sont ncessaires. Les enjeux en matire de traitements des donnes apparaissent plusieurs niveaux. Tout dabord, pour remonter aux proprits intrinsques des matriaux observs, cest--dire leur rflectance, il faut disposer de modles de compensation atmosphrique. Les principaux enjeux portent sur l'amlioration de la prcision de ces mthodes et la prise en compte de surfaces non homognes. Ensuite, le dveloppement de mthodes performantes permettant de remonter aux proprits biophysiques des milieux afin de caractriser l'environnement constitue galement une problmatique importante pour toute la communaut des thmaticiens. Dautre part, lanalyse des donnes hyperspectrales pour valuer les contributions de matriaux prsents sur un mme pixel (recherche de ples de mlange) demande de nouveaux dveloppements en particulier lorsque le milieu observ ne reoit pas un clairement homogne ou en prsence de relief. Enfin, la comprhension des milieux observs en exploitant l'information spectrale est base sur l'utilisation de bases de donnes de proprits optiques spectrales compltes et reprsentatives. Leur acquisition repose sur l'utilisation de moyens spectromtriques tant de laboratoire que de terrain dont les performances doivent tre amliores et adaptes au type de milieu.
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Comme dans tous les systmes dimagerie modernes, les considrations de traitement des donnes doivent intervenir ds la conception du systme. En effet, on assiste la multiplication de capteurs hyper ou multispectraux ddis une application prcise, qui peut aller de lanalyse de tableaux de matres lidentification de jets de propulseurs en passant par limagerie biomdicale. Chacune de ces applications a des besoins spcifiques en termes de rsolution spectrale, de rapidit des mesures, de miniaturisation du capteur. La slection du nombre et de la nature des bandes spectrales suffisantes pour rsoudre une application donne est donc un enjeu essentiel, qui ncessite des efforts thoriques (algorithmes) mais aussi exprimentaux, car on a besoin de bases de donnes fiables et reprsentatives pour tayer ces choix. Une autre tendance lourde dans le domaine de limagerie est la fusion des capteurs de natures diffrentes. Elle est particulirement pertinente en imagerie spectrale. Il est par exemple trs intressant dassocier les techniques photoniques hyperspectrales passives aux techniques actives, bases sur des lidars. Leur utilisation conjointe ncessite des efforts sur les aspects instrumentaux et algorithmiques de fusion de donnes et de recalage des images. Il est important de remarquer que toutes ces problmatiques relient troitement la physique de limage, la conception du systme dimagerie et le traitement. Leur rsolution doit donc faire lobjet dune troite collaboration entre physiciens exprimentateurs, thoriciens et spcialistes du traitement des images.
1.2.2 -
Programmes de recherche nationaux
En 2007, l'ONERA-DOTA avec le soutien de la DGA lance le dveloppement d'un nouvel imageur aroport hyperspectral de rsolution spatiale mtrique sur l'ensemble du domaine optique [0,4 12 m]. Les premires images sont attendues pour 2012. Le CNES a mis en place en 2008 un groupe de synthse sur l'imagerie hyperspectrale spatiale pour identifier l'intrt et l'apport de cette technique dans la comprhension de l'environnement (vgtation, environnement ctier, goscience, milieu urbain). Les organismes suivants : CEADAM, Actimar, Universit de Bordeaux, Universit de Nantes, BRGM, ONERA-DOTA, IPGP y participent, ainsi que les industriels TAS, Astrium. Le CNES a lanc en 2009 une phase 0 auprs des industriels pour la dfinition d'un imageur hyperspectral HyPxim ([0,4 2,5 m]. En Septembre 2009, le CEA-DAM, l'ONERA-DOTA et l'universit de Nantes lancent un groupe de recherche qui se veut structurant pour la communaut scientifique franaise en imagerie hyperspectrale. Recensement de la communaut franaise
1.2.3
CEA-DAM, Actimar, Universit de Bordeaux, Universit de Nantes, BRGM, ONERA-DOTA, IPGP, GIPSA, LCFIO.
1.3 1.3.1
Imagerie polarimtrique Enjeux, perspectives, dfis
On ralise depuis trs longtemps des mesures dtat de polarisation en physique, mais grce la dmocratisation des capteurs dimages et des modulateurs spatiaux de lumire, on peut aujourdhui raliser ces mesures sous forme dimages. Limagerie polarimtrique consiste donc former limage de ltat de polarisation de la lumire rtrodiffuse par chaque point dune scne. Cette technique peut rvler des contrastes qui napparaissent pas dans les images classiques. Plus gnralement, les mesures polarimtriques permettent de remonter des proprits physiques des objets observs telles que ltat des surfaces (rugosit et anisotropie), lorientation, lindice des matriaux, la concentration dune solution, et mme les dimensions dobjets plus petits que la limite de rsolution de loptique. Elles ont de nombreuses applications potentielles en astronomie, en tldtection terrestre et spatiale, en imagerie biologique et en contrle industriel.
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En termes dinstrumentation, les vingt dernires annes ont vu des progrs sensibles dans la compacit et lefficacit des systmes. En France, plusieurs architectures reposant sur des modulateurs cristaux liquides ou des sparateurs de polarisation ont t ralises, et mme intgres des ellipsomtres commerciaux. Des capteurs plus intgrs, reposant par exemple sur des microgrilles de polariseurs places devant le capteur, commencent tre dvelopps, principalement aux Etats-Unis. Lapparition de ces imageurs a ncessit des travaux thoriques sur loptimisation de la robustesse au bruit et la calibration. La disponibilit de donnes en grand nombre a galement suscit un regain dactivit thorique sur la reprsentation des proprits de polarisation de la matire, en particulier la thorie des matrices de Mueller et leurs dcompositions en lments simples. Aujourdhui, lobjectif de cette communaut est une diffusion plus gnralise des mesures polarimtriques diffrents domaines applicatifs tels que limagerie biomdicale, le contrle industriel et la dfense. Cela implique des efforts en termes dinstrumentation, de modlisation physique et de traitement du signal. Concernant le premier aspect, il faut dvelopper des composants, une instrumentation et des architectures de mesure adaptes chaque application. Cest en particulier le cas en imagerie biomdicale, o il faut coupler limagerie polarimtrique avec diffrentes modalits existantes telles que la microscopie linaire (classique ou confocale), lOCT (Optical Coherence Tomography) ou encore la microscopie de fluorescence. Lintrt de mesures polarimtriques compltes doit tre valu pour les techniques plus rcentes de microscopie non linaire (gnration de 2nd ou 3e harmonique, CARS). En tldtection, ladjonction de capacits polarimtriques des modalits dimagerie active est aussi une perspective prometteuse. Ces nouvelles applications mettent en jeu des milieux de propagation de natures diffrentes, souvent complexes, alatoires, diffusants comme les milieux biologiques. Un effort thorique est ncessaire pour mieux comprendre la propagation de la lumire polarise et son interaction avec ces milieux. Dans le cas dune illumination cohrente, cest aussi une occasion de revisiter les relations entre cohrence et polarisation, qui font lobjet de travaux thoriques intenses dans la communaut internationale et o de nouveaux moyens de mesures permettraient la fois de trouver des applications et de susciter des questions thoriques nouvelles. Lobjectif final de tout systme dimagerie est dextraire une information de la scne observe. Cest pourquoi les efforts de modlisations physiques et de dveloppement de mthodes de traitement du signal doivent se faire en troite interaction. Linformation polarimtrique est de nature vectorielle, un peu comme limagerie spectrale, mais la topologie de lespace dcrit par les mesures est plus complexe car non linaire. Il est ainsi plus difficile de dterminer des distances, et donc des techniques optimales de traitement du signal. Des avances thoriques dans ce domaine permettraient de mieux dimensionner les systmes, en permettant de dterminer les stratgies de mesure (nombre et nature des grandeurs mesures) adaptes chaque nouvelle application. Cest un enjeu dautant plus crucial que chaque nouvelle application de limagerie polarimtrique prsente des besoins (rapidit, prcision, ) diffrents. 1.3.2 Evnements nationaux
Runions Imagerie optique non conventionnelle de lintergroupe GDR Isis-Onde ( Extraction de l'information et physique des images ) donnent une large place limagerie polarimtrique. Les journes Optique et polarisations runissent tous les ans les laboratoires franais les plus impliqus dans les thmatiques lies la polarimtrie en optique linaire et non linaire (voir liste plus loin). Evnements internationaux
1.3.3 -
Confrence SPIE Polarization: Measurement, Analysis, and Remote Sensing , chaque anne soit en avril, soit en aot. International conference on spectroscopic ellipsometry (ICSE), qui consacre une part significative des exposs limagerie polarimtrique. La priodicit est passe de 4 3 ans. EOS topical meeting on Avanced Imaging Techniques, bi-annuel, prsence de la thmatique imagerie polarimtrique
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1.3.4
Recensement de la communaut franaise
La France est sans doute le pays dEurope o le domaine est le plus actif. Les laboratoires les plus prsents sont : LCFIO, LPICM (Ecole Polytechnique), LSIIT (Strasbourg), LAGIS (Lille), Institut Fresnel, LSOL (Universit de Bretagne Occidentale), Thals TRT Palaiseau (D. Dolfi), ONERA DOTA, IETR (Universit de Rennes I), LPQM Cachan, Institut de Physique de Rennes, MIPS, LE2I (Le Creusot).
1.4 1.4.1
Optique adaptative Enjeux, perspectives, dfis
Loptique adaptative est une technique qui permet de compenser les dfauts du front donde induits par les fluctuations de lindice du milieu de propagation afin damliorer la rsolution des images. Cette technologie a dabord t dveloppe pour lobservation militaire, mais elle a connu ses plus clatants succs en astronomie car elle permet aux tlescopes terrestres dexploiter la pleine ouverture de leurs miroirs. Aujourdhui, elle est devenue un lment indispensable de tous les projets de grands tlescopes, comme par exemple le projet dExtremely Large Telescope (ELT) de lESO (European Southern Observatory). Les enjeux dans ce domaine sont de repousser les limites de la technologie pour contribuer, en association avec dautres types de mesures, rsoudre des applications telles lobservation des galaxies primordiales et la dtection dexo-plantes. Cest le cas par exemple de linstrument SPHERE, destin quiper le VLT (ESO), qui combine une optique adaptative extrmement performante, un coronographe et des systmes dimagerie spectrale et polarimtriques, dites diffrentielles. Loptique adaptative diffuse dans dautres domaines que lastronomie, au premier rang desquels on trouve limagerie biomdicale. Elle permet en particulier de traiter les milieux turbides (transparents mais sujets des fluctuations dindice) tels que lil. Par exemple, limagerie du fond de la rtine est une mthode de diagnostic trs importante de certaines maladies graves de lil mais ncessite pour cela de rsoudre les photorcepteurs dont la taille est de 1 2 m. Les systmes classiques natteignent pas cette rsolution en raison des fluctuations de chemin optique dans le segment antrieur de lil, mais ce problme peut tre rsolu en les compensant par des techniques doptique adaptative. Coupl un systme dOCT (Optical Coherence Tomography), cela permettra dobtenir une image rsolue en trois dimensions des photorcepteurs de la rtine. Lapplication de loptique adaptative la biologie requiert bien entendu une adaptation des techniques instrumentales, mais elle ncessite surtout des tudes fondamentales sur les fluctuations des milieux biologiques, qui sont moins bien connues que celles de latmosphre. En effet, une bonne modlisation de la structure spatiale et de la dynamique temporelle des dfauts dindices dans les milieux biologiques est essentielle pour dfinir les algorithmes de contrle de la boucle de rtroaction du miroir dformable. Ces tudes sont encore plus cruciales si lon souhaite appliquer loptique adaptative limagerie dans les milieux biologiques diffusants (par exemple le cerveau par microscopie deux photons) dont les proprits sont encore plus loignes de celles de latmosphre. Les autres applications de loptique adaptative sont la focalisation des lasers trs puissants ou de haute nergie (laser mgajoule par exemple), ldes tlcommunications optiques en espace libre, les faisceaux lumineux des synchrotrons et bien sr de la dfense. 1.4.2 Programmes de recherche nationaux et internationaux
Optiques adaptatives des ELT et des instruments scientifiques (E-ELT en Europe et TMT aux USA) Instruments scientifiques du VLT pour le grand champ avec toile lasers (MUSE, AOF), la dtection dexoplantes (SPHERE) et lobservation du trou noir du centre galactique (VLTI GRAVITY) Imagerie de la rtine linstitut de la vision (hpital des XV-XX) Microscopie deux photons dans le cerveau, synchrotron Soleil, laser Mgajoule au CEA, lasers intenses
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1.4.3
Evnements nationaux
Journes Recherche Industrie de l'Optique Adaptative chaque anne en novembre. 1.4.4 Evnements internationaux
Confrence SPIE : Astronomical Telescopes and Instrumentation Confrence OSA : Adaptive Optics: Methods, Analysis and Applications Recensement de la communaut franaise
1.4.5 -
Laboratoires de lINSU (CNRS) : CRAL/observatoire de Lyon, GEPI/Observatoire de Paris, LAM/Universit Aix-Marseille, LAOG/Universit J. Fourier, LESIA/ Observatoire de Paris LPS/ENS, ESPCI, SOLEIL, LOA/ENSTA, LULI/Ecole Polytechnique, L2TI/Universit Paris 13, ONERA, CEA, Hpital des XV-XX, IBL/Lille - Industriels : Thales TRT, Sagem, Imagine optic, Imagine Eyes, Shaktiware, Cilas, Alpao, Phasics, Phaseview, Silios
1.5
Imagerie pntrante
Les progrs technologiques raliss ces dernires annes dans le domaine des sources de lumire et des photodtecteurs ont permis de faciliter laccs des bandes spectrales jusque l peu exploites pour limagerie, comme le domaine TraHertz ou celui des rayons X et . Dans ces domaines de longueur donde, un nombre important de matriaux prsente une bonne transparence qui peut tre exploite pour diffrents types dapplications. 1.5.1 Imagerie THz
Outre les bonnes proprits de pntration de ces rayonnements travers diffrents matriaux (tissus, plastiques, papiers, certains matriaux de construction), ces derniers prsentent en outre lintrt dtre non ionisants. Ils permettent donc la mise en uvre dun nouveau type dimageurs capables par exemple de dtecter des armes demport ou des ceintures dexplosifs camoufls sous des vtements ou cachs dans des bagages. Des perspectives intressantes sont galement identifies dans le domaine du contrle des procds industriels avec par exemple le suivi de la qualit de fabrication des composants lectroniques, ou des comprims pharmaceutiques. Les enjeux scientifiques sur cette thmatique reposent dune part sur lamlioration des performances des composants de base ncessaires la ralisation des systmes dimagerie, notamment les dtecteurs de lumire. Un effort important est galement mener dans le domaine de la spectroscopie THz pour comprendre de manire fine les proprits dinteraction entre le rayonnement THz et la matire, et identifier les modes opratoires les plus prometteurs. 1.5.2 Imagerie X
Cette technique est dj largement utilise pour les applications mdicales et de scurit, mais de nouvelles perspectives ont t identifies. Parmi les tendances principales, on peut notamment citer un intrt particulier pour limagerie X multispectrale qui devrait permettre daccder des informations considrablement enrichies. Il sagit notamment de faire progresser les architectures dinstruments et les traitements de donnes associes pour aboutir une capacit didentification des matriaux. Par rapport aux dispositifs existants bass sur la dtection de formes suspectes, cette approche permettrait notamment de dtecter la prsence de matriaux explosifs cachs dans des bagages. Par ailleurs, les nouvelles sources laser femtoseconde permettent dimaginer une nouvelle gnration de sources de rayons X qui soit simultanment i) compacte, ii) de haute brillance pour limagerie trs haut contraste et trs grande rsolution spatiale, iii) ultracourte pour limagerie dans les domaines temporel et spectral avec rsolution femtoseconde. Un effort important est mener pour imaginer les architectures et dvelopper les briques technologiques ncessaires la ralisation de ces nouveaux instruments. Ces recherches permettront par exemple de faire progresser les techniques de tomographie X dynamique notamment au profit des sciences du vivant, ou pour la caractrisation 4D de matriaux et nanosystmes.
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1.5.3
Imagerie
Comme pour les sources de rayons X, les progrs raliss dans le domaine des lasers impulsions ultra-brves prsentent de nombreux avantages pour la gnration de rayons . En effet, lutilisation dimpulsions brves de forte puissance focalises sur des matriaux appropries permet dobtenir des sources offrant notamment une excellente brillance. Ces rayonnements hautement nergtiques possdent un bon pouvoir de pntration travers la matire dense et cette technologie prsente un intrt pour des applications de radiographie haute rsolution, permettant par exemple de dtecter la prsence de fissures lintrieur de pices mcaniques paisses. Les enjeux scientifiques sorientent principalement autour de nouvelles architectures dimageurs permettant de tirer un profit maximum des progrs technologiques au niveau des sources et dtecteur
1.5.4 -
Communaut nationale
La communaut nationale dans le domaine du THz est compose de nombreuses quipes de recherche : IMEP-LAHC, IEMN, CPMOH, IEF, GES, IES, MPQ, LPA, CHREA, LAAS, LPCA, PhLAM, FEMTO-ST, LERMA, LISIF, LSLP, LURE Cette communaut sest bien structure autour du GDR 2897 qui sest rcemment tendu linternational. Nouvelles microscopies Enjeux, perspectives, dfis
1.6 1.6.1
La microscopie optique est la technique de rfrence pour lobservation de spcimens vivants, en 3D, ventuellement sur de longues priodes. Si son domaine de prdilection est la biologie, de nombreux travaux sont aussi actuellement mens en imagerie des solides ou des surfaces et en micro- et nanotechnologies. Le domaine de la microscopie optique a connu des bouleversements trs importants ces dernires annes, avec le dveloppement des techniques non-linaires grce aux lasers ultrarapides (fluorescence multi-photon, gnration de seconde ou troisime harmonique, microscopies Raman), et le couplage llectronique rapide et linformatique (imagerie nD : spatiale, spectrale, en temps de vie, polarimtrique). On assiste donc actuellement une convergence de nombreux domaines autour du microscope, qui nest plus un instrument en lui-mme, mais un gnrateur et un capteur dinformations qui sont distribues vers des systmes de dtection toujours plus divers et des systmes de traitement toujours plus volus. La microscopie optique a longtemps t handicape par sa rsolution spatiale limite (par rapport aux techniques de champs proches ou la microscopie lectronique par exemple). Le problme a t essentiellement rsolu en microscopie de fluorescence, par linvention des techniques dillumination structure 2D ou 3D, et surtout par les techniques STED (STimulated Emission Depletion microscopy) et de superlocalisation (PALM/STORM/F-PALM), qui sont mme dj commercialises ou en phase de commercialisation. Les techniques de microscopie sans marquage plus classiques (transmission, rflexion par exemple) restent cependant les plus rpandues, mais ont fait lobjet de peu de dveloppements rcents en comparaison. Parmi les approches prometteuses, on peut noter la microholographie et les techniques de synthse douverture (tomographie diffractive) qui couplent un systme de microscope nouveau (en lumire cohrente) lordinateur pour une reconstruction numrique des images donnant accs plus dinformation : rsolution amliore, mesure de proprits physiques du spcimen autres que simplement dimensionnelles, et qui devraient avoir des retombes positives pour tous les domaines utilisant la microscopie optique. Les techniques non linaires sont elles aussi appeles de forts dveloppements, et pour les mmes raisons : un phnomne physique diffrent est utilis pour acqurir une information inaccessible par les systmes plus classiques. 1.6.2 Principales confrences internationales du domaine
Focus on Microscopy, Novel Techniques in Microscopy, European Conference on Biomedical Optics, Biomedical Optics and 3-D Imaging, Photonics Europe, Photonics East/West
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1.6.3
Structuration de la communaut franaise
En France, le GdR2588 Microscopie Fonctionnelle du Vivant coordonne les laboratoires dveloppant ou utilisant les techniques de microscopie optique (au moins dans le domaine de la biologie), et vise aussi fdrer les partenaires industriels. Il conviendrait sans doute de consolider lavenir la position des laboratoires franais, dont certains possdent un rel savoir-faire, voire une relle avance dans ce domaine. On peut citer (de manire non exhaustive et par ordre alphabtique) : les ENS Lyon et Paris, lEcole Polytechnique, lESPCI, lInstitut Fresnel, lInstitut dOptique, lInstitut Pasteur, lUniversit de Bordeaux, lUniversit de Grenoble, lUniversit de Haute-Alsace, lUniversit dOrsay, lUniversit de Strasbourg, qui dveloppent de nouveaux systmes de microscopie optique. Notons enfin que si la France ne compte pas (plus) de fabricant majeur dans ce domaine, plusieurs de ses industriels y sont actifs : fabricants de sources laser, de dtecteurs, doptique adaptative, de sousensembles optiques ou opto-mcaniques.
1.7 1.7.1
Imagerie en champ proche Enjeux, perspectives, dfis
Il existe aujourd'hui deux grandes familles de SNOM (Scanning Near Field Optical Microscopy) qui diffrent essentiellement sur le type de sonde utilise. On distingue les SNOM sonde ouverture optique et les SNOM sonde sans ouverture optique. Dans le premier cas, la sonde est typiquement une fibre optique effile mtallise pouvant jouer le rle de nano-source ou celui de nano-dtecteur ; dans le deuxime cas, une sonde en matriau massif (dilectrique, semi-conductrice de type AFM ou mtallique) joue le rle d'un nano-objet transformant par diffusion les ondes vanescentes du champ proche de l'chantillon en ondes propagatives pouvant alors tre dtectes classiquement en champ lointain par un objectif de microscope. Le SNOM, son origine, a surtout t pressenti comme un instrument qui permettrait l'observation par voie optique, au sens de l'imagerie, des surfaces avec une rsolution bien infrieure celle atteinte par la microscopie optique classique. En fait, il s'avre que c'est la spectroscopie locale des surfaces qui occupe aujourd'hui une place prpondrante au niveau des recherches dans ce domaine. En effet, les biologistes, les chimistes et les physiciens utilisent le SNOM comme outil permettant une spectroscopie locale des surfaces et plus gnralement des matriaux. Depuis quelques annes, la technique SNOM intresse particulirement 4 domaines : la plasmonique, lanalyse locale des composants doptique guide et intgre, lanalyse chimique locale des matriaux par spectroscopie Raman et la dtection du rayonnement thermique de la matire. Ces diffrents domaines dtude ont rcemment donn lieu des dveloppements instrumentaux spcifiques du SNOM dont nous proposons ci-dessous une description trs succincte. Le SNOM dtection interfromtrique htrodyne repose sur lutilisation dune sonde diffusante de taille nanomtrique dont le rayonnement est dtect par un systme de microscopie classique. Le bruit de fond cr par les photons diffuss par lchantillon et ninteragissant pas avec la sonde est limin par une technique de dtection htrodyne consistant faire vibrer la sonde pour marquer temporellement les photons quelle dtecte. Cette technique connat un vif intrt dans le domaine de la caractrisation optique de composants optiques intgrs. Le SNOM TERS permet quant lui de raliser des mesures de diffusion Raman exalte de surface (SERS : Surface Enhanced Raman Scattering) et ainsi de mener des analyses trs locales par spectroscopie Raman de molcules uniques adsorbes sur une surface mtallique. Une analyse Raman de molcule unique a ainsi pu tre ralise avec une rsolution denviron 15 20 nm. Enfin, le TRSTM est un SNOM sonde diffusante bas sur la dtection du rayonnement thermique de la matire. Il peut tre appliqu de nombreuses tudes mettant en jeu le rayonnement thermique comme par exemple ltude des transferts de chaleur dans les circuits lectroniques, limagerie de la propagation des ondes de surface dans des guides d'ondes ou ltude des nano-antennes, Durant ces 10 dernires annes, nous avons vu apparatre de nouvelles configurations de microscopes optiques sonde locale adapte ltude de phnomnes ou dobjets particuliers des chelles sub-longueur donde. Il est certain que de nouvelles configurations trs spcifiques verront encore le jour dans les annes venir. Ce qui est toutefois remarquable, cest de constater quaprs 25 annes de recherche et indpendamment du type de configuration, le problme majeur auquel les
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utilisateurs sont toujours confronts se situe essentiellement au niveau de la matrise de la sonde en termes de forme, de dimensions, de reproductibilit. Dans ces conditions, il est compliqu de travailler sur des aspects importants tels que le diagramme de rayonnement ou encore les effets de polarisation lapex de la sonde, aspects faisant actuellement toujours lobjet dinterrogations. Le contrle lchelle nanomtrique de la fabrication de sonde ayant des morphologies facilement modlisables (une nano sphre en extrmit de nano cylindre par exemple) permettrait de mieux comprendre linteraction sonde chantillon et de mieux confronter les rsultats exprimentaux et les rsultats dune simulation applique un type de sonde plus facile modliser. Les travaux de plus en plus nombreux raliss sur des sondes spcifiques jouant le rle de nano antennes optiques permettront des avances significatives dautant plus que certaines gomtries dantenne pourront tre optimises en fonction des moyens de nanofabrication disponibles actuellement et qui ne cessent de progresser. 1.7.2 Evnements nationaux
Workshops organiss par le GDR Ondes , le groupe thmatique 5 tant consacr au champ proche en gnral Sessions dans le cadre de journes scientifiques organises par le club Nano-MicroTechnologie Forum des microscopies sonde locale (chaque anne) Evnements internationaux
1.7.3 -
Tous les 18 mois, un congrs international spcifique ce domaine est organis (NFO : International Conference on Near Field Optics, Nanophotonics and Related Techniques) - SPP : International Conference on Surface Plasmon Polariton - META : International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics Dans SPP et META, les techniques de microscopie optique sonde locale sont prsentes essentiellement en tant que moyen de caractrisation de nanostructures ou dtude de divers phnomnes optiques lchelle sub-longueur donde. 1.7.4 Position de la France dans le contexte international
La France, partir de 1987, travers les quipes de lUniversit de Dijon et de Besanon ainsi que de lESPCI de Paris a t internationalement visible et trs prsente en microscopie optique en champ proche. Depuis sur le plan scientifique, les quipes franaises travaillant sur le sujet se sont largies et jouent un rle toujours prpondrant au sein de la communaut. Toutefois, on peut regretter une nouvelle fois, que sur laspect instrumentation, nous navons pas t trs performants sur le plan valorisation et transfert de technologie. 1.7.5 Recensement de la communaut franaise
Structuration et animation de la communaut : GDR Ondes / GT5 et GT2 Communaut acadmique franaise : FEMTO ST Besanon - Institut dOptique Palaiseau Institut Carnot de Bourgogne Dijon - Institut Louis Nel Grenoble - IES Montpellier - INL Lyon INSP Paris - LCPE Nancy - LAC Orsay LETI CEA Grenoble CEA saclay ESRF IEF Paris Sud 11 Orsay CLIO Lure Paris Sud Orsay - LPMC et LPICM / Ecole Polytechnique Palaiseau ESCPI Paris - ICD / LNIO Troyes - CEMES Toulouse - Nanoptec Lyon - .
1.8 1.8.1
Imagerie dans les milieux diffusants Enjeux, perspectives, dfis
Limagerie optique des milieux diffusants couvre plusieurs domaines : imagerie biomdicale, imagerie en matire molle (mousses, poudres, collodes), imagerie travers des brouillards, fumes ou atmosphres turbulentes, astrophysique (nuages interstellaires). Limagerie optique biomdicale est le domaine le plus actif actuellement en termes dapplications, et nous allons en dcrire les tendances fortes. Lutilisation de modulateurs spatiaux de lumire (SLM en anglais) permet le contrle de la phase, de lamplitude et de la polarisation lchelle du grain de speckle, sur un grand nombre (106) de modes
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en parallle. Ceci ouvre des possibilits nouvelles en termes dimagerie (exemple : focalisation optique dans un grain de speckle travers un milieu diffusant dmontre en 2007). Il est envisageable dadresser optiquement des marqueurs dans un milieu diffusant (par exemple fluorophores ou nanoparticules rponse non linaire) en focalisant spatialement et temporellement de manire contrle, en rgime de diffusion multiple. On peut attendre la transposition loptique de techniques dveloppes dans dautres disciplines (retournement temporel en acoustique, contrle cohrent en optique quantique), qui ouvrent la voie de nouvelles approches pour limagerie. En rgime de faible diffusion, les techniques tablies sont issues dune approche microscopie (microscopie non linaire, OCT). En rgime de diffusion multiple, la brique de base est la tomographie optique en lumire diffuse. Dans ces deux branches, on peut dire que la tendance est loptimisation des techniques, pour repousser au maximum les limites qui sont bien tablies. Une rupture apparat lorsque lon considre le problme de limagerie sous un autre angle : celui de la localisation dune source ou dun diffuseur unique. Les techniques de type PALM ou STORM (reposant sur une activation photochimique de fluorophores) ont boulevers rcemment le domaine de limagerie dchantillons peu diffusants. On peut attendre lextension de ces ides aux systmes fortement diffusants, grce la possibilit dexciter individuellement un metteur ou diffuseur unique (fluorophore, nano-objet rponse non linaire, nanoparticule mtallique) mme en rgime de diffusion multiple. Il faut noter galement que la localisation de sources en milieux diffusants sappuie en gnral sur des techniques de traitement de signal et de reconstruction inverses. Ce domaine, cheval entre la physique et les mathmatiques appliques, est trs actif, notamment en France. Les synergies sont certainement favoriser car le dveloppement instrumental est souvent men indpendamment. 1.8.2 Communaut franaise
Active aussi bien sur le plan thorique (physique et mathmatiques appliques) que sur le plan du dveloppement instrumental GDR MsoImage , GDR Ondes, GDR ISIS. A noter : groupe thmatique commun aux deux GDR Ondes et ISIS et nouveau groupe thmatique Ondes et imagerie en milieux complexes et biologiques propos dans le GDR Ondes Emergence de start-ups ou PME : Biospace, QUIDD (imagerie molculaire in vivo), LLTECH (OCT). Organismes de recherche et industriels actifs dans ce domaine (exemples) : ONERA (contrle de front donde en forte turbulence), THALES (dtection de cibles en milieux dsordonns), CEA (imagerie biomdicale au LETI) Runions scientifiques tablies et en croissance de participation: Journes dImagerie Optique Non Conventionnelle (GDR ISIS et Ondes), Groupe Optique et Sciences du Vivant (SFO), OptDiag. Typiquement 200 participants sur 2 journes pour chaque runion. Confrences internationales
1.8.3
Au-del des grandes confrences sur loptique biomdicale (mentionne ailleurs dans le rapport), citons : - PIERS avec systmatiquement plusieurs sessions sur le sujet de loptique et de llectromagntisme en milieux diffusants - CLEO/QELS aux USA et CLEO Europe Munich - Topical Meeting de lOSA (le sujet est parfois coupl avec les mtamatriaux ou la plasmonique).
1.9
Co-conception et dtection compressive : vers une unification encore plus troite de limagerie et du traitement du signal. Enjeux, perspectives, dfis
1.9.1
Les capteurs dimage sont en gnral conus pour mesurer une grandeur physique avec la meilleure rsolution et la plus grande prcision possibles. Dans les imageurs modernes, de nombreux traitements numriques sont dj intgrs mais ils sont souvent conus indpendamment du systme dimagerie et doivent sadapter ses caractristiques. Or il y a intrt mener la conception du capteur et du traitement de manire conjointe (on appelle cela co-conception ). Cela permet de
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prendre en compte le traitement du signal dans lvaluation de la performance globale du capteur afin de relaxer les contraintes sur la taille ou la qualit de loptique. Par exemple, dans de nombreuses applications, on cherche aujourdhui faire des optiques les plus plates possibles, ce qui ncessite de modifier et de simplifier les combinaisons optiques. On peut y insrer des masques de phase ou concevoir des architectures originales permettant de faire de limagerie grand champ ou multispectrale tout en respectant des contraintes svres de compacit. Cela se fait en gnral au dtriment de la qualit dimage, et il est ncessaire de mettre en uvre des traitements numriques qui compensent cette dgradation et interviennent donc dans le bilan de qualit global du systme. Cest une problmatique trs importante dans la conception des optiques pour tlphones portables, o les aspects dencombrement et de cot sont cruciaux, et plus gnralement dans tous les capteurs embarqus. Il sest dvelopp rcemment une approche encore plus radicale qui part du constat que les images fournies par les capteurs sont en gnral trs redondantes par rapport lusage final qui en est fait. Par exemple, les images vido sont souvent comprimes des taux trs importants sans perte de qualit perceptible par lil humain. Lide est donc de nacqurir ds le dpart que linformation strictement ncessaire afin de simplifier les capteurs et dutiliser de manire optimale les photons provenant de la scne. Une approche thorique de ces concepts, concernant en particulier les algorithmes de reconstruction de limage partir des acquisitions, a t dveloppe dans la communaut du traitement du signal. Elle porte le nom gnrique de compressive sensing (dtection compressive) ou computational imaging (imagerie par le calcul). Par exemple, un concept de camra un seul pixel a t propos et implment. Il consiste mesurer lintensit lumineuse totale rflchie par une scne illumine par des distributions de lumire diffrentes (gnres laide de modulateurs spatiaux de lumire) et reconstruire numriquement limage partir de ces mesures. Ces dveloppements dmontrent clairement quaujourdhui, limagerie doit tre vue comme un problme de traitement de linformation o le capteur et lordinateur qui traite les mesures jouent des rles complmentaires et tous deux essentiels. Les deux communauts du traitement du signal et de la photonique ont donc tout gagner dans un dialogue actif sur ces questions. 1.9.2 Evnements internationaux
Outre les confrences dans le domaine du traitement dimages, qui sont plutt orientes vers les mathmatiques appliques, les socits savantes amricaines en photonique ont bien compris limportance du domaine. On peut mentionner en particulier le topical meeting COSI (Computational optical sensing and imaging) de lOSA, dont le programme 2009 donne une bonne ide des thmatiques actuelles. On peut noter aussi la conference Computational imaging (qui en est sa 7 edition) au symposium Electronic Imaging science and technology (IS&T/SPIE) et le workshop WIO (Workshop on information optics), organis tous les deux ans en France.
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2 . LOPTIQUE ET LE BIOMEDICAL
2.1 Primtre Le but de ce texte court nest pas de faire un point exhaustif sur lusage de loptique dans le biomdical. En effet pour viter de faire du copier-coller nous prfrons citer quelques dfis rcents et renvoyer aux documentations plus dtailles (mme sil faut parfois une ncessaire mise jour) que lon peut trouver dans : Le rapport de conjoncture du CNRS (article sur limagerie Claude Boccara et Line Garnro), qui contient des informations sur lensemble des mthodes dimagerie et permet de situer limagerie optique par rapport aux mthodes concurrentes Le chapitre consacr au biomdical, rapport sur lOptique du ministre de la recherche (Claude Boccara et J.L Martin). Le document dOptics Valley sur la biophotonique qui est trs complet avec une bonne indication des tendances et des donnes quantitatives sur les marchs. Le but des notes qui suivent ici est principalement : Dune part de revisiter certains aspects du domaine de loptique biomdicale la lumire des dveloppements instrumentaux et conceptuels nouveaux. Dautre part de concentrer les recherches sur dventuels nouveaux besoins de la biologie et de la mdecine. La prsentation est, nous lavons dit, loin dtre exhaustive, elle a simplement pour but de donner quelques exemples que nous esprons pertinents et reprsentatifs. Bien sr cela sera fait de faon biaise trs influence par les recherches que vit actuellement la communaut. Il peut tre instructif pour valuer cette communaut au niveau international de se reporter aux programmes des gros congrs comme Biomedical Optics Photonics West San Jose ou San Francisco Californie, USA (annuel 2me quinzaine de janvier) Notons, pour commencer, que les problmes et les cultures sont trs diffrents en biologie et en mdecine. En biologie, les acteurs sont ouverts toutes mthodes sophistiques qui pourraient leur donner accs des paramtres nouveaux. Les laboratoires de biologie ont dans leurs quipes des chercheurs en optique dont les recherches se situent au meilleur niveau international. Ces laboratoires (EMBL, Universit de San Francisco, Max Planck etc) sont par exemple lorigine de plusieurs approches de super rsolution en champ lointain. En mdecine, lhpital, les physiciens sont souvent cantonns dans des rles trs techniques. De plus tout doit se faire en troit contact avec le monde mdical, il y a des protocoles cliniques et les quipes de nos laboratoires de recherche doivent trouver quelques niches stratgiquement porteuses ou viser trs haut car on est en concurrence avec des socits qui emploient plusieurs centaines de personnes et il faut alors un rel breakthrough pour simposer.
2.2
Biologie
Ici small is beautiful et les problmes rsoudre nous conduisent limagerie ou lanalyse de phnomnes qui se passent une chelle nanomtrique. On voit plusieurs approches souvent trs pluridisciplinaires qui visent raliser de la super-rsolution en champ lointain (c'est--dire loin de lchantillon, sans sondes locales) et en 3D.
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Figure 1 : Images de micro tubules en microscopie confocale et super rsolues en STED (Stefan Hell Marx Planck : http://www.mpibpc.mpg.de/groups/hell/) Cest un domaine trs comptitif par le niveau des publications relatives ces nouvelles microscopies sur lequel certains groupes (USA, Allemagne) travaillent depuis une dizaine dannes. Cependant un rel problme doptique est li lhtrognit des formes ou des indices lchelle cellulaire qui distord le front donde pour les ouvertures importantes des objectifs de microscope utiliss. Loptique adaptative pourrait tre revisite cette occasion (optique, prise de signal, traitement, asservissement etc.). En plus de linstrumentation et du traitement des signaux et des images, souvent la physicochimie (de molcules photostimulables par exemple) joue un rle capital en microscopie.
Figure 2 : Image de la rtine sans et avec correction du Front donde (Franois Lacombe Observatoire de Paris : http://www.lesia.obspm.fr/astro/optada/OEIL/pages/accueil.html)
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A ct de d la rsolutio on spatiale il l ne faut pas s ngliger las spect tempor rel des phn nomnes mis s en jeu lchelle molculaire e ou subcellu ulaire. Dans les deux ca as on peut sattendre c ce que lutilis sation de lasers ra apides coupls du contrle cohren nt de mme que la plasm monique con ntinue joue er un rle capital. D Dans le mm me cadre il est intressan nt de suivre la l modificatio on des proce essus radiatif fs ou non radiatifs en fonction de lenviron nnement des molcules fluorescente f s. Le suivi d dun traceur peut tre rvlateu ur de cet env vironnement (indice). P Pour revenir sur le thme e de limager rie plusieurs chercheurs (surtout des mathmaticiens) ont ouvert la a voie de nouvelles approches da ans le cadre e du compressive imagin ng. En deux mots, la compres ssion dinform mation dans une image nous n est fam milire ; on sa ait ( partir d de modles bass b sur les onde elettes) que linformation l peut tre qu uasiment con nserve mais s avec une q quantit dinf formation stocke trs rduite. . Avec lappr roche single detector cam mera il sagit t de comprim mer a priori la prise dimage en clairant t la scne pa ar une suite de d distributio on dintensit sur les pixe els de la sc ne. Avec un dtec cteur unique e et un nom mbre rduit de d prises de e donnes des d rsultats s spectacula aires sont obtenus. En nfin il serait souhaitable que la comm munaut qui joue souven nt sur le coup plage de lim magerie et la spectr roscopie app prenne utiliser les matrices de dte ecteurs eff fet Josephso on qui font partie p des projets des d astronom mes et dont plusieurs p pro ototypes son nt raliss (ic ci le nombre de paires de e Cooper brises par le photo on fournit son n nergie). Ici les parten naires privilgis sont les s astronome es qui ont dj dep puis quelques s annes des camras Jonctions Josephson.
2.3
Mdecine
Les obje ectifs mdicaux touchent au diagnosti ic et la thrapie. 2.3.1 L Diagnostic Le c Mdical
Une des s premires mthodes m de e diagnostic est lobserva ation du corp ps humain. L La trs grand de varit de syst mes dimagerie (Scanne er, IRM, Ultr raSons, PET T .) semble e laisser peu u de place loptique pour le exploration des d organes s internes. Quelques exceptions importantes s sont cepe endant souligne er : le suivi op pratoire ave ec des camras haute rsolution r et surtout lend doscopie. Notons parmi les succs rc cents les pr rogrs spec ctaculaires dans d lobservation des cellules rtinienn nes (cnes) lorsque lo ophtalmoscopie ou lOC CT (Optical Coherence e Tomograp phy) sont couples s loptique adaptative. Il ne faut cependant pas nglige er le rle des s microscopies en anato omopathologi ie, et surtout t celui de lendosc copie pour le exploration de e zones acce essibles dans le corps hu umain.
ison des cou upes virtuelle es obtenues par p OCT plei in champ et lhistologie (B Bertrand Figure 3 : Comparai de Poly, P LLTech h : http://www w.lltech.fr/ima ages)
Photon nique & Horiz zons , CNRS S & INSIS, Mars M 2010
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Si lobservation en profondeur (quelques cm) est dlicate loptique peut offrir des outils utiles (confocal, OCT, multiphotonique etc.) pour le malade (risques de r opration), le mdecin (pour le temps pass sur chaque patient), et les organismes dassurance sant (le cot dune r opration qui reprsente 10 40% des cas est de plusieurs milliers deuros) en ralisant une analyse rapide en salle dopration : invasion du ganglion sentinelles, contrle des marges etc. Dans lexploration des organes internes un dfi pour lendoscopie est aujourdhui clairement pos : si on disposait dun guide dimages de moins de 300m on pourrait accder toutes les zones du corps humain ! Aujourdhui il y a des faisceaux de 50 000 fibres qui tiennent dans un diamtre de moins dun mm et on sait galement faire des lentilles gradient dindice, l aussi, de moins dun mm de diamtre qui peuvent leur tre attaches. On pourrait penser que la technologie est quasi prte : en fait le plus dur sera sans doute de passer tous les obstacles pour prouver que la mthode est sans danger, utile et de la faire accepter en Europe, puis par la FDA etc. On sait que la tomographie optique des organes a fait des progrs lents mais significatifs : le but est ici de rvler des contrastes optiques (absorption ou diffusion) dans la profondeur des tissus du corps humain pour explorer des organes comme le sein. Cependant depuis plus de 15 ans elle na pas contribu apporter un diagnostic nouveau qui chappait dautres approches. Il nous faut revisiter ces approches. Pourrait-on introduire une nano-source par des fibres qui par conjugaison de phase ou autres contrles de faisceaux permettrait dimposer des trajectoires aux photons diffuss par les tissus ? Pour ce qui est des recherches court et moyen terme le couplage optique-acoustique (photoacoustique et acousto-optique) permet de rvler les proprits optiques locales avec la rsolution de lacoustique plusieurs cm de profondeur, de trs importants progrs ont t accomplis sur des modles animaux, ou dans le domaine de la dermatologie mais encore au niveau de la recherche clinique. Le contrle en amplitude, phase ou polarisation de faisceaux laser sur un million de pixels est aujourdhui possible, il est donc temps dapprendre travailler avec ces outils pour traverser volont les chemins tortueux que pourrait prendre la lumire dans le corps humain. On sait en effet que la longueur de corrlation du speckle dans un milieu multi diffusant est la demi longueur donde, aussi ds que lon disposera de matrices cristaux liquides permettant le contrle de quelques centaines de millions de modes, on pourra contrler la traverse dun organe, comme le sein, par la lumire. Une telle approche pourrait aider la reconstruction des trajectoires pour limagerie mais aussi rendre la photothrapie beaucoup plus efficace, par exemple en maximisant des signaux de fluorescence associs aux molcules actives. Une niche importante et propice pour loptique se situe dans le cadre de la bioanalyse (biopuces). Loptique se couple particulirement bien tout ce qui est lab-on-chip et plusieurs socits ont pu dmarrer avec des produits innovants ralisables avec peu de moyens. Il faut sengager avec prudence dans cette voie o tout ce qui concerne la protection industrielle est fortement verrouill. Cependant des ides originales on t proposes comme le guidage de la lumire et des fluides au sein des mmes canaux ou lutilisation de la plasmonique avec ou sans sondes fluorescentes.
2.3.2
La Thrapie
Le gros march du laser en dermatologie est, on le sait, lpilation. Cette approche reste trs simpliste et conduit souvent des ractions violentes : fortes irritations, brlures. Le contrle intelligent avec rtroaction reprsente un vritable enjeu en terme de march. A ct du succs spectaculaire du bistouri laser femtoseconde pour la chirurgie oculaire, le laser joue un rle important pour la rparation du vivant par exemple en acclrant les cicatrisations ou pour la thrapie photodynamique (destruction de tumeurs). L encore le couplage avec les chimistes et les biologistes est absolument ncessaire. Cependant peu de molcules sont autorises et le processus de validation (type FDA) est aussi long que celui quil faut pour introduire un mdicament sur le march.
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Enfin dans ce domaine le couplage optique-acoustique savre prometteur : la thrapie par ultrason (HIFU) pourrait facilement tre guide par des agents de contraste optiques source de signaux photoacoustiques. 2.3.3 LOptique Biomdicale et les Centrales
Peut-tre serait-il bon de renvoyer lensemble des rapports sur la photonique, comme le prsent texte, pour que les responsables de ces centrales fassent tat du savoir et du savoir-faire qui serait susceptible de crer une fertilisation croise avec le domaine de la photonique : par exemple sur lintgration des jonctions Josephson ou sur les manipulateurs de fronts donde gigapixels etc. A ct de ces vises qui restent encore exotiques, certains objectifs de loptique biomdicale se recoupent clairement avec les centrales de nanofabrication : lab-on-chip, modulateurs spatiaux, circuiterie CMOS, microcomposants, etc.
2.3.4
LOptique biomdicale en France
Il est assez difficile dtre exhaustif et, comme nous lavons soulign plus haut, les laboratoires de biologie possdent souvent un savoir et un savoir faire qui les placent au meilleur niveau de la comptition internationale mais ils nont pas la photonique comme thme central. Pour la microscopie dans tout ses tats citons titre dexemples : Le CPMOH (Bordeaux), lInstitut Fresnel (Marseille), lUniversit de Mulhouse, le LOB (X,Palaiseau), lInstitut Langevin (ESPCI, Paris), les ENS (Paris et Cachan), lUniversit Paris V, Spectromtrie Physique (Grenoble), lInstitut dOptique (Palaiseau), lENSTA (Palaiseau)., lInstitut Curie (Paris) Pour limagerie des tissus : Le laboratoire des lasers (Villetaneuse), lInstitut Fresnel (Marseille), lInstitut Langevin (ESPCI, Paris), Les communauts se retrouvent souvent autour de GDR comme : Microscopie (pilot par les biologistes) IMCODE (Ex PRIMA Ex POAN) ONDES avec en particulier le champ proche, la super rsolution et les problmes inverses
2.3.5
Quelques exemples de congrs
Au niveau franais citons : OPTIAG (tous les 2 ans) IMVIE Le congrs de la SFO La suite colloques sur les nouvelles mthodes dimagerie. Les colloques de la Socit Franaise des lasers mdicaux Au niveau Europen : SPIE Munich (tous les 2 ans en juin) Photons(UK) Au niveau International : Biomedical Optics Photonics West (tous les ans en janvier : prs de 1000 participants et une exposition de matriel ddi) Focus on microscopy Gordon conference Lasers in medicine and biology From Bench to Bedside (tous les 2 ans au NIH Bethesda : scientifique + politique de recherche par les grands organismes)
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3 . SPECTRO-ANALYSE
3.1 3.1.1 Spectromtre optique intgr Primtre
La mesure spectroscopique optique despces biologiques et chimiques varies suscite le dveloppement de nombreux systmes de dtection dans de multiples domaines en raison du vaste champ dapplications concernes. A titre dexemple, citons : le domaine scientifique, pour les mesures spectroscopiques optiques sur un spectre de longueur donde allant de lUV linfrarouge lointain, le domaine industriel, pour la dtection de fuites ou le dosage de certaines substances, le domaine biomdical, pour acclrer les analyses et faciliter le diagnostic, pour le suivi de patients domicile, le domaine de la dfense, pour la reconnaissance d'attaques chimiques ou biologiques, le domaine environnemental (qualit de lair, de leau,), pour dtecter la prsence de polluants dans des systmes complexes (gaz, mtaux lourds, etc.) tels que les rseaux deau potable et les usines de stockage ou de recyclage des dchets, les agro-ressources lagro-alimentaire, la ptro-chimie, etc Parmi lensemble des techniques et capteurs existant, les capteurs optiques intgrs peuvent apporter de nombreux avantages notamment en termes de cot et de compacit. En revanche, ces derniers noffrent pas, jusqu aujourdhui, une fonction spectroscopique gnrale qui augmenterait leur performance en permettant non seulement la dtection mais aussi une meilleure identification des espces en prsence. Grce aux dveloppements rcents des nouvelles technologies, des concepts de spectroscopie optique miniaturise trs intressants ont vu le jour ces dernires annes. Nous listerons ci-aprs les micro-spectromtres dont nous avons connaissance. Nous distinguerons trois familles de spectromtres bass, pour la plupart d'entre eux, sur les principes classiques de la spectromtrie. 3.1.2 Rseaux de diffraction
C'est avec l'apparition des cristaux photoniques que l'on obtient des rsultats trs prometteurs mais qui restent cantonns dans le seul domaine des frquences tlcoms (Super-prismes). De la mme faon, il y a eu un gros investissement dans les AWG (Arrayed WaveGuides) proposs en 1988. Malgr des dveloppements trs lourds, ils sont rests dans le mme domaine des tlcoms. Des rsultats intressants sont obtenus avec des rseaux aliments par la tranche mais ils font encore appel une optique relais pour projeter le spectre sur le dtecteur. Citons enfin tous les spectromtres dvelopps actuellement par Ocean Optics qui se distinguent par un packaging astucieux mais sans atteindre de haute rsolution spectrale et sans tre intgrs. 3.1.3 Spectromtres de Fourier
Ce sont les plus avancs dans le domaine de la miniaturisation. Plusieurs propositions on t faites : spectromtre avec un balayage opr par une combinaison lectrostatique avec une rsolution modeste, mais suffisante pour faire une premire gnration commercialise (http://www.arcoptix.com/arcspectro-nir.htm), spectromtres statiques plus rsolvants mais agissant dans un domaine spectral plus troit limit la longueur d'une barrette de CCD. Un micro spectromtre de Fourier (appel le microspoc ) est compos d'un prisme coll la surface d'un dtecteur ; il reste toutefois limit en rsolution spectrale. Un premier spectromtre de Lippmann avec un dtecteur mobile semi-transparent situ devant un miroir permettant une grande intgration mais avec une rsolution spectrale faible a galement t propos.
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3.1.4
Fabry-Prot et filtrage optique
De nombreuses propositions bases sur des MEMS se heurtent deux limitations fondamentales : la non simultanit de l'acquisition et un rendement dnergie mdiocre inversement proportionnel la finesse du spectromtre. Ces systmes sont limits des utilisations trs spcifiques. 3.1.5 Dfis Enjeux
Plus rcemment, a pu tre valide la faisabilit dune nouvelle famille de micro-capteurs optiques spectroscopiques originaux, efficaces et performants, directement intgrables sur des puces optiques grce des procds de la micro/nanolectronique. Dans sa version la plus simple, le spectromtre est ralis en chantillonnant laide dlments diffusants linterfrogramme optique obtenu par rflexion en extrmit dun guide donde. La transforme de Fourier du spectre lumineux est ainsi enregistre de manire statique (sans pice mobile) dans un domaine de longueur dondes donn. Les premiers prototypes pourraient prsenter une sensibilit suprieure un spectrographe de type chelle avec une rsolution spectrale comparable. Les applications envisages sont celles de la spectroscopie classique, de la spectroscopie embarque et des capteurs optiques biologiques/chimiques en bnficiant des avantages et fonctionnalits de loptique intgre : faible cot, miniaturisation, besoins nergtiques rduits. Cette nouvelle gnration de spectromtres optiques intgrs transforme de Fourier offre potentiellement la possibilit de rpondre aux applications listes prcdemment. Toutefois, de nombreux dveloppements technologiques sont lancer afin de permettre ces futurs systmes danalyse et de diagnostic doffrir les performances attendues. De plus, leur mise en rseau associe un systme dinterrogation sans fil devrait permettre leur dploiement en nombre suffisant sur des superficies denvergure, permettant ainsi dlargir leur spectre dapplications. En conclusion, face une demande croissante doutils performants de mtrologie pour lanalyse et le diagnostic optiques tels que les spectromtres, le principal dfi technologique et scientifique est donc la miniaturisation qui permettra de rpondre des besoins trs nombreux relevant de domaines allant de la scurit civile au contrle de procd industriel (usine, plateforme ptrochimique,) en passant par lenvironnement (analyse de gaz, suivi de polluants) et le mdical (suivi de traceur en temps invivo,). Dans le futur, seule l'optique intgre assiste par les avances scientifiques dans le domaine des nanotechnologies permet d'envisager une miniaturisation suffisante pour ouvrir la voie vers le dveloppement par exemple de matrices de spectromtres comme il existe aujourd'hui des matrices de CCD, ou encore d'intgrer une vritable fonction de dtection spectromtrique dans un microsystme de capteur optique intgr.
3.1.6
Les principaux programmes de recherche Les manifestations nationales et internationales Programmes nationaux : ANR : AAP P2N et blanc Evnements nationaux : Journes Nationales de lOptique guide (JNOG) Horizons de lOptique Evnements internationaux : Confrence OPTO Photonic West ECIO : European Conference on Integrated Optics CLEO : Conference on lasers and Electro-Optics ECOC : European Conference on Optical Communication ICSO : International Conference on Space Optics
3.1.7
Les acteurs franais du domaine
Acteurs acadmiques nationaux En optique intgre applique la spectroscopie : Les principaux (liste non exhaustive ) : IMEP - LETI FEMTO XLIM LAAS FOTON Institut Fresnel LCFIO IEF INL LPN - .
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Quelques acteurs industriels dans le domaine de la spectromtrie optique : Jobin Yvon/ Horiba - LTB Berlin - LLA Sopra - etc
3.2 3.2.1
Applications latmosphre dimpulsions ultra-brves Primtre
La propagation dimpulsions laser ultrabrves dans lair conduit lauto-focalisation du faisceau, puis la gnration de filaments auto-guids, ioniss continment Ces filaments gnrent un large continuum qui stend de linfrarouge lultraviolet et fournissent un canal conducteur pouvant atteindre quelques centaines de mtres de longueur, avec une densit dlectrons de lordre de 1015 lectrons/cm3. De plus, les filaments peuvent tre gnrs une distance de quelques kilomtres de la source laser, se propager travers des nuages ou une atmosphre turbulente, et contrler des dcharges de haute tension, mme sous la pluie. Lensemble de ces proprits fait des impulsions laser ultra-brves un candidat prometteur pour les applications atmosphriques, notamment lanalyse distance. Les applications atmosphriques reposent sur trois proprits des filaments : le large spectre de continuum gnr, propice la tldtection Lidar multi-spectrale, multiespces ; leur capacit dlivrer distance de fortes intensits, au-del de la limite de diffraction, qui est propice lexcitation distance deffets non-linaires. On peut citer notamment le Lidar non-linaire, lexcitation de seconde harmonique dans des gouttelettes deau charges pour mesurer leur charge, ou le LIBS distance excit par des filaments ; leur capacit ioniser lair, propice au dclenchement et au guidage de dcharges lectriques, voire de la foudre (et donc potentiellement lanalyse distance du champ lectrique local dans les nuages). Lionisation pourrait aussi fournir des noyaux de nuclation permettant la condensation d e gouttelettes deau, et donc fournir un senseur dhumidit. La communaut de la filamentation laser regroupe 20 30 groupes dans le monde, dont une moiti environ en Europe qui est en position de leader, notamment avec le programme franco-germanosuisse Tramobile. Au sein de la communaut, 5 10 groupes sintressent divers titres aux applications atmosphriques.
3.2.2
Dfis Enjeux
La physique de la filamentation est aujourdhui relativement bien comprise, au moins pour ce qui est des impulsions de quelques millijoules. Au-del, plusieurs filaments sont forms dans le faisceau : les interactions entre eux sont aujourdhui encore un objet dtude. Les dfis ce jour concernent : loptimisation de la filamentation en fonction des objectifs dapplication prvus : optimiser la largeur du spectre gnr, son efficacit de conversion, la densit dlectrons une distance donne, ou moyenne sur un intervalle de distance, la dure de vie du plasma, etc. La lourdeur des codes de simulation de la filamentation, et leur difficult reproduire quantitativement les observations et notamment les densits de plasma obtenues, ne permet en effet pas aujourdhui de raliser des tudes paramtriques suffisamment fines pour fournir une rponse thorique ces questions. lopportunit dutiliser des impulsions de trs haute nergie (multi-Joules) pour gnrer des effets macroscopiques dans latmosphre les limites lapplication en vraie grandeur, et notamment la mobilit des systmes femtoseconde, leur capacit travailler en conditions de terrain, et la possibilit de dvelopper la filamentation dans un rgime compatible avec les normes de scurit oculaire. 3.2.3 Les principaux programmes de recherche Les manifestations nationales et internationales
Programme nationaux et internationaux : Aujourdhui, les deux programmes principaux de recherche spcifiquement orients vers lanalyse dans latmosphre grce des impulsions laser ultra-brves sont : - le programme Tramobile, actuellement en phase dlaboration dun Tramobile 2 visant augmenter lnergie par impulsion
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- le programme TNT (Terawatt and Terahertz) du DRDC-Valcartier Qubec Confrences nationales et internationales : - A lchelle nationale : Coloq et les Journes des Phnomnes Ultrarapides. - A lchelle internationale, le domaine est principalement structur par la confrence Filamentation , qui a lieu tous les deux ans. La prochaine aura lieu en Crte du 29 mai au 4 juin 2010. - Autres confrences internationales pertinentes : LPhys et ISUILS.
3.2.4
Les acteurs franais du domaine Les laboratoires associs au Tramobile : Laboratoire dOptique Applique (Palaiseau) et Laboratoire de Spectromtrie Ionique et Molculaire (Villeurbanne), LASIM (Lyon) Les groupes de thorie, qui collaborent notamment avec les prcdents : CEA-DAM (Bruyres le Chtel) et le Centre de Physique Thorique de lcole Polytechnique Le CELIA (Bordeaux) dveloppe galement des activits dans le domaine de la filamentation, sans que la vise atmosphrique ne soit une priorit.
3.3 3.3.1
LIBS : une technique mergente pour analyse lmentaire Primtre
LIBS est lacronyme du terme en anglais, Laser-induced breakdown spectroscopy, qui dsigne la technique appele aussi, mais dune manire moins frquente, Laser-induced plasma spectroscopy (LIPS). Les quelques traductions en franais peuvent tre rencontres : Spectroscopie de plasma induit par laser, ou Ablation laser couple la spectroscopie dmission optique. Elle correspond un type de spectroscopie d'mission atomique qui utilise une impulsion laser (de quelques dizaines quelques centaines de mJ typiquement) comme moyen dchantillonnage et source d'excitation. Le laser est focalis sur lchantillon pour former un plasma en pulvrisant par ablation laser une faible quantit de matire (du ng au g). Le plasma transitoire met, pendant son expansion et sur un intervalle de temps bien prcis (quelques centaines de ns quelques s), une mission optique caractristique des espces, essentiellement ions, atomes et fragments molculaires, constituant le plasma. La dtection et lanalyse spectroscopique de cette mission permettent daccder une analyse de lchantillon, analyse toute fois essentiellement lmentaire. La dcouverte du processus de LIBS remonte aux annes soixante peu aprs linvention du laser. Longtemps reste une curiosit de laboratoire, elle attire une attention grandissante partir de 1995. En effet, le nombre de publications consacres cette technique a dpass cette poque un seuil, et entam une croissance exponentielle qui ne se faiblit en rien aujourdhui. Il est gnralement admis que la LIBS intgre quelques avantages par rapport dautres techniques analytiques lmentaires. Ses avantages spcifiques peuvent tre prsents en deux catgories dus dune part au mode dchantillonnage et dautre part lopration tout-optique de la technique. Lchantillonnage par ablation laser peut tre appliqu des matriaux en toutes les phases physiques quelles soient solide, liquides ou gazeuses. Lchantillon na pas besoin dtre spcifiquement prpar. Lablation laser permet mme deffectuer le nettoyage de la surface avant lanalyse ou encore de raliser des analyses en fonction de profondeur dans un matriau. La prcision dchantillonnage avec une impulsion laser fortement focalise ( travers un microscope si ncessaire) offre une rsolution spatiale qui peut atteindre lordre du m. Des cartographies dlments peuvent tre ainsi ralises pour des chantillons inhomognes. La petite quantit de masse prleve par chaque tir laser permet de considrer la LIBS comme une technique analytique quasi non destructive. La nature tout-optique de la technique offre la possibilit dinterroger une cible localise distance sans contact matriel avec loprateur. Les transmissions de limpulsion laser dablation et lmission du plasma peuvent se faire laide dun systme tlescopique ou par des fibres optiques. Au-del de ses avantages spcifiques, la LIBS partage quelques caractristiques dune technique base sur la spectroscopie dmission atomique, savoir la capacit dune analyse multi-lmentaire (en principe tous les lments sont dtectables par la LIBS), une rponse quasi-instantane, et un quipement relativement lger et robuste.
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Comme pour toutes autres techniques analytiques, la LIBS souffre de quelques faiblesses, principalement lies la fluctuation et la non reproductibilit du plasma dablation. A lheure actuelle, en tant quune technique analytique quantitative, elle permet une justesse assez limite de lordre de 10% accompagne dune prcision de lordre de 5%. Elle est en gnral considre comme une technique sensibilit modeste et offre une limite de dtection dans la fourchette de 1 30 ppm, et peut tre suprieure 100 ppm pour des lments difficile (P, As, ) ou infrieure 1 ppm pour des lments favorables (Mg, Fe, Cr, ). Le dveloppement rcent de la technique est notamment pouss par quelques projets phares des organismes tels que la NASA ou lESA qui intgrent la technique LIBS dans leurs projets dexploitation de Mars. Des projets militaires stimulent galement les dveloppements des systmes LIBS compacts ou destins la tldtection. En France, la recherche et le dveloppement de la technique ont t traditionnellement concentrs autour de lquipe dirige par Patrick Mauchien au CEA Saclay. Cette quipe est rejointe depuis environ 5 ans par quelques autres quipes profils et comptences diverses. La notorit de lquipe Saclay reste dominante avec leur participation au projet MSL (Mars Science Laboratory) de la NASA qui enverra un instrument LIBS sur la plante Mars en 2011. 3.3.2 Dfis Enjeux
Lenjeu majeur pour la LIBS dans les annes qui viennent est darriver un tat de maturit et devenir une technique analytique reconnue et accepte par les utilisateurs. Les dfis sont encore nombreux pour y parvenir. Comme mentionn prcdemment, les verrous pour accder une technique analytique figure de mrite attractive sont lis au caractre fluctuant du plasma qui est de nature transitoire et inhomogne. Au niveau fondamental dabord, le mcanisme du transfert de masse de lchantillon ablat vers le plasma, dune part, doit tre tudi en dtail. Le but est de produire un plasma par une ablation stoechiomtrique, ou minima matriser le problme de fractionation. Nouveaux schmas dablation (double impulsions, diffrentes longueurs donde ou dures dimpulsion, microonde, ) peuvent tre tests et optimiss. Dautre part, lexpansion du plasma et son interaction avec des gaz ambiants doivent tre observes et tudies avec les rsolutions temporelle et spatiale, et en prenant en compte lhtrognit compositionnelle du plasma. Le but est de localiser dans le temps et dans lespace ltat du plasma le plus favorable des fins analytiques. Les efforts de modlisation et de simulation sont galement ncessaires pour comprendre les mcanismes et pour aller plus loin dans loptimisation du processus. Au niveau dapplication, il faut identifier et dvelopper celles qui mettent en profit des avantages spcifiques de la technique. La LIBS na pas la vocation de supplanter dautres techniques analytiques. Il est gnralement admis que lavenir de la LIBS rside dans sa capacit de rpondre des niches dapplication pour lesquelles aucune autre technique ne pourra la concurrencer. 3.3.3 Les principaux programmes de recherche Les manifestations nationales et internationales
Au niveau international, les projets de recherche sur la technique LIBS les plus importants et les plus visibles sont lis aux programmes dexploitation spatiale ou financs par les militaires, notamment lArme amricaine. Quelques autres domaines dapplication incitent aussi dvelopper des activits de recherche en LIBS. On peut citer les applications nuclaire (manipulation de matriaux radioactifs, analyse en racteur), industrielle (mtallurgie, recyclage des dchets), environnementale (sol, eau, arosol), biomdicale (pharmacie, analyse mdicale, bactries), gologique, alimentaire, pour la police scientifique ou pour lanalyse du patrimoine culturel. Par contre, relativement peu de programmes de recherche sont spcifiquement consacrs aux aspects fondamentaux du plasma induit par laser dans le but damliorer la performance de la LIBS. La communaut dablation laser en gnral sintresse aux proprits physico-chimiques du plasma induit par laser et met au point des moyens de diagnostic du plasma qui peut avoir des retombes importantes pour la LIBS. Depuis 2000, il y a une srie de confrences internationales biannuelles consacres la technique. Cette srie de confrences est complte actuellement par deux sries de confrences galement biannuelles, EMSLIBS et NASLIBS en annes impaires qui saffichent respectivement une connotation Europenne-Mditerranenne et Nord Amricaine.
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3.3.4
Les acteurs franais du domaine
Acteurs de la recherche publique : CEA Saclay, CPMOH Bordeaux, INERIS Verneuil en Halatte), LP3 Marseille, DGA Paris, LASIM Lyon), G2R Nancy, LRMH Paris, CESR Toulouse. Acteurs industriels : IIVEA et Bertin Technology proposent des quipements de LIBS.
3.4 3.4.1
Spectromtrie infrarouge avec laser cascade quantique Primtre
Spcialit du GSMA, la spectromtrie laser permet datteindre de hautes prcisions sur les mesures de concentration (de lordre du pourcent), de hautes rsolutions temporelles (jusqu la milliseconde), une grande dynamique de mesure (de plusieurs ordres de grandeur) et une grande slectivit dans la dtection des espces molculaires grce un choix appropri des transitions molculaires de rotation-vibration. Les diodes laser sont de trs bons outils spectroscopiques de par leurs proprits dmission spectrale (mono-chromaticit, puissance de quelques milliwatts, accordabilit). Les lasers cascade quantique (LCQ) permettent de couvrir la gamme du moyen infrarouge dans laquelle se situent les bandes dabsorption fondamentales des gaz. Lassociation de la spectromtrie molculaire avec les LCQ permet donc aujourdhui de proposer des appareils de trs hautes performances et adapts diffrentes applications environnementales, mdicales et industrielles. Les LCQ invents par les chercheurs du Bell Labs dans les annes 90 sont proches aujourdhui de la maturit industrielle et commencent tre introduits dans des systmes de deuxime gnration. De nombreux laboratoires dans le monde travaillent sur ces types de laser mais ltat de lart est aujourdhui pleinement reprsent par les travaux du groupe laser IR de Thals. En particulier, ce groupe est lun des seuls produire des lasers fonctionnant en continu. La ralisation de ces lasers ncessite une maitrise au niveau du design de la structure laser, de llaboration du matriau et de la fabrication. Ces comptences toutes runies au sein de Thals sont rares dans un mme laboratoire, expliquant la difficult des laboratoires atteindre des niveaux de performances levs. Dun point de vue industriel, deux petites socits sont prsentes sur le march : Alpes Laser (Suisse) cre par lun des tudiants de linventeur des QCL et qui fournit globalement la communaut scientifique et Nanoplus (Allemagne), qui a mis son catalogue ce type de laser mais aujourdhui na pas dmontr des performances acceptables. Le GSMA est un laboratoire runissant des quipes travaillant de la physique fondamentale la physique plus applique notamment en dtection de gaz pour les applications atmosphriques. Lassociation des LCQ la spectromtrie molculaire est une spcificit du laboratoire. Diffrents types de spectromtres ont t associs avec des LCQ depuis quelques annes et ont fait lobjet de plus dune quinzaine de publications dans des revues comit de lecture : spectromtre dabsorption directe, spectromtre htrodyne ou encore spectromtre photoacoustique. 3.4.2 Dfis Enjeux
Lenvironnement revt une importance de plus en plus grande et est lobjet denjeux industriels et conomiques cruciaux pour les dix prochaines annes. Parmi la multitude daxes dits verts , comme les nergies renouvelables et les matriaux biodgradables, linstrumentation et les systmes de contrle des gaz en relation avec lactivit industrielle sont un des secteurs les plus actifs et forte croissance. Le march de linstrumentation (la mesure, lanalyse et le suivi des paramtres environnementaux, le contrle des procds industriels) englobe les marchs permanents de renouvellement, nouveaux polluants surveiller, quotas dmission respecter, rglementations de plus en plus strictes ncessitant une mtrologie de plus en plus fine. Ces marchs sont, en grande partie tirs par les rglementations de plus en plus strictes au niveau Europen et mondial. La spectromtrie molculaire base de lasers cascade quantique permettra de rpondre aux enjeux varis de ces diffrents domaines. 3.4.3 Les principaux programmes de recherche Les manifestations nationales et internationales les principaux acteurs franais Programmes : AAP P2N et blanc de lANR Principaux congrs internationaux dans le domaine : Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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- International Conference on Tunable Diode Laser Spectroscopy, TDLS Zermatt Suisse en juillet 2009 - European Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO Europe Munich Allemagne en juin 2009 - Conference on Field Laser Applications in Industry and Research, FLAIR Grainau Allemagne en septembre 2009 Acteurs franais : - En ce qui concerne la spectromtrie molculaire au niveau franais : GdR SpecMo du CNRS - En ce qui concerne la ralisation de lasers cascade quantique au niveau franais : * III-V lab de Thals-Alcatel Palaiseau http://www.3-5lab.fr/ * Institut dElectronique du Sud Universit de Montpellier - Lquipe laser du GSMA est la seule quipe franaise combiner les comptences en lasers cascade quantique avec de trs bonnes connaissances en physique molculaire fondamentale.
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4 . MESURES EXTREMES
4.1 Primtre Cette section est ddie lutilisation des techniques optiques pour la ralisation dinstruments de trs haute performance, destins la caractrisation de diffrents types de paramtres physiques. Les proprits de la lumire offrent en effet un potentiel gigantesque pour obtenir des niveaux de prcision ou des sensibilits ingals dans la mesure de ces diffrentes caractristiques. Ainsi, des perspectives scientifiques trs intressantes sont identifies dans le domaine des horloges de trs grande prcision, dans la mtrologie des frquences optiques ou des distances. Par ailleurs, le dveloppement des techniques dinterfromtrie ondes de matire conduira une nouvelle gnration de gravimtres et gyromtres qui permettront de gagner plusieurs ordres de grandeur en sensibilit par rapport aux approches actuelles. Il convient galement de citer les travaux en matire dinterfromtres optiques ultra-sensibles destins la dtection des ondes gravitationnelles. Limpact socital de ces activits scientifiques se situe plusieurs niveaux. On attend notamment de ces travaux un impact important dans le domaine de la physique fondamentale, et les prochaines gnrations dinstruments joueront un rle essentiel pour la ralisation de diffrents tests qui permettront dapprofondir notre comprhension des lois physiques de lunivers (effet lense-Thirring, effet Shapiro, test du principe dquivalence, caractrisation des ondes de gravitation, test de la loi de gravitation). Le domaine de la gophysique bnficiera galement de ces dveloppements, notamment en matire de godsie relativiste, via la caractrisation fine du champ de pesanteur et des fluctuations rapides de la rotation de la Terre. Des retombes importantes de ces recherches sont galement attendues dans le domaine applicatif et il est clair que les performances de pointe rendues accessibles par ces recherches trouveront naturellement des dbouchs dans diffrents secteurs. On peut par exemple citer le domaine de la radionavigation qui ncessite des rfrences temporelles ultraprcises. Certaines applications de dfense sont galement susceptibles dtre concernes avec des besoins exprims en terme de datation-synchronisation des systmes dinformation, ou en terme dacclromtres et de gyroscopes de trs grande prcision.
4.2
Mtrologie des frquences micro-ondes
Lutilisation de techniques avances de la photonique est un lment cl dans la majorit des horloges micro-ondes de trs haute performance. Les diffrentes possibilits existantes ou en cours de dveloppement sont dcrites ci-dessous. 4.2.1 Fontaines atomiques
A lheure actuelle, les fontaines atomiques sont les horloges micro-ondes les plus performantes avec des exactitudes de quelques 10-16. Elles utilisent des mthodes de refroidissement datomes par laser (pige magnto-optique, mlasse optique, lancement par la mthode de la mlasse mouvante) qui ncessitent des systmes optolectroniques complexes. Les fontaines atomiques sont dsormais les principales contributrices la ralisation de la seconde du systme internationale. Pour ces systmes et pour leur utilisation pour la physique fondamentale (test de stabilit des constantes fondamentales par exemple), la robustesse et la fiabilit du systme optolectronique est un point essentiel sur lequel de nombreux progrs seraient envisageables et utiles. On peut citer par exemple la ralisation de source lasers puissantes et fiables sur le long terme par divers moyens (fiabilisation de composants semi-conducteurs existants, notamment les amplificateurs de type tapered amplifiers , dveloppement de systmes bass sur le doublage de laser telecom), dveloppement de fibres optiques polarisantes en utilisant par exemple les fibres cristaux photoniques. 4.2.2 Horloges spatiales atomes froids
La spatialisation dune horloge atomes froids (plus gnralement dun dispositif atomes froids) constitue un dfi technologique, notamment au niveau du systme optolectronique. Un des objectifs de la mission spatiale PHARAO/ACES est de dmontrer quil est possible de spatialiser un tel systme dans le cadre dune mission de dure de quelques annes bord de la station spatiale internationale. Cependant, pour des missions scientifiques futures impliquant dautres atomes (pour
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des horloges optiques ou micro-ondes), impliquant une dure de mission plus longue, dans un environnement plus dur du point de vu du rayonnement, il est clair que de nombreux dveloppements concernant la spatialisation des systmes optolectroniques complexes restent faire. 4.2.3 Horloges pigeage cohrent de population
Une option permettant dobtenir des systmes beaucoup plus compacts et simplifis consiste utiliser le pigeage cohrent de population ralis sur un gaz datomes chauds. On vite ainsi la complexit qui va de pair avec le refroidissement laser. Selon les performances et le volume recherch, des systmes allant dun volume de quelques cm3 et quelques dm3ont t dvelopps avec en gnral, des stabilits allant de 10-11 mieux que 10-12 une seconde. Dans ce type dhorloge, le systme laser peut se rduire une seul diode laser module la frquence horloge ou la moiti de celle-ci, ou bien consister en deux diode lasers asservies en phase lune sur lautre. On notera que la mthode du pigeage cohrent de population ou ses variantes peuvent aussi servir pour des magntomtres ou des gyromtres. 4.2.4 Horloges atomes froids compactes
Pour atteindre des performances suprieures aux horloges pigeage cohrent de population tout en gardant en gardant lobjectif dembarquabilit et de spatialisation, des horloges utilisant les atomes froids dans une configuration plus compacte que les fontaines atomiques sont tudies. Une premire possibilit consiste superposer la zone de refroidissement et la cavit micro-onde. En micro gravit, les atomes restent sur place, ce qui permet denvisager des temps dinterrogation relativement longs et la rutilisation des atomes dun cycle lautre afin de minimiser les temps morts. Une seconde possibilit consiste utiliser les possibilits des puces atomiques. Dans ce cas, les atomes sont pigs en utilisant un pige magntique gnr par des courants circulant dans des conducteurs disposs sur un dispositif micro-fabriqu. Le refroidissement et le pigeage laser sont raliss proximit de la surface du circuit ce qui conduit des dispositifs compacts. Le pigeage non dissipatif dans un pige magntique permet dobtenir des temps dobservation trs longs, sur Terre comme en micro gravit. En gnral, le systme optolectronique pour ce type dhorloge est dune complexit intermdiaire entre celle dune fontaine atomique ou de lhorloge PHARAO et celle dune horloge pigeage cohrent de population. Pour ce type dhorloge des stabilits proches de 10-13 ont t dmontres. 4.2.5 Oscillateurs micro-onde ultra stables
Pour des horloges de trs hautes performances ou des applications comme la VLBI trs haute rsolution angulaire dans la gamme 500 GHz-1500 GHz, il est trs intressant de disposer doscillateurs micro-ondes trs bas bruit. Dans ce domaine, des dveloppements rcents impliquant la photonique doivent tre mentionns. En partant dun laser stabilis sur cavit une longueur donde techniquement favorable (1550nm, 1064nm) et en utilisant un peigne de frquence optique femtoseconde gnr par un systme, on peut gnrer des signaux micro-ondes avec des stabilits proches de quelques 10-15 une seconde sans faire appel la cryognie. Evidemment, le dveloppement de technologies permettant de raliser des peignes de frquence optiques fiables, compacts et embarquables ou spatialisables est galement crucial pour lutilisation dhorloges optiques. Dans ce domaine aussi, des dveloppements dans les aspects concernant la photonique sont ncessaires pour passer de la dmonstration en laboratoire lutilisation spatiale ou embarque.
4.3
Mtrologie des frquences optiques
Les horloges optiques, qui reposent sur la spectroscopie de transitions atomiques de faible largeur de raie dans le domaine visible ou UV, offrent un potentiel important pour dpasser lavenir les meilleures fontaines atomiques et fournir des talons encore plus exacts. Diffrents types de systmes sont aujourdhui considrs pour limplmentation de ce type dhorloges. Des dveloppements sont ainsi en cours pour tudier les performances ultimes accessibles avec diffrents types datomes neutres (mercure, strontium, ytterbium, argent), ou avec un ion unique pig (e.g. calcium). Il sagit dans ce cas de dvelopper les sources laser ncessaires au pigeage, refroidissement et linterrogation dun ensemble datomes. La difficult rside dans les longueurs donde ncessaires la manipulation de ces espces qui ncessitent le dveloppement de sources laser spcialement adaptes. En outre, la phase dinterrogation de lchantillon pig impose
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lutilisation dun laser ultrastable, qui ncessite un important effort technologique, en raison de la svrit des performances recherches. Les recherches actuellement en cours devraient permettre de mieux comprendre les limites technologiques actuellement rencontres sur les expriences pour dvelopper une nouvelle gnration dinstruments qui, avec des exactitudes meilleures que 10-17 , devrait sapprocher des limites ultimes de ces nouvelles horloges. 4.3.1 Dissmination de rfrences de frquence et transfert du temps
Les tudes sur la ralisation de rfrences ultra-stables saccompagnent de recherches sur les moyens permettant de transfrer distance linformation afin dune part de comparer des donnes provenant de diffrentes horloges, et dautre part de mieux raccorder et talonner les chelles de temps atomique (Temps Atomique International, Echelle de temps du systme GALILEO, etc). Ces travaux sarticulent notamment autour de lutilisation de satellites de tlcommunications, ou du systme GPS et visent dvelopper des mthodes pour amliorer la prcision de ces techniques de comparaison. A plus long terme, lutilisation de liens optiques fibrs pour la comparaison dhorloges ultra-stables distance constitue une solution prometteuse pour contourner les limitations introduites par les techniques dcrites ci-dessus. Le transfert direct dune rfrence optique sur des distances de lordre de 1000 km fait partie des objectifs atteindre pour la construction dun rseau du temps europen. Au niveau des perspectives long terme, on peut signaler quun rseau fibr de grandes dimensions constituerait un interfromtre Sagnac gigantesque permettant deffectuer des mesures gophysiques et des tests de leffet Lense-Thirring. 4.3.2 Interfromtres ondes de matire
Lutilisation des interfromtres ondes de matire ouvre des perspectives fascinantes pour une nouvelle gnration dinstruments. En particulier, ces techniques ouvrent des voies nouvelles pour la ralisation de gyromtres et dacclromtres de trs hautes performances. Les recherches mener consistent tudier de nouveaux concepts de mesure permettant de repousser les limites des diffrentes approches pour des sensibilits encore accrues, ncessaires pour les expriences de physique, les applications en gophysique, en mtrologie fondamentale ou la navigation inertielle qui sont vises. Un des points forts de ce type de capteur inertiel est lobtention dune trs grande stabilit long terme et exactitude. Les interfromtres atomiques sont des outils de choix pour raliser des tests de physique fondamentale, et notamment des lois de la gravitation, que ce soit pour des mesures de forces courtes distances (de lordre du micromtre) dans le cadre dexpriences en laboratoire, pour raliser des tests du principe dquivalence ou via des mesures dacclration lchelle du systme solaire pour des tests grande distance. Par ailleurs, les gyromtres ultra-sensibles peuvent galement tre mis profit pour raliser des tests de la relativit gnrale comme la mesure de leffet Lense-Thirring. Les acclromtres atomiques sont galement envisags dans la ralisation dun nouveau type de dtecteur dondes gravitationnelles, pouvant permettre datteindre basse frquence une meilleure sensibilit que les interfromtres optiques dans le cadre dexpriences au sol. Ces mmes interfromtres sont utiliss en mtrologie fondamentale : la mesure de la structure fine , aux mesures de certaines proprits atomiques (comme de la polarisabilit dilectrique) ou lutilisation dun gravimtre atomique une possible redfinition de lunit de masse par la constante de Planck via lexprience de la balance du watt. Lutilisation de linterfromtrie atomique permet un trs bon contrle des effets systmatiques, ce qui est ncessaire lobtention de lexactitude requise pour ce type dexprience. Le dveloppement de capteurs inertiels atomiques de trs grandes performances ouvre galement de nouvelles perspectives en gophysique. Premirement, les performances attendues permettent denvisager de remplacer les acclromtres fonds sur des technologies standard par des appareils plus performants la fois pour les gravimtres absolus sols et pour la godsie spatiale. Des applications de terrain en gravimtrie, la prospection ptrolire et minire, peuvent galement dj tre envisages. Deuximement, le dveloppement de gyromtres atomiques de trs grande performance doit permettre de fournir des mesures importantes pour la dfinition des systmes de rfrences clestes et en gophysique. En ralisant des mesures locales et sur des temps relativement courts (quelques minutes quelques heures) de la rotation de la terre, ce type de gyromtre ultra-sensible donnera des informations complmentaires celles issues du VLBI, et notamment sur linfluence des tremblements de terre sur lorientation de laxe de la rotation de la terre.
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Il est galement ncessaire de poursuivre les travaux permettant de progresser vers des architectures dinstruments beaucoup plus compactes et robustes, qui permettront de favoriser le transfert vers lapplication. Ces dveloppements porteront notamment sur lutilisation des mthodes de pigeage et de manipulations datomes ultra-froids, qui sont fondes sur lutilisation de puces atomes magntiques ou optiques. Ils permettent denvisager de nouveaux concepts dinterfromtre bnficiant des proprits particulires de cohrence de ces sources atomiques. En utilisant des atomes piges, ces mthodes doivent notamment permettre daugmenter le temps de mesure, et donc la sensibilit, tout en amliorant la compacit. Ces dveloppements sont donc essentiels pour les applications ncessitant la fois des trs hautes performances et une grande compacit, comme en navigation inertielle ou pour les diffrents projets spatiaux. Dans ce dernier cas, laugmentation de la sensibilit envisage en apesanteur est de plusieurs ordres de grandeur, que ce soit pour les applications la physique fondamentale ou la gophysique.
4.4
Interfromtres ultrasensibles
Linstrument VIRGO a atteint la sensibilit nominale fixe au dmarrage du projet c'est--dire une mesure de variation de distance de lordre de 10-19 m la frquence de 200 Hz, dans une bande de mesure de 1 Hz. Le dispositif est actuellement en cours damliorations techniques pour prparer le projet Advanced Virgo. Afin de minimiser le bruit de photons, ce dernier est plus ambitieux que le prcdent en termes de puissance stocke dans linterfromtre (environ 150 fois plus) , ce qui demande un contrle des effets thermiques dans les optiques par lutilisation de matriaux slectionns, trs faible absorption, pour les substrats et les couches minces, et par lajout dun systme de compensation des dformations rsiduelles (les gradients thermiques des composants optiques sont minimiss en rchauffant les zones froides avec un laser CO2) . La sensibilit sera amliore dun facteur 10 et le volume dUnivers observable augmentera donc dun facteur 1000. Dans le domaine de la photonique, il sagit de raliser un laser de forte puissance (200 W) continu et ultra-stabilis. Les lasers solides (YAG ou Orthovanadate dops au Nodyme) ont t jusquici une solution fiable mais les charges thermiques dans les barreaux laser vont plafonner leur performance en puissance de sortie et une extrapolation vers des puissances plus leves ne pourra se faire quavec de nouveaux types de laser. Les lasers fibrs ont fait des progrs considrables depuis peu en mtrologie des frquences et galement en tant quamplis de puissances monomodes trs leves pour des applications militaires ; leur rendement et leur compacit font deux des candidats invitables comme sources laser dans la mtrologie de distance pour la dtection des petits dplacements (dtection des ondes de gravitation sur Terre et dans lespace), et une recherche est en cours pour les stabiliser au niveau requis par Virgo. Un projet denvergure europenne (Einstein Telescope) pour un observatoire des ondes de gravitation est en gestation actuellement et amliorerait la sensibilit dun facteur 100 par rapport Virgo. Dans ce projet, les enjeux seront de taille car il faudra surmonter quelques limitations quantiques, bruit de photons, bruit de pression de radiation, bruit thermique des miroirs, . . Dautre part les senseurs atomes froids dont la miniaturisation est en cours de dveloppement, pourraient trouver des applications dans le contrle des isolateurs sismiques des miroirs des futurs Virgo.
4.5
Mtrologie des distances
Les progrs raliss dans le domaine des peignes laser ouvrent des perspectives nouvelles en matire de mtrologie des distances. Un couplage de techniques interfromtriques et de mesure de temps de vol est suggr pour dterminer la faisabilit des mesures de distance. En effet, lutilisation de ces outils permet de contrler simultanment la frquence de rptition des impulsions et la frquence optique de chacune des raies spectrales et de les comparer entre elles. Il devient possible de mesurer, par exemple, une distance de 100 km avec une grande prcision et une rsolution du nm, si le laser est stable au niveau 10-14. Un tel lien pourrait tre la base de liens plus complexes visant mesurer les 6 degrs de libert dun hexapode comme celui propos pour la mission Pgase. Un effort est mener pour aboutir des solutions laser de haute performance compatibles dune utilisation spatiale (lasers fibrs ou diode lasers). Des applications en godsie spatiale (vols en formation pour des missions post-GRACE) ou pour la surveillance de failles, faisant appel ce type de technologies sont proposes depuis quelques annes aux Etats-Unis et lESA finance galement plusieurs R&D dans ce sens.
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Des techniques plus simples sont galement dveloppes pour cette application. Elle consiste produire la frquence de rptition par battement entre deux lasers fibrs et de transformer cette modulation sinusodale en train dimpulsions dans des fibres choisies pour leur dispersion et leur nonlinarit. Elle permet galement datteindre des niveaux de performance tout fait remarquables.
4.6
Programmes nationaux, positionnement international
La communaut franaise se positionne au tout premier plan international sur la quasi-totalit des domaines prsents prcdemment. Les Etats-Unis disposent dune courte avance technologique sur un certain nombre de sujets (interfromtres ondes de matire, horloges atomiques compactes) mais celle-ci correspond davantage aux capacits industrielles quaux comptences acadmiques. Une petite dizaine de laboratoires dveloppe des activits sur ces thmatiques : SYRTE, Laboratoire Charles Fabry de lInstitut dOptique, LKB , FEMTO-ST, PIIM, LPL, OCA Ce domaine ne fait pas partie des programmes thmatiques mis en place par lANR et les demandes de financement sont donc effectues dans le cadre du programme blanc. Il faut toutefois signaler la possibilit de financements ponctuels par le CNES et la DGA, ainsi que de financements europens dans le cadre de la politique de mise en place de grands instruments scientifiques.
4.7
Structuration de la communaut
Depuis plusieurs annes, les groupes de comptence concerns sont dj partiellement structurs autour de groupements de recherche existants ou ayant exist : GPhyS Gravitation et Physique fondamentale dans leSpace, action fdrative nationale port par lObservatoire de Paris depuis 2008. GPhyS regroupe les labos nationaux travaillant sur les domaines suivants : mtrologie (T/F, capteurs inertiels), gravitation (ondes gravitationnelles et tests de la loi de gravitation diffrentes chelles), tests de physique fondamentale (espace mais aussi sol), systmes de rfrence despace-temps GRGS, Groupement de Recherche en Godsie Spatiale IFRAF, lInstitut Francilien de Recherche sur les Atomes Froids (IFRAF), qui joue un rle structurant au niveau de la communaut Atomes froids anciens GDR (GREX, G2, AGRET, ) dont certains continuent exister en tant que groupements informels. Cependant, le regroupement de cette communaut lchelle nationale dans une structure prenne du CNRS est devenu incontournable avec pour objectif dassurer une meilleure coordination des forces en prsence et danimer de faon plus structure lvolution scientifique de ces thmatiques. Ce regroupement est dautant plus important et urgent que de grands projets sol/spatiaux dans ce domaine sont dj en cours et que la crdibilit des futures propositions de grands projets requiert imprativement une excellente structuration des porteurs de projets. Des discussions menes depuis 2006 conduisent proposer aujourdhui une action spcifique INSU (en partenariat avec les autres instituts INP, INST2I, IN2P3) ayant vocation devenir un programme national dont les objectifs sont les suivants : Organisation nationale visible et prenne de la communaut scientifique concerne Possibilit de dfinition dun interlocuteur naturel pour certains programmes spatiaux Flchage de postes Financements spcifiques (dont post-docs) Coordination, collaboration, animation (actions en cours, contribution aux services nationaux et internationaux, ) Mise en place dun partenariat : CNRS (INSU+INP+INST2I+IN2P3), CNES, ESA, IGN, Etablissements (Observatoires, universits), CEA, ONERA, Le primtre de cette action spcifique couvrirait celui de GPhys largi aux systmes de rfrence et la godsie spatiale. La communaut nationale dans le domaine des interfromtres pour la gravitation sest structure progressivement autour de Virgo pour les aspects technologiques (lasers ultra-stabiliss, miroirs trs faibles pertes, mtrologie optiques ultra-prcise des pices de grande dimension), elle sest enrichie rcemment de partenaires experts dans en physique quantique et en atomes froids.
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Cette communaut est structure actuellement soit dans la collaboration Virgo pour les aspects technologiques de la construction de Virgo, soit dans le soutien R&D travers ILIAS-GW (Integrated Large Infrastructures for Astroparticle Physics-Gravitational Waves), dans le cadre du FP6.
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MATERIAUX
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5 . MATERIAUX AVANCES
5.1 Primtre Un certain nombre de matriaux suscite un intrt particulier pour loptique. Il serait videmment difficile den faire une liste exhaustive, nous ne nous intressons donc qu quelques uns dentre eux et en particulier ceux qui montrent un intrt particulier quant leurs applications dans le domaine de loptique et aux perspectives scientifiques dont ils font lobjet. Il sagit : des semi-conducteurs grand gap, c'est--dire ceux ayant une bande dnergie interdite grande devant 1 eV (de 3 eV 6 eV) tels que les lments IV (SiC, diamant), III-V (GaN et ses alliages) et II-VI (ZnO et ses alliages, ZnS et ZnSe et leurs alliages) et dont les nombreuses applications vises sont pour les II-VI les sources DEL, les lasers trs bas seuil, les botes quantiques, les microcavits, les traceurs pour la biologie, pour les III-V les DELS bleues, vertes, blanches et UV, les microcavits, les VCSEL, les polaritons, les cristaux photoniques et pour les lments IV, le dopage n du diamant, des semi-conducteurs poreux, naturellement nano, meso ou microstructurs, permettant la fois le confinement dlectrons, de phonons et de photons. Les proprits uniques quils prsentent permettent denvisager un nouveau type de matriau photonique multifonctionnel aux applications multiples dans les domaines de la biologie (marquage - vecteur, culture cellulaire observation), du stockage et de la production dnergie (cellules photovoltaques), de la sensorique (lectrique - optique - chimique), de la microlectronique et des MEMS/NEMS (couche sacrificielle ou reprise de croissance) des cramiques polycristallines transparentes qui pourraient savrer dcisives pour la fabrication de source laser de trs forte puissance. Ces cramiques pourraient se prsenter sous forme de barreaux segments dont chaque segment contiendrait un taux de dopage en nodyme spcifique ou encore sous la forme dun barreau ayant un gradient continu en dopage. Des travaux thoriques ainsi que les premiers rsultats obtenus avec des pices monocristallines semblent montrer que cette voie est trs prometteuse des photopolymres pour les applications en optolectronique organique (OLED / affichage), en photovoltaque, en biologie (lab-on-chip), en chimie (capteurs), en micro et nanoptique (lithographie optique, nanocapteurs,), en stockage dinformations (enregistrement holographique), en optique diffractive et rfractive des botes quantiques collodales dont lapplication la plus aboutie est leur utilisation comme sonde fluorescente pour limagerie mdicale, les dfis relever dans ce domaine tant de synthtiser des QD mettant entre 700 et 1100 nm et trouver une chimie de surface permettant de cibler in vivo avec des tailles infrieures 10 nm. Dans le domaine de loptolectronique, des travaux devront permettre loptimisation des LED organiques et des cellules photovoltaques fabriques partir de QD collodaux. Sur un plan plus fondamental, de nombreuses tudes restent faire sur la comprhension et la matrise des synthses des QD ainsi que sur ltude des proprits physico-chimiques des particules nouvellement synthtises des cristaux pour loptique et les lasers qui sont soit des cristaux luminescents dops ou non par des ions optiquement actifs, soit des cristaux forte susceptibilit non linaire dordre 2 ou 3. La liste de ces cristaux tant assez longue, nous renvoyons le lecteur au document complet relatif cette thmatique. Quant aux perspectives scientifiques, elles se posent en termes de domaines de longueurs donde, defficacit et de robustesse, de dimensionnement et de mise en forme et videmment de manire sous jacente en termes de qualit optique et de reproductibilit de fabrication des nanotubes de carbone (CNT) dont les tudes sur leurs proprits optiques se sont fortement dveloppes depuis le dbut des annes 2000, poque au cours de laquelle un verrou technologique important a t lev savoir la possibilit de sparation et disolation des CNT qui avaient une trs forte tendance sagrger en cordes, agrgation lorigine dune forte inhibition de la luminescence des CNT. Les tudes menes dans le cadre des proprits optiques des CNT ont montr lexistence dexcitons unidimensionnels fortement lis qui conditionneront les performances de la plupart des dispositifs optolectroniques. 5.2 Semi-conducteurs grand gap
Lappellation grand gap pour les semi-conducteurs na de sens que dans une vision historique. Le silicium et le germanium ayant pos les bases de rfrence dun gap dit normal, la dnomination
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grand gap est rserve aux semi-conducteurs de bande dnergie interdite grande devant 1eV. En pratique, la valeur est dau moins 3eV et va jusqu 6eV environ. Au del, les possibilits de dopage et de conduction sont suffisamment limites pour que lon parle disolants. Mais il faut noter que ce seuil a t revu la hausse ces dernires annes car des matriaux comme le diamant ou AlN taient considrs comme des isolants au sicle dernier. On peut recenser les matriaux suivants, classs par famille : Elments IV : le carbure de silicium (SiC) sous ses divers polytypes, et le diamant Elments III-V : le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages contenant de lindium et de laluminium (AlInGaN), voire du bore (AlGaBN) Elments II-VI : loxyde de Zinc (ZnO) et ses alliages avec Cd et Mg, ainsi que ZnS, ZnSe et leurs alliages avec Cd, Be, Te, Mg 5.2.1 ZnSe-ZnS et alliages
Ces matriaux ont t largement tudis dans les annes 80 et 90 notamment pour leurs proprits optiques car ils taient pressentis pour la ralisation de sources de lumire dans le bleu et le vert. Malgr des dbuts prometteurs, avec quelques rsultats laser, ces matriaux nont pas tenu leurs promesses en raison de problmes de fiabilit. Leur tude pour les sources DEL et laser est dsormais trs limite dans le monde et en France. En marge de cet effort pour des composants, ces matriaux ont galement t utiliss pour des tudes plus fondamentales concernant les botes quantiques, les microcavits et plus rcemment les traceurs pour la biologie. Cet effort se poursuit actuellement. Linsertion dun atome magntique dans une bote quantique CdTe/ZnTe permet de travailler sur la dynamique de spin et daborder les problmes denregistrement/lecture de spin. Les microcavits II-VI permettent dtudier les polaritons, la condensation de Bose Einstein et les lasers seuil trs bas. Les nanosphres de CdSe sont actuellement utilises en tant que traceurs pour des applications biologiques. 5.2.2 ZnO
ZnO est utilis depuis longtemps de faon industrielle pour des applications aussi varies que la pharmacie, la cosmtique, mais aussi pour la fabrication des pneus, papier pour photocopies, allumettes, ciment dentaire Il est tudi de faon intensive pour ses proprits de semi-conducteur large gap (3.3eV) depuis les annes 90. Les motivations ces tudes sont multiples. Celle couramment mise en avant est lmission de lumire dans le proche UV ou le bleu (puits quantiques ZnCdO) pour concurrencer GaN. Ces 2 matriaux sont en effet assez proches lun de lautre. Cependant, la russite exceptionnelle des nitrures pour la ralisation de sources de lumire, en dpit de leur qualit cristallographique modeste, ne laisse pas beaucoup de place ZnO. Dautres applications ou dautres tudes fondamentales semblent avoir un champ plus ouvert. ZnO a la particularit davoir une liaison excitonique trs forte (60meV). Toute la physique et tous les composants reposant sur les excitons sont donc susceptibles de fonctionner haute temprature et haute densit dans ZnO. On peut citer par exemple les polaritons et les lasers microcavits. Une autre particularit est lespoir de pouvoir constituer une phase ferromagntique temprature ambiante. Certaines thories ont en effet prdit que ZnO (comme GaN) dop avec des ions magntiques pourrait tre ferromagntique 300K si le dopage de type p donne une densit de trous suffisante. Une telle ralisation serait une porte ouverte sur la spintronique. Un effort important est consenti sur ce thme dans le monde. Certains rsultats positifs en aimantation se sont malheureusement avrs tre des erreurs dinterprtation sur lorigine du magntisme. Les ions magntiques peuvent former des prcipits ou des phases parasites ferromagntiques sans que la phase semiconductrice ZnO ne soit ferromagntique. Le but reste donc atteindre. Une autre tendance actuelle observe est lutilisation conjointe de ZnO et GaN pour des applications dmission de lumire. Enfin, et ce point sera repris dans le cas de GaN, ZnO est un matriau polaire, sige de forts champs lectriques selon laxe c de sa maille hexagonale. Des htrostructures ZnMgO/ZnO haute mobilit dlectrons ont tir profit de ce champ. Toutefois, de nombreuses quipes dans le monde cherchent pitaxier du ZnO selon une direction diffrente de laxe c, pour obtenir du ZnO dit "non polaire". Signalons pour finir la biocompatibilit de ZnO souvent mise en avant pour ouvrir les applications vers la biologie, ou encore les nanofils pour des applications plus long terme.
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5.2.3
GaN et alliages
Apparu furtivement dans les annes 70, GaN est rapparu au grand jour dans les annes 90 et reprsente aujourdhui le semiconducteur le plus important sur le plan conomique (trs loin) aprs le silicium. Lapplication phare est constitue par les DELs. Des DELS bleues et vertes sont produites. En combinant avec un luminophore mettant dans le jaune, des DELS blanches sont obtenues et pourraient prendre une place considrable pour lclairage public et domestique. Enfin, des DELs UV sont fabriques, notamment pour des applications de strilisation dair ou deau. Vu les enjeux conomiques, leffort mondial en R&D dans ce secteur est gigantesque. Il porte sur diffrents points. GaN est un matriau polaire, comme ZnO. La phase hexagonale est en effet la plus stable du point de vue thermodynamique. Une autre phase, cubique, est non polaire mais sa synthse savre bien plus difficile matriser. Les champs lectriques internes qui apparaissent dans les htrostructures pitaxies en phase hexagonale selon laxe c nuisent au bon fonctionnement des DELs et laser. Lpitaxie de matriau selon dautres orientations est un thme extrmement actif et les progrs en GaN non polaire ou semipolaire sont rapides. Ces DELs ayant vocation fournir des puissances importantes, beaucoup dtudes visent amliorer leur efficacit fort courant (kA/cm2). Enfin, les sources vertes base de GaN restant moins performantes que leurs consurs bleues, lmission dans le vert est un challenge actuel aussi bien pour les DELs que pour les lasers (la barre des 500nm de longueur donde dmission a t atteinte en 2009). Llectronique base de GaN nest pas en reste. GaN a la capacit de supporter des courants et des tensions nettement plus grands que le Si ou le GaAs. Il peut en outre fonctionner plus haute temprature. Enfin, ses caractristiques matriau lui permettent de travailler plus haute frquence que le Si ou SiC, mais plus basses que GaAs ou InP. GaN, dont le composant lectronique le plus abouti actuellement est le transistor effet de champ (HEMT), se positionne ainsi sur le march "Radio Frquence" forte puissance (5-10 W/mm de grille, avec un record 50 W/mm) et frquence moyenne (2-50 GHz). Aprs des annes de recherche et de progrs au niveau matriau et composants, leffort mondial se concentre dsormais sur la ralisation damplificateurs, sur la fiabilit, et sur la baisse des cots par la recherche de substrats de grande surface (Si par exemple). Au niveau de llectronique de puissance (diodes redresseuses, commutateur de puissance), un effort considrable est mis en place aujourdhui pour sapproprier un march de taille nettement suprieure celui de la RF. Naturellement bien adapt la dtection dans lUV, GaN et surtout AlGaN ont fait lobjet de travaux notables et des rsultats tangibles ont t atteints. Lenvergure des efforts dans le monde reste cependant conditionne par la taille du march vis, cest dire modeste. On assiste aujourdhui une grande diversification de la recherche sur GaN pour des composants de toutes sortes : MEMS, capteurs de pression, filtres acoustiques, capteurs chimiques ou biologiques. Louverture vers la biologie se profile, motive par lactivit optique des molcules du vivant dans le visible/proche UV, l o justement GaN excelle. A signaler encore que tous les domaines ouverts en GaAs sont dsormais actifs en GaN : microcavits, VCSEL, polaritons, cristaux photoniques, plasmonique, physique unipolaire Parent pauvre jusqu maintenant, loptique non linaire reste peu tudie dans GaN. En bref, la diversit et le dynamisme des recherches en GaN en font actuellement le semiconducteur compos le plus tudi. 5.2.4 SiC
Le carbure de silicium, synthtis de faon industrielle pour des applications mcaniques, pour des abrasifs (carborundum)est un semiconducteur prsentant une multitude de polytypes (cubiques ou hexagonaux) ayant un gap de lordre de 3eV. Ce gap est indirect si bien que ce matriau prsente peu dintrt pour loptolectronique. Connu depuis plusieurs dcennies, beaucoup plus pauvre en possibilit d htrostructures que GaN, il ne jouit pas dune activit de recherche fondamentale intense. La R&D se concentre sur la ralisation de composants pour llectronique de puissance (forte puissance, frquence <5GHz) et de capteurs. Les polytypes les plus utiliss sont les phases hexagonales 6H et 4H (transistors et diodes de puissance), et 3C pitaxies sur Si (capteurs, lectronique). Ces trois phases sont galement utilises en tant que substrat pour lpitaxie de GaN en raison du dsaccord de maille raisonnable (environ 3%) et des proprits de dissipation thermique du SiC. Rcemment, la possibilit de raliser du graphne la surface de SiC par traitement thermique a relanc les tudes fondamentales sur les surfaces de SiC. Le graphne pourrait ainsi enrichir la
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palette dhtrostructures possibles sur SiC, y compris SiC/Si, et ce sujet mrite une attention particulire. 5.2.5 Diamant
Elment naturel connu et apprci depuis longtemps, le diamant est galement synthtis et tudi depuis les annes 50, mais avec des succs variables. La technique donnant les couches les plus pures est la CVD plasma. Les tailles et les paisseurs restent limites. Avec un gap indirect de lordre de 6eV, le diamant a des proprits intrinsques (vitesse et mobilit des porteurs) trs attractives. Malheureusement, autant ses difficults de fabrication que les difficults de dopage, ont fortement limit jusqu ce jour son dveloppement en tant que semiconducteur. Le dopage n reste un challenge. La dcouverte en 2004 de la supraconductivit du diamant dop Bore a clairement ouvert une voie dinvestigation intressante. Les caractristiques mcaniques du diamant le prdisposent galement des tudes de nano-mcanique quantique, domaine qui apparat trs en vogue dune manire gnrale. Comme lAlN, le diamant apparat comme un bon dissipateur de la chaleur gnre dans les composants de puissance reports sur ces substrats. 5.2.6 Programmes nationaux, positionnement international Programmes nationaux : ANR : AAP blanc AAP PNANO- AAP MATetPro Evnements nationaux (GDR) : on retrouve les matriaux large gap dans les GDR thmatiques comme les nanofils Evnements internationaux De nombreuses confrences sont ddies GaN. Les deux plus importantes en taille sont : - ICNS : confrence internationale bi-annuelle (anne impaire) - IWN : confrence internationale bi-annuelle (anne paire) En ce qui concerne SiC, les plus grosses confrences sont : - ICSCRM : confrence internationale bi-annuelle (anne impaire) - ECSCRM : confrence internationale bi-annuelle (anne paire) Pour les semiconducteurs II-VI, les plus grosses confrences sont : - Int. Conf. On II-VI compounds : confrence internationale bi-annuelle (anne impaire) - Int ZnO worshop : confrence internationale bi-annuelle (anne paire) Pour le diamant : - European Conference on Diamond, Diamond- Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides. Material Research Society Symposium Recensement de communaut Communaut acadmique : - II-VI dont ZnO : CRHEA (Valbonne-Sophia Antipolis), INAC (Grenoble), LETI (Grenoble), GES (Montpellier), GEMAC (Meudon), INP (Paris) - GaN : CRHEA (Valbonne-Sophia Antipolis), INAC (Grenoble), LETI (Grenoble), GES (Montpellier), IEF (Orsay), IEMN (Lille), LPN (Marcoussis), LASMEA (Clermont Ferrand), CIMAP (Caen), GEORGIATEC (Metz) - SiC: CRHEA (Valbonne-Sophia Antipolis), INPG (Grenoble), LMI (Lyon) - Diamant : CEA (Saclay), GEMAC (Meudon), NEEL (Grenoble). Communaut industrielle nationale : - GaN : Thales (Palaiseau), Alcatel-Thales 3-5 Lab(Marcoussis), UMS, Picogiga (Les Ullis), STMicroelecronics (Tours), RIBER (Bezons), Lumilog (Vallauris) - SiC : Novasic (Bourget du Lac), STMicroelecronics (Tours)
5.2.7
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5.3 5.3.1
Semi-conducteurs poreux : matriaux photoniques multifonctionnels Gnralits et faits marquants
La dcouverte de la photoluminescence du silicium poreux en 1990 a permis de dcouvrir un nouveau type de matriaux savoir les semiconducteurs poreux dont les proprits vont au-del de lmission de lumire comme il a t dmontr depuis. Classs en fonction de la taille des pores (< 2 nm nanoporeux, entre 2 et 50 pour le mesoporeux et > 50 nm pour le macroporeux), les semiconducteurs poreux permettent la fois le confinement dlectrons, phonons et photons. Il en dcoule un contrle direct des proprits lectroniques, lectriques, thermiques, optiques et, si on ajoute cela une surface interne (dveloppe) pouvant aller jusqu plusieurs centaines de m2 / cm3, des proprits chimiques exacerbes. La double, voire triple chelle de structuration obtenue par synthse lectrochimique fait de ces matriaux des matriaux avancs obtenus par voies naturelles aux proprits quasi infinies si on tient compte en plus de la possibilit de les utiliser comme matrice daccueil pour dautres matriaux organiques et inorganiques. Dcouvert en 1956 puis redcouvert en 1990 pour ses proprits dmission de lumire, le silicium poreux reste le plus bel exemple pour illustrer lintrt de ce type de matriaux aux proprits multiples. Principalement concentr sur la luminescence, leffort de recherche au cours de ces 20 dernires annes, sest considrablement largi. Les applications concernent aujourdhui la fois les capteurs chimiques et biologiques, les MEMS, la microfluidique, llectronique, la production (cellules solaires) et le stockage de lnergie, la photonique et loptique intgre. Parmi les proprits les plus significatives au del de lmission de lumire, on peut citer : la possibilit de moduler fortement lindice de rfraction (n > 2) et ce de manire continue qui a permis la ralisation de microcavit planaire subnanomtrique, premiers miroirs parfaits monolytiques, filtres rugate, la possibilit de fonctionnaliser la surface du matriau de manire la rendre biocompatible, hydrophobe ou hydrophile, la possibilit de raliser partir de couches minces des poudres de matriaux luminescents qui peuvent tre utilises pour le marquage biologique ou comme vecteur pour la diffusion de molcules actives. Cette dernire proprit peut tre combine celle de moduler lindice de rfraction pour raliser des particules codes smart dust dont la couleur rvle le caractre hydrophile ou hydrophobe dune solution, une hypersensibilit du matriau certaines espces chimiques (NO2 par exemple) qui sexplique par une modification drastique de la concentration de porteurs intrinsques dans la couche (libration de porteurs libres pigs en surface par passivation de la surface), la possibilit de photostructurer lchelle micronique directement le matriau. Sa structure poreuse ouverte permet une nouvelle chimie de surface en volume limite uniquement par la longueur de pntration dans le matriau, la biocompatibilit du silicium poreux (contrairement au silicium massif) qui peut tre notamment utilis pour la croissance de cellules (ingnierie de tissus osseux par exemple), lincorporation de molcules fluorescentes ou absorbantes et lexaltation de leurs proprits dmission par dispersion nanomtrique ou structuration dindice. A ces diffrentes proprits viennent sajouter des proprits plus anciennes mais tout aussi intressantes comme : la possibilit dutiliser le matriau comme une couche sacrificielle (micro-usinage du silicium massif), la possibilit de raliser des membranes nano et mesoporeuses par voie lectrochimique. Cette proprit a t plus rcemment utilise pour raliser un spectromtre IR de type MEMS pour la dtection de gaz dont llment sensible est un miroir de Bragg accordable actionn lectriquement, la possibilit dutiliser le matriau comme isolant lectrique et surtout thermique, la conductivit thermique du silicium nanoporeux pouvant tre rduite de 5 ordres de grandeurs. Si le silicium est rest de loin le matriau le plus tudi, au fil des annes, lintrt sest galement port sur dautres semiconducteurs ou oxydes poreux comme : les semiconducteurs couramment utiliss en optolectronique, III-V comme le GaAs, GaP et lInP avec cependant une lectrochimie plus complexe dans le cas des matriaux binaires,
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le Germanium, le SiGe ou beaucoup plus rcemment le SiC, lalumine poreuse utilise comme nanotemplate, les films minces de TiO2 utiliss pour leur proprits photochimiques (photocatalyse), plus gnralement les films minces de nanostructures, nanofils et nanotubes de matriaux semiconducteurs. Parmi ces matriaux on trouve notamment les semi-conducteurs grand GAP comme le ZnO et les applications associes dans le domaine de lclairage (LED), lnergie (cellules photovoltaques) et les capteurs (proprits piezolectriques). Perspectives
5.3.2
Comme nous venons de le montrer, lide mme dobtenir une couche mince nanostructure partir dun semiconducteur (oxyde) permet dlargir considrablement les champs dapplications du matriau initial en lui confrant des proprits uniques rendues possibles grce la nano ou/et mesostructuration. De ce fait, dune manire gnrale, les semiconducteurs poreux permettent de rpondre au besoin croissant de matriaux nanostructurs grande chelle, abondants, environmental friendly , biocompatibles dont les procds dlaboration (principalement lectrochimiques) sont relativement simples, bas cot et pouvant tre trs bien maitriss. Un autre aspect essentiel est leur complmentarit vis--vis dautres matriaux. Principalement obtenus partir de matriaux semiconducteurs, bien, voir trs bien maitriss, (nature et type de dopage, tat de surface et cristallinit), les semiconducteurs poreux ont clairement bnfici de lexistence de substrats de qualit. Aujourdhui, si on reste sur lexemple du silicium, le silicium poreux a permis dtendre le champ dapplication du silicium pourtant dj relativement vaste (cf. http://www.quantum14.com/english/). Toutes ses proprits sont troitement lies la structure poreuse qui confre galement une certaine complexit au matriau (la problmatique du contact interne lectrique na toujours pas t rsolue). Clairement, des progrs sont encore raliser sur la chimie de surface pour rendre les matriaux encore plus compatibles entre eux (matriaux polymres ou biologiques). Un effort est galement ncessaire sur la modlisation des proprits optiques, mcaniques et surtout lectroniques mme si une prise en compte de la morphologie exacte semble impossible. Enfin, la perspective certainement la plus importante rside dans la possibilit de combiner lensemble de ces proprits en vue de raliser de nouveaux matriaux multifonctionnels et plus spcialement des matriaux photoniques multifonctionnels. Si loptique instrumentale est transversale, les matriaux pour loptique le sont beaucoup plus rarement comme le montre le silicium cristallin qui ne devient intressant pour loptolectronique et la photonique qu condition dutiliser les technologies de la microlectronique pour le micro nanostructurer ou doper. Les semiconducteurs poreux, comme le Si poreux le dmontre, constituent non seulement une alternative souvent associe des procds simples mettre en uvre et bas cot, mais surtout une nouvelle classe de matriaux dont les proprits restent dcouvrir ou inventer. On notera ici limportance de dvelopper des programmes transversaux et des quipes pluridisciplinaires pour valoriser au mieux ce type de matriau. 5.3.3 Principaux vnements nationaux et internationaux Confrences internationales : - Optique et photonique : SPIE PHOTONICS (aspects matriaux et applications), EOS etc - Confrences ddies matriaux : MRS, E-MRS, etc - Confrences ddies lectrochimie : ECS meeting - Confrences ddies : PSST (Porous Semiconductors - Sciences and Technology) Confrences nationales : JNOG, JMC, diffrents GDR comme GDR ondes. Principaux acteurs acadmiques nationaux : - Synthse : LPMC Palaiseau - Synthse et applications* : INL(INSA) Lyon, FEMTO-ST, FOTON Lannion, LCMTR-Thiais, LMP, GES, ENSCM Montpellier, ICD / LNIO Troyes. Industriels et industriels potentiels : - Semiconducteurs : Sony (Japon), SOITEC (France) - Matriaux : St Gobain (France) - Start-up : Quantum14 (Japon) - Equipementiers : Petzl (France), Paxitech (France), Biologic (France)
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5.3.4
Rsum
Naturellement nano, meso ou microstructurs, les semiconducteurs poreux permettent la fois le confinement dlectrons, phonons et photons. En dcoule un contrle direct des proprits lectroniques, lectriques, thermiques et optiques, quelles soient intrinsques au matriau ou extrinsques dans le cas de matriaux composites (matrices). Cependant, comme lont montr les recherches menes maintenant depuis une vingtaine dannes sur le silicium poreux, ce contrle ne devient possible que si la surface interne du matriau, pouvant atteindre plusieurs centaines de m2/cm3, est son tour contrle (passivation, ). Cet ensemble de proprits uniques permet denvisager un nouveau type de matriau photonique multifonctionnel aux applications multiples comme la biologie (marquage - vecteur, culture cellulaire - observation), le stockage et la production dnergie (cellules photovoltaques), la sensorique (lectrique optique - chimique), la microlectronique et les MEMS/NEMS (couche sacrificielle ou reprise de croissance).
5.4
Les cramiques transparentes pour loptique
Les cramiques transparentes pour loptique sont des matriaux polycristallins essentiellement base doxydes. Elles se distinguent des monocristaux usuels par le fait que leur microstructure est constitue dune multitude de grains de taille micromtrique colls les uns aux autres et spars par des joints de grain. Leur trs grande transparence est confre par trois proprits principales : - la prsence dune structure cristallographique cubique qui garantit lisotropie de lindice de rfraction - llimination totale de la porosit qui peut agir comme centre diffusant la lumire - llimination totale des impurets 5.4.1 Historique
La premire cramique transparente a t base dalumine. Elle a t dveloppe par General Electric en 1959 pour lutiliser comme enveloppe dans les lampes dcharge dclairage public. De 1960 1980 la recherche sur ces matriaux a t principalement mene par les amricains. Pendant cette priode des cramiques translucides base doxyde dyttrium ont t dveloppes par larme amricaine et Raytheon pour des utilisations en blindage ou dmes infrarouge pour missiles. Lutilisation en cavit laser de cramiques trs transparentes doxyde dyttrium mlang avec de loxyde de thorium a eu lieu en 1973. Dautres composs translucides base de spinelle (MgAl2O4) ou doxyde de magnsium ont t tudis. Citons galement des tudes sur des composs la fois transparents et pizolectriques tels que les PLZT. A partir de 1980, la recherche se dplace en Europe avec le dpt du premier brevet europen sur des cramiques transparentes de YAG (Y3Al5O12) par Philips. Il faut attendre une tude japonaise en 1995 pour voir apparatre des cramiques de YAG dont la transparence est au moins aussi bonne que celle des monocristaux. Une dizaine danne est le temps quil a fallu pour lever lensemble des verrous technologiques lis lobtention de cramiques totalement exemptes de dfauts. A partir de la littrature sur le sujet, on peut dfinir un procd gnral de fabrication dune cramique transparente. On peut le schmatiser en trois tapes essentielles (Figure 1) : Mlange des matires premires (sous forme de poudres nanomtriques) Mise en forme par un procd adapt (pressage, coulage) Frittage haute temprature (plus de 1500C) sous vide ou sous pression
Figure 1 : Schma de principe pour la fabrication de cramiques transparentes Certaines tapes incontournables apparaissent dans ce procd : Lutilisation de poudres nanomtriques (ce qui suppose une bonne matrise de la synthse chimique) Un procd de fabrication en phase solide tout au long du procd (pour rappel, la voie monocristalline ncessite le passage par une fusion des oxydes, c'est--dire des tempratures parfois suprieures 2000C) Lajout dun additif qui permet dabaisser la temprature de frittage (ex : SiO2 ou MgO pour la synthse du YAG)
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Les tempratures de synthse des cramiques, plus basses que pour les monocristaux, permettent prsent de raliser de nouveaux matriaux transparents comme loxyde de scandium ou de luttium. Les rendements laser des cramiques actuelles mesurs en cavit sont absolument identiques aux monocristaux usuels. 5.4.2 Perspectives technologiques
Il reste cependant un problme important dans les sources laser actuelles. En effet, au-del de plusieurs dizaines de joules des effets de lentilles thermiques apparaissent, ce qui entraine parfois la fracture des barreaux dans les cavits. Cet chauffement est d principalement une trop forte absorption de lnergie de pompage. Avec un profil dabsorption plus homogne le long du barreau ce problme disparaitrait. En consquence, le dveloppement des cramiques polycristallines transparentes soriente prsent vers la conception de pices dont les profils dabsorption de pompage seront matriss. Elles pourraient se prsenter sous forme de barreaux segments dont chaque segment contiendrait un taux de dopage en nodyme spcifique ou encore sous la forme dun barreau ayant un gradient continu en dopage. Des travaux thoriques ainsi que les premiers rsultats obtenus avec des pices monocristallines semblent montrer que cette voie est trs prometteuse. Le dveloppement de moyens industriels pour produire de tels composites savrera dcisif sur la fabrication de source laser de trs forte puissance. 5.4.3 Programmes nationaux et internationaux Programmes nationaux : Fonds commun des ples de comptitivit ANR : Mat & Pro Evnements internationaux : - LCS : Laser Ceramic Symposium tous les ans - ECerS, CLEO, tous les salons et congrs ayant un rapport avec la cramique technique ou les lasers Communaut acadmique nationale : SPCTS, ENSPCI, CEA Le Ripault, IUT Blois, ICMCB, INSA de Lyon Communaut industrielle nationale : CILAS, St-Gobain, Bakowski, THALES
5.5 5.5.1
Les polymres- Application loptique Gnralits : les polymres pour loptique
Compares aux centaines de varits de verre utilises pour loptique, la douzaine de matriaux polymres appliques au mme domaine prsente essentiellement des avantages de poids et de flexibilit de mise en forme, ainsi que de rsistance (mcanique, chimique, thermique ), desthtique (les progrs de la recherche permettent d'allier les fonctions recherches aux qualits visuelles formes, couleurs - et tactiles), de recyclage (le plastique est le seul matriau qui permet quatre modes de valorisation : remploi, valorisation matire, valorisation chimique ou nergtique),...et aussi de comptitivit, fiabilit, modernit, adaptabilit, technicit, sret Les optiques plastiques prsentent galement des avantages en terme de mthodes de production : production de masse, simple et peu coteuse, conception de surfaces trs compliques, rseaux de lentilles, lentilles de Fresnel, intgration dans des systmes complexes, contrle qualit, les inconvnients majeurs tant leur sensibilit des changements de temprature ou dhumidit, leur homognit en indice, leur birfringence, leur difficult dimplanter des revtements spcifiques sur certains dentre eux (procds haute temprature interdits). Le recours des procds de micro-moulage permet une fabrication en srie de micro-lments optiques avec une excellente fidlit de reproduction, y compris pour des formes complexes. Les principales applications industrielles pour loptique concernent loptique rfractive, loptique diffractive, les fibres optiques, les lentilles ophtalmiques, les lunettes ainsi que les filtres optiques. Il est noter que des avances considrables ont permis dtendre les domaines dapplications des matriaux polymres. Grce lingnierie molculaire, des progrs concernant la gamme dindice de rfraction accessible, lamlioration des proprits mcaniques, de la rsistance aux conditions agressives (temprature, solvants, etc) ont pu tre apports et ainsi limiter les inconvnients lis lutilisation de matriaux organiques.
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La possibilit de doper certains matriaux polymres permet de moduler les proprits optiques passives ou leur confrer des fonctions optiques actives : Pour ce qui concerne les proprits optiques passives, citons la possibilit de moduler lindice de rfraction dans une large gamme en ayant recours des monomres haut-indice ou des mlanges de monomres. Cette flexibilit autorise galement une modulation des proprits de surface, favorisant les proprits dadhsion sur des substrats divers (ouverture vers la micro-optique intgre). Le recours des matriaux hybrides, prpars par voie sol-gel, est une voie qui a t largement dveloppe durant la dernire dcennie. Lide est dans ce cas de dvelopper des matriaux aux proprits intermdiaires entre les verres inorganiques et les polymres en conservant les avantages de mise en forme lis cette dernire catgorie. Des efforts considrables ont galement t mens pour obtenir des niveaux de perte optique compatibles avec des applications pratiques, aux longueurs tlcom, et tout particulirement 1550 nm. Le recours des matriaux fluors permet dans ce cas dobtenir un niveau de perte du mme ordre de grandeur que celui des matriaux inorganiques optimiss. Le dopage des matriaux polymre peut galement tre utilis pour confrer des proprits actives. Citons les proprits : non-linaires dopage par des chromophores (azobenznes) ou des nanoparticules. Diffrentes solutions ont t proposes pour induire une anisotropie maximum dans le matriau et la conserver dans le temps. photorfractives dopage par des cristaux liquides photochromiques lectro-optiques modulateurs lectro-optiques damplification optique dopage par des terres rares Dune faon gnrale, les enjeux consistent raliser une incorporation d'une quantit maximale de dopants en conservant l'intgrit des objets individuels. En particulier, de nombreux travaux de chimie consistant modifier la matrice polymre ainsi que les proprits de surface des dopants (fonctionnalisation) permettent dviter lagrgation en obtenant des dopages importants. Un domaine dapplication prsentant une forte activit de dveloppement concerne llectronique organique, travers la mise au point de systmes daffichage bass sur des matriaux organiques (Polymer-OLED). Des travaux sont toutefois toujours en cours pour augmenter la dure de vie (en particulier dans le bleu), limiter la sensibilit des facteurs environnementaux (humidit, temprature) pour rendre cette technologie rellement comptitive. A noter que cette famille de matriaux prsente des potentialits en photovoltaque, ce qui explique galement un gros effort de R&D actuellement. Les applications linterface entre lotique et la biologie connaissent galement un dveloppement important, lintrt des matriaux polymre dans ce domaine tant de pouvoir tre incorpor dans un dispositif optique tout en apportant une rponse un paramtre biologique. Lutilisation de polymre a permis le dveloppement de capteurs optiques pour la biologie, en incluant des systmes tout intgrs (lab-on-chip). 5.5.2 Les photopolymres
La photochimie permet aujourdhui de disposer de matriaux organiques pouvant tre micro ou nanostructurs par voie optique et ceci de faon contrle. La raction de polymrisation photoinduite prsente de nombreux avantages tels que rapidit du processus, faible quantit dnergie ncessaire pour induire des diffrences de proprits physico-chimiques significatives, large gamme de monomres, de systmes photoamorceurs,.. Un large panel de systmes photosensibles est disponible, permettant de couvrir une gamme spectrale allant de lUV profond (150 nm) au proche IR (900 nm). Un autre avantage significatif repose sur la possibilit de contrler spatialement la raction photoinduite, la base du dveloppement des techniques lithographiques, avantage dcisif pour les applications en micro-nanofabrication, la modification du matriau nintervenant que dans des zones bien dlimites qui correspondent aux zones irradies. De nombreuses applications dcoulent de cette proprit mise profit en priorit par le domaine de la microlectronique et essentiellement pour la lithographique optique. En effet, les techniques et matriaux dvelopps pour ce secteur ont t largement dtourns pour dautres applications. Loptique, en particulier, est lun des domaines bnficiant des proprits des photopolymres et photomatriaux utiliss par exemple pour
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lenregistrement holographique, en micro-optique rfractive, diffractive, ou encore coupls des nanoparticules mtalliques pour former des matriaux hybrides prsentant de nouvelles fonctions optiques. Un des principaux intrts de ce type de matriau rside dans la possibilit dimplanter directement llment optique, basse temprature, sans le recours des tapes sous vide ou de gravure (physique ou chimique). Ces conditions tant compatibles avec la prsence des substances dopantes listes prcdemment, les photopolymres prsentent un potentiel dans tous les domaines de loptique viss par les polymres. Diffrentes techniques ont t dveloppes en fonction de la complexit des formes, de leur taille caractristique (photolithographie de proximit, de contact, direct-writing, techniques interfromtriques, techniques champ proche, etc). En gnral, les lments optiques sont fabriqus par photorticulation (rsines ngatives) puis dveloppement pour liminer la partie non phototransforme. Des procds alternatifs ne requirent pas de dveloppement pour obtenir soit une dformation de la surface (procds dits autodveloppant ) ou une modulation spatiale de l'indice de rfraction. Un domaine dapplication important concerne loptique guide. Les matriaux photopolymres constituent une voie trs intressante pour fabriquer des structures 1D (guides d'onde planaires), 2D (chanel-waveguides, micro-rsonateurs) ou des structures 3D plus complexes. Cest ainsi qu lchelle micro et nano, le domaine de loptique sintresse de plus en plus ces matriaux photosensibles pour raliser des lments optiques rfractifs et diffractifs tels que des rseaux de diffraction, des microlentilles, des guides donde, des diviseurs dintensit, des coupleurs directionnels, des interfromtres de Mach-Zehnder, Les mthodes employes sont essentiellement des mthodes photolithographiques classiques. Des procds alternatifs intressants ont t dvelopps qui permettent de simplifier lintgration des microlments optiques. Citons la propagation auto-guide (self-guiding). Une application de ce procd concerne la photopolymrisation de formulation photosensible en sortie de fibre optique. Elle a rcemment permis la ralisation de microlentille auto aligne avec le cur de la fibre, de sonde ouverture pour le SNOM, de micro-sondes, qui aprs fonctionnalisation, peuvent jouer le rle de capteurs bio-chimiques. Le recours la photopolymrisation multi-photonique permet denvisager la fabrication de circuits optiques 3D, en augmentant ainsi lintgration. Cette technologie a galement permis de fabriquer des lments complexes comme des cristaux photoniques, ou divers micro-lments optiques diffractifs. Le domaine du stockage optique d'informations constitue un autre domaine dapplication des photopolymres. La matrice photopolymre peut constituer un matriau hte passif accueillant des systmes photocommutables (dopage par des nanoparticules proprits photochromiques ou transition de spin). Dans dautres cas, la modulation dindice de rfraction induite par la raction de photopolymrisation, accompagne dventuels phnomnes de dmixtion, diffusion. De tels matriaux sont utiliss dans des produits commercialiss (In Phase). Un des challenges actuels est de contrler les phnomnes photo-induits des chelles de plus en plus petites de faon limiter la transformation photochimique un volume restreint de lespace tout en induisant une modification suffisante des proprits physiques ou chimiques qui permettent une discrimination entre les zones irradies ou non. Une voie consiste utiliser les outils issus de lindustrie de la microlectronique (en particulier la lithographie DUV 193 nm). Le recours la lithographie lectronique ou RX permet dobtenir des rsolutions nanomtriques dans des rsines ngatives ou positives. Les applications en optique visent principalement la fabrication de nanoobjets, ou de matrices de nano-objets. Dans ce cas, le photopolymre peut constituer un matriau sacrificiel servant de moule pour produire des nanostructures mtalliques (dpt mtal + lift-off ). Des rseaux en matriau dilectrique (polymre ou hybride) de pas nanomtrique prsentent galement un fort intrt pour obtenir des capteurs optiques ou des surfaces polarisantes (crans plats). Dans ce dernier cas, un des chalenges consiste pouvoir graver des nanostructures sur des surfaces importantes (typiquement 100 nm sur 1 m).
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Ces mthodes de nano-fabrication classiques sont compltes par des mthodes champ proche optique. Le contrle dune transformation photo-induite lchelle nanomtrique par des techniques de champ proche optique permet denvisager par voie bottom-up la fabrication de nanoobjets polymres ou de surfaces nanostructures pour loptique (stockage optique de linformation, nanocapteurs,). La photopolymrisation assiste par plasmon de surface localis a montr la possibilit de raliser des nanoparticules hybrides polymre / mtal prsentant des proprits optiques particulirement intressantes, le spectre dextinction de la particule hybride dpendant de langle entre la direction de polarisation et le grand axe de la particule. La spectroscopie Raman exalte de surface pourrait utiliser ces particules hybrides pour raliser des substrats accordables en longueur donde. Enfin, une tendance actuelle extrmement prometteuse consiste mlanger des techniques top-down et bottom-up. Le but est ladressage collectif de nano objets, condition sine qua non pour intgrer ces nano-objets (NPM, CNT, QD), dans des dispositifs. 5.5.3 Les principaux dfis
Les principaux enjeux de socit semblent se situer dans le domaine de l'nergie (photovoltaque), la biologie (biomdical) et les technologies de l'information (stockage d'information, communications optiques, dispositifs opto-lectroniques et affichage). Ces enjeux consistent dvelopper de nouveaux matriaux apportant de nouvelles fonctions et les nouveaux procds de mise en uvre associs. En parallle de ces applications trs avances, le dveloppement de procds bas-cots est galement important. Ces avances passent par 1/ un travail de R&D en design molculaire et synthse, 2/ la comprhension du lien entre architecture molculaire et rponse du matriau et 3/ le dveloppement de stratgies astucieuses de mise en uvre. Parmi ces mthodes de process, la mise en uvre de matriaux polymre ou hybrides, pour fabriquer des objets 2- ou 3-D, avec un contrle l'chelle nanoscopique de la structure constitue un dfi considrable. Le dveloppement de mthodes combinant approche top-down et bottom-up est une voie privilgie. 5.5.4 Principaux vnements nationaux et internationaux Confrences dans le domaine de loptique : - Nombreuses sessions dans les confrences SPIE PHOTONICS (couvre des aspects matriaux et applications), EOS, JNOG, etc - Confrences ddies matriaux (MRS, E-MRS, etc) et polymre (MACRO, EPF) - Confrences ddies micro-nano-fabrication Internationale = EIPBN - Europe = MNE - France = JNTE, (une initiative dvelopper) Principaux acteurs acadmiques nationaux Impliqus trs directement dans l'utilisation de polymres pour l'optique : IPCMS Strasbourg, POMA Angers, ENS Cachan , ECPM Strasbourg, INSA Lyon, ICD / LNIO Troyes,... Labos de chimie des photopolymres : DPG Mulhouse, Universit Clermont, ENS Cachan Industriels potentiels Optique : SGR, Jobin-Yvon Matriaux : Arkema, BASF Start-up : Lovalite
5.5.5 5.5.6
5.6 5.6.1
Les botes quantiques collodales ; un matriau aux multiples facettes Primtre
Lobservation visuelle de botes quantiques collodales (quantum dots ou QDs) de tailles diffrentes offre une manifestation macroscopique d'effets de confinements quantiques. Lorsquils sont illumins avec de la lumire UV, les solutions de nanocristaux brillent avec des couleurs diffrentes, directement lies la taille des nanoparticules. Cette illustration impressionnante de la mcanique
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quantique est le rsultat de nombreuses annes de recherche en chimie de synthse de nanoparticules, motives par les dveloppements technologiques prometteurs avec des matriaux base de QDs. A lheure actuelle, lapplication la plus aboutie de lutilisation des QD est celle de sonde fluorescente pour limagerie biomdicale. Aprs la premire preuve de principe en 1998, ce concept a t dvelopp activement et arrive maintenant une certaine maturit grce un meilleur contrle de la synthse des QDs avec notamment des structures cur/coquille avec des coquilles paisses qui permettent de saffranchir presque totalement du phnomne de clignotement observ jusqu' prsent de faon quasi universelle avec tous les fluorophores. La chimie de surface des nanoparticules continue tre tudie trs activement et modifie pour cibler ces nanoparticules, les rendre moins toxiques et plus furtives. Des synthses rcentes permettent davoir des QDs ne contenant plus de mtaux lourds et donc moins toxiques a priori. Ces efforts de recherche devraient permettre de dboucher sur des sondes multimodales, intelligentes, et de donner accs des marqueurs intressants pour limagerie in vivo. Les composants optolectroniques, comme les diodes lectroluminescentes (DEL) les photovoltaques ou les lasers, constituent un domaine plus traditionnel dapplication des semiconducteurs. La nature collodale des QDs ouvre la voie la fabrication peu chre et grande chelle de films fins de semiconducteurs par des mthodes dimpression ou dvaporation. Toute la difficult ici consiste combiner les bonnes proprits optiques des QDs avec les proprits lectroniques galement excellentes. Beaucoup de progrs sont effectus dans le domaine, avec notamment lapparition des premires DEL base de QDs compltement inorganiques. Lutilisation des QDs dans le domaine de lnergie solaire constitue un autre type dapplications qui a reu rcemment beaucoup dattention avec la recherche active de source dnergie dite verte. Dans ce domaine, il est possible que laspect bote quantique collodale ait plusieurs avantages. La possibilit de choisir la taille des QDs devrait permettre de rgler finement labsorption de la bande interdite pour quelle reproduise celle du spectre solaire. Dautre part, certaines quipes ont montr quil tait possible dextraire lnergie des photons de basse longueur donde ce qui devrait permettre de repousser la limite de conversion des cellules photovoltaques. Enfin, des techniques de synthse trs rcentes montrent quil est possible de synthtiser des plaquettes de semiconducteurs avec une paisseur contrle latome prs. Ces films ultrafins collodaux, puits quantiques parfaits, pourraient remplacer avantageusement les films dposs par MBE ou MOCVD. Un autre domaine dapplication des QDs en tant que matriaux optiques est linfra rouge. Si dans le visible les QDs sont en comptition avec les fluorophores organiques dont le rendement quantique peut tre proche de 100%, dans linfrarouge, autour de 1 m, ce rendement nest plus que de quelques pourcents. Au del de 2m, aucune fluorescence nest dtectable. Au contraire, des QDs avec une bande interdite dans linfrarouge comme le PbSe sont dexcellents metteurs dans linfrarouge et pourraient tre utiliss dans les communications terre/satellites travers latmosphre dont les fentres de transparence sont 3-5 m et 8-10 m. 5.6.2 Perspectives scientifiques, dfis
Dans le domaine de limagerie biomdicale, les dfis sont : Synthtiser des QD base de matriaux non toxiques Trouver une chimie de surface permettant de cibler in vivo avec des tailles < 10nm Synthtiser des QDs mettant entre 700nm et 1100nm Faire des sondes intelligentes i.e. dont une proprit au moins change lorsquelles trouvent leur cible. Dans le domaine de loptolectronique : Optimiser les LEDs toutes inorganiques fabriques partir de QDs collodaux Optimiser les cellules photovoltaques fabriques partir de QD collodaux. Laser partir de QDs Au niveau fondamental : Beaucoup reste faire dans la comprhension et la matrise des synthses de QD
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Ltude des proprits physico-chimiques des particules nouvellement synthtises reste fondamentale. Quelques questions intressantes sont : y-a-t-il gnration de multiexciton par thermalisation dans les QDs ? Peut-on rgler faon le temps de recombinaison Auger dans les QDs cur/coquille ? Les plaquettes de QDs peuvent-elles tre un ersatz aux films ultrafins de semiconducteurs ?
5.6.3
Programmes nationaux et positionnement international Programmes nationaux : AAP ANR P2N, blanc, Evnements nationaux, GDR : Nombreuses confrences sur les applications des QDs notamment pour limagerie biomdicale. Evnements internationaux : Gordon confrences (tous les deux ans aux USA). NANAX (tous les deux ans en Europe) Recensement de communaut
5.6.4
Communaut acadmique : Institut Nel, CEA INAC, Universit de Versailles, LKB / ENS Paris VI, INSP (Paris VI)
5.7 5.7.1
Cristaux pour loptique et les lasers Primtre
Les cristaux pour loptique et les lasers sont soit des cristaux luminescents dops ou non par des ions optiquement actifs, soit des cristaux forte susceptibilit non-linaire dordre 2 ou 3. Ils peuvent tre aussi lun et lautre ; on parle alors de matriaux bi-fonctionnels. 5.7.2 Les cristaux luminescents
Les cristaux luminescents sont presque tous des cristaux inorganiques dilectriques ou semiconducteurs dops par des ions de terres rares trivalents tels que les ions Ce3+, Nd3+ ou Yb3+ ou des ions de mtaux de transition du groupe du fer ltat di-, tri- ou ttra-valent tels que les ions Cr2+, Cr3+, Ti3+ ou Cr4+. Bien quon puisse classer ces matriaux de diffrentes manires, par exemple suivant leurs domaines dmission, leurs modes de fonctionnement ou leur utilisation, il parait prfrable de les classer par domaine de longueurs donde accessibles, et si on parle ni des semiconducteurs grand-gap (non-dops par des ions actifs), qui font lobjet dune prsentation part (voir paragraphe correspondant), ni des matriaux dilectriques vitreux (fluorures, oxydes et chalcognures), lesquels sortent de cette prsentation ddie aux monocristaux, on trouve les grandes familles de matriaux suivantes :
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Les cristaux dilectriques metteurs de lumire o Il sagit des cristaux metteurs UV-visible pour les scintillateurs et lasers UV ou multicouleurs Bleu, Vert, Rouge. Dans le cas des metteurs bleu-UV il sagit principalement de cristaux grand-gap (jusqu environ 12 eV) dops ou non par lion Ce3+, dont, pour les plus importants : Li(Y ou Lu)F4 :Ce3+, Li(Ca ou Sr)AlF6:Ce3+ metteurs de lumire laser accordable dans le proche UV (entre environ 280 et 330 nm) BaF2 (mission 295 et 310 nm), LaCl3 ;Ce3+ et LaBr3 :Ce3+ (missions vers 350-380 nm), CsI pur (metteur 315 nm), CsI :Na et CsI :Tl (metteur vers 420 nm), LSO (Lu2SiO5) :Ce3+, LYSO (Lu1.8Y.2SiO5) :Ce3+ et LPS (Lu2Si2O7) :Ce3+ (missions vers 440 nm), YAP (YAlO3) :Ce3+ (mission vers 400nm), PbWO4, CdWO4 (missions vers 475 nm), tous en tant que scintillateurs rapides. Pour les metteurs vert-rouge, il sagit du mme type de cristaux dops par lion Ce3+ mais surtout par les ions Er3+ et Pr3+, savoir : BGO (Bi3Ge4O12) et YAG (Y3Al5O12) :Ce3+ (scintillateurs autour de 500nm), YAP (YAlO3), Li(Y ou Lu)F4, KY3F10, BaY2F8 dops par les ions Er3+ ou Pr3+ (metteurs laser autour de 550, 610 et 640 nm)
o o
Les mmes fluorures que prcdemment, en particulier la colquirite LiCaAlF6, et certains oxydes tels que le grenat GSGG (GdGa3Sc2O12) dops par lion de transition Cr3+, ou encore lalumine Al2O3 (improprement dnomme saphir ) dope par lion Ti3+, pour des rayonnements lasers trs largement accordables ou impulsions ultra-brves (quelques cycles lumineux) dans le proche-infrarouge (entre 600 et 1100 nm). De nombreux oxydes dont (pour les plus importants aujourdhui) les grenats tels que YAG (Y3Al5O12), les vanadates et les tungstates tels que YVO4 et KGW (KGd(WO4)2), dops par lion Nd3+ mais surtout, de plus en plus, ces mmes oxydes ainsi que la fluoro-apatite SFAP (Sr5(PO4)3F), les sesquioxydes (Y,Lu ou Sc)2O3 et la fluorine CaF2, dops par lion Yb3+ pour la gnration de rayonnements laser de plus en plus puissants, accordables en longueurs donde et/ou impulsions brves, dans le domaine du proche-infrarouge (entre environ 1000 et 1100 nm). De nouveau des fluorures et des oxydes tels que LiYF4 ou YAG dops par lion Tm3+ mais surtout des chalcognures tels ZnSe et CdSe dops par lion Cr2+ (voire Fe2+) pour la gnration de rayonnements laser trs largement accordables et/ou impulsions brves dans le moyen-infrarouge, entre environ 1.8 et 3 m - sachant que de nombreux systmes (chlorures, bromures, chalcognures dops par les ions de terres-rares Pr3+, Dy3+ ou Er3+) sont en cours dtude pour accder des rayonnements laser de plus grandes longueurs donde, en particulier dans les fentres de transmission de latmosphre dites bandes II et III, situes respectivement entre 3 et 5 et entre 8 et 10 m. Les cristaux forte susceptibilit dilectrique
5.7.3
Les cristaux forte susceptibilit dilectrique dordre 2 ou 3 et/ou proprits (piezo, acousto-, electro-optiques) intrinsques remarquables sont galement pour la plupart des cristaux inorganiques (dilectriques ou semiconducteurs) mais certains cristaux organiques prsentent aussi des spcificits intressantes. Tous ces cristaux sont tudis et dvelopps (i) pour le mlange et la conversion de frquences de rayonnements laser afin daccder des domaines de longueurs donde allant du proche UV au domaine THz non accessibles en particulier avec les sources laser pr-cites, et (ii) pour la manipulation spatiale et temporelle de ces mmes faisceaux. On peut classer ces cristaux dits non-linaires en plusieurs familles :
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Cristaux grand gap (autres que semi-conducteurs) pour les domaines UV, visible et proche-infrarouge Borates : BBO (BaB2O4), BiBO (BiB3O6), LBO (LiB3O5), YCOB (YCa4O(BO3)3), GdCOB (GdCa4O(BO3)3), CLBO (CsLiB6O10), KABO (K2Al2B2O7), KBBF (KBe2BO3F2) pour la conversion de frquence vers lUV et le VUV (UV du vide) o Phosphates : KDP (KH2PO4), KTP (KTiOPO4) , RTP (RbTiOPO4), KTA (KTiOAsO4) pour la conversion de frquence dans le visible et le proche-UV o Niobates, tantalates et iodates : LiNbO3, KNbO3, LiTaO3, liIO3, SBN (SrxBa1xNb2O6) pour la modulation spatio-temporelle de faisceaux (optique intgre) o Tungstates and nitrates: BaWO4, SrWO4, KGW (KGd(WO4)2), Ba(NO3)2 pour le dcalage Raman Cristaux semi-conducteurs (surtout pour la conversion de frquence et les OPOs dans le proche et moyen infrarouge) Elments III-V : GaN et GaAs principalement (quasi-accord de phase - QPM) Chalcopyrites : ZnGeP2, AgGaSe2, CdSiP2, AgGaS2, AgGa1-xInxSe2, CdGeAs2, CdSe Certains Cristaux organiques dont le DAST (dimethylamino)-N-methyl-4-stilbazolium tosylate) pour la gnration de rayonnement THz Perspectives scientifiques, dfis
5.7.4
Les dfis prsents dans le domaine des cristaux pour loptique et les lasers se posent aujourdhui en termes de domaines de longueurs donde, defficacit et de robustesse, de dimensionnement et de mis en forme et bien sr, ce qui est sous-jacent, en terme de qualit optique et de reproductibilit de fabrication. Ces cristaux font tous souvent lobjet dtudes trs fondamentales mais la plupart sont labors et caractriss pour une application bien prcise. Pour un grand nombre de matriaux, un des principaux dfis est de repousser leur front dabsorption aux grandes et surtout aux courtes longueurs donde. Sil existe en effet des limites intrinsques chaque type de matriau dilectrique ou semi-conducteur, ces limites ne sont parfois pas atteintes (voire mme inconnues) pour de multiples raisons tenant la fois la puret des produits de dpart comme aux techniques de synthse et de croissance des composs. Si on prend pour exemple les cristaux non-linaires pour la conversion de frquence dans lultraviolet comme dans le moyen infrarouge, on retrouve ainsi la mme problmatique, quoique dans des domaines de longueurs donde diffrents. Il est en effet trs important, par exemple, pour de multiples besoins (photolithographie, micro-usinage, chirurgie, photochimie, ) de remplacer les sources lasers excimres (ArF, KrF, XeCl, ) utilises aujourdhui dans le proche UV par des sources lasers toutsolide la fois compactes, efficaces et prsentant une meilleure qualit de faisceau. Un tel dveloppement ncessite ainsi de trouver et dlaborer des cristaux non-linaires qui permettent datteindre les mmes domaines de longueurs donde (jusqu environ 160 nm) en les associant avec des sources lasers solides visibles ou infrarouges dj bien matrises. Pour cela, de nombreux travaux sont effectus de par le monde, en France comme ltranger (surtout au Japon et en Russie), non seulement pour amliorer la qualit des composs dj identifis, tels que les borates BBO et LBO et le fluoroborate KBBF, mais aussi den dcouvrir de nouveaux avec des coefficients non-linaires plus levs. La situation est analogue en ce qui concerne les cristaux non-linaires pour le moyen-infrarouge (bandes de transmission II et III de latmosphre), le challenge tant de pouvoir les utiliser avec des sources lasers standards tels que des lasers solides dops Nd3+ ou Yb3+ pomps par diodes et mettant vers 1 m. Or aujourdhui, le front dabsorption d aux dfauts dans les cristaux les plus performants en terme de coefficient non-linaire tel que ZGP ne sont transparents quau del de 2 m, ce qui oblige utiliser des sources lasers solides dops Tm3+ ou Ho3+ mettant au del de 2 m, sources lasers certes efficaces mais moins standards que les sources 1m. L encore, de nombreux laboratoires travaillent lamlioration de la qualit de ces cristaux ainsi qu la recherche de nouveaux composs. Tel est le cas de CdSiP2, lequel prsente une absorption beaucoup plus faible 1 m que celle de ZGP mais, en contrepartie, une absorption nettement plus importante au del de 6,5 m, risquant de limiter lutilisation de ce matriau la bande II. Signalons aussi pour les mmes raisons, lintrt grandissant du semi-conducteur GaAs dont la transparence (entre 1 et 12
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m) et le coefficient non-linaire dordre 2 trs lev (94 pm/V) suscitent aujourdhui les plus grands espoirs (grce en particulier une utilisation dite en Quasi-accord de phase ou QPM). Un second dfi rside dans lobtention de longueurs donde laser critiques . Outre les domaines UV et moyen-infrarouge mentionns prcdemment et qui sont susceptibles dtre couverts laide de systmes dits paramtriques consistant en lassociation de sources lasers solides standards mettant autour de 1 m et de cristaux non-linaires appropris, il faut signaler galement deux autres domaines de longueurs trs activement tudis aujourdhui : le domaine Rouge-Vert-Bleu pour la video-projection miniature ou sur cran gant et le domaine THz pour limagerie mdicale et la scurit civile. Ces domaines sont tudis aujourdhui en utilisant diffrentes approches. Le domaine Rouge-VertBleu ncessite des sources laser autour de 615-645 nm, 520-550 nm et 435-465 nm. Signalons ici lexistence de ce quil est maintenant convenu dappeler le Green-Gap , domaine de longueurs donde compris entre environ 510 et 580 nm pour lequel il nexiste encore aucune diode laser semiconducteur fonctionnant temprature ambiante avec une puissance utilisable. Sil sagit alors de dvelopper des sources de trs forte puissance, la solution prconise est celle de sources lasers solides dops par des ions Nd3+ ou Yb3+ telles que celles mentionnes prcdemment doubles en frquence laide de cristaux non-linaires tels que BBO, LBO ou BiBO, ou dOPOs (Oscillateurs Paramtriques Optiques) base de cristaux non-linaires domaines priodiquement alterns tels que le PPLN (Periodically poled LiNbO3). Sil sagit par contre de systmes miniatures tels quun tlphone portable, il faut faire appel des cristaux fluors tels que LiYF4 dops par les ions Er3+ ou Pr3+, pour le vert et le rouge, et aux nouvelles diodes laser base dInGaN pour le bleu et pour le pompage optique. Des sources de puissance et dencombrement intermdiaires pourraient tre galement dveloppes par doublage intra-cavit de lasers semi-conducteurs infrarouges pomps optiquement (Optically-Pumped Semiconductor Lasers, OPSL). En ce qui concerne le domaine THz, domaine correspondant des longueurs donde comprises entre environ 20 et 200 m, plusieurs voies sont l encore explores dont (i) les diodes laser multi-puits et cascade quantique (lesquelles ne fonctionnent pas encore temprature ambiante au del de 15 m), (ii) la diffrence de frquence au sein ou lextrieur dOPOs base de cristaux non-linaires priodes alternes (PPLN, PPKTP par exemple) et dans des cristaux nonlinaires transparents dans le domaine de longueurs donde THz considr tels que le semiconducteur GaAs ou le matriau organique DAST. Le troisime dfi tient, pour certaines applications de masse ou pour de grandes installations, notre capacit de fabriquer des cristaux de grande taille, en quantit suffisante et/ou en un temps raisonnable, tout en gardant une qualit optimale. De nombreuses entreprises fabriquent et commercialisent aujourdhui des scintillateurs tels que LSO en trs grande quantit pour les besoins de limagerie mdicale et la dtection de tumeurs cancreuses par Tomographie Emission de Positons (TEP). Une multitude de cristaux scintillateurs toujours plus performants et moins coteux sont galement ncessaires pour les besoins de la physique des hautes nergies, de la gophysique et de la scurit. Linstallation du calorimtre lectromagntique du CERN, par exemple, a ncessit la fabrication en Russie et en Chine de prs de 76000 cristaux (scintillateurs) de PbWO4, ce qui a pris prs de 14 ans. Dans le mme ordre dide, signalons galement les nombreux programmes visant au dveloppement de certains cristaux pour les oscillateurs lasers, les amplificateurs et les convertisseurs de frquence devant quiper les futures chanes laser de trs forte puissance, lesquelles doivent tre utilises in fine pour de multiples applications civiles et militaires reposant par exemple sur la production de rayons X, lacclration et la production de particules ou la simulation de ractions nuclaires. Sachant quau niveau mondial, comme au niveau national et europen, aucune solution universelle na t et sera probablement trouve, il faut pouvoir faire face de nombreuses demandes. Les cristaux utiliss pour les oscillateurs sont et seront trs probablement de plus en plus des cristaux dops par lion Yb3+ et pomps par diodes, et ces cristaux se prsenteront sous la forme de barreaux, de plaques ou de disques. Plusieurs solutions sont ou seront adoptes par contre pour les amplificateurs. La premire consiste utiliser le mme type de cristaux dops Yb3+ que pour les oscillateurs. Si il sagit damplification dimpulsions brves sub-picosecondes, peu de matriaux, except CaF2 :Yb3+, peuvent tre fabriqus en trs grande dimension (jusqu 30 cm de diamtre) et un cot rduit, tout en ayant les proprits optiques, spectroscopiques et thermo-mcaniques
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dsires. Un programme ambitieux est donc en gestation aujourdhui au niveau national et europen pour dvelopper ce type de systme. La seconde solution repose sur lutilisation de cristaux de TiSaphir (amplification classique ) ou de cristaux non-linaires tels que LBO (amplification paramtrique de type OPCPA) pomps par des lasers solides dops Nd3+ ou Yb3+ et doubls en frquence. L encore, des programmes de fabrication et de validation de cristaux gants sont en cours de dveloppement en France et en Europe. Cest le cas du Ti-Saphir ou des cristaux de KDP deutr (DKDP), matriau stratgique pour le LMJ (Laser MgaJoule), qui ne sont fabriqus aujourdhui avec la qualit et les dimensions (cristaux de DKDP de 300kgs par exemple) suffisantes quaux USA. Il faut signaler aussi que de gros efforts sont galement faits pour prparer ou pour structurer des cristaux lchelle micro- voire nano-mtrique, la fois pour les rendre plus compacts, mais aussi pour en amliorer les conditions de fonctionnement ou pour exacerber certaines de leurs proprits. Cest le cas des fibres cristallines obtenues laide des techniques dites LHPG (Laser Heat Pedestal Growth) ou micro-pulling-down (PD), des couches paisses laide de la technique dpitaxie en phase liquide (LPE), ou des cristaux non-linaires domaines alterns dj cits tels que PPLN, PPKTP, ppGaN ou ppGaAs. Notons enfin que si la priorit est donne aujourdhui aux monocristaux minraux, une volution se fait sentir nanmoins, pour certaines applications vers les poly- et les nano-cristaux, les cramiques transparentes et les cristaux organiques. Certaines cramiques transparentes dopes par des ions de terres rares sont dj susceptibles en effet de remplacer les plaques de verre dops Nd3+ entrant dans la composition des gros amplificateurs des chanes laser de puissance et den augmenter les cadences de fonctionnement. 5.7.5 Programmes nationaux, positionnement international Programmes nationaux ANR : AAP blanc AAP PNANO - AAP MATetPro Energie Durable et Environnement
Evnements nationaux, GDR, rseaux : Rseau technologique CMDO+ (http://cmdo.cnrs.fr/). Le rseau CMDO+ collabore avec 3 autres rseaux : le rseau CRISTECH (http://cristech.cnrs.fr/) qui est un rseau plus particulirement concern par les techniques de croissance des cristaux, le rseau LASUR qui est plus concern par les systmes et les applications des sources laser impulsions ultra-brves (http://www.lasur-femto.cnrs.fr/) et le rseau ROP (http://www.rop.cnrs.fr/), le but de ce Rseau Optique et Photonique tant de runir les opticiens de prcision travaillant en particulier pour les grandes installations. 5.7.6 Evnements internationaux
De nombreuses confrences sont ddies aux matriaux pour lOptique et les lasers, et les cristaux, quils soient sous la forme de cristaux massifs, de fibres monocristallines ou de couches paisses y ont une place trs importante. Il sagit pour les plus importantes de : CLEO (Conference on Lasers and Electro-Optics) avec en particulier tous les ans depuis une dizaine danne CLEOEurop (ou CLEO Munich) mais aussi CLEO Pacific PHOTONICS WEST ASSP (Advanced Solid State Photonics), ex ASSL (Advanced Solid State Lasers) EUROPHOTON, dont les deux dernires manifestations (Pise et Paris) ont t co-prsides par des membres du rseau CMDO+ MICS (Mid-Infrared Coherent Sources) ICL (International Conference of Luminescence) Programmes europens : - HiPER (High Power laser Energy Research) destin faire la dmonstration de la fusion nuclaire assiste par laser en tant que source dnergie future, - ELI (ILE) (Extreme Light Infrastructure) pour ouvrir la voie de loptique ultra-relativiste, avec des ramifications en physique des particules, physique nuclaire, astrophysique et cosmologie. 5.7.7 Recensement de communauts Communaut acadmique nationale
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- Cristaux scintillateurs : ICMCB (Bordeaux), IPNL (Lyon), LCMCP-ENSCP (Paris), LPCML (Lyon) - Cristaux luminescents pour Lasers Solides : * UV/Visible : CIMAP-MIL (Caen), LCFIO (Palaiseau), LPCML (Lyon) * Proche IR: CESTA (Bordeaux), CIMAP-MIL (Caen), CPMOH (Bordeaux), ICMCB (Bordeaux), Inst. Fresnel (Marseille), IPR (Rennes), LCFIO (Palaiseau), LMOPS (Metz), LOA (Palaiseau), LP3 (Marseille), LPMC (Nice), LPN (Marcoussis), LULI (Palaiseau), LPCML (Lyon), * Moyen IR: CIMAP-MIL (Caen), GEMaC (Meudon), INSP (Paris), ISL (St Louis), ONERA (Chatillon), - Cristaux et systmes non-linaires : * UV/Visible : CESTA (Bordeaux), CRHEA (Nice) Institut Nel (Grenoble), LAC (Orsay), LCFIO (Palaiseau), LMOPS (Metz), LPMC (Nice), LOA (Palaiseau), LULI (Palaiseau) * Proche et Moyen-IR : CPMOH (Bordeaux), GEMaC (Meudon), ICB (Dijon), Institut Nel (Grenoble), INSP (Paris), IPR (Rennes), ISL (St Louis), LMOPS (Metz), LOPMD (Besanon), LP3 (Marseille), LPMC (Nice), LPN (Marcoussis), LPCML (Lyon), ONERA (Chatillon) * THz : IPR (Rennes), MPQ (Paris) Communaut industrielle nationale En France, part Saint-Gobain Cristaux et Dtecteurs et Thales, le secteur des cristaux pour loptique et les lasers est constitu essentiellement de petites entreprises qui fabriquent et fournissent (i) les produits et quipements de cristallogense, (ii) certains cristaux, (iii) les dispositifs utilisant ces cristaux Entreprises franaises concernes par les cristaux pour loptique : - Produits et Equipements : Cyberstar, CELES, AET, MPA industrie, EFD Induction, TIV, Baikowski, Carbone-Lorraine, PRESI, Lamplan - Fabrication : St Gobain Cristaux&Dtecteurs, RSA, Cristal-Laser, SOREM, FiberCryst, Thales, SOITec, InPACT, NovaSiC, Acerde, Xenocs - Dispositifs : Thales, Quantel, Amplitude, Cilas, Teem Photonics, Eolite, Oxxius, Beamind, ST microelectronics, Photowatt Inc., Apollo Solar, Sofradir, Alpsitec
5.8 5.8.1
Les nanotubes de carbone Primtre et contexte
Les nanotubes de carbone (CNT) ont t dcouverts en 1991, mais l'tude de leurs proprits optiques a dmarr lentement en raison de difficults techniques pour obtenir des effets intrinsques. En effet, les nanotubes monoparoi (les plus tudis dans ce domaine) sont constitus exclusivement d'atomes de surface et interagissent trs fortement avec leur environnement. Les mthodes de synthse usuelles (arc lectrique, ablation laser et surtout CVD (chemical vapor deposition) produisent en effet des mlanges de nanotubes semi-conducteurs (gap direct inversement proportionnel au diamtre) et mtalliques dans une proportion 2:1. Les nanotubes ont une trs forte tendance s'agrger en cordes contenant jusqu' plusieurs dizaines de tubes l'intrieur desquelles le couplage entre tubes est trs efficace. Cette caractristique conduit notamment une puissante inhibition de la luminescence des nanotubes semi-conducteurs y compris basse temprature et une dtrioration des autres proprits optiques. Ce verrou technologique a t lev au dbut des annes 2000 par la mise au point de diverses mthodes de sparation et d'isolation des nanotubes. Les plus rpandues actuellement sont : les mthodes physico-chimiques (les cordes de nanotubes sont brises par des ultra-sons et les nanotubes individuels sont stabiliss en suspension par des surfactants) qui permettent une incorporation ultrieure dans diverses matrices (matriaux composites), les mthodes physiques, limites pour le moment aux dispositifs nanotube unique (croissance sur plot nanomtrique d'un NT individuel). Cette avance technologique a suscit un trs fort dveloppement des tudes optiques des CNTs impliquant maintenant plus d'une centaine d'quipes travers le monde. Les tudes acadmiques ont montr que les mcanismes intimes de l'interaction lumire-matire dans les CNTs sont domins par
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l'existence d'excitons unidimensionnels trs fortement lis (400~meV) y compris temprature ambiante, qui vont conditionner les performances de la plupart des dispositifs opto-lectroniques. 5.8.2 Perspectives et dfis
chantillons La force et la faiblesse des CNTs est leur grande varit structurale (une varit tant nomme classe de chiralit ) donnant lieu une grande varit des proprits physiques. Ceci permet d'envisager terme un ajustement fin et contrl des proprits physiques de chaque nano-objet en fonction de l'application souhaite. Le Graal est la mise au point de mthodes de synthse slectives en chiralit. Divers groupes travers le monde travaillent sur cet objectif ambitieux avec par exemple l'ide de crer par synthse organique des graines de nanotubes de chiralit choisie, la CVD permettant alors de poursuivre la croissance du tube en conservant la structure cristallographique. Cependant, dans l'attente d'une croissance slective dont la mise au point semble encore lointaine, on s'oriente actuellement vers des mthodes de tri post-croissance. Les plus efficaces sont l'heure actuelle les mthodes d'ultra-centrifugation sur gradient de densit, qui produisent nanmoins de faibles volumes utiles avec des purets (en une chiralit donne) de l'ordre de 90 %. La matrise des chantillons reste un problme crucial pour le futur dveloppement de la plupart des applications envisages. Dtecteurs de lumire Avec un gap accordable dans le proche infra-rouge, les CNTs disposent d'atouts intressants dans le domaine de la photo-dtection. On distingue les dtecteurs quantiques o les photons absorbs gnrent directement des porteurs de charges et les dtecteurs bolomtriques o l'absorption de lumire conduit une lvation de temprature qui est la source du signal lectrique gnr. Ces derniers sont beaucoup moins exigeants en termes d'chantillons : on cherche en gnral une rponse spectrale plate c'est--dire pour les CNTs la prsence d'un grand nombre de chiralits. Par ailleurs pour cette application, les tubes mtalliques et semi-conducteurs jouent un rle d'absorbant indiffrenci et le tri n'est pas ncessaire. Ce dtecteur, actuellement au stade de prototype de laboratoire semble dmontrer un intrt en terme de dtectivit dans la gamme de l'infra-rouge moyen et lointain. Du ct des dtecteurs quantiques, plusieurs dmonstrations de photo-courant ont t publies sur des transistors effet de champ tube unique ainsi que sur des dispositifs plus labors de type jonction p-n obtenus avec une double grille. Un comportement photovoltaque a pu tre observ avec un rendement allant jusqu' 5%. D'un point de vue microscopique, la difficult est que l'absorption de lumire gnre des excitons fortement lis. Il faut les dissocier pour gnrer des porteurs libres et ce plus vite que la dure de vie excitonique qui est par ailleurs trs brve (10-100ps). Cette dissociation semble s'effectuer essentiellement dans les champs lectriques locaux prsents au niveau des contacts (barrires Schottky), de manire assez mal contrle. mission de lumire Des dispositifs similaires polariss peuvent mettre de la lumire. Dans les dispositifs ambipolaires l'mission se fait par recombinaison lectron-trou, mais l'mission de lumire a aussi t observe dans des dispositifs unipolaires; dans ce cas la gnration d'excitons est due l'ionisation par impact. Mme si de gros progrs ont t raliss en termes de rendement quantique, on reste dans la gamme des 10-4. L'origine de ce mauvais rendement quantique reste une question ouverte, mme s'il a t tabli que des effets de dopage par le substrat ou par raction lectrochimique avec l'oxygne de l'air jouent un rle important. Il est noter que de nouveaux dispositifs constitus non pas d'un tube unique mais d'un rseau alatoire de nanotubes ont t dvelopps rcemment. Mme si leurs performances restent encore modestes, leur facilit de fabrication (par rapport aux dispositifs NT unique) les rend trs attrayants pour de futures applications. L'mission de lumire peut aussi se faire suite une excitation lumineuse (photoluminescence). En termes d'applications ce processus a deux intrts. Il est un outil irremplaable de diagnostic qui permet de dterminer de faon rapide et non invasive les indices chiraux d'un ou d'un ensemble de nanotubes. Cette application dveloppe en 2002, a eu une forte rpercussion sur les tudes fondamentales sur les CNTs, puisque la plupart tait faite auparavant l'aveuglette (sans connatre la nature exacte des NTs tudis). L'autre domaine d'application de la photoluminescence concerne la biologie. En effet, les nanotubes fonctionnaliss peuvent tre utiliss
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comme marqueurs fluorescents qui mettent dans une gamme de longueur d'onde correspondant une relative transparence des tissus biologiques. Une des limitations importantes ces applications reste le faible rendement quantique de photoluminescence (10% max) dont l'origine est encore dbattue et renvoie aux tudes acadmiques trs actives dans ce domaine. Matriaux hybrides Une voie prometteuse pour amliorer les performances des dispositifs opto-lectroniques est de fonctionnaliser les nanotubes par des chromophores organiques. Pour des applications de type light-harvesting ou photo-voltaque un transfert d'excitation efficace entre le chromophore (qui sert d'antenne) et le nanotube (rcepteur) est recherch. Il a t dmontr rcemment dans le cadre de la fonctionnalisation non-covalente par des porphyrines notamment. Pour d'autres applications de type mmoires optiques, c'est le transfert de charge qui est recherch. Il permet par exemple de modifier l'tat (bloqu ou passant) d'un photo-transistor par illumination optique. Matriaux pour l'optique non-linaire Les CNTs sont tudis depuis les annes 90 pour leurs proprits optiques non linaires. En effet, pour des diamtres facilement obtenus en synthse (autour de 1.2 nm), le gap des CNTs semiconducteurs est dans la gamme tlcoms (1.5m). Les CNTs agrgs sous forme de films prsentent des caractristiques non-linaires (intensit de saturation, profondeur de modulation et temps de rponse) tout fait attrayantes. Ils sont tudis pour des applications dans le domaine de l'amplification de signaux dans les rpteurs de fibres optiques (tape de reshaping de l'impulsion), ainsi que comme absorbants saturables pour provoquer le fonctionnement en modes bloqus de lasers impulsionnels fibrs. Pour ces applications aucun tri n'est ncessaire, ce qui facilite considrablement leur usage. Ces applications semblent trs prometteuses et en sont au stade du prototype de laboratoire. 5.8.3 Programmes nationaux, positionnement international Programmes nationaux : ANR : AAP blanc, AAP P2N vnements nationaux : Le GDRI nanotubes et graphne vnements internationaux : la principale confrence annuelle est la confrence NT qui accueille trois confrences satellites sur les applications la biologie, la mtrologie et les mthodes numriques lies la modlisation des CNTs. Une confrence spcialise sur les proprits optiques des CNTs existe depuis 2005 : WONTON, biannuelle environ 100 participants dont la prochaine dition aura lieu en 2011 en France. Enfin, on peut citer ChemOnTubes, confrence ddie la fonctionnalisation des nanotubes dont on a vu certaines applications l'opto-lectronique dans les paragraphes prcdents. Les proprits optiques des nanotubes sont aussi rgulirement exposes dans des confrences plus classiques ddies aux semi-conducteurs telles que ICPS, OECS ou ICSNN. Recensement de communaut recenss sur le site du GDRI : http://www.graphene-
5.8.4
(La plupart des contacts sont nanotubes.org/en/laboratories.html)
Communaut acadmique : LCVN (Montpellier), ENS-LPA (Paris), ENS Cachan -LPQM (Cachan), CPMOH (Bordeaux), LAC (Orsay), IMN (Nantes), IEF (Orsay) Aspects appliqus : CEA-SPEC (Saclay), CEA (Grenoble), ONERA (Chtillon/Palaiseau), LCVN (Montpellier), INSA (Rennes), CORIA (Rouen), ENS Cachan (Cachan) PPSM
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6 . PROCEDES TECHNOLOGIQUES INNOVANTS

6.1 Primtre Cette contribution concerne essentiellement lutilisation de sources lasers pour sonder, transformer et faonner la matire. Lutilisation de rayonnements incohrents, qui prsente aussi de nombreuses applications, nest pas ici considre. Au milieu des annes 60 lorsque le premier laser a t mis au point, il a t qualifi de solution cherchant un problme ; quelques dcennies plus tard on peut mesurer combien cette assertion tait errone ! En effet, le monde des lasers ne cesse toujours pas de rvolutionner la science et notre vie quotidienne, comme en tmoigne le nombre de prix Nobel attribus des Physiciens ou Chimistes pour leurs travaux sur les lasers ou ayant abouti grce leur utilisation, ainsi que la multitude des secteurs conomiques o ils sont employs (mdecine, microlectronique, tlcommunication, dfense, transports, agriculture, construction, arts, etc.). La varit des sources lasers disponibles aujourdhui est trs vaste allant de sources dites Nanolasers au LMJ, permettant dmettre dans un domaine spectral allant des X lIR trs lointain, avec des missions continues jusqu des dures dimpulsion attosecondes et avec des intensits dclairement qui peuvent atteindre 1024 W/cm2 ; il serait donc prsomptueux de vouloir aborder ici lensemble des procds innovants que de telles sources permettent de dvelopper ou denvisager. Linteraction laser-matriaux faible flux (I < 1014 W/cm2) est la base de la plupart des procds dcrits dans ce chapitre. Dans ce domaine dinteraction les mcanismes mis en jeu sont extrmement complexes. Modles thoriques et exprimentations avances doivent tre encore dvelopps pour mieux comprendre les phnomnes dabsorption de la lumire, la redistribution de lnergie dans le matriau, les changements de phase transitoire, la formation du plasma et son expansion, la formation de nanoparticules, etc... En effet cest laccroissement de nos connaissances sur ces mcanismes qui permettra une meilleure maitrise des procds qui restent encore trs empiriques. Les nouvelles sources lasers permettent aujourdhui daborder des domaines exploratoires tels que linteraction action laser matire dans le domaine des rayons X et/ou IR lointain, lirradiation laser avec des dures ultra-courtes (sub 10 fs attoseconde), etc, qui motiveront le dveloppement de nouveaux matriaux, dagrgats fonctionnaliss, de nouvelles proprits de surface... 6.2 6.2.1 Les procds de modification des proprits dun matriau sans enlvement de matire Dopage, Recuit, Cristallisation
Ces procds interviennent essentiellement dans les domaines de la microlectronique et du photovoltaque. Le principe est relativement simple et connu depuis des dcennies. Il sagit par un apport de chaleur de faire diffuser dans le matriau des dopants ou/et modifier la structure du matriau. Le matriau peut tre massif ou aujourdhui de plus en plus sous forme de couches minces. Lenjeu est de raliser des traitements trs localiss aussi bien en paisseur quen dimensions latrales et/ou daugmenter la concentration de dopants dans des zones trs rduites (cas des jonctions ultra-minces). Des irradiations femtosecondes sous atmosphre contrle permettent datteindre des concentrations de dopants encore inimaginables il y a quelques annes. De nouveaux rgimes dinteraction laser-matire doivent tre tudis comme le rgime dit sub-melt pour raliser ces modifications sans endommager les substrats ou/et couches adjacentes. Une importante demande concerne les matriaux organiques sur supports souples. Longueur donde et dure dimpulsion sont combines et adaptes suivant la nature des matriaux. La comprhension des mcanismes dabsorption de lnergie lumineuse, puis de redistribution dans le matriau en liaison avec les proprits recherches pour ces nouveaux matriaux et/ou nouvelles structures complexes doit tre amliore. 6.2.2 Modification dindice 2D et 3D
Cette thmatique est en fort dveloppement depuis quelques annes grce la fiabilisation des sources lasers femtosecondes. Il sagit de focaliser dans un matriau transparent un faisceau laser pour modifier localement lindice du matriau afin de crer des guides donde pour des applications dans les tlcommunications, la micro fluidique, les capteurs, les MEMS et MOEMS etc., mais aussi pour dvelopper des nouvelles mmoires optiques trs fortes densits, du marquage pour la traabilit (domaine pharmaceutique par exemple) et/ou la lutte contre la contrefaon. Les variations dindice atteintes couramment par ce procd sont de lordre de 10-4 10-3 pour du verre et sont plus
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leves pour des verres dops ; les rsolutions spatiales sont de lordre du micron. Il est noter que la mme source laser peut servir dans un quipement unique modifier lindice et, en augmentant lintensit laser, graver/usiner en 3 D un matriau ; il est ainsi possible de raliser des composants complexes tels que des MEMS incluant des capteurs de positionnement en une seule tape, supprimant ainsi les problmes complexes de repositionnement dans les chanes comportant plusieurs tapes. Laspect non-linaire de linteraction ultra-rapide permet aussi daller corriger localement lindice de matriaux multicouche pour optimiser par exemple les performances des filtres optiques bande trs troite.
6.3 6.3.1
Procds de cration de nouveaux matriaux Films minces, films nano-structurs par PLD
Dans ce procd, lablation laser est mise profit pour raliser des dpts de couches minces et/ou de nanoagrgats. Lablation laser est ralise sous vide, gaz neutre ou ractif. Les lasers utiliss sont impulsionnels (ns, ps, fs) avec de longueurs allant de lUV pour conserver la stchiomtrie du matriau lIR. La PLD (Pulsed Laser Deposition) est dveloppe depuis maintenant de trs nombreuses annes (> 30 ans) et il est difficile de pouvoir numrer la varit des matriaux ainsi dposs, aucune limitation de principe ntant avance. Les premires applications ont concern le dpt de films minces supraconducteurs prsentant des stchiomtries trs complexes, la ralisation de films de diamant-like sur supports mtalliques, en passant par des films biocompatibles fonctionnaliss (couches pour prothses). Laspect impulsionnel permet un contrle tir tir de lpaisseur du film dpos, des dopants peuvent tre inclus par ladjonction dun gaz ractif, lnergie cintique des particules peut tre contrle par lintensit dirradiation et la pression/nature du gaz environnant. Les films ainsi obtenus peuvent tre cristallins ou amorphes. Ce procd est bien dvelopp dans les laboratoires pour sa grande flexibilit et facilit de mise en uvre, mais reste limit quelques niches industrielles principalement pour des problmes de cot et de ralisation de trs grandes surfaces homognes avec des taux de production industriels. 6.3.2 Production de nano-agrgats fonctionnaliss en milieux gazeux ou liquide
En dveloppant la technique de PLD pour la ralisation de films minces, les exprimentateurs ont constat, grce laugmentation de la rsolution spatiale de leurs instruments de caractrisation, que dans certaines conditions exprimentales ces films taient principalement constitus de nanoagrgats (dbut annes 90). Trs rapidement la technique de PLD a t ainsi tendue la ralisation de nanoagrgats. Le principe est relativement simple : on irradie une cible laide dun laser impulsionnel sous atmosphre contrle afin de favoriser (trouver les bonnes conditions de pression, temprature, nergie cintique des atomes, molcules, particules) la condensation des agrgats. On sest alors aperu quon pouvait relativement bien contrler la distribution en taille des agrgats. Nano-agrgats de Si, SiO2, ZnO, taient ainsi raliss avec des proprits lectroniques et de photoluminescence contrles. Plus rcemment cette technique sest affine en irradiant les cibles non plus sous atmosphre gazeuse, mais dans un liquide et principalement laide de lasers femtoseconde. Ce procd toujours en cours de dveloppement permet la ralisation de nanoagrgats quasi mono-disperse et dune trs grande puret compare aux mthodes de production chimique. De plus, en cours de procd la surface des agrgats prsente une ractivit inconnue pour le mme matriau sous forme massive. Cette dernire proprit ouvre la voie vers des possibilits de passivation, de greffage de molcules, de fonctionnalisation des nano-agrgats absolument ingales. Les nano-objets directement produits en milieu liquide sont dune trs grande facilit demploi notamment par les biologistes. Les principales applications vises aujourdhui par les chercheurs sont dans le domaine des sciences du vivant (traceurs, agents de contraste, PDT, traitement du cancer) mais en concernent bien dautres (capteurs, optiques, micro-lectroniques, etc.). Les agrgats raliss sont de natures trs diverses et concernent aussi bien les mtaux (nobles, ferromagntiques) que les semi-conducteurs et les dilectriques. Les agrgats sous forme corpsenveloppe font bien entendu un axe de dveloppement trs important.
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6.4
Procds de traitements de surface
Dans ces procds, lirradiation laser dun matriau est utilise pour contrler, modifier, fonctionnaliser sa surface. Le principe est de nouveau simple : on joue sur les paramtres dirradiation (longueur donde, dure dimpulsion, densit surfacique dnergie, taux de recouvrement, polarisation, .) et lenvironnement du matriau (vide, atmosphre neutre ou ractive, pression, temprature, liquide, .) pour crer de nouvelles proprits de surface. La source laser est mise profit pour engendrer des effets thermiques, de compression par ondes de choc, denlvement de matire par ablation, etc. A titre dexemple on citera le durcissement par choc laser ou par nitruration de surface (combinaison dun effet thermique et dincorporation dazote par contrle de la nature du gaz ambiant), lamlioration du comportement tribologique des surfaces mtalliques (modification de la composition chimique et de la topologie de la surface), modification des proprits optiques (nano et micro-structuration) et du caractre hydrophobe de surfaces mtalliques, semi-conductrices ou disolants. De nombreuses applications sont dveloppes dans les secteurs de lautomobile, de laviation, de loptique, du photovoltaque, des capteurs, etc. Le nettoyage et la dcontamination de surface par procds photoniques est galement un secteur de recherche trs actif. Flashes intenses et lasers impulsionnels sont mis en uvre. Ce procd a vu un dveloppement initial dans le secteur des monuments historiques, de la microlectronique et du nuclaire. Les principaux avantages sont : technique sans contact, sans dchet secondaire, et automatisation possible. Les dfis actuels sont lenlvement de particules nanomtriques, le contrle prcis des paisseurs enleves par des mthodes de spectroscopie, la rcupration des produits dablation. Ce procd est galement employ dans le secteur de la biologie et de la sant pour aseptiser et dcontaminer. Dans ce domaine du traitement de surfaces, un sujet connat actuellement un engouement particulirement important, il sagit de la nano/micro structuration de surface par des structures nano et micromtriques auto-organises (rseaux, vaguelettes, cnes, etc.) gnres par ablation laser dans certaines conditions. En effet, bien quobserves depuis plus de 40 ans sur de nombreux matriaux, leurs mcanismes de formation ne sont pas encore lucids. Actuellement la structuration de couches minces l'chelle micromtrique trouve des applications dans des secteurs trs diffrents: citons par exemple la fabrication de bio-puces qui ncessite la ralisation de matrices de spots susceptibles de contenir divers composs (cellules, ADN, nanoparticules fonctionnalises...) destines lanalyse de milieux ou des applications mdicales, ou encore la fabrication de composants lectroniques organiques tels que les diodes lectroluminescentes (OLED), les transistors en couche mince (OTFT) ou les capteurs pour les applications sur supports souples pour la microlectronique plastique. Dans ce contexte, la ralisation par un procd de dpt slectif, de structures, de spots ou de lignes de matriaux mtallique et/ou organique voire de gouttelettes, de dimensions caractristiques de lordre de quelques dizaines de microns, est dun intrt considrable. Le procd photonique, dnomm LIFT (Laser Induced Forward Transfer), est bien adapt ce type de ralisations. Il consiste dcoller slectivement par irradiation laser un pixel de forme et de dimensions contrles (de quelques micromtres plusieurs millimtres) dune couche mince dun matriau pralablement dpose sur un substrat transparent, et le transfrer sur un autre substrat, plac proximit, en une seule opration et cela sans modification de ses proprits. Ce procd permet de dposer tout type de matriau (organique, inorganique) en phase liquide ou solide avec une rsolution micromtrique. Il a rcemment permis par exemple de fabriquer un transistor organique oprationnel sans post-traitement (recuit).
6.5 6.5.1
Procds de micro et nano-usinage 2D et 3D Usinage direct
Les sources lasers impulsionnelles sont utilises depuis de nombreuses annes pour lusinage de nombreux matriaux avec une rsolution spatiale micromtrique. Lavnement des sources ultrarapides de type ps et surtout fs permettent aujourdhui le dveloppement de travaux de R&D dans ce domaine mais avec une rsolution de lordre dune dizaine de nanomtre ; on parle alors de nanousinage ou de gravure laser directe par comparaison aux techniques de photolithogravure qui ncessitent lutilisation de nombreux masques. Les dures dinteractions trs brves permettent dexalter les phnomnes non linaires. En focalisant le faisceau laser avec un objectif forte ouverture numrique, il est ainsi possible en travaillant prs du seuil dablation du matriau et uniquement avec la pointe de lintensit, de raliser des trous de taille bien infrieure la limite de diffraction. Les publications les plus rcentes montrent des ablations de matriaux dilectriques ayant
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un diamtre infrieur 40 nm ainsi que la ralisation de nanocanaux 3D submicroniques (~ 700 nm) dans du verre. Les applications potentielles sont nombreuses notamment dans le domaine de la micro/nano-lectronique, de la micro/nanofluidique et de la photonique. Dans ce dernier domaine plusieurs quipes tudient la possibilit de ralisation de cristaux photoniques par usinage laser direct. Un autre avantage important des dures ultra-brves est de rduire la zone affecte thermiquement (on parlera ici communment dusinage athermique, ce qui est un abus de langage), et de prsenter une rsolution spatiale en profondeur trs importante permettant par exemple lablation slective de matriaux constitus dun empilement de couches minces. De nombreuses applications sont galement concernes, on citera ici titre dexemple le photovoltaique (technologie silicium et organique) et lophtalmologie avec comme exemple la greffe de corne. 6.5.2 Nano-Usinage par renforcement local du champ laser
Linteraction entre un faisceau lumineux et des particules de trs faible taille est tudie depuis de trs nombreuses annes tant dun point de vue exprimental que thorique. Lors de travaux portant sur les mcanismes denlvement (nettoyage) de particules submicroniques sur la surface de matriaux laide dun laser impulsionnel, on a constat que pour certaines conditions dirradiation laser il y avait formation de trous de taille nanomtrique (<< 200 nm) sous la particule lorsque celle-ci est transparente au rayonnement laser. Une thorie simplifie de Mie permet de montrer que la particule permet un renforcement local du champ laser (> 30- 50) conduisant ainsi une ablation localise. Depuis des modlisations beaucoup plus pousses sont dveloppes ainsi que des mesures exprimentales mettant en vidence la formation dun jet photonique sous la particule. Dans le domaine des procds, des travaux sont raliss pour dposer des monocouches de nanosphres ou de distributions contrles, par exemple laide de pinces optiques, permettant ainsi la ralisation simultane de trs nombreux nano-trous (> 109 dans le cas dune monocouche).
6.6
Programmes nationaux, europens et positionnement international
Les procds photoniques sont dvelopps dans et pour de trs nombreux domaines dapplications ; mais il ny a malheureusement pas vraiment de programme spcifique ddi. On les retrouvera donc dans de nombreux programmes, lapplicatif vis tant alors le fil conducteur des travaux de recherche mens. Cette logique nationale se retrouve galement au niveau europen. Mais certains pays comme lAllemagne et le Japon ont mis en place des programmes nationaux denvergure. CNRS PEPS MRCT : Rseaux RTF, Plasmas Froids, CMDO +, ROP CNano Fdration de Recherche Fusion (ITER) ANR Blanc Biologie Sant : BiotecS Energie durable & Environnement : Habisol Ingnierie Procds et Scurit : Matriaux fonctionnels et Procds Innovants Sciences et Technologies de lInformation: PNano Europe Plate-forme europenne : Photonics 21 (WP2, WP6 et WP7) FP7 Cooperation : Nanosciences, Nanotechnologies, Materials and new Technologies, Information and Communication Technologies, Energy, Transport, Health, Security
Production
6.7
Acteurs principaux et positionnement international
Les principaux laboratoires nationaux actifs dans le domaine des procds photoniques innovants sont : CELIA, FEMTO, GREMI, IEF, IF, IEMN, LaHC, LALP, PHASE, LP3 et le CEA
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En Europe, lacteur trs largement dominant est lAllemagne depuis de nombreuses annes grce une structuration importante du domaine ralise il y a plus de 10 ans, associe des financements institutionnels trs importants (> 300 Millions ). LAllemagne bnficie galement dun tissu industriel remarquable qui la met en position de leader pour ne pas dire de monople dans la Plate-forme Photonics 21 et dans le FP7. Ses laboratoires phares sont le Laser Zentrum Hanover (LZH), lILT dAix-La- Chapelle, le Max Born Berlin, lUniversit de Friedrich Schiller Ina. Ensuite viennent lAngleterre, lEspagne, lItalie, lIrlande et la Grce. Dans les pays rcemment intgrs, Hongrie, Tchcoslovaquie et Roumanie sont prsents dans le domaine. Dans ce contexte la France se situerait aprs lAllemagne dun point de vue recherche acadmique mais aprs lAngleterre et peut-tre lItalie et lEspagne pour les programmes de R&D associant des industriels. En effet bien que la France possde quelques entreprises trs dynamiques dans le domaine du dveloppement des sources lasers, il manque des PME dans les domaines de lintgration, des procds et de la machine outil. Au niveau international, le Japon suivi des USA, de la Chine et du Canada sont les pays majeurs contribuant au dveloppement de ces procds. La Russie avec un pass trs important dans le domaine des applications lasers pour la Dfense, possde un potentiel important et la Core sinvestit aujourdhui de manire importante.
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GENERATION,CONTROLEETDETECTION
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7 . NANOSTRUCTURES PHOTONIQUES
7.1 Primtre Lintgration dune structure sub-longueur donde au sein de composants et dispositifs photoniques permet datteindre un contrle ultime de la lumire. Un tel contrle sentend la fois dans le domaine spatial (confinement ultime) et dans le domaine temporel (contrle du temps de stockage des photons). De tels rgimes de fonctionnement peuvent tre atteints si plusieurs conditions sont runies. Dabord, il est ncessaire de modliser le fonctionnement de ces composants optiques ultimes et complexes. En gnral, des moyens de simulations numriques puissants sont donc requis. Ensuite, il est bien souvent ncessaire de recourir des outils de nanofabrication performants et reproductibles. Enfin, lutilisation de moyens de nanocaractrisation adapts, tels que la microscopie en champ proche, peut savrer indispensable. Depuis une dizaine dannes, ces diffrents outils sont dvelopps et accessibles, ce qui permet au domaine des nanostructures photoniques de poursuivre son expansion. Prcisons que parmi les diffrents types de nanostructures photoniques, nous traitons ici tout particulirement du cas de cinq familles : les structures plasmoniques, exploitant des nanostructures mtalliques, les couches minces optiques, les cristaux photoniques, les mtamatriaux et les fibres optiques nanostructures. Les plasmons de surface ont t dcouverts par Rufus Ritchie en 1957. Les recherches menes au cours des 40 annes qui ont suivi ont permis dapprofondir les proprits physiques fondamentales de ces oscillations collectives dlectrons. Au cours de ces dix dernires annes, des avances remarquables ont t effectues en particulier au niveau des ralisations exprimentales grce la fabrication contrle de surfaces nanostructures. Ainsi, les diffrents modes de plasmons de surface prdits thoriquement peuvent aujourdhui tre observs sur des surfaces pour lesquelles une faible disparit de taille et de forme des nanostructures est prsente. De nombreuses applications potentielles mergent galement et le terme "plasmonique" est apparu rcemment. A lorigine, il concernait lapplication spcifique o des microstructures ou des nanostructures mtalliques permettaient le transport dnergie sur des distances micromtriques. Aujourdhui, ce terme recouvre une large palette dapplications et deffets physiques et peut s'utiliser plus largement pour toute la physique associe lexcitation de plasmons de surface. Les couches minces optiques participent, tout comme les cristaux photoniques qui sont leur gnralisation au contrle tri-dimensionnel de la lumire, des enjeux lis au confinement et lexaltation de la lumire, la plasmonique et la lumire lente, avec une priorit consacre au filtrage optique en espace libre. Depuis une vingtaine dannes, ce domaine est le thtre dune volution rapide et continue qui rend aujourdhui possible la fabrication de filtres interfrentiels dont les caractristiques seraient passes la fin des annes 70 pour totalement irralistes, mme aux yeux des experts les plus optimistes : nombre de couches dpassant les 1000 avec une transmission suprieure 90%, raideur de flanc de lordre du nanomtre, rjection suprieure 106, Lun des moteurs les plus puissants de cette progression a trs certainement t, au dbut des annes 90, lexplosion de la demande que lon a ultrieurement qualifie de Bulle Tlcom . Elle concernait en particulier le dveloppement de filtres bande troite ncessaires au multiplexage et au dmultiplexage spectral des porteuses laser de transmission de donnes utilises dans la technique DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing) ; on peut sans crainte dtre excessif affirmer que ce march est aujourdhui dtenu par les composants utilisant des traitements optiques interfrentiels. Dautre secteurs dapplication emblmatiques concernent aujourdhui le biomdical ou la photolithographie, la microlectronique Le domaine des cristaux photoniques a merg en tant que tel voil une vingtaine dannes, la suite de propositions dEli Yablonovitch et de Sajeev John. Rappelons que ce terme recouvre des structures dont la constante dilectrique varie priodiquement, la priode tant de lordre de la longueur donde des photons. Du fait de cette structuration, des proprits tout fait particulires peuvent tre obtenues, telle que lapparition dune bande interdite photonique, qui correspond une gamme spectrale dans laquelle la propagation des photons ne peut pas se produire. Mais ces structures prsentent galement des bandes photoniques permises, dont les proprits de dispersion sont dune trs grande richesse, et sont contrlables dans une large mesure. De manire gnrale, ces structures constituent un moyen extrmement efficace pour contrler les proprits des photons localement. Il est par exemple possible de confiner la lumire dans des volumes trs restreints et
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pendant des temps trs longs. Il est de plus envisageable de contrler la propagation de la lumire de manire non conventionnelle. Enfin, linteraction des photons ainsi contrls et leur milieu environnant peut tre inhibe ou exacerbe. Les travaux de recherche concernant les cristaux photoniques ont considrablement volu depuis les annes 90. Au-del des premires dmonstrations concernant la mesure dune bande interdite photonique, une grande partie des activits a consist dvelopper des briques de base pour loptique intgre. Par ailleurs, un certain nombre dquipes ralisent et tudient des composants actifs tels que des lasers ou dautres dispositifs non linaires. Par mtamatriau , on dsigne un milieu composite artificiel qui a des proprits effectives qu'aucun matriau homogne ne possde. Les structures plasmoniques et les cristaux photoniques peuvent ce titre entrer, dans certaines conditions, dans cette catgorie. Cependant, le terme mtamatriau a largement t popularis pour des structures dont les valeurs de la permittivit et de la permabilit effectives sont simultanment ngatives. Ce concept trouve son origine dans les travaux thoriques de Veselago sur les matriaux dits de la main gauche (1967) mais c'est l'article du physicien John Pendry de l'Imperial College Londres qui a provoqu l'engouement des scientifiques. En effet il a montr qu'un tel matriau rendrait possible une lentille parfaite, non soumise la limite de rsolution de Rayleigh. Le dbut des annes 2000 a vu les premires ralisations pratiques, exploitant notamment des split ring resonators , et lavance du domaine des lentilles parfaites. Parmi les aspects les plus visibles et retentissants des dveloppements propres ce domaine, on peut citer quen 2006, J. Pendry a propos dexploiter de telles structures pour raliser des capes dinvisibilit . Ces dveloppements conceptuels sont accompagns par un ensemble dtudes technologiques, qui visent raliser des structures couvrant un large domaine spectral, des microondes linfrarouge. Au-del de ces applications au fort potentiel mdiatique, il faut voir dans ce domaine mergent une approche qui peut sans doute trouver bien des applications. Dans un premier temps, on peut imaginer des structures artificielles pouvant apporter une solution simple un problme donn et ceci sans se donner de contrainte a priori sur les caractristiques du matriau. Dans un second temps, il s'agit de chercher le matriau composite qui va approcher au mieux les caractristiques recherches. Il s'agit donc d'un champ d'investigation extrmement vaste tant du point de vue fondamental qu'applicatif. Lors des trois dernires dcennies, des avances remarquables dans le domaine de la fabrication des fibres optiques ont rvolutionn les transmissions optiques et permis le dveloppement fulgurant du rseau Internet. Plus rcemment, des fibres base de microstructures air-silice (ou encore PCF pour Photonic Crystal Fibre) sont apparues. Leurs caractristiques de propagation originales continuent toujours de faire lobjet dun engouement scientifique important. Elles ont demand le dveloppement de technologies dlaboration spcifiques, ncessaire pour contrler finement leurs structures nanomtriques. Ainsi une fibre cur creux et gaine dite Kagom est forme de ponts de silice entrelacs de 300 nm dpaisseurs. Paralllement, des fibres dites hybrides commencent voir le jour grce lutilisation de dopages originaux, dinclusions nanomtriques de type dilectrique/mtallique/semi-conductrice ou de structurations multi-verres, le tout combins la mise en place de technologies innovantes de fabrication telles que le procd sol-gel. Les applications vises travers les dveloppements de ces diffrents types de nanostructures photoniques se situent dans le cadre des communications optiques, mais souvrent aussi de nombreux autres domaines dapplications dans le mdical, le spatial, la dfense, lenvironnement, les capteurs, les sources lumineuses ou la conversion dnergie (photovoltaque) A cette fin, les nanostructures photoniques proposes oprent dans des gammes spectrales de plus en plus tendues, stalant de lUV linfra rouge, voire au trahertz. Dans le cadre dune dmarche prospective, faisons prsent le point sur les diffrentes tudes qu'il serait souhaitable de mener dans les annes venir. Les propositions qui suivent concernent aussi bien des aspects fondamentaux que des aspects applicatifs.
7.2 7.2.1
Structures plasmoniques Proprits physiques des plasmons et modlisation
Il est important que des modlisations soient entreprises pour dfinir les gomtries permettant dobtenir des champs lectromagntiques extrmement levs au voisinage de nanostructures
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mtalliques seules ou en groupes (dimres et autres). Cela permettra de mieux comprendre la physique des exaltations et de prdire des gomtries optimales. Les applications impliques sont en particulier la microscopie optique en champ proche (SNOM) ainsi que dautres techniques permettant de sonder le champ proche des nano-objets, et les diffrentes spectroscopies de surface exaltes : diffusion Raman exalte de surface (SERS) et gnration de second harmonique (SHG), entre autres. En particulier cela devrait permettre de dboucher sur la dtection de molcules uniques par spectroscopie Raman ou la gnration de second harmonique sur des surfaces exaltantes contrles. Lapport de telles tudes peut tre galement important pour la fluorescence de nano-objets uniques ou densembles de nano-objets, molcules organiques ou botes quantiques, afin dobtenir, soit une exaltation de fluorescence, soit une inhibition contrle de type FRET (Fluorescence Resonance Energy Transfer).
7.2.2
Transmission extraordinaire sur les tamis photons
Beaucoup dtudes ont t effectues sur ces tamis, rseaux de trous ou de fentes. Leffort a plus port sur la modlisation et il est maintenant ncessaire davoir un grand nombre de donnes exprimentales pour permettre didentifier les nombreux types de modes lectromagntiques, plasmons ou non, responsables de ces exaltations (les plasmons semblent jouer un rle important dans beaucoup de configurations). Lidentification des modes dpend de nombreux paramtres, cest pourquoi il est ncessaire de raliser de nombreuses expriences systmatiques ; mais il est galement souhaitable que les diffrents groupes impliqus se rapprochent afin de mettre en commun leurs comptences, et de confronter leur point de vue.
7.2.3
Les nano-antennes
Depuis quelques annes, le domaine de la plasmonique est fortement associ la notion de nanoantennes mtalliques. En effet, un nombre croissant de travaux est publi sur les proprits de structures mtallo-dilectriques. Lutilisation des modes plasmons au sein de ces structures peut permettre de concentrer ou guider le champ lectromagntique sur des chelles largement sublongueur donde. Cette particularit ouvre un potentiel applicatif large si on dispose : dune ingnierie plasmon permettant de contrler les proprits de propagation, dabsorption et de rayonnement de ces modes, dune matrise technologique suffisante de ces micro/nano objets mtalliques.
7.2.4
Lasers, LED, OLED, cellules photovoltaques
Il est particulirement important dtudier la possibilit dutiliser les plasmons pour rduire le seuil dmission de microcavits lasers et galement augmenter lextraction de la lumire. Par extension, des systmes prospectifs de type amplificateurs de plasmons par mission stimule mriteraient de faire lobjet dune tude en amont de futures applications. Lextraction de la lumire par plasmons est galement une thmatique de trs grande importance pour les dispositifs de type LED et OLED. Loptimisation du rendement interne et externe de LEDs, notamment dans le domaine visible et proche UV, reprsente en effet un enjeu crucial. Signalons aussi que lintrt potentiel des structures plasmoniques pour loptimisation du rendement de cellules solaires photovoltaques, mais aussi de dispositifs photodtecteurs multi spectraux, notamment en couche mince.
7.2.5
Biocapteurs, nanostructures hybrides, plasmonique molculaire
La sensibilit des capteurs plasmons traditionnels (type SPR, Surface Plasmon Resonance) pourrait tre fortement optimise, par exemple grce de nouvelles surfaces nanostructures optimisant les champs lectromagntiques locaux en particulier les couplages entre deux ou plusieurs nanoparticules. Cette thmatique pourrait tre galement renforce pour permettre le dveloppement de composants o des phnomnes molculaires ou dilectriques sont coupls des plasmons. Il sagit en particulier dtudier des nanostructures dont lindice de rfraction modifierait localement la rsonance plasmon et
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qui pourraient tre actives, cest dire susceptibles dtre modifies afin denvisager la ralisation de modulateurs ou dinterrupteurs. Doivent tre galement tudis pour des applications biologiques des couplages plasmons/molcules pour renforcer et augmenter la distance dinteraction de processus de type FRET.
7.2.6
Plasmonique "originelle"
De nouvelles voies doivent tre explores pour augmenter la distance de propagation de lnergie sur les chanes de particules ou sur les structures polaritoniques bande interdite en dterminant des gomtries favorisant des couplages forts de type champ proche entre les nano-objets. La modlisation ici, comme pour les biocapteurs, doit permettre de jouer un rle important de prdiction. Des rapprochements avec la communaut de loptique guide traditionnelle paraissent galement souhaitables.
7.2.7
La circuiterie plasmonique
La physique des plasmons de surface est actuellement applique la ralisation de nanocomposants hybrides permettant simultanment sur un mme support mtallique dassurer la propagation de signaux optiques ainsi que le transport de signaux lectriques (fonction de guide donde). Citons en particulier quune telle plasmonique, combine des matriaux magnto-optiques, peut gnrer des effets magnto-plasmoniques. Il serait alors possible dimaginer des fonctions de transmissions nonrciproques (isolation optique) sur des dimensions extrmement rduites.
7.3
Couches minces optiques
Dans le domaine de lespace libre, les couches minces optiques demeurent incontournables dans nombre de secteurs. Ce constat rsulte dune maturit acquise au cours des trente dernires annes, ainsi que de la diversit et la complexit des fonctions optiques ralises : respect de contraintes simultanes sur lintensit et la phase, la polarisation, lachromaticit ou la rsonance, la stabilit lincidence Ce type de composant trouve galement sa force dans la diversit des substrats (verres, cristaux, plastiques) et des matriaux dposs (oxydes, sulfures, nitrures, fluorures, mtaux). Par ailleurs, ce domaine est quasiment le seul bnficier de logiciels de synthse labors faisant appel aux techniques doptimisation les plus rcentes (algorithmes gntiques, recuit simul, mthode des aiguilles, ). Si, dans les annes 2000, des progrs spectaculaires ont t raliss dans le domaine de la fabrication de filtres destins aux applications microlectronique (traitement des optiques des rpteurs de lithographie UV), tlcommunications optiques haut dbit (multiplexeurs et dmultiplexeurs des liaisons DWDM, filtres galiseurs de gain) ou biomdical (filtres dichroques bord de bande flancs trs raides pour les observations en fluorescence, filtres suppresseurs de raies laser de densit optique suprieure 7), la technologie a encore progress au cours des 5 dernires annes, notamment dans le domaine de lautomatisation des procds, et rend aujourdhui accessible le dpt de plusieurs centaines de couches (le millier a rcemment t dpass) avec une prcision nanomtrique. Ces progrs ont t accompagns par une mtrologie de plus en plus sophistique, in situ et ex situ, avec dans ce dernier cas, une mention spciale pour la tenue au flux, qui est devenue un rel verrou dans le contexte actuel dintgration photonique et daugmentation de la puissance des sources laser. Paralllement les contraintes non optiques (duret, adhsion, sensibilit lenvironnement, vieillissement, auto nettoyage) ont pris une place considrable, notamment dans le domaine des applications grand public (btiment, lunetterie). Nous nous attachons ci-dessous aux ruptures scientifiques et technologiques qui ont rendu possible une telle volution, en relevant quelques dfis particuliers.
7.3.1
Les techniques de synthse
Le progrs le plus marquant est certainement mettre au crdit de la mthode des aiguilles (needles), car elle permet dlaborer, pour pratiquement nimporte quel type de filtre, une formule tout fait satisfaisante, en se limitant la dfinition dinformations a priori rduites lessentiel (nature des matriaux, paisseur globale prsume de lempilement). Un grand nombre de problmes demeurent
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cependant insolubles ce jour, notamment lorsque les contraintes portent conjointement sur un grand nombre de paramtres dont la dispersion spectrale de la phase. 7.3.2 Les procds nergtiques
La deuxime volution notable au niveau des procds de dpt est le remplacement progressif de lvaporation thermique de granulats obtenue par bombardement lectronique, par la pulvrisation de cibles solides planes, ralise laide de canons ions (IBS, Ion Beam Sputtering) ou de magntrons (RF Sputtering, DC Sputtering). Les composants obtenus sont compacts et offrent une rsistance et stabilit rares aux contraintes denvironnement. Par ailleurs, la stabilit de la cintique de croissance rend possible lautomatisation du procd de dpt, et ce faisant la ralisation dempilements trs grand nombre de couches (quelques centaines jusquau millier) dont la fabrication peut stendre sur plusieurs jours. Un dfi reste relever et concerne luniformit des dpts, savoir, pour un nombre croissant dapplications, tre capable de contrler les paisseurs mieux que 10-3 sur des surfaces non planes avec des dimensions suprieures 200mm. 7.3.3 Le contrle in situ du composant
Les dveloppements les plus rcents concernent la mise en uvre de systmes optiques de contrle large bande, avec des extensions linfrarouge proche et moyen: ceci permet de contraindre le problme inverse que lon rsoudre, qui consiste modifier en temps rel la cible thorique pour se rapprocher du rsultat recherch compte tenu des performances du sous-empilement en cours de fabrication : cest lune des facettes du reverse engineering, en pleine volution. 7.3.4 La tenue aux flux lumineux intenses
La tenue au flux est devenue en quelques annes une spcification incontournable mais demeure encore mal matrise, eu gard au nombre de phnomnes intervenant dans le processus de dgradation: non linaire, thermique ou thermo-mcanique, effets spcifiques de surface ou volumes Cette complexit impose lutilisation de courbes de seuil caractristiques dune probabilit dendommagement, en lien troit avec la densit de sites initiateurs de la dgradation.
7.4 7.4.1
Cristaux photoniques Modes de lumire lente, ingnierie de la dispersion
En exploitant les proprits exceptionnelles des cristaux photoniques en termes de dispersion, de nombreux rgimes de fonctionnement sont explorer. Une des voies privilgies est dutiliser des modes de lumire lente , qui permettent de contrler ou bien de confiner les photons la fois spatialement et spectralement. Il est ainsi possible de raliser des nano-rsonateurs photoniques qui peuvent tre mis profit par exemple dans le cas de loptique non linaire ou de loptique quantique. Le contrle fin et local de la dispersion permet aussi denvisager la ralisation de nouveaux concepts de circuits intgrs photoniques. La richesse de ces modes optiques devrait aussi permettre de concevoir de nouveaux circuits photoniques complexes, versatiles, et ventuellement fonds sur des architectures 3D. La mise en uvre de ces concepts peut aussi permettre denvisager le dveloppement de nombreux types de composants optiques despace libre, oprant par la surface , et ainsi de proposer des alternatives attractives aux composants base de couches minces optiques. Plus loin, la fusion de ces deux domaines est envisageable, en ralisant des empilements de couches minces optiques dont certaines sont dotes de cristaux photoniques (photonique 2.5D ), et ce afin datteindre une plus vaste gamme de fonctionnalits optiques. Enfin, ltude de limpact du dsordre sur les proprits de telles structures est un thme en lui-mme trs prometteur. Les dveloppements mentionns ici sont dj en cours dans diffrentes units de recherche en France, mis il faut souligner que pour atteindre le stade de la maturit, ces efforts de recherche mritent dtre soutenus. 7.4.2 Nouveaux matriaux, nouvelles fonctions
Le domaine des cristaux photoniques est par ailleurs marqu par lexploitation de matriaux de base de plus en plus divers. Il peut sagir des matriaux semi-conducteurs les plus usuels (silicium, composs III-V), mais aussi dautres matriaux dont lutilisation dans cette optique est plus rcente
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(LiNbO3, composs III-N, silicium poreux, mtaux, etc.). Le choix des matriaux dpend dune part de la valeur requise pour la constante dilectrique, mais aussi des proprits recherches. En effet, selon linteraction entre les photons et le milieu environnant, et donc entre autre avec le matriau constitutif du cristal photonique, des fonctions particulires peuvent tre obtenues. Ces fonctions sont trs nombreuses ; certaines sont dj dveloppes (fonctions opto-lectroniques, mcano-optiques, etc.) et dautres en sont leur gnse (magnto-photonique, photo-fluidique, bio-photonique, etc.). En particulier, la possibilit dintgrer entre eux divers de ces matriaux de base, par exemple sur un support de silicium, pourra savrer un lment cl pour le dveloppement de certains systmes optiques. La complexit technologique doit tre aussi traite lorsquil sagit de raliser des composants opto-lectroniques, dots dlectrodes. Des dveloppements analogues sont ncessaires pour tous les autres types dassociation (photo-fluidique, etc). De manire gnrale, chaque nouvelle fonction implique un travail important de design et de dveloppement technologique, qui peut lui seul motiver un projet de recherche. De manire gnrale, au-del de la combinaison des fonctions mentionnes ci-dessous, il sera certainement utile dassocier des cristaux photoniques intgrs avec des structures plasmoniques ou des nano-antennes mtalliques. Une telle association pourrait en effet permettre de combiner les avantages de ces deux types de nanostructures photoniques (localisation extrme, contrle avanc des pertes optiques, contrle du rayonnement, etc). 7.4.3 Vers une gamme spectrale plus tendue
En termes de longueur donde, si les tout premiers cristaux photoniques fonctionnaient dans le domaine des micro-ondes, la gamme spectrale couverte par les travaux actuels sest considrablement tendue puisquelle va de lUV linfra-rouge, puis aux longueurs dondes plus leves. Lextension en cours de la gamme spectrale dans laquelle on est capable de concevoir et de raliser des cristaux photoniques permet en particulier de viser une gamme dapplications renouvele. 7.4.4 Mthodes de conception, de ralisation et de caractrisation
Enfin, il est important de noter que ces travaux sont lis au dveloppement des mthodes de modlisation, de caractrisation, et du parc de micro-nanofabrication disponible. A cet gard, on ne peut quencourager les travaux en termes de dveloppement doutils de simulation lectromagntiques, et les efforts dans le domaine de la nano-caractrisation optique, exploitant par exemple le champ proche optique. Il est galement ncessaire de garantir laccs des outils de fabrication performants et souples dutilisation, tels que ceux disponibles la fois dans les grandes centrales de technologies et dans les centrales de proximits.
7.5
Mtamatriaux
Ce thme a vu son essor en 2000 et est rapidement devenu incontournable. La plupart des tudes exprimentales se sont concentres sur des longueurs d'ondes beaucoup plus grandes que l'optique. Ainsi, des dmonstrations marquantes ont t ralises en utilisant des mtamatriaux oprant dans le domaine des micro-ondes (des split ring resonators aux capes dinvisibilit). Il est cependant notable que nombre dapplications pourraient bnficier du possible contrle de la lumire offert par des mtamatriaux oprant dans le domaine optique (du transport de linformation pour les communications optiques limagerie pour la biologie et la mdecine, en passant par la furtivit dans le domaine de la dfense). Il faut souligner que les progrs technologiques rendent accessible le domaine de longueur d'onde du visible et proche infrarouge comme le dmontrent de rcentes publications. Il reste nanmoins des efforts importants fournir pour aboutir une technologie suffisamment mature et ceci dans un contexte extrmement concurrentiel. Entre ces deux domaines de longueur d'onde, la partie THz du spectre constitue un domaine o les concepts des mtamatriaux devraient apporter des solutions novatrices. Faire oprer de telles structures dans le domaine optique pose des problmes considrables la fois en termes de modlisation et de simulation et en ce qui concerne la ralisation des objets lmentaires. En effet, appliquer un simple facteur d'chelle se heurte au moins deux obstacles importants: d'une part les dimensions qui seraient inaccessibles aux technologies actuelles. De plus on peut en particulier citer le fait que les mtaux prsentent des pertes trs importantes dans ce domaine spectral. Dautres voies pourraient donc tre envisages pour imaginer des mtamatriaux optiques sans pertes, par exemple en exploitant des micro-rsonateurs lmentaires constitus de
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matriaux forte permittivit ou encore en considrant des milieux dilectriques gain.. Si les technologies top-down issues de la micro-lectronique sont le plus souvent utilises, aujourd'hui des projets mergent pour envisager des ralisations par auto assemblage, voie qui semble prometteuse en terme de structures bas cots particulirement pour les courtes longueurs d'onde. Un travail important en termes d'identification des domaines les plus prometteurs pour les applications doit tre conduit.
7.6 7.6.1
Fibres optiques nanostructures Structures PCF fonctionnalises
Les fibres PCF, dont la technologie de fabrication est devenue mature, offrent la possibilit de fonctionnaliser la structure guidante via laccs au champ propag par la prsence des canaux dair. En effet, le guidage de la lumire dans lair des dimensions micromtriques sur des longueurs kilomtriques offre une mthode dinteraction lumire/matire ingalable. Ainsi, les PCFs (cur solide ou creux) seront utilises comme une structure de base laquelle sera ajout, (insr dans les trous de la gaine et/ou dans le cur creux) un matriau choisi pour discriminer et dtecter la prsence de substances chimiques ou biologiques cibles, ou pour gnrer des radiations de nouvelles longueurs donde ou encore pour raliser des conversions lectrique-optique. 7.6.2 Technologie sol-gel, fibres composites, nano-inclusions
La technologie sol-gel associe la mthode classique de tirage des fibres optiques va permettre de dvelopper des fibres multi-matriaux dans le but de raliser des guides et des sources fibres des longueurs donde nouvelles, stendant de lUV lIR-Moyen, mais galement afin dexacerber des proprits non-linaires. Les fibres nanostructures dont le cur est compos de nanocristaux (ZrO2, ZnO, ...) dops (terres rares ou mtaux de transition) dans une matrice amorphe constitue une des voies nouvelles explorer. En effet, il convient aujourdhui de modifier lenvironnement de lion dopant pour modifier ses processus dmission. Une autre solution envisage consiste utiliser directement lmission lumineuse de nanoparticules semi-conductrices (ex : Quantum Dots). Dans ce contexte, les avantages attendus seront une mission troite et accordable (sur 2 octaves) et des gains optiques dpassant de plusieurs ordres de grandeur le dopage classique aux ions terres rares. Il est noter quavec lincorporation de nanoparticules semi-conductrices au sein de fibres optiques, une voie souvre pour de nouveaux concepts dintgration de composants (modulateurs). Finalement, des fibres fortement non-linaires pourront aussi tre envisages en choisissant un matriau autre que la silice (par exemple, des verres de tellure ou des verres dops bismuth ou des curs en silicium), combines ventuellement une gaine microstructure. 7.6.3 Ondes de plasmon
Linsertion dun rseau de fils mtalliques (diamtre micro, nanomtrique) dans une matrice dilectrique est une voie pour le dveloppement de fibres optiques innovantes exploitant leffet de bande interdite photonique ainsi que leffet plasmonique. La combinaison de ces deux effets ouvre la voie de nouvelles applications et la miniaturisation de composants optiques.
7.7 7.7.1
Programmes nationaux, positionnement international Plasmonique
Programmes nationaux : ANR : AAP blanc AAP PNANO Evnements nationaux : Workshops organiss par le GDR or nano , Workshops organiss par le GDR Ondes Evnements internationaux : NFO : International Conference on Near Field Optics, Nanophotonics and Related Techniques SPP : International Conference on Surface Plasmon Polariton META : International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics Divers symposium dans le cadre de confrences internationales organises par le SPIE
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7.7.2
La communaut internationale est runie de faon exhaustive tous les 3 ans loccasion du congrs Optical Interference Coatings , en gnral Tucson. Avec un calendrier diffrent, la communaut europenne est runie au mme rythme loccasion de la Confrence SPIE Advances in Optical Thin Films . Plus rcemment, on note lapparition du mme type de congrs international en Chine ( Frontiers of Optical Coatings ), avec la premire occurrence en 2009. Enfin, on trouve plusieurs congrs annuels Dallas (Socit Amricaine du Vide) ou Montral (Ecole Polytechnique). Enfin, le congrs Laser-Induced Damage in Optical Materials rassemble chaque anne les spcialistes de la tenue au flux laser dans les filtres optiques Boulder, Colorado. 7.7.3 Cristaux photoniques
Il est noter que depuis les annes 90, de nombreux projets ont t mens dans ce domaine en France, aux niveaux des rgions et au niveau national, et sur le plan Europen. Preuve de la richesse de ce domaine, de tels projets se retrouvent actuellement dans des projets proposs suite des appels doffre relevant des nanotechnologies, des technologies de linformation, de la biologie, de lnergie, mais aussi des appels plus fondamentaux. Programmes nationaux : ANR : Tout particulirement les AAP Blanc et PNANO/P3N Evnements nationaux : Workshops organiss par le GDR Ondes vnements internationaux : PECS : Photonic and Electromagnetic Crystal Structures meetings ESPC : European Symposium on Photonic Crystals Symposiums organiss dans le cadre des confrences gnrales SPIE, LEOS, CLEO, OSA, etc. 7.7.4 Mtamatriaux
S'agissant d'un thme apparu rcemment il n'y a pas aujourd'hui de structuration spcifique de la communaut nationale. Programmes nationaux : ANR : AAP blanc AAP PNANO Evnements nationaux : GDR Ondes Evnement internationaux : Nanometa, Metamaterials.(initi par le NoE Metamorphose), META, Symposiums organiss dans le cadre des confrences gnrales SPIE, LEOS, CLEO, etc. 7.7.5 Fibres optiques nanostructures
Depuis 1984 le CNRS a soutenu ltablissement en France de moyens technologiques pour les recherches sur les fibres optiques. Limoges (IRCOM devenu XLIM) et Nice (LPMC) ont accueilli les premires installations de tirage de fibres et de fabrication de prformes par MCVD. Plus rcemment il a galement appuy la constitution du GIS GRIFON qui coordonne les efforts acadmiques sur les fibres base silice autour des laboratoires PhLAM (Lille), LPMC (Nice) et XLIM (Limoges). Les autres soutiens sont venus dinitiatives rgionales et ont vu la cration dun autre GIS dans louest de la France autour des laboratoires FOTON (Lannion), LVC (Rennes) et de lassociation PERFOS. Il ny jamais vraiment eu ce jour et lchelle nationale de programme national ddi loptique des fibres. Pourtant les laboratoires voqus plus haut ont su acqurir une place parmi les leaders de la communaut internationale (participation de multiples programmes europens, collaboration avec de gros laboratoires en Allemagne et en Russie).
7.8 7.8.1
volution et recensement de communaut Plasmonique
Structuration et animation de la communaut : GDR Or Nano GDR Ondes Communaut acadmique : ISIS, CPMOH, ICD / LNIO, ICB, CEA / IRAMIS, LCFIO, LETI, CEMES, INL, INSP, LPN, Institut Fresnel, IEF, LASIM, LRS, LPCML, LM2N, ITODYS, IRCEL, FEMTO, LMPQ, CRPP, etc
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7.8.2
Communaut acadmique : Institut Fresnel, Laboratoire Charles Fabry de lInstitut dOptique, Laboratoire des Matriaux Avancs, Institut des Nano-Sciences de Paris, Laboratoire Physique des Interfaces et des Couches Minces, CEA-LITEN Communaut industrielle franaise : CILAS, SAGEM, SESO, ESSILOR, SAINT-GOBAIN, THALESANGENIEUX Communaut industrielle internationale forte, dans laquelle on peut en particulier citer JDS-Uniphase (USA), SEMROCK (USA), Barr Associates (USA), Chroma Technology (USA), IRIDIAN Spectra (Canada), ZEISS (Allemagne), MSO-Jena (Allemagne), 7.8.3 Cristaux photoniques
Historiquement, la communaut autour des cristaux photonique sest structure grce au GDR Microcavits et cristaux photoniques . Le GDR Ondes a ensuite poursuivi ce travail. Il est notable que la communaut franaise est actuellement trs tendue, et parmi les plus dynamiques en France, preuve en est le nombre de communications orales annonces la confrence de rfrence, PECS VIII-2009, et qui seront prsentes par des groupes franais. Parmi les laboratoires fortement impliqus dans le domaine, on citera les suivants : LCFIO, INL, LPN, Femto-ST, Institut Fresnel, GES, IEF, CEA-INAC, CEA-LETI, LAAS, IEMN, ICD/LNIO, LPUB, IM2NP, INSP, IPCMS, LASMEA, etc 7.8.4 Mtamatriaux
La communaut mtamatriaux en France a plutt t initie autour du domaine des micro-ondes, probablement essentiellement pour des raisons de relative simplicit des ralisations exprimentales (par rapport l'optique). Nanmoins, les rcents succs obtenus au niveau international (en particulier US, Allemagne) en termes de ralisation pour l'optique ont dmontr le potentiel existant. Communaut acadmique (bilan non exhaustif et avec des degrs d'implication trs variables) : IEMN, IEF, Institut Fresnel, GES, CEA LETI, LPN, LCFIO Communaut industrielle : Thals 7.8.5 Fibres optiques nanostructures
Communaut acadmique nationale relative la fabrication, la caractrisation, la conception de fibres optiques : PhLAM-IRCICA (Lille), LPMC (Nice), LVC (Rennes-verres Chalcognures), XLIM (Limoges) Communaut acadmique nationale relative lutilisation de fibres optiques (liste non exhaustive): FEMTO-ST Besanon, LCFIO-Institut dOptique Palaiseau, TELECOM ParisTech, CORIA Rouen, Institut Carnot de Bourgogne Dijon, CELIA Bordeaux, LPN Marcoussis, FOTON Lannion, Laboratoire Hubert Curien Saint Etienne, POMA Angers, Inst. Fresnel Marseille, CIMAP Caen, LPCML Lyon, LNIO-UTT Troyes,. Autres tablissements publics concerns (liste non exhaustive): ONERA-Palaiseau, CEA-Saclay, DGA, CEA Cadarache (ITER), CEA-CESTA Bordeaux. Communaut industrielle nationale ayant trait la fibre optique, sa fabrication ou son exploitation importante dans des composants et systmes (liste non exhaustive): Alcatel-Lucent, Draka Comteq, IX-FIBER, PERFOS, PHOTONIS, EOLITE, Quantel, KEOPSYS, Amplitude Systmes, Mauna Kea Technologies, LEUKOS, IDIL, ORANGE Lab, EDF R et D, France Telecom, Alcatel-Thales III-V Lab, Yenista,
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8 . SOURCES DE LUMIERE
8.1 Primtre Avec lapparition du laser dans les annes 60 et des sources base de matriaux semi-conducteur, les technologies disponibles pour la gnration de lumire ont connu une vritable explosion. Ces progrs ont conduit lapparition de nouveaux outils qui sont aujourdhui incontournables dans de nombreux domaines dapplication : tlcommunications, mdical, procds industriels, instruments scientifiques, dfense et scurit Ces sources de lumire sont bases sur de vritables ruptures technologiques qui doivent encore progresser afin daboutir des systmes encore plus performants ou offrant des fonctionnalits nouvelles. De nombreuses perspectives sont identifies sur le plan scientifique pour rpondre ce besoin et la communaut scientifique nationale bnficie de comptences de pointe pour porter linnovation sur cette thmatique. Ce chapitre couvre les sources de lumire cohrente et incohrente et son objectif est de prsenter les volutions technologiques actuelles et les applications potentielles. Le primtre de ce texte couvre les lasers semi-conducteurs, les lasers ltat solide, lmergence des technologies fibres et les tages de conversion non linaires associs pour tendre la gamme spectrale couverte. Dun point de vue spectral, cette section du rapport couvre la gnration de rayonnements depuis lUV jusquaux frquences THz. Un paragraphe est consacr aux diodes lectroluminescentes base de matriaux semi-conducteurs (DEL) ou organiques (OLED) pour leurs applications dans le domaine de lclairage et des afficheurs. Un paragraphe lumire extrme prsente ltat de lart et les perspectives scientifiques dans le domaine des lasers impulsions courtes ou de trs forte puissance crte, ainsi que les sources base de rayonnement synchrotron et les lasers lectrons libres.
8.2
Lasers semi-conducteur
De par leurs performances techniques et conomiques, leur fiabilit et leur simplicit dutilisation, ces composants se sont imposs naturellement dans de nombreuses applications. Leur dveloppement intensif depuis plus de trois dcennies leur confre une grande richesse technologique. Lactivit de recherche dans ce domaine reste nanmoins trs soutenue et trs riche. Marque par de nombreuses ruptures technologiques (introduction des puits quantiques puis des boites quantiques comme matriaux de gain, introduction des milieux lasers unipolaires cascades quantiques passage de cavit laser Fabry-Prot simples des cavits complexes : DFB, VCSELs, DBR accordables), lactivit de la communaut soriente autour de plusieurs grands thmes parmi lesquels il est important de retenir : 8.2.1 Amlioration des proprits de gain du matriau actif
Aprs la rvolution apporte par lintroduction des puits quantiques dans les zones de gain au dbut des annes 1980 puis des puits quantiques contraints la fin des annes 1980, ces travaux sorientent majoritairement prsent selon deux axes principaux qui sont lintroduction de nouvelles gomtries de confinement quantique des porteurs et lintroduction de nouveaux matriaux pour raliser ce confinement quantique. Lobtention de nouvelles gomtries de confinement quantique passe par lobtention de des confinements 0D (quantum dots et quantum dash) et de confinement 1D (fils quantiques), les objectifs viss sont alors non seulement de bnficier dune amlioration de seuil et de puissance mise, mais surtout de modifier les performances du composant via ses qualits de gain optique : rduction du chirp par une diminution du facteur de Henry, amlioration des paramtres dynamiques, largissement du spectre de gain On classe aussi dans cette catgorie de lingnierie du confinement quantique une partie des travaux qui portent sur lamlioration de la structure des lasers unipolaires cascade quantique. Ces travaux concernent aussi bien lamlioration des performances de composants existants et installs (lasers cascade quantique pour le moyen infra-rouge dans les filires InGaAlAs/InP et GaAlAs/AlGaAs) que la dmonstration de nouvelles filires (composants metteurs inter-sous-bandes dans les filires GaN) ou encore lextension des performances de filires en cours de maturation (lasers cascade quantique THz GaAs ou InP, lasers MIR base dantimoniures par exemple).
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Un deuxime axe de recherche est la fabrication et lutilisation de nouveaux composs susceptibles de permettre une amlioration des performances laser par une ingnierie fine des proprits quantiques du matriau de gain (meilleure symtrie de fonctions donde dans des puits quantiques de type II, symtrisation des offsets de bande entre bande de valence et bande de conduction, optimisation des masses effectives des porteurs.). Ces travaux sappuient sur le dveloppement continu des connaissances en pitaxie, pour proposer des matriaux complexes : quinaires InGaAlAsP sur InP ou GaAs, matriaux fortement contraints incorporant des composs surfactant (InGaAs(N)Sb sur GaAs), filire ZnO pour le fonctionnement polaritonique.Enfin, certains matriaux, comme le GaN, suscitent encore une activit de recherche intense (travaux sur lintroduction de dopants) afin damliorer les proprits des metteurs qui en sont constitus. 8.2.2 Augmentation du spectre dmission accessible
Ces travaux sont trs proches des travaux sur les matriaux et visent augmenter la gamme dmission accessible. On cherche ainsi combler les gaps de longueur donde sur lesquels lmission laser base de diodes semi-conductrices na pas encore t dmontre ou bien reste actuellement confine aux tempratures cryogniques. Ces gammes de longueur donde sont maintenant troites et centres autour de lUV profond (en dessous de 350 nm), de lorange (580-620 nm), le moyen infrarouge entre 3 et 5 microns, et enfin vers la gamme THz au-del de 100m. Une seconde motivation de ces travaux consiste tendre la gamme de longueur donde ralisable sur un substrat donn, afin de bnficier de procds technologiques plus matures donc plus performants ou moins couteux. Ainsi, lobtention dune mission laser centre vers 1,3 m sur substrat GaAs par lutilisation de boites quantiques ou de composs base dInGaAsN a t lobjet dune activit de recherche dynamique ces dernires annes. 8.2.3 Amlioration des performances des composants, obtention des performances ultimes
Dans la continuit des travaux de ces dernires annes, il sagit ici doptimiser et damliorer toujours les performances des diodes laser. En fonction des domaines dapplication, les performances vises adressent la puissance totale (empilements de diodes laser de plusieurs centaines de W), lefficacit la prise ou le rendement de conversion optique/lectrique qui devrait atteindre 80%, la trs faible consommation (VCSELs), la luminance (forte puissance dans un mode optimis et aisment couple une fibre), la bande passante en modulation directe (plusieurs dizaines de GHz), la linarit et le faible bruit (applications radio sur fibre, DFB de trs faible RIN), la gnration dimpulsions courtes trs fort taux de rptition (plusieurs centaines de GHz), laccordabilit large ou fine (gomtries DBR, multisection.) Ces travaux sappuient sur des besoins applicatifs forts (lasers solides pomps par diodes notamment, mais aussi lutilisation directe des diodes laser en usinage de matriaux qui requiert dans ce cas des sources la fois trs puissantes et de trs bonne qualit spatiale) et leur trs grande varit illustre la dissmination des diodes laser dans de nombreux domaines de la vie courante. Les travaux visent dailleurs le plus souvent une optimisation combine de plusieurs paramtres, mme dobtenir une adquation parfaite entre la source et lapplication. 8.2.4 Ruptures technologiques : VECSELS, Cristaux photoniques, micro-lasers
En parallle des axes doptimisation cits ci-dessus, certains travaux explorent des voies de rupture qui permettent des gains de performance de plusieurs ordres de grandeur. Ainsi, les projets de R&D sur les lasers semiconducteur pomps optiquement en cavit externe (VECSELs), qui sont la frontire entre les diodes laser et les sources laser solide, rendent aujourdhui disponibles des sources la fois de trs forte puissance (quelques W), de bonne qualit de faisceau et de faible encombrement. Ces composants prsentent galement un potentiel intressant pour la ralisation de lasers bi-frquence On trouve aussi dans cette catgorie les travaux mens activement sur les micro-sources cristaux photoniques. On utilise ici les avances des micro-technologies et de la nanophotonique pour raliser des sources laser proposant de nouvelles proprits non seulement de compacit, mais aussi de faisceau (laser exciton, sources laser de photons jumeaux, lasers bi-couleur.). Diverses versions de microlasers ont t tudies, en particulier en France, en exploitant des rsonateurs optiques de type microsphres, permettant datteindre des seuils ultimes, ou des microdisques, que lon peut alimenter lectriquement et intgrer dans une filire silicium, ou bien encore des cristaux photoniques, qui permettent par exemple datteindre des volumes de confinement
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ultimes. La possibilit de contrler lmission de la lumire vers des guides donde ou des fibres optiques a par ailleurs rcemment t dmontre. Dans ce domaine, on peut citer quelques exemples dactivits mergentes qui mriteraient dtre encourages. Les proprits uniques offertes par les cristaux photoniques ou les structures similaires, notamment en terme de contrle de la dispersion, de la vitesse de propagation, pourraient tre exploites pour raliser des lasers plus intgrs et plus compacts. Il est noter que la ralisation dlectrodes sur des micro-composants cristaux photoniques reste un point dlicat. Ensuite, en exploitant des nanostructures photoniques mtallo-dilectriques, supportant par exemple des plasmons de surface, il est possible de raliser de nouveaux types de lasers, ventuellement ultracompacts, et comportant par construction une ou des lectrodes. Par ailleurs, il peut tre opportun denvisager lintgration de ces microlasers dans de vritables circuits et systmes intgrs photoniques complexes, ou bien leur utilisation pour raliser des capteurs spectroscopiques. 8.2.5 Intgration photonique (interne/externe)
Enfin, dautres travaux actuels ralisent des intgrations optiques deux niveaux diffrents. Tout dabord proximit immdiate dune source laser semi-conducteur, en intgrant des lments optiques additionnels actifs ou passifs une cavit tendue au-del du semi-conducteur pour mieux bnficier de ses performances ou amliorer ses fonctionnalits : sources lasers de puissance grande stabilit spectrale (FBG en mode puls, source stabilises cavit externe, doublage de frquence intra-cavit, etc.). Il convient galement de citer les efforts de recherche mens pour aboutir des niveaux de puissance ncessaires des applications de type usinage des matriaux. Pour progresser dans cette voie, le multiplexage dun grand nombre dmetteurs semiconducteurs est une approche prometteuse est diffrentes techniques, bases par exemple sur le filtrage en cavit externe ou des concepts de recombinaison cohrentes sont ltude. Ensuite, en intgrant monolithiquement ces fonctions optiques sur le semi-conducteur lui-mme en parallle sous forme dmetteurs (barrettes) ou travers des sections ddies en ligne comme la slection en longueur donde (rseau DFB), la modulation trs haute frquence (20 GHz et au-del) pour les transmissions tlcom (modulateurs lectro-absorbant ou interfrentiel), laccordabilit (DBR) et lamplification (SOA intgr). Ces deux topologies parallles et en ligne se rejoignent de fait dans les projets de circuits intgrs photoniques les plus avancs. Ils font alors appel des travaux sur la combinaison des faisceaux travers des multiplexeurs optiques dont le schma dintgration peuttre hybride ou monolithique selon lapproche retenue. Les champs thmatiques de recherche sur les diodes laser sont donc extrmement larges. Ils englobent tous les champs possibles daugmentation des performances, depuis le packaging avanc et lintgration htrogne des composants, jusquaux travaux sur les matriaux en constituant le cur. Dans la lance des ruptures technologiques prcdentes, des avances spectaculaires de leurs performances sont notamment attendues de lintroduction des nanomatriaux (boites quantiques, cristaux photoniques) dans leur structure. 8.2.6 Lasers cascade quantique
Le dveloppement rcent des lasers cascade quantique (LCQ) permet denvisager des perspectives trs prometteuses qui amnent une vritable rupture technologique notamment dans le domaine de linfrarouge thermique et des frquences THz (contremesures, dtection de polluants et de matires dangereuses,). Les perspectives pour les LCQ doivent, en grande partie, tre cibles vers des applications qui sont aujourdhui suffisamment bien identifies et qui sont listes ci dessous. Pour les contremesures (LCQ moyen infrarouge), il sagit damliorer: la puissance de sortie Il sagit essentiellement dun problme technologique, qui se base sur la rduction des pertes optiques (a 1cm-1) par (i) des procds de fabrication optimiss et (ii) une rduction des concentrations lectroniques dans les rgions actives. le rendement la prise Pour ce point il est ncessaire deffectuer une tude approfondie la fois thorique et exprimentale sur le transport, et de concevoir des nouveaux dessins quantiques susceptibles doptimiser linjection des lectrons dans la rgion active.
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la qualit de faisceau Des nouveaux guides donde doivent tre proposs afin de prserver le fonctionnement monomode, mme en prsence de trs fortes densits photoniques. La comprhension de la saturation du gain en fonction de la puissance optique est un lment essentiel pour pouvoir garantir la qualit spatiale des modes optiques dans les lasers ruban. Des nouvelles solutions, bases sur les concepts des cristaux photoniques et/ou sur la plasmonique, pourrait donner vie une nouvelle classe de dispositifs alternatifs aux metteurs ruban. De plus, cause des rgles de slections des diples intersousdandes, les cristaux photoniques sont la seule solution pour extraire la lumire par la surface. La dtection de polluants et de matires dangereuses est une autre application bien identifie des lasers cascade quantique. Pour cette application, il sagit notamment de progresser sur laccordabilit et le contrle de la largeur de raie dmission. Des recherches sont mener sur diffrentes architectures (cavit externe, DFB notamment) permettant datteindre les objectifs de performances viss pour cette application. Enfin, la recherche de nouveaux types dhtrostructures reste un thme de recherche essentiel. Cet effort est motiv soit par le besoin dtendre la couverture spectrale des lasers vers les courtes longueurs donde avec la filire antimoniure, soit par la recherche de nouveaux alliages, tels que les matriaux barrires sans Al, (par exemple InAsSb sur InP) pour des dispositifs plus fiables. Pour les dispositifs THz, qui nont pas encore rejoint la maturit des lasers dans linfrarouge moyen, il est indispensable de continuer poursuivre des tudes fondamentales portant sur la physique du composant. Dans cette gamme de frquences, le principal enjeu est la temprature de fonctionnement. Un travail de fond sur le dessin quantique et sur le transport lectronique est ncessaire pour lamlioration des performances en temprature. Certains concepts de physique, qui peuvent tre lorigine de la forte dgradation en fonction de la temprature, doivent tre approfondis. En particulier le poids dune possible mission stimule de phonons qui peut tre lorigine de temps de vie extrmement court des tats lectroniques. Le guidage des ondes THz est essentiellement bas sur linteraction entre les mtaux et la radiation lectromagntique, comme dans le cas des hyperfrquences. Tous les concepts lis aux antennes et aux impdances propres des hyperfrquences peuvent donc tre opportunment exploits par un scaling down des dimensions physiques des composants. Cela permettra de faire avancer plus rapidement la technologie THz. Un autre objet dinvestigation dans la gamme THz est la conception de mta-matriaux. Les technologies de lithographie et de fabrication permettent de raliser ces matriaux dont les proprits physiques consentent un contrle sans prcdent des faisceaux optiques. Par ailleurs, ces LCQ THz prsentent un intrt important pour les communications trs courte distance, scurises par labsorption atmosphrique, par exemple pour les nanorseaux indoor. Lobjectif ici consiste mieux comprendre les performances offertes par les lasers cascade quantique en terme de bande passante de modulation qui peuvent dpasser les 50 GHz, grce au court temps de vie des lectrons dans les tats excits de la structure. Des recherches sont par ailleurs poursuivre sur le fonctionnement en blocage de modes actif qui permettrait daugmenter sensiblement les puissances crtes. 8.2.7 Recensement
Laboratoires franais LAAS (Toulouse), FOTON (Lannion), IEF (Orsay), INL (Nice), LMPQ (Paris), IES (Montpellier), CEALETI (Grenoble), LPN (Marcoussis), Supelec (Metz), Georgia Tech Lorraine (Metz) Confrences CLEO US, CLEO Europe, Photonics West, ICSL (International Conference on Semiconductor Lasers), CLEO Focus Meeting on New Frontiers in Photonics, ECOC et ECIO, JNOG (journes nationales d'optique guide). Industriels franais III-V Lab (Palaiseau), Thals (Palaiseau), 3S Photonics (Nozay)
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8.3
Diodes lectroluminescentes inorganiques (LED)
Ce sont les applications lies lclairage (automobile, clairage public, et bientt clariage domestique, commercial et au travail) qui tirent lessentiel des dveloppements dans le domaine les LEDs inorganiques. Cest lavnement de la famille du GaN (AlGaN, GaN, INGaN) dans les annes 1990 qui a crdibilis les LEDs sur ce march, dpourvue de vritable source bleue jusque l. Cest cette famille qui a permis en quelques annes au critre de base (le nombre de lumen par watt) de rejoindre puis dpasser les deux concurrents classiques des LEDs que sont tungstne historique et le fluorescent non , avec un potentiel au-del des 100 lumen/W. Lobjectif scientifique consiste obtenir des sources dans le visible de forte puissance et brillance et prsentant un rendement la prise maximal. Dans les annes 2000, lutilisation de LED blanche dans lclairage arrire ( backlight ) de quelques milliards de tlphone portable couleurs a tir le march. Aujourdhui, les lois dchelle des puces sont de mieux en mieux connues, et lon parle dampoule LED car il ny a plus de doute que le march de lclairage basculera tt ou tard ver les LEDs. La mthode de loin la plus utilise pour obtenir un clairage blanc est lassociation dun convertisseur ( phosphore ) de couleur jaune, dpos sur la LED elle-mme, qui met dans le bleu. La recherche sur les convertisseurs eux-mmes est un domaine scientifique dintrt, car les recettes utilises pour les nons (tubes fluorescents) ou encore les scintillateurs nont pas t exprimes scientifiquement de faon gnrique et restent ltat de savoir-faire dingnieur. Les ingrdients sont des terres rares (Ce, Eu) ou des inorganiques spcifiques. Le dosage permet de fabriquer des blancs plus ou moins chauds, de temprature de couleur contrle entre 3000 et 7000 K, et dindice de rendu des couleurs (CRI) entre 75 et 95. Les inconvnients concernent la variation de la couleur avec langle de vue, voire le vieillissement diffrentiel de lmission, avec un jaunissement qui saccentue, en raison aussi dune attaque UV de lepoxy denrobage. Les industriels tentent de sorganiser pour dfinir un standard. La taille des puces atteindre pour des ampoules est de lordre de 1 3 mm2, ce qui pose des questions de refroidissement tant donn les densits de courant atteignant 1A. Le rendement en laboratoire dpasse 150 lumen/Watt, laide des raffinements sur lextraction de la lumire. Cest en effet le goulot principal dans le rendement: si la lumire est gnre trs efficacement lintrieur de la puce, sous forme bleue, elle reste prisonnire et est majoritairement rabsorbe, seule 5 20% quittant utilement la puce pour des solutions triviales de montage de la puce. Parmi les solutions visant amliorer le rendement dextraction, on peut citer lhtrostructure comprenant gnralement un guide donde en GaN assez pais sur saphir pour extraire les modes retenus dans ce guide. Pour des guides pais, des structures cristaux photoniques (ou autre nanostructuration) sont trs efficaces mais leur implmentation hors laboratoire reste dlicate (perforation /dpt proche des couches actives), bien quun fabricant prtend vendre des LEDs cristaux photoniques comme sources de backlighting dcran LCD. Des rendements de 73% dextraction pour une LED vraiment lectriquement injecte ont t publis rcemment. La solution des microcavits planaires, tudie en son temps en France, ncessite des structures trs minces et trs dlicates (applicables aux OLEDs, dans une certaine mesure !). Pour laugmentation de la brillance, la densit de courant est le facteur limitant. Pour les puces standards de 1mm2, il faut lutter contre une perte de rendement haute injection (> 10 A/cm2), attribue soit leffet Auger haute concentration de porteurs soit la mauvaise qualit des barrires GaN/AlGaN, qui laissent fuir les lectrons parvenus dans la zone active. Cela continuera dtre un enjeu majeur pour les diffrentes gnrations de LEDs. Pour les applications grand publics des LEDs blanches, les fabricants sont conscients que les obstacles sont dans (i) la simple standardisation des blocs dclairage (module dalimentation, encastrage) qui tireraient vraiment profit des LEDs (moins de hauteur sous plafonds que les actuels solutions fluorescentes ou xnon, ce qui se traduit par des centaines de tonnes de bton en moins dans un immeuble !) et (ii) lacceptation du public, via lactuel tentative de substitution des filaments tungstne par les CFL (Cold Fluorescent Lamp), au format compatible, tout en vitant une exagration des promesses affiches pouvant induire le public en erreur sur un lment trs sensible de ses habitudes de vie, dans un contexte de technophobie relative. En parallle du dveloppement des LEDs bleues et bleues-blanches, une autre solution consiste mlanger trois couleurs primaires, typiquement rouge, vert et bleu. Dans le but damliorer le rendement dextraction, des LEDs rouge AlInGaP utilisant des technologies de film mince (20 microns) sont dvelopps. Le Vert est form soit partir dInGaN, soit de GaP. Mais le problme Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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rside dans labsence de matriaux pour des LEDs bons rendements entre 520 nm et 590 nm, du vert franc lorange. Le march des LEDs trois couleurs concerne le backlighting pour crans LCD pour parvenir un rendu des couleurs meilleurs que les CFLs actuels, la projection et lclairage spcialis (architectural, mdical) au del de celui de la signalisation dj bien conquis. Pour la projection, par exemple, on trouve dj des mini projecteurs LEDs qui fournissent sur un mtre carr environ limage issue dun tlphone portable, proposant un nouvel cran cet ex-jouet informatique. Or cest un objet de rfrence qui est aujourdhui plus rpandu que lordinateur dans un pays comme lInde, dont de vastes populations auront ainsi contourn lge du PC . Le futur moniteur de famille en Inde pourrait donc tre un projecteur LED reli un portable. Enfin, les LEDs UV base dAlGaN progressent dans les deux axes dun diagramme longueur donde - puissance, atteignant 250 nm dun ct et la centaine de mW pour des longueurs donde au-del de 300 nm. Les applications concernent la strilisation et la dcontamination. La strilisation des eaux dans les pays pauvres pourrait tre un march majeur de ces LEDs UV, coupl lnergie solaire. Le march est encore trs mobile et fluctuant laube de restructurations majeures dictes par les incertitudes sur ladoption du grand public et les conomies dchelles venir : grands substrats (GaN ou saphir ?), bons rendements (pitaxie, architecture optique, nanostructuration), haute puissance et rendu des couleurs optimal (phosphore, puces complexes). Le rle de lextraction de la lumire reste crucial, avec des exigences qui se dclinent par application, et o la prospective est dlicate. En une dcennie, les LEDs auront ainsi acquis un droit de cit chez le chercheur et le physicien, -- en lieu et place de la diode laser pour beaucoup de ces derniers --, rle plus en phase avec leur part trs majoritaire dans le march de loptolectronique semi-conducteur, et qui le restera sans doute. Sur le plan scientifique, un travail est mener pour la conception de nouvelles htrostructures, lamlioration des matriaux et des techniques dpitaxie. Lutilisation de matriaux nanostructurs ou de gomtries complexes pour amliorer les rendements dextraction de la lumire produite constitue galement un sujet prometteur.
8.4
Diodes lectroluminescentes organiques (OLED)
Apparues il y a tout juste 20 ans (en 1987), les diodes lectroluminescentes organiques (OLEDs) figurent aujourdhui comme une technologie mergente pour laffichage et au fort potentiel de dveloppement pour lclairage. Les performances acquises aujourdhui par les displays OLED sont suprieures celles de leurs homologues LCD ou plasma, que ce soit en termes de luminance, puret des couleurs ou dangle de vue. Des rendements internes de 100% (un photon produit pour un lectron inject) sont obtenus en routine grce aux matriaux phosphorescents. Les limitations en terme de rendement externe (~20%) viennent principalement du problme de lextraction lumineuse, tout comme dans les diodes inorganiques : des recherches prometteuses sont poursuivre dans ce sens, par exemple via la nanostructuration. La question de la dure de vie, qui a longtemps t le talon dAchille de cette technologie en raison de lextrme sensibilit des composs organiques loxydation et une faible tenue au courant, est maintenant en passe dtre rgle : alors que des dispositifs commerciaux affichant plusieurs milliers dheures de fonctionnement sont dj disponibles sur le march (crans de tlphones portables, lecteurs multimdia, et depuis 2007 crans de tlvision), les OLEDs la pointe de ltat de lart des techniques dencapsulation prsentent des dures de vie de lordre du million dheures. Il reste toutefois un problme intrinsque de vieillissement diffrentiel des diffrentes couleurs, les metteurs bleus tant par essence plus fragiles que les metteurs verts ou rouges. La communaut bnficie aujourdhui dune banque de matriaux performants mais relativement limite : il parait essentiel de poursuivre la recherche collaborative physiciens/chimistes visant enrichir la famille des matriaux pour loptolectronique organique. Pour rellement saffirmer comme une technologie de rupture, des rsultats sont particulirement attendus du ct de lclairage, o les OLEDs blanches nont pas de concurrent direct tant elles constituent des sources la fois efficaces (de lordre de 60 lumen/Watt actuellement, lobjectif tant de dpasser les 100 lm/W pour concurrencer directement les tubes fluorescents), conomiques, et ralisables sous forme de feuilles de lumire de trs grande surface, potentiellement souples voire enroulables. Lclairage reprsentant presque 10% de la consommation nationale totale en lectricit, elles reprsentent une solution pertinente pour les conomies dnergie. Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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Un des aspects les plus spectaculaires des OLEDs, mais paradoxalement encore peu explor, est la possibilit de raliser les dispositifs sur tout type de substrat, y compris souple, voire de raliser des dispositifs transparents (TOLEDs) aux fonctionnalits multiples. Il est vraisemblable que scientifiques et industriels sauront trouver dans ces sources lumineuses faonnables au gr des applications vises des perspectives nouvelles dinnovations qui iront au-del de lclairage domestique. Par ailleurs, de nombreux travaux explorent actuellement les composants hybrides organiques/inorganiques, couplant par exemple metteurs organiques et nanoparticules inorganiques pour la conversion de frquence. Enfin, dimportants efforts se focalisent vers la ralisation de diodes laser organiques, dans le but dobtenir des metteurs laser conomiques et largement accordables en longueur donde sur tout le spectre visible. Aprs avoir explor de manire infructueuse des solutions directes dinjection de courant pendant les quinze dernires annes, la communaut se tourne dsormais galement vers des solutions hybrides trs prometteuses, base par exemple de LED inorganiques pompant des structures semiconductrices organiques.
8.4.1
Recensement
Laboratoires franais : LPICM (Palaiseau), CEA LETI (Grenoble), LPL (Villetaneuse), LPQM (Cachan), IMS (Bordeaux), INSP (Paris), XLIM (Limoges), LAPLACE (Toulouse), CEA LITEN, IEMN (Lille) Confrences : Voir la liste sur : http://www.oled-info.com/events, OSC, LOPE-C, ICEL (International Conference on Electroluminescence of Molecular Materials and Related Phenomena), ICOE (International conference on Organic Electronics) et les sessions "photonique organique" ou "oleds" dans les grandes confrences telles que : SPIE Photonics West, CLEO US et Europe, MRS (congrs de la Material Research Society), E-MRS (quivalent europen), EOS Meeting Confrences nationales : "Matriaux et nanostructures pi-conjugus" (MNPC) et "Dispositifs Electroniques organiques" (DIELOR) Industriels franais : - Microoled (Grenoble) - Astron-FIAMM safety (Toulon)
8.5
Sources lasers ltat solide
Ce paragraphe aborde les sources laser base de matriaux solides (cristaux ou fibres) pomps optiquement par diodes laser de puissance. Lassociation de ces deux sous-ensembles permet damliorer sensiblement la luminance car la cavit laser joue le rle de convertisseur de mode spatial, et de produire des impulsions lumineuses de forte intensit crte par lintermdiaire des rgimes dclenchs ou verrouillage de mode. 8.5.1 Lasers solides pomps par diodes
Le dveloppement des lasers solides est directement lis aux avances en cristallogense de nouveaux matriaux et aux immenses progrs des diodes laser de puissance conduisant des avances importantes en fiabilit, rendement lectrique optique et donc en compacit. Pour ces raisons, les lasers solides pomps par diodes tendent remplacer progressivement les lasers solides pomps par lampe, par exemple pour lusinage des matriaux. En effet, lamlioration des performances des sources pompes par diode a permis de fortement rduire les cots de fabrication dans des secteurs-clefs comme l'automobile ou l'aronautique (entre autres) tout en apportant une plus grande flexibilit. Avec lavnement de nouveaux matriaux comme les cramiques laser ou les monocristaux faible dfaut quantique, des progrs importants sont attendus dans le domaine des lasers de puissance, en terme notamment de puissance de sortie et de rendement la prise. De nouvelles gomtries de pompage, telles que le disque mince ou les slabs permettent une meilleure gestion des problmes thermiques. De mme de nouvelles configurations de pompage directement dans les niveaux haut des transitions laser permettent de rduire la charge thermique. Des tudes sur de
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nouvelles gomtries visant amliorer le comportement thermique des sources lors de la monte en puissance moyenne sont ncessaires. Contrairement aux diodes laser qui ne fonctionnent quen rgime continu ou quasi-continu, les lasers solides pomps par diodes permettent, par un stockage de lnergie de pompe dans ltat excit de lion actif, de produire des impulsions de lumire trs courtes (ns) et trs intenses pour de nombreuses applications en usinage. Les travaux sorientent vers une monte en cadence pour acclrer les procds, conduisant une augmentation des charges thermiques. La recherche de nouvelles solutions tout solide (couple diode laser matriaux actifs) pour couvrir de nouvelles fentres spectrales constitue un autre thme de recherche trs actif et encourager. Alors que les lasers base de cristaux de saphir dop au titane ont rvolutionn le monde des lasers impulsions ultracourtes et sont leaders pour les sources lasers de laboratoire, un important travail de recherche doit tre men sur la ralisation de sources femtoseconde directement pompes par diode destines aux applications industrielles (micro-usinage athermique, micro ou nano fabrication). 8.5.2 Lasers fibre
Bien que les premires dmonstrations du laser fibre remontent plus de 30 ans, ce nest que rcemment que cette technologie a dmontr tout son potentiel grce deux dveloppements technologiques majeurs : la matrise de la fabrication des fibres structure double-gaine et la monte en puissance des diodes laser de pompe. De plus, ce secteur a bnfici des dveloppements technologiques lis lessor des tlcommunications optiques la fin des annes 2000. Le principe des lasers fibre double-gaine est une lgante solution pour grer les problmes thermiques et optimiser le rendement de pompage optique/optique. La structure double-gaine joue le rle de convertisseur de mode spatial en transformant le rayonnement multimode des diodes laser de pompe en un mode spatial limit par diffraction et la longueur de plusieurs mtres du milieu amplificateur permet de rpartir efficacement la charge thermique. De plus lutilisation de fibres dopes ytterbium permet de rduire le dfaut quantique et donc la charge thermique dpose. Enfin les potentiels dintgration et dinsensibilit lenvironnement de ces sources sont levs ce qui a acclr le dveloppement de laser continu de trs forte puissance principalement pour des applications dusinage de matriaux. La technologie des lasers fibres continus de forte puissance a atteint un grand degr de maturit pour les applications industrielles. Par contre, en rgime impulsionnel (ou pour les sources spectre fin pour les applications de lidars cohrents) les non linarits optiques (effet Raman, effet Brillouin, automodulation de phase) gnres par le confinement de londe dans le cur actif de grande longueur restreint le potentiel des lasers fibres impulsionnels. Il faut donc dvelopper des structures large aire modale en exploitant les spcificits des fibres microstructures tout en rduisant au maximum la longueur du milieu amplificateur, ce qui ncessite damliorer les proprits thermiques des fibres, comme cest le cas par exemple pour la structure de type rod-type o la gaine externe en polymre est remplace par de la silice. Les technologies fibres offrent un potentiel extrmement riche qui est loin dtre puis sur le plan scientifique. Ainsi, des perspectives intressantes sont identifies pour augmenter laire du mode fondamental et rduire les effets non linaires. De plus, la technologie des fibres microstructures permet une ingnierie de la dispersion utile en rgime impulsionnel et ltude de nouveaux matriaux comme les fibres en verre de chacolgnure qui visent ouvrir de nouvelles fentres spectrales dans linfrarouge. Ces dveloppements permettront la mise au point de sources plus puissantes, avec de meilleur rendement lectrique-optique, daccder des rgimes impulsionnels et daccder de nouvelles fonctionnalits comme la gnration de supercontinuum dont les applications en biophotonique et en mtrologie sont prometteuses. Lobjectif ultime des technologies lasers fibres consiste pousser lintgration ses limites en supprimant toute propagation en espace libre, en incluant le transport. Pour dpasser les limites intrinsques des ces fibres en rgime impulsionnel, de nombreux travaux sont mens actuellement sur des techniques innovantes de recombinaison spectrales et cohrentes et sur des structures multicoeur. Lutilisation des fibres pour la ralisation de sources laser femtoseconde haute cadence constitue un autre thme prometteur. Il ny a pas dopposition frontale entre les lasers fibres et les lasers base de cristaux massifs car chaque technologie possde ses propres avantages : forte puissance moyenne pour les lasers fibres et forte nergie pour les lasers cristaux massifs et il est mme probable que des schmas hybrides de systmes lasers seront dvelopps pour exploiter au maximum les spcificits de chaque technologie (front end en technologie fibre suivit de booster partir de matriaux massifs). On
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observe mme un rapprochement des deux technologies avec les dveloppements des fibres phosphate autorisant un trs fort dopage, les fibres de type rod-type ou les fibres monocristallines. 8.5.3 Conversion non linaire
Parfait complment aux lasers, loptique non linaire permet dtendre la couverture spectrale des lasers solides pomps par diode dont lmission se restreint principalement dans le proche infrarouge. Lutilisation de cristaux non linaires en configuration intracavit pour les lasers continus ou extracavit en rgime impulsionnel permet de produire un rayonnement laser visible ou ultraviolet, domaine spectral o les applications industrielles sont importantes. De mme, les techniques doscillation ou damplification paramtrique optique offrent un potentiel intressant pour accder des fentres spectrales infrarouges non accessibles directement tout en offrant en plus une large plage daccordabilit. La mise au point de cristaux non linaires en configuration de quasi-accord de phase (ppLiNbO3, ppKTP ou ppGaAs) a rvolutionn ce domaine, mais un effort continu doit tre poursuivi pour dvelopper de nouveaux matriaux non-linaires, principalement dans lUV o les applications sont nombreuses et imaginer de nouvelles architectures de sources permettant doptimiser les performances de ces sources. Des techniques damplification paramtrique optique drive de frquence (OPCPA) commencent merger pour la mise au point de lasers impulsions ultracourtes car permettant damplifier des impulsions ultracourtes sans rtrcissement spectral. Enfin, le dveloppement de fibres microstructures a ouvert des schmas de gnration de continuum spectral en exploitant les nonlinarits du troisime ordre et un contrle prcis de la dispersion. Ces sources de lumire blanche (stalant de lUV linfrarouge) forte cohrence spatiale prsentent de nombreuses applications par exemple en spectroscopie, mtrologie (peignes de frquence) ou biophotonique.
8.5.4
Recensement
Laboratoires franais CORIA (Rouen), LCFIO (Palaiseau), CELIA (Bordeaux), LOA (Palaiseau), LULI (Palaiseau), XLIM (Limoges), FEMTO-ST (Besanon), ICB (Dijon), LAC (Orsay), LOB (Palaiseau), LPMC (Nice), CPMOH (Bordeaux), ONERA (Palaiseau et Chatillon), CIMAP (Caen), LP3 (Marseille), LCMCP (Paris), LPCML (Lyon), Institut Fresnel (Marseille), Institut Neel (Grenoble), ICMCB (Bordeaux), IRCICA (Lille), PHLAM (Lille), LMOPS (Metz), IRSAMC (Toulouse), LASIM (Lyon), POMA (Angers), LHC (St Etienne), FOTON (Lannion), PERFOS (Lannion), IPR (Rennes), CEA CESTA (Le Barp), CEA IRAMIS (Saclay) Programmes Rseau des Technologies Femtosecondes (RTF) de la MRCT CNRS Rseau Cristaux Massifs et Dispositif pour lOptique (CMDO) de la MRCT CNRS Confrences CLEO US, CLEO Europe, Photonics West, Photonics Europe, Advanced Solid State Photonic, Europhotons, ICUIL, Ultrafast Optics, EOS Topical Meeting on Lasers, JNCO (journes nationales des cristaux pour loptique), JNOG (journes nationales d'optique guide) Industriels franais Thales RT (Palaiseau),Thales Optronique (Elancourt), Quantel (Les Ulis), Cilas (Orlans), Sagem, Osyris (Lille), Oxxius (Lannion), Amplitudes Systmes (Bordeaux), Amplitudes Technologies (Evry), Eolite Systems (Bordeaux), Keopsys (Lannion), Manlight (Lannion), Teem Photonics (Grenoble), Fibercryst (Lyon), Leukos (Limoges), Horus (Limoges), Azur Light Systemes (Bordeaux), Ixfiber (Lannion), Fastlite (Paris), Idil (Lannion)
8.6 8.6.1
Sources de lumire extrme Grands instruments laser
Rapidement aprs la dcouverte de leffet laser et des techniques de gnration dimpulsions courtes (Q-switching, mode-locking), il a t possible, ds la fin des annes 70, de produire des impulsions
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ultracourtes (de 10-9 10-12 s) de fortes nergies et datteindre ainsi des clairements sur cible de lordre de 1015 W/cm2. Aprs une priode de stagnation des performances, deux dcouvertes majeures au milieu des annes 90 sont la base dune vritable rvolution dans le domaine des lasers impulsions ultracourtes : la dcouverte de la technique damplification drive de frquence (1985) et des cristaux de saphir dop au titane (1986). En 20 ans, plus de six ordres de grandeur ont t gagns pour atteindre des clairements sur cible de lordre de 1021 W/cm2. Ces sources lasers ont acquis une maturit technologique suffisante pour pouvoir tre utilises dans des domaines de plus en plus vastes. En dehors des applications classiques en physique et chimie (spectroscopie non linaire rsolue en temps), ces lasers ont permis des progrs considrables dans l'tude de l'interaction laser-matire trs haute-intensit, avec des retombes dans des domaines trs divers (physique des plasmas, physique atomique, astrophysique), mais aussi dans la gnration de sources secondaires (rayonnement XUV, X, sources dlectrons, de protons, rayonnement gamma..). Des impulsions de moins de 100 attosecondes peuvent tre produites par gnration dharmoniques dordres levs. Des schmas dacclrateurs laser-plasmas compactes produisant des faisceaux dlectrons ou de protons de haute nergie sont dvelopps, avec des applications futures dans le domaine mdical pour la radiothrapie et la protonthrapie, dans le domaine de la science des matriaux pour linspection non destructive de la matire dense par radiographie ainsi que dans le domaine de la chimie pour la radiolyse des chelles de temps sub-picoseconde Les sources lasers femtosecondes trouvent galement des applications trs importantes dans des domaines non prvus initialement comme la microscopie de fluorescence par absorption deux photons, la chirurgie rfractive de la corne en ophtalmologie, le micro-usinage athermique pour le traitement des matriaux ou la mtrologie des frquences. Mme si la majorit des sources lasers dimpulsions ultracourtes sont bases sur lutilisation de cristaux de saphir dop au titane comme milieu amplificateur, des solutions base de cristaux et/ou fibres dopes ytterbium ou erbium sont dveloppes. En effet, dans le but daccder des marchs industriels, il est ncessaire damliorer la compacit, la simplicit et le rendement lectrique/optique global de ces sources. Il est alors obligatoire de passer par le pompage optique direct par diode lasers de puissance de nouveaux matriaux laser, permettant galement de mettre au point de sources fonctionnant trs haute cadence (par une meilleure gestion des effets thermiques), condition indispensable pour accder de nombreuses applications industrielles. En se basant sur des collaborations troites avec les laboratoires de recherche franais, la pointe dans ce domaine, les industriels franais du secteur occupent une position de leaders pour les chanes lasers de forte nergie mais aussi pour les lasers vocation plus industrielle. Le projet de lInstitut de la Lumire Extrme (ILE), initiative francilienne des laboratoires du Plateau de Saclay et soutenu par le contrat de plan Etat-Rgion, a pour ambition de dvelopper, lhorizon 2014, une infrastructure laser de puissance unique au monde pour la physique de lextrme. Ce laser dlivrera des impulsions de 1016 W ou 10 Petawatt pour une nergie de 150 Joules en 15 fs et une cadence de 1 tir par minute. ILE permettra ltude fondamentale de linteraction laser-matire des des clairements sur cible encore inexplores suprieures 1023 - 1024W/cm correspondant un nouveau rgime encore inexplor : le rgime Ultra relativiste. ILE devrait galement fournir des sources uniques de radiation et de particules et favoriser lmergence de nouveaux domaines de recherche dans des axes pluridisciplinaires. En plus des retombes scientifiques, ce projet aura galement des retombes industrielles car dans de nombreux domaines (cristaux amplificateurs et non linaires, rseaux de diffraction, lasers de pompage, pompage par diodes, mtrologie aux temps courts) la technologie devra tre pousse au-del des limites actuelles pour rpondre aux objectifs de performances annonces. Le projet ILE est fortement coupl au projet europen ELI (Extreme Light Infrastructure) devant en tre le prcurseur et lattracteur. Le projet ELI dont linitiative revient la France (par lintermdiaire des laboratoires du plateau de Saclay) est une Grande infrastructure qui a t propose lEurope. Elle consiste en un laser de classe Exawatt (2 1017 W), vingt fois la puissance du laser de lInstitut de la Lumire Extrme. ELI sera constitu de 10 faisceaux de type ILE. Le projet ELI, unique en son genre, est inscrit sur la feuille de route des Grands Instruments europens, est financ travers sa phase prparatoire dans le 7ime Programme Cadre europen (2008-2013) et implique de nombreux laboratoires en Europe. Le projet du laser Mgajoule (LMJ), en cours de construction en Aquitaine, est men par la Direction des Applications Militaires (DAM) du Commissariat l'nergie atomique (CEA). Lobjectif est de
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produire une nergie de 1,8 Mgajoules dans lUltraviolet (351 nm) sur une impulsion de quelques nanosecondes en faisant converger 240 faisceaux sur une cible compose de deutrium et de tritium. La technologie est base sur des plaques de verre dop Nodyme (40 par 40 cm) pompes par des lampes flashs et une architecture damplification multipassage. La quantit d'nergie apporte sera suffisante pour provoquer la fusion nuclaire de ces deux isotopes dhydrogne. Le LMJ est un lment essentiel du programme Simulation (avec le supercalculateur TERA-10), destin assurer la prennit de la dissuasion aprs l'arrt dfinitif des essais nuclaires. Les expriences permettront dtudier les processus physiques mis en uvre dans ltape finale du fonctionnement dune arme nuclaire. Linstallation NIF (National Ignition Facility du Lawrence Livermore National Laboratory), lquivalent du LMJ aux Etats-Unis, est un peu plus avance que le LMJ. Le NIF a dlivr en Mars 2009 une nergie de 1,1 MJ et les premires expriences de fusion sont prvues pour 2010. Le prototype du LMJ lchelle 1 : la Ligne dIntgration Laser (LIL) est oprationnelle depuis 2003 et dlivre une nergie de 30 kJ sur quatre faisceaux. La LIL sert la fois finaliser les choix technologiques pour le LMJ, permet au CEA de maintenir des expriences pour la dissuasion nuclaire et est ouvert la communaut scientifique nationale et internationale, ouverture qui samplifiera aprs la mise en route du LMJ. Un projet de laser Petawatt coupl la LIL (le projet PETAL pour Petawatt Aquitaine Laser) est actuellement en cours de montage sur la LIL. Linstallation PETAL est conue pour dlivrer une nergie de 3,6 kJ dans une dure de 500 fs la longueur donde de 1,053 m. Le projet PETAL est fortement reli au projet HIPER (High Power laser Energy Research facility) pilot par la Grande Bretagne et dont lobjectif est dtudier le principe de la fusion nuclaire par confinement inertiel. Le projet HIPER est financ dans sa phase prparatoire par la Communaut Europenne (2008-2011). Ce projet se positionne comme une solution alternative au projet ITER qui concerne la fusion nuclaire par confinement magntique. Lobjectif des deux projets HIPER et ITER est bien ltude dune source dnergie alternative aux sources dnergies fossiles actuelles. Le projet PETAL se positionne en amont du projet ITER pour des tudes de physique du principe de lallumage rapide bas sur lutilisation simultane dune impulsion sub-picoseconde de forte puissance crte et dune impulsion nanoseconde plus nergtique. 8.6.2 Rayonnement synchrotron et laser lectrons libres
Les sources de lumire issues de faisceaux dlectrons relativistes gnrs par des acclrateurs de particules ont connu un essor significatif, paralllement au dveloppement rapide des sources laser conventionnelles depuis quarante ans. Ces sources dlivrent un rayonnement cohrent de trs haute brillance, accordable en longueur donde depuis linfra-rouge jusquaux rayons X, de polarisation ajustable, avec des impulsions picoseconde ou femtoseconde (fs). Le rayonnement synchrotron est produit par des lectrons relativistes soumis laction dun champ magntique, soit dans les aimants de courbure, soit dans des dispositifs magntiques spcifiques (onduleurs) comportant une succession daimants alterns, conduisant un rayonnement nettement plus intense. Les sources dites de troisime gnration, comme SOLEIL et lESRF en France, utilisent un faisceau dlectrons stocks dans un anneau de stockage depuis lequel ils produisent des faisceaux de photons haute cadence (de lordre du MHz), de faibles dimensions et divergences, offrant un rayonnement intense dun haut degr de cohrence transverse, et donc de brillance moyenne trs leve 1017-1021 ph/s/mm2/mmrad2/0.1% BW. Les dures dimpulsions sont typiquement dune centaine de ps moins de fonctionner dans des conditions particulires doptique lectronique. Des impulsions dune centaine de fs peuvent galement tre produites mais avec un flux de photon rduit, suite linteraction entre un paquet dlectrons et un laser femtoseconde intense (rgime appel slicing ) comme cela est prvu SOLEIL. La lumire est envoye vers des lignes de lumire, et aprs slection dune bande spectrale grce des monochromateurs performants (dE/E ~10-4), est utilise pour ltude de la matire sous toutes ses formes (solide, molle, liquide, gazeuse, vivante ou inerte) dun point de vue fondamental ou appliqu toutes sorte dobjets. Les utilisations appliques couvrent ainsi un spectre scientifique extrmement tendu concernant des domaines aussi varis tels que lhritage culturel, la cristallographie des protines, limagerie infrarouge dans le domaine mdical, la catalyse, lenvironnement.., y compris des applications plus industrielles. Les sources dites de quatrime gnration utilisent le rayonnement synchrotron mis de faon spontane par un laser dit lectrons libres (LEL). Linteraction entre le paquet dlectrons, produit par un acclrateur linaire, et une onde lumineuse (mission spontane simple, stocke dans une cavit optique ou source laser externe accorde sur lmission spontane) permet lamplification de Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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londe lumineuse au dtriment de lnergie cintique des lectrons, son affinement spectral et temporel conduisant un haut degr de cohrence temporelle et spatiale, coupl une intensit crte leve et des impulsions de 10-100 fs. La brillance moyenne (resp. crte) atteint alors 1022-1024 (resp. 1030-1033 ph/s/mm2/mmrad2/0.1% BW), valeurs ingales par dautres sources. A Stanford, aprs le premier LEL oscillateur mis en service dans linfrarouge, le LCLS utilisant une partie de lacclrateur de SLAC vient dobtenir la saturation 0.15 nm avec moins de 100 m de longueur donduleur. En France, le centre serveur CLIO fonctionne dans linfra rouge entre 1-100 m pour des tudes en chimie ractionnelle (photodissociation multiphotonique), en surfaces et interfaces (somme et diffrence de frquences), en phase condense (interactions molculaires en phase condense), en physique du solide et en microscopie infrarouge. La partie X dur (< 0.1 nm) sera couverte par la participation franaise au XFEL europen situ DESY (Hambourg), dont la construction vient de dmarrer et qui sera oprationnel en 2015. Le projet franais ARC-EN-CIEL vise offrir du rayonnement accordable dans le domaine X-mous (jusqu 1 nm), par injection des harmoniques gnres dans les gaz pour lanalyse des matriaux (magntisme, spintronique en particulier), la dynamique en photochimie et en photophysique, la catalyse, le suivi de la fonction des protines dans la cellule. Le concept innovant au cur du projet, savoir linjection du LEL courte longueur donde par les harmoniques gnres dans les gaz, a t valid exprimentalement par une quipe francojaponaise sur SCSS Test Accelerator au Japon.
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9 . DETECTION DE LUMIERE
9.1 Primtre La conversion de lumire intervient dans tous les systmes optiques. Les champs dapplication sont donc par consquent trs vastes : les communications et le traitement de linformation, lobservation et limagerie (Capteurs CCD pour la tlphonie, camras IR pour la dtection nocturne, ), les quipements grand public (lecteurs DVD, consoles de jeux, ), lenvironnement (dtecteurs de gaz, rayonnement UV, ), la scurit (systmes de dtection dintrusion, ), lnergie (Cellules photovoltaques, ), la biologie (dtecteurs de biomolcules, .), Les caractristiques de ces moyens de conversion ont un impact direct sur les performances pouvant tre atteintes par un systme plus global. Il peut galement tre dfini comme llment la frontire des domaines de la photonique et de llectronique. Les domaines dapplication sont donc vastes et il nest pas possible de donner une liste exhaustive des systmes de conversion de lumire.
9.2
Dtection pour le traitement de linformation haut dbit
Dans le domaine des TIC, la demande en nouvelles technologies est grandissante et la majeure partie de la population mondiale souhaite acqurir les dernires avances en tlphonie, en internet, en multimdia afin de ne pas tre marginalise . En particulier, les services sur internet sont de plus en plus gourmands en dbit, comme, la vido la demande, la tlvision numrique, le tlchargement de musiques ou films, La vidoconfrence devient quant elle, de plus en plus utilise mme pour des besoins privs. Les systmes de dtection rpondent trs bien ces nouveaux besoins dans la perspective de convertir des dbits de quelques dizaines actuellement quelques centaines de Gbit/s dans un futur proche. Lobjectif principal dans ces systmes est doptimiser le rapport signal bruit (SNR : signal to noise ratio) et dallier une forte sensibilit dans une gamme de longueur donde trs vaste (de 850 nm 1.7 m) et une grande bande passante pour les gnrations futures. De nombreuses tudes ont t menes dans la dfinition de tels dtecteurs, principalement en semi-conducteurs III-V, de nouvelles avances ont galement t obtenues dans les matriaux IV-IV. Une autre approche est lintgration htrogne de photo-dtecteurs III-V sur silicium par collage molculaire, pitaxie, report par thermo-compression Ceci permet de tirer parti des proprits intrinsques de des matriaux III-V, tout en bnficiant du potentiel la fois technologique et fonctionnel de lintgration avec une plateforme silicium. Cependant, des efforts restent encore poursuivre pour augmenter la sensibilit et rduire le bruit de ces dispositifs afin de les rendre compatibles avec les nouveaux systmes de communications 40Gbit/s et 100Gbit/s et les nouveaux formats de transmission comme (DPSK, DQPSK, ). La monte en puissance des tlcommunications scurises par des clefs quantiques va demander galement de nouveaux dtecteurs dits photon unique extrmement sensibles et faible bruit. Actuellement les dtecteurs transition supraconductrice offrent les meilleures performances mais leur fonctionnement basse temprature (<10K) reste un frein pour leur utilisation. Il faut toutefois noter que des progrs importants sont enregistrs dans le domaine de la miniaturisation et de lefficacit des machines froid qui devraient favoriser lutilisation industrielle de dtecteurs aux performances extrmes. Dans cet esprit, les rcentes avances sur les dtecteurs HgCdTe avalanche dmontrant des gains suprieurs 5000 sans bruit en excs ouvrent de nouvelles perspectives. Dans la plupart des systmes de tlcommunications futurs, les signaux dtecter seront extrmement faibles (une poigne de photons voire un seul photon), il sera donc ncessaire de dvelopper des dtecteurs amplifis soit par lapport dun gain optique ou de type avalanche dans diffrentes filires (III-V et IV-IV ou II-VI) ou de rduire la chane de bruit, notamment sur llectronique de dtection.
9.3
Les imageurs
Les recherches sur les capteurs visibles et infrarouges pour les applications dimagerie dans les domaines de la dfense et de la scurit sont trs actives. On trouve en particulier limagerie infrarouge dans la bande SWIR (Short Wave InfraRed), stendant des longueurs dondes 1 2,5 m. Ce domaine spectral est encore assez peu explor compar aux bandes infrarouges MWIR (Mid
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Wave InfraRed ou bande 3-5 m) et LWIR (Long Wave InfraRed, ou bande 8-12 m) plus largement exploites en imagerie thermique (Figure 4).
UV
VISIBLE
NIR
SWIR
MWIR
LWIR
0,35 0,75 1 2,5 3 5 7,5 14
Figure 4 : Domaines en longueurs donde exploitables
De nombreuses tudes sont mener pour conduire une nouvelle gnration de composants : Le domaine de la dtection bas niveau de lumire fera lobjet dun effort particulier avec notamment le dveloppement des technologies de type EBCMOS ou MCPCMOS, et de matrices de photodiodes avalanche pour le proche et le moyen infrarouge En dtection infrarouge refroidie, de nombreuses ides sont dvelopper pour permettre de faire progresser les matriaux et proposer de nouvelles structures (HgCdTe, InSb, Multi puits quantique, dtecteurs cascade quantique, super rseaux...). On cherche notamment atteindre des tempratures de fonctionnement plus leves, amplifier le signal, ou raliser des fonctions multispectrales. Les clefs technologiques sont nombreuses et devront passer par la matrise de la croissance des htrostructures photosensibles et de son intgration avec le circuit de commande et de traitement CMOS. L'utilisation de concepts offerts par les nanotechnologies est galement explorer. On imagine par exemple utiliser des concepts base de plasmonique pour confiner la zone active des dtecteurs et rduire ainsi les sources de bruit. Plus gnralement, il semble opportun dexploiter le potentiel offert par les micro-nanostructures photoniques pour contrler le confinement de la lumire dans de tels composants, et ce afin damliorer leurs performances. Au niveau des dtecteurs IR non-refroidis, la tendance est la rduction du pas des pixels (infrieurs 20m), tout en maintenant les performances en NETD en dessous de 20 mK et en garantissant une bonne rsistance au sur-clairement. Dans ce domaine, des concepts base de nanomatriaux ou nanostructures sont susceptibles dapporter un gain. De mme la possibilit dun matriau alternatif meilleur est toujours dactualit. La capacit fonctionner dans cette gamme de performance sans shutter et sans stabilisation de temprature est galement primordiale. Enfin, les recherches au niveau des circuits de lecture sont poursuivre. Il sagit notamment de dvelopper des lectroniques capables doffrir des fonctionnalits tendues. Parmi les principaux sujets, figurent notamment les rtines artificielles programmables qui permettent, grce limplmentation dans le plan focal dtecteur dalgorithmes de traitement dimage de haut niveau, datteindre des niveaux dautonomie ingals. Ces techniques seront amenes jouer un rle essentiel, en particulier dans un contexte o la multiplication des capteurs est susceptible de conduire une quantit de donnes absolument ingrable par les approches actuelles. Un intrt grandissant serait galement de combiner sur un mme capteur une dtection dans le visible, dans le proche IR et dans la bande SWIR, voire UV. Des tudes tentent aussi dassocier plusieurs bandes de longueurs donde : SWIR, MWIR, LWIR en minimisant le plus petit nombre de capteurs. Tout ceci pour acqurir le maximum dinformation par systme de dtection. Les informations fournies par certaines longueurs donde tant riches et complmentaires, des travaux mergent autour des applications multispectrales ou hyperspectrales. En consquence, des htrostructures toujours plus complexes seront concevoir, associant performances, versatilit,
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voire ingnierie des effets quantiques. Certains travaux vont dans ce sens dans les bandes MWIR et LWIR avec notamment lapport des superrseaux InAs/GaSb, les QWIP (Quantum Wells Photodetectors) et QDIP (Quantum Dots Photodetectors). De mme, les circuits de lecture associs devront intgrer de plus en plus de fonctionnalits allant de la simple conversion analogique numrique jusquau traitement de limage. Cela ncessite galement dintroduire une capacit de calcul grandissante au niveau du capteur et de dvelopper des algorithmes sophistiqus de fusion dimage et de traitement temps rel, de plus en plus localiss au niveau de la rtine (pixels). Ces travaux laissent ainsi entrevoir un grand nombre daxes de travail pour les annes venir. Un autre intrt grandissant concerne le dveloppement de systmes portables, faibles poids, compacts et basse consommation qui sont de plus en plus demands. Ceci implique, dune part de rduire le nombre dlments actifs tout en gardant une large bande spectrale de dtection et un faible SNR temprature ambiante et dautre part dintgrer la partie photonique au plus prs de la partie lectronique Les systmes de dtection dans les trois bandes SWIR, MWIR et LWIR ont galement beaucoup dintrts dans le domaine du spatial et voire au-del pour les applications dans le vide, notamment vers de plus grandes longueurs donde (10-100 m) situes aux frontires du trahertz. Cette dernire gamme de frquences situe entre linfrarouge lointain et les ondes millimtriques (i.e quelques centaines de gigahertz) fait aussi partie des sujets de recherche prometteurs (gnration et dtection donde trahertz). Limagerie et la spectroscopie trahertz apparaissent dans certains aroports pour la dtection darmes ou dexplosifs. Cependant les composants de base pour lmission et la dtection sont encore peu nombreux.
9.4
Les cellules photovoltaques
A la diffrence des autres photodtecteurs, les cellules solaires photovoltaques ont ceci de particulier que le cot de ralisation doit tre particulirement bas, et que leur surface est beaucoup plus importante. Le paramtre pertinent pour juger de la qualit dun tel composant est le rendement de conversion, rapport entre la puissance lectrique fournie et la puissance optique incidente. Afin de dvelopper des cellules prsentant un bon compromis entre le cot de production et le rendement de conversion, divers matriaux et diffrents concepts ont t proposs dans le pass, rpartis en deux grandes catgories de matriaux : les cristallins (mono ou polycristallin) et les couches minces. Dans la premire catgorie, lutilisation du silicium est majoritaire, mais celle des semiconducteurs III-V est prpondrante pour les applications dans les panneaux solaires concentration. Dans la seconde catgorie on trouve galement le silicium sous sa forme amorphe, mais galement le CIS (CuInS et sa famille) mais aussi le CdTe une des rares technologies compltement mature pour un dploiement massif dans les fermes solaires qui ptit dune mauvaise image publique relative au Cadmium. Il faut enfin noter une troisime catgorie technologique avec lavnement des technologies de cellules organiques. En terme de concepts, la majorit des cellules, dites de 1re gnration, exploitent des substrats de silicium cristallin. Afin de rduire la quantit de matriau absorbant utilis, une seconde approche (2me gnration) consiste dvelopper des cellules en couches minces, moins onreuses, mais dont le rendement est rduit. Enfin, les cellules de 3me gnration visent exploiter de nouvelles structures permettant dtendre la gamme spectrale dans laquelle les cellules solaires sont capables dabsorber la lumire. Dans ce dernier cas, on trouve en particulier les cellules tandem et les composants utilisant des nanostructures, ce qui permet dabsorber des photons en de et au-del des limites du spectre dabsorption du silicium massif. La majeure partie des dveloppements passs dans le domaine du solaire photovoltaque a consist proposer de nouvelles approches au niveau des matriaux, ou bien dvelopper et optimiser les technologies de fabrication. Les dveloppements au niveau de loptique sont pourtant stratgiques, tant ils sont cruciaux pour contrler la collecte et labsorption des photons incidents, et donc le rendement de conversion. A cet gard, les concepts dingnierie optique dvelopps jusqu prsent taient fonds sur lutilisation de couches anti-reflet et de surfaces textures oprant dans le rgime de loptique gomtrique. Si ces concepts ont montr leur efficacit dans le cas des cellules de 1re gnration, il est pertinent de proposer des alternatives dans le cas des nouvelles gnrations. A la suite des dveloppements rcents en nanophotonique, il est possible de proposer de nouveaux concepts dingnierie optique permettant doptimiser la collecte et labsorption de la lumire solaire, en intgrant dans les cellules des structures dilectriques de taille sub-longueur donde (surfaces antirflchissantes nanostructures, rseaux de diffraction et cristaux photoniques), ou bien des nanostructures mtalliques (exploitation de rsonances plasmon, par exemple). Lintgration de telles structures photoniques devraient permettre daugmenter le rendement de conversion de manire Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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dterminante, en particulier pour les cellules de 2me gnration, pour lesquelles labsorption est limite dans certaines gammes spectrales. Notons quil sagit l dintgrer des structures oprant dans le rgime de loptique linaire . Lutilisation de nanostructures dans le cadre de cellules de 3me gnration relve quant elle de processus doptique non linaire , dont le rendement est relativement faible. Ces processus gagneraient tre assists et exacerbs en utilisant des structures photoniques. Lutilisation de nouveaux matriaux tels que les nanotubes de carbone, les nanofils semiconducteurs, les nanocristaux, pour la dtection de lumire peut galement apporter des solutions innovantes aux limitations des systmes plus classiques que ce soit pour les TIC, les imageurs ou encore les cellules photovoltaques. En effet, grce au contrle des dimensions et la qualit structurale de ces nano-objets, la collection des porteurs photo-gnrs peut tre intrinsquement trs rapide dans une large gamme spectrale. De plus, la nanostructuration des matriaux dilectriques, des semiconducteurs et des mtaux peut galement augmenter les performances de ces systmes par localisation du champ optique dans les zones dabsorption forte.
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Acteurs, programmes et vnements principaux
Acteurs Ci-dessous une liste non exhaustive des laboratoires fortement impliqus dans le domaine : Dtection pour le traitement de linformation haut dbit : IEMN, LAAS, LPN, IEF, ENSSAT, CEA/LETI, IES 3S PHOTONICS, III-V lab, THALES Les imageurs IES, LPN, MPQ, CIRIMAT, CEA/LETI, TRT, SAGEM, ENSTA, ISAE Le solaire photovoltaque IRDEP, LCFIO, InNess, LPN, INL, IM2NP, CEA-LITEN-INES, CEA-LETI, LPICM, LSP, etc. Saint-Gobain Recherche, LPMC Palaiseau Evnements De nombreuses confrences et topical meetings sont organiss par les socits savantes comme lOSA, SPIE, IEEE. Pour la partie dtection pour le traitement de linformation haut dbit, toutes les confrences concernant loptique intgre rservent au moins une session sur ce thme, comme lors de SPIE Photonics West, Photonics Europe, Group IV Photonics, CLEO, ECOC, IPR Pour les imageurs, on citera SPIE dfense scurit, MCT workshop La thmatique est par ailleurs reprsente dans les confrences traditionnelles du domaine photovoltaque : European Photovoltaic Solar Energy Conference, World Conference on Photovoltaic Energy Conversion Programmes Les projets de cette thmatique se retrouvent principalement dans les programmes de lANR VERSO, BLANC, P2N et Solaire Photovoltaque qui a t rcemment intgr avec des problmatiques lies au btiment dans le programme HABISOL .
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10 . MOEMS ET NOEMS
10.1 Contexte Lapparition des microsystmes lectromcaniques (MEMS pour Micro Electro Mechanical Systems en anglais), au dbut des annes 1980, a marqu une nouvelle tape dans le dveloppement des technologies lectroniques li jusqualors la matrise du processus de miniaturisation. Aux tatsUnis, les MEMS sont issus de la communaut lectronique et les premires ralisations ont consist fabriquer des lments mcaniques simples tels que des poutres ou des membranes et cela sest traduit par une augmentation des dimensions des objets par rapport aux composants lectroniques. Au Japon en revanche, cest la communaut des mcaniciens qui a initi ce sujet et les systmes mcaniques plus complexes ont t miniaturiss et associs une lectronique de commande et de contrle. LEurope et la France en particulier stant intresses aux MEMS plus tardivement, lambition sest immdiatement situe un plus haut niveau visant intgrer, sur un mme substrat semiconducteur, capteurs, traitement de linformation, et actionneurs, rendant accessible un ensemble de fonctions sensorielles lies lenvironnement. Cette versatilit de fonctions accrue ouvre ainsi des champs dusages bien plus larges que ceux que llectronique recouvre traditionnellement, et avec des potentiels de croissance confirms par lorientation More than Moore actuelle de lindustrie de la micro-lectronique. Lintroduction dune composante optique dans le domaine des MEMS a donn naissance une nouvelle classe de microsystmes habituellement dsigne par lacronyme MOEMS (Micro Opto Electro Mechanical Systems) qui permettent de faire interagir un signal lectrique avec un signal lumineux par le biais dune action lectromcanique. Un des premiers MOEMS silicium connu est, sans doute, le micro-dflecteur lectrostatique obtenu, au dbut des annes 1980, par Petersen, alors chez IBM Corp., et ralis par usinage de volume. Le domaine des MOEMS a ensuite connu une croissance rapide au cours de la dernire dcennie, particulirement la fin des annes 1990, principalement pour les tlcommunications, notamment linterconnexion optique dans les systmes multiplexs. Les annes 1994 - 2001 ont en effet t marques par le dveloppement des tlcommunications optiques, qui paraissaient la seule technologie capable dabsorber la croissance du trafic de donnes, en particulier grce aux systmes de multiplexage en longueur donde apportant un gain important de la capacit et de la flexibilit des rseaux. Aussi, des efforts intenses de recherche et de standardisation ont t conduits pour optimiser les procdures dexploitation des rseaux optiques, et de trs nombreux travaux ont t mens pour raliser les composants correspondants. Les microsystmes optiques (MOEMS) sont apparus beaucoup comme une solution naturelle, et dimportants investissements ont t raliss pour favoriser leur dveloppement, donnant naissance une myriade de socit start-up souvent issues des laboratoires de recherche dont peu ont survcu leffondrement de la bulle tlcom .
10.2 Les champs dapplication On distingue deux classes de composants MOEMS : celle dont les principes reposent sur loptique gomtrique (micro-miroirs mobiles, obturateurs optiques, etc.) et celle dont les principes reposent sur les interfrences optiques (micro-cavits Prot-Fabry, VCSEL, micro-optique diffractive, etc.), avec des avantages spcifiques : un contraste lev dans le cas des micro-miroirs et autres obturateurs optiques, et un temps de rponse performant et laccordabilit dans le cas des micro-cavits ProtFabry. Dans le secteur des tlcommunications optiques les principaux MOEMS prsents sur le march sont rests, au final, des commutateurs optiques 3D (distribus par Glimmerglass ou Calient Networks Inc.) pour le routage tout optique ou des obturateurs/attnuateurs (JDS Uniphase Corp., Sercalo Microtechnology Ltd.). Ils prsentaient notamment lavantage de consommer beaucoup moins dnergie que les commutateurs opto-lectroniques, typiquement de lordre de quelques centaines de W contre des dizaines de mW. Les composants exploitant des interfrences optiques, comme les VCSEL ou les filtres accordables nont pas eu le dveloppement espr compte tenu de la disparition du march et la difficult obtenir les spcifications utiles.
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Finalement, le plus grand succs industriel des MOEMS ne sest pas fait dans les tlcommunications mais dans les systmes de projection vido grand public avec le DMD (Digital Micromirror Device) mis au point par Hornbeck de Texas Instruments Inc.. Assembls en matrice, ces micro-miroirs mobiles, cousins des commutateurs optiques pour les tlcommunications, quipent de plus en plus les systmes de projection allant du tlviseur individuel au projecteur de cinma haute dfinition avec aujourdhui un march encore plus important dans les pico-projecteurs bientt intgrs par exemple dans les tlphones portables. Depuis 1996, plusieurs dizaines de millions dunits DMD ont t vendues et ce composant est aujourdhui la seule technologie MOEMS relevant dune production de masse avec des revenus dpassant depuis peu ceux engendrs par les systmes de tte dimprimantes grand public purement MEMS. Il convient cependant de prciser que 16 annes ont t ncessaires la mise au point, principalement pour rsoudre des problmes de mcanique lis au fluage des matriaux employs pour fabriquer les suspensions travaillant en torsion. Les micro-miroirs orientables lectriquement (micro-scanners) qui profitent dune technologie mature gagnent aujourdhui les applications mdicales (imagerie endoscopique balayage). Toujours dans le domaine mdical, les miroirs dformables (optique adaptative) permettent damliorer limagerie de la rtine. Par ailleurs, loptique adaptative exploitant des miroirs dformables est aussi employe dans les tlescopes pour corriger les aberrations dues la traverse des couches atmosphriques. On peut noter aussi que les technologies de composants interfrentiels accordables, ont t recycles vers des applications demandant une performance moins contraignante, comme lanalyse spectroscopique. Cest le cas par exemple de la Socit Axsun (US) qui propose un spectromtre portable bas sur un filtre Fabry-Prot accordable initialement mis au point pour des applications tlcoms. Cest le cas aussi de Polychromix (US) qui commercialise aussi un spectromtre portable exploitant un rseau 1D de micro-miroirs diffractants issu de dveloppements pour le dmultiplexage en longueur donde. Globalement, on peut ainsi constater que, jusqu prsent, la recherche dans le domaine des MOEMS seffectue essentiellement un niveau trs multidisciplinaire tourn vers des applications industrielles extrmement varies et que les problmes rsoudre ne sont gnralement pas de nature conceptuelle, mais essentiellement technologique.
10.3 Prospectives Dans un cadre plus prospectif, au niveau du laboratoire, grce aux nouveaux outils de nanofabrication accessibles permettant de rduire de manire drastique les facteurs dchelle, le domaine des nouveaux composants multi-fonctions merge. Des axes de recherche se dveloppent notamment sur lintgration des technologies associant les microsystmes et la nanofabrication (MEMS + NANO) pour donner le jour aux NOEMS. Ces derniers mettent en avant de nouvelles approches conceptuelles pour un contrle fin de la lumire lchelle lambda-mtriques et pour certaines dans toutes les directions de lespace (communication optique multi-niveaux, gnration de signaux THz, cages photons compliantes, nanocoupleurs opto-mcaniques). Au sujet de la nature conceptuelle de la recherche dans le domaine des MOEMS, il ny a probablement pas de concept optique nouveau mais lexploitation de principes optiques connus requiert parfois des solutions nouvelles et le dveloppement de nouveaux concepts, technologiques ou pas, dans les MEMS. Lapport de matriaux multifonctionnels tel que le GaN ou le ZnO est susceptible de dynamiser les MOEMS dans un avenir proche si les marchs sont au rendez-vous et il sagit l dun autre point important pour lavenir.
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TRANSPORTETTRAITEMENTDELINFORMATION
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11 .
TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES- STOCKAGE OPTIQUE
11.1 Primtre Les besoins dans le transport et le traitement de linformation sont de plus en plus grandissants que ce soit lchelle dun circuit intgr CMOS que pour des transmissions plus longue distance. Dans le cadre des tlcommunications optiques, le transport et le traitement de linformation se trouvent un tournant caractris par la forte demande en capacit lie lexplosion du trafic internet. Laccs large bande et trs haut dbit (> 1 Gbit/s) base de fibre optique chez labonn est devenu une ralit, impliquant le dveloppement de nouvelles approches dune part pour la transmission optique mais galement de nouvelles technologies aux nuds du futur rseau optique. De nouvelles techniques de transmission telles que la radio-sur-fibre (RoF) ou laccs optique en libre espace permettront de rpondre des besoins spcifiques. Le dveloppement dun rseau de cur et daccs trs haute capacit reposera sur la photonique o lintgrateur de systmes saura comment prendre avantage du potentiel de loptique, dans une approche de plus en plus de type bote noire fonctionnalit dtermine (EC-ICT Workprogramme 2009-2010). En effet seule cette approche pourrait tre garante de lexigence de rduction notable des cots ncessaire pour la mise en place des futurs rseaux optiques. Les systmes de transmission de type WDM 40 Gbit/s par canal ont t dploys dans certains pays, mais dj le 100 Gbit Ethernet apparat comme la prochaine tape dans cette course la capacit lie la gourmandise et demande de nos socits en information, communication, loisirs, Ce dernier concept fait lobjet de recherches intenses tant dans les tablissements acadmiques et centres de recherche que chez les industriels tlcoms. Les premiers dploiements de liens 100 Gbit/s sont prvus ds 2010, une fois finalises les procdures de standardisation qui sont en cours. Des formats de modulations non pas dintensit mais de phase sont privilgis (en particulier DPSKpour Differential Phase Shift Keying ou DP-QPSK pour Dual-Polarization Quadrature PhaseShift), pour parer aux problmes de gestion de la dispersion chromatique ou de la PMD. En termes de composants, les briques de base formant les futurs transpondeurs dmission et de rception incluent des lasers accordables, des modulateurs, des photorcepteurs, des lments de compensation de la PMD et de contrle de la polarisation, Le traitement optique de signal est considr comme la technologie-cl pour des dbits de plus en plus levs (au-del de 40 Gbit/s) pour lesquels les solutions purement lectroniques deviennent impraticables. Diffrentes fonctions optiques sont requises pour ce type dapplication : portes optiques, amplificateurs, interfromtres, circuits de contrle de la polarisation de la lumire, gestion de la longueur donde et de la dispersion,Beaucoup damliorations sont en particulier attendues dans la commutation tant dans le domaine spatial que de celui de la longueur donde. De faon ultime le dveloppement de mmoires optiques pour le stockage contrl de signaux lumineux est dun enjeu considrable. Les circuits intgrs CMOS se trouvent galement un tournant pilot dune part par laugmentation des leurs performances impactant directement la puissance consomme et dautre part par laugmentation du nombre de curs de microprocesseur. Cette multiplication impliquera une gestion des communications entre chacun des curs de microprocesseur avec des dbits suprieurs au terabit par seconde (Tbit/s). Toutes ces volutions ncessitent le dveloppement de nouvelles approches pour vhiculer de tels dbits dinformation lchelle dune puce microlectronique, et en particulier lintgration des systmes photoniques permettant la communication intra et inter-puces. Les grands concepts dvelopps dans le cadre des tlcommunications optiques font donc leur entre dans le monde de la microlectronique. Cependant de tels concepts doivent tre adapts de nouvelles exigences en termes de performances et denvironnement. La convergence entre loptique et llectronique est donc une des cls du dveloppement de photonique du futur dans les systmes de communications. Cette intgration sappuiera sur les dveloppements mens en microlectronique sur lintgration 3D. Il ne sagit pas dune simple intgration des composants optiques et optolectroniques usuels sur des puces en silicium, mais bien de dvelopper de nouvelles approches permettant de gnrer, de vhiculer, de traiter et de collecter des signaux optiques de faible intensit au sein mme, ou proximit immdiate des circuits intgrs. Un autre axe trs stratgique et complmentaire la transmission est celui du stockage optique de donnes. Lutilisation de stockage optique est devenue la rgle grce en particulier la flexibilit des
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supports et leur cot (e.g. explosion du march des DVD). La troisime gnration des disques optiques (Blu-Ray et HD-DVD) nen est qu ses dbuts mais dj le besoin pour de nouvelles capacits et solutions techniques se fait pressant en raison de lexplosion de la demande de lindustrie des loisirs et de linformation. Lattractivit de loptique pour larchivage vient de la dure de vie de linformation enregistre et galement au fait que, hors lecture, la consommation dnergie est nulle ( green storage ). Son attractivit pour la distribution de contenu (films, musique ou autre) a elle pour origine le faible cot et la facilit de rplication des donnes en masse. Les prochaines gnrations de disques devront pouvoir rpondre au moins une de ces deux exigences : dure de vie leve et/ou rplication en masse aise.
11.2 Tlcommunications optiques Le dfi est alors daboutir des niveaux de cot, de taille, dintgration et de performance des composants optiques bien au-del de ceux des composants tlcoms actuels. On sattend des encombrements et cots typiques de ceux de lindustrie datacoms tout en maintenant une simplicit dutilisation pour lintgrateur. Une premire rponse est de dvelopper des composants intelligents, capables de se configurer e.g. en longueur donde, en dbit et dispersion (PHOTONICS21-Strategic Research Agenda in Photonics). Ces nouveaux composants qui reposent sur des technologies nouvelles ou mergentes- seront ncessaires dans toutes les parties du rseau optique qui deviendra de plus en plus transparent. Une proccupation majeure dans tous les dveloppements futurs de dispositifs photoniques a trait lefficacit nergtique requise afin de rpondre aux dfis environnementaux lis lexplosion de la demande en capacit. Lintgration monolithique et/ou hybride de transceivers incorporant un grand nombre de fonctions optiques sera une approche incontournable, dvelopper et fiabiliser. Il faudra galement concevoir et dvelopper un ensemble de composants cls (lasers, modulateurs, amplificateurs, filtres,) dont le fonctionnement sera insensible la temprature. Lapport de nouveaux systmes de matriaux tels que les botes quantiques ou nouveaux alliages semiconducteurs reste mieux tudier et exploiter. La technologie-cl qui permet une gestion fluide et bas-cot des nuds du rseau est toutoptique, permettant e.g. le routage de longueur donde base de ROADMs (Multiplexeurs optiques dinsertion-extraction reconfigurables). Les dveloppements rcents dans le domaine du ralentissement de la lumire qui reposent sur les non-linarits de matriau ou de cavits (e.g. base deffets non-linaires dans les fibres optiques, ou de structures bandes interdites photoniques-BIPs-) sont encourageants quoique loin des spcifications requises pour ce type dapplication. Les nouveaux concepts tels que cristaux photoniques ou plasmonique sont potentiellement des atouts majeurs pour la miniaturisation et laccroissement des fonctionnalits des nouveaux dispositifs. Les mtaux ferromagntiques et les oxydes magntiques combins aux cristaux photoniques peuvent conduire des fonctions de transmission non-rciproques essentielles pour les circuits photoniques intgrs (isolateur, circulateur optique).
11.3 Intgration de la photonique sur circuits CMOS Au-del des matriaux traditionnels (semiconducteurs III-V, silice,) permettant la ralisation de dispositifs oprant dans les deux fentres des tlcommunications optiques (1,3 -1,5 m), lintgration sur Si de fonctions photoniques a pris un certain essor quil reste amplifier, en particulier pour le dveloppement de sources optiques et de modulateur optiques sur ce substrat. Les systmes de routages reconfigurables en phase et en longueur donde sont galement des lments cls pour le traitement de linformation sur puce. De tels systmes ncessitent une multitude dlments optique passifs et actifs pour guider, filtrer, modifier, diriger, la lumire lchelle de la puce. Les futurs systmes pour le transport et le traitement de linformation pour les tlcommunications optiques et lintgration possible de loptique dans les circuits intgrs CMOS pour remplacer les interconnexions mtalliques ncessitent la convergence des domaines scientifiques de la photonique et de llectronique. Lintgration du circuit photonique avec un circuit intgr CMOS peut se faire : (i)
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face arrire du substrat silicium, (ii) au mme niveau des transistors (intgration front-end), (iii) au dernier niveau mtal (intgration back-end), ou (iv) par report sur le circuit CMOS (Figure 1).
Figure 1: Intgration de la photonique sur un circuit CMOS Une intgration du circuit photonique sur la face arrire du substrat silicium (i) pose directement le problme des connexions lectriques jusquau niveau des transistors qui devront tre de quelques centaines de microns. Lintgration monolithique (ii) ncessite des dispositifs base de silicium. Ceci pose le problme de la source laser pour laquelle aucune solution nmerge clairement pour linstant. La solution viable dveloppe aujourdhui consiste intgrer le matriau semiconducteur III-V et le silicium au travers de techniques de collage direct. Les sources ou dautres composants actifs ncessitant lutilisation de semiconducteurs III-V sont ensuite coupls aux composants photoniques en silicium (approche back-end -iii). Une alternative prometteuse cette approche dintgration htrogne consiste raliser des htrostructures III-V par pitaxie sur silicium via une couche tampon. Cette dernire solution ncessite nanmoins des dveloppements consquents. La dernire intgration possible consiste fabriquer les circuits photoniques et CMOS sparment et de reporter la plaque photonique sur celle des circuits CMOS par collage molculaire. Une telle intgration est probablement moins versatile que la prcdente, mais elle met en jeu moins de rupture technologique tant donn que chaque circuit est ralis avec sa propre technologie sans trop de considration sur le budget thermique. Dans cette intgration 3D htrogne, toutes les technologies dveloppes pour les circuits lectroniques pourront tre utilises car indpendantes de la partie photonique. De nombreuses tudes sont actuellement menes sur les diffrents schmas dintgration de la photonique sur les circuits CMOS. Les entreprises majeures dans le domaine sont : Intel, IBM, Luxtera, Sun, HP, Kotura, Lightwire, NTT, Chacune dentre elle dveloppe ses propres schmas dintgration. En Europe, on peut noter les projets Europens IP-HELIOS et STREP WADIMOS, STREP HISTORIC, STREP BOOM du FP7 qui sintressent chacune de ces intgrations possibles. De nombreux travaux sont actuellement en cours sur les nanostructures et plus prcisment celles relatives aux nanofils semiconducteurs (Si, III V, ZnO,...), la technologie intersousbande dans les nanostructures de GaN et aux nanotubes de carbone. Des tudes commencent apparatre sur lutilisation de ces nanostructures en microlectronique et optolectronique (transistors nanotubes de carbone, diodes ZnO,...) compte tenu de leurs proprits spcifiques exceptionnelles (vitesse lectronique trs leve, au moins un ordre de grandeur compare aux meilleurs III V en volumedans les nanotubes de carbone en version semiconductrice, proprits excitoniques remarquables dans les nanofils de ZnO), mais galement de leur aptitude tre intgres sur CMOS. De faon plus gnrale, ces nanostructures sont peut-tre une voie pour la convergence nanolectroniquenanophotonique. Cest ainsi que de premiers rsultats ont dj dmontr le caractre photoconducteur des nanotubes de carbone. Une recherche exploratoire dans ce sens est donc peuttre intressante mener.
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11.4 Stockage optique Pour le stockage optique de linformation, un enjeu essentiel est laugmentation de la densit de stockage allant bien au-del de la capacit dun disque de type Blu-ray. Typiquement la prochaine gnration devrait permettre datteindre dans un premier temps des capacits dun To. De telles capacits ne se conoivent que si les dbits dcriture et de lecture sont au moins de lordre du Gb/s. Les technologies actuelles de type surfacique (CD, DVD, BD) marquent le pas. Les gains en capacit entre le CD et le BD ont t obtenus par une amlioration du traitement du signal, mais surtout par une diminution de la taille de la tache laser en passant dune longueur donde de 780 nm 405 nm et dune ouverture numrique de 0,45 0,85. Descendre encore en longueur donde sera galement un atout dans cette course, mais ncessite le dveloppement de lasers UV qui doit saccompagner du dveloppement de nouveaux matriaux bas cot et non photodgradables ces longueurs donde. Un gain en capacit pourrait galement tre obtenu en augmentant le nombre de couches denregistrement. Les disques BD ont ainsi habituellement deux couches de chacune 25 Go, soit 50 Go au total. Pionner a ainsi dmontr lempilement de 16 couches de capacit unitaire 25 Go soit 400 Go au total. Cette approche, intressante en soi, se heurte la rticence des industriels qui craignent un taux de rejet trs fort lors du collage des diffrentes couches. Augmenter la capacit ncessitera donc une rupture technologique. Plusieurs familles technologiques sont en lice dont : Les techniques de super-rsolution qui permettent de dpasser la limite de diffraction en champ lointain en inscrivant des marques plus petites que la tache laser. Le champ proche pour lequel des ouvertures numriques de NA = 2,4 ont dj t dmontres. Lenregistrement en volume deux photons. Les bits dinformations sont enregistrs localement dans les 3 dimensions dun matriau pais. Les techniques holographiques. Des technologies encore plus prospectives bases sur la conception de nouveaux matriaux, comme les nanorods dvelopps lUniversit de Technologie de Swinburne par le Professeur M. Gu qui permettent thoriquement lenregistrement en longueur donde et polarisation en plus des trois dimensions de lespace. Chacune de ces technologies a la potentialit datteindre les capacits requises de lordre du To. Les grands acteurs du domaine continuent dtudier plusieurs solutions simultanment. Nanmoins, si lon se fie aux communications effectues lors des grands colloques internationaux sur le stockage optique, lholographie semble tre lobjet des recherches les plus actives. Bien que des efforts restent faire tant sur les architectures, les composants et le traitement des donnes ainsi que sur les matriaux, la question de savoir si loptique est capable datteindre les capacits de 1 To et des dbits 1Gb/s ne se pose donc probablement pas. Nanmoins, en gagnant en capacit, ces technologies ont souvent perdu sur laspect archivage et distribution. Un effort important doit tre ddi pour les adapter la demande sur : le march de larchivage qui requiert des dures de vie denregistrement suprieures 50 ans ; la distribution de contenu en dveloppant un procd trs bas cot pour rpliquer en masse les donnes dun support un autre. Pour imposer une nouvelle technologie, un unique produit dune capacit denviron 1 To nest pas suffisant. Une feuille de route proposant une famille de produits de capacit croissante (10 To ou plus) est ncessaire pour continuer dimposer le stockage optique. Atteindre ces ultra hautes capacits est un vritable dfit pour les technologies optiques. De plus, si la prennit de linformation enregistre sur disques optiques et labsence de consommation lectrique hors lecture en font des supports de choix pour larchivage, la distribution de contenus est parfois remise en question pour la prochaine gnration de disques du fait de la trs grande concurrence du tlchargement.
11.5 Programmes nationaux, positionnement international ANR VERSO, PNANO Ples de comptitivit : Images et Rseaux (Bretagne et Pays de la Loire), Systm@tic (Ile de France), OPTITEC (port par POPSud)
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GDRs (Ondes, System-on-chip) Autres clubs et groupes : Club SFO Journes Nationales dOptique Guide JNOG Plateformes europennes o PHOTONICS21 : plus particulirement les Working Group 1 Information and Communication et Working Group 6 Optical Components and systems o MONA: plusieurs organismes contribuent laspect tlcoms optiques o Plateformes Technologiques europennes : o ePIXfab coordonne par IMEC (Bel.) et CEA/LETI (Fr) Programmes europens : ICT, NMP Entreprises impliques dans la photonique pour le traitement de linformation sur puce : o Europe : STMicroelectronics, Pirelli, Alcatel-Luccent, Thales, 3S Photonics, Photline o Asie : NEC, Toshiba, NTT, o Etats-Unis : Intel, IBM, Sun, HP, Luxtera, Kotura, Lightwire
11.6 Evolution et recensement de communaut Le tableau ci-dessous est une tentative de recensement des principaux acteurs travaillant dans le domaine des tlcoms optiques : Etablissement INSTITUT TELECOM IEMN IEF LPN IOGS FEMTO LAAS LETI INL ENSSAT INSA Rennes Univ DIJON IMEP Univ NICE INSTITUT FRESNEL 3S PHOTONICS III-V lab THALES Photline Activit Dispositifs optiques Rseaux optiques Dispositifs III V, Si Dispositifs III V, Si, Ge, GaN Dispositifs III V, Si Plateforme DESCARTES 160 Gbit/s Dispositifs Dispositifs LiNbO3, dispositifs fibre Dispositifs III V, Si Dispositifs Si Dispositifs III V, Si Systmes, Plateforme PERSYST Dispositifs III V, Si Systmes Dispositifs sur verre Etudes physiques Sous-systmes, composants Dispositifs III V Dispositifs III V Dispositifs III V Niobate de lithium Remarques
Priv Priv Priv Priv
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12 . TECHNOLOGIES
OPTOELECTRONIQUES ELECTRONIQUE DES SYSTEMES EMBARQUES
ET
PHOTONIQUES
POUR
Lobjectif de ce texte est de dgager quelques axes de recherche pour les technologies photoniques et optolectroniques appliques llectronique des systmes embarqus. Nous restreignons notre analyse au primtre des senseurs pour lavionique civile et militaire.
12.1 Primtre Un bon nombre de systmes hyperfrquence pour lavionique du futur utiliseront, en majorit, des antennes actives balayage lectronique. Cette volution est dtermine par les performances accrues de ces antennes en terme de fiabilit, de rsistance au brouillage, et de totale flexibilit pour la formation de faisceaux tant lmission qu la rception. Ce type dantenne pourra tre ainsi utilis dans une grande diversit d'applications: radar, communication et contre-mesures. Pour satisfaire cette multifonctionnalit, il sera ncessaire de rpartir ces antennes sur toute la surface des plateformes (avions, drones, bateaux,..) alors quau sol, le multistatisme imposera un dport dantennes multiples par rapport leur unit de traitement. Dans tous ces cas apparat le besoin de liaisons trs faibles pertes et trs faible facteur de bruit, permettant le dport du contrle de lantenne ainsi que la distribution et le traitement de signaux hyperfrquences trs large bande passante (typiquement 1-20 GHz voire 1-40 dans le futur). La maturit et les performances notamment en termes de puret spectrale et de linarit des composants optolectroniques sont telles aujourdhui quelles permettent denvisager la transmission et le traitement optique de ces signaux. Ainsi, la transmission optique de signaux hyperfrquence, qui offre, outre de faibles pertes de propagation pour de trs larges bandes de frquence, linsensibilit aux perturbations lectromagntiques, permet denvisager lintroduction de nouveaux concepts et architectures optiques dans les systmes hyperfrquences. 12.1.1 Cblage et dport optique Le terme de cblage optique se rfre la ralisation de liaisons optolectroniques pour la transmission de signaux hyperfrquences et numriques. Ce cblage vise au remplacement des cbles coaxiaux pour linterconnexion dquipements embarqus. Le terme dport est pris ici dans le sens de transmissions hyperfrquences sur porteuses optiques appaires en phase. Les principaux avantages de poids, volume, flexibilit, bande passante, immunit lectromagntique, sont caractriss par : Un gain de poids de cblage de 90% par rapport aux cbles coaxiaux avec lavantage supplmentaire de ne pas requrir de dispositifs lectroniques actifs pour quilibrer le gain en fonction de la frquence La possibilit de raliser des transmissions appaires en phase dans des bandes de frquences extrmement larges La maturit des composants optolectroniques permet denvisager les transmissions suivantes : Fonctions Liaisons optiques externe Liaisons optiques directe Multiplexage Interconnexions Accessible actuellement modulation bande 0,5 20 GHz modulation Bande 0,5 12 GHz 8 16 voies Connecteur monomode Monopoint/ Multipoints En dveloppement Bande 1 40 GHz Bande 0,5 20 GHz 32 64 voies Connecteur multipoints monomode
La mise en place de ces fonctions passe par la ralisation de modules optolectroniques dmission et de rception, de lintgration de fonctions de multiplexage/dmultiplexage haute stabilit thermique et de connecteurs monomodes monopoints et multipoints. Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010
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La transmission de signaux hyperfrquences par voie optique est aussi caractrise par les potentialits suivantes : Lvolutivit du cblage par voie optique Compte tenu des performances des fonctions de multiplexage/dmultiplexage ralises ce jour dune part et de lvolution des technologies de ruban de fibres optiques et de connecteur monomode multipoints, laccroissement du nombre de voies hyperfrquence sur un mme canal de transmission optique apparat comme un apport essentiel du cblage par voie optique. Loptoalimentation de fonctions hyperfrquences Le dveloppement des diodes laser de forte puissance et le dveloppement des amplificateurs optiques permettent denvisager doptoalimenter des fonctions hyperfrquences. Des sources optiques dlivrant dans une fibre des puissances de lordre du W sont accessibles aujourdhui avec des rendements de cellule photovoltaque de lordre de quelques dizaines de %. Cette fonction nouvelle apporte par les technologies optolectroniques ouvre la voie la mise en place de nouveaux quipements en extrmit de voilure ou en bout dailes en utilisant la nature dilectrique des fibres optiques ainsi que la flexibilit et la trs faible dimension de ces fibres.
12.1.2 Traitement optique de signaux hyperfrquences Ce thme se rfre au contrle optique de la phase et/ou de retard et de leurs applications aux systmes hyperfrquences. Ces fonctions passent par la ralisation de modules optolectroniques intgrant les fonctions de commutation optique, les fonctions de synthse de retards et les sources optiques multi-longueurs dondes. Trois fonctions optiques principales sont concernes: La synthse de retards mono et bi dimensionnelle pour la fonction de pointeur mono et multifaisceaux en Emission/Rception La synchronisation temporelle ultra-prcise de senseurs lectromagntiques (ps) La gestion des retards (prcision de lordre de la ps) pour les fonctions de mesure de direction darrive de signaux hyperfrquences trs large bande passante. La gnration de formes dondes au travers de la gestion des retards et de la gnration de Doppler. Les principaux points faibles des liaisons optiques restent : les pertes et le facteur de bruit des liaisons optiques. Celles-ci, bien que fortement rduites par les architectures dadaptation dimpdance, induisent la ncessit de pramplification hyperfrquence (pour masquer le facteur de bruit des liaisons) induisant donc un accroissement de consommation et un accroissement de cot.
12.2 Axes dtude Il faut noter, en prambule, que se confirme dans le domaine des Interactions Optique-Microondes, la forte dualit entre les technologies dveloppes dans le secteur en trs forte expansion des tlcommunications trs haut dbit et le traitement de signaux analogiques hyperfrquences : dualit en termes de composants optiques actifs et surtout passifs, dualit des problmatiques de bruit et de linarit des signaux traiter, dualit des certaines fonctions (multiplexage frquentiel forte diaphonie, amplifications optique faible bruit,..) Lapplication des technologies photoniques hyperfrquences aux systmes aroports passe dans un premier temps, par un accroissement des performances des liaisons optiques et par la validation darchitectures optiques de commutation. Un deuxime volet daction sera consacr limplmentation de fonctions optiques complexes (filtrage agile, oscillateurs trs haute puret spectrale, traitement optique du signal) dans les quipements aroports.
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Les principaux axes damlioration sont regroups ci-dessous. Au niveau des composants optolectroniques et des liaisons optiques Amlioration du rendement des composants mission, rception optique Rduction des bruits caractristiques des composants
Au niveau des fonctions optolectroniques, laccent est mettre sur les fonctions : de commutation rapide, faibles pertes dinsertion, fort contraste de la sommation optique de signaux hyperfrquence des fonctions de mlangeur hyperfrquence et de translation de frquence de gnration optique de signaux hyperfrquence Au niveau des fonctions hyperfrquences revisites par loptique et des fonctions nouvelles issues du domaine opto-hyperfrquence, on citera : Les fonctions de synchronisation ps des signaux hyfrquences ou numriques rapides Les fonctions danalyse spectrale Le domaine du THz Le codage analogique-numrique
12.3 Principaux vnements nationaux et internationaux Runions nationales du Club Optique et Microondes, Journes Nationales Microondes. Runions du Rseau dExcellence Europen ISIS, European Microwave Week (EuMW), MicroWave Photonics (MWP), MTT.
12.4 Principaux acteurs acadmiques En France ils sont regroups dans le Club Optique et Microondes de la SFO. En Europe, ils apparaissent dans le rseau dexcellence ISIS. Aux USA, lUniversit de Drexel cherche monter actuellement un rseau dexcellence une plus grande porte internationale. Des actions sont en cours de dveloppement en Asie (Singapour et Chine principalement) auprs des grandes universits technologiques.
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13 . OPTIQUE ET INFORMATION QUANTIQUE, OPTIQUE ATOMIQUE

13.1 Primtre Parmi les nombreuses proprits de la lumire figure notamment la possibilit daccder des tats quantiques du champ lectromagntique, ou celle de manipuler diffrents types de particules pour lobservation deffets quantiques. Les progrs raliss dans ce domaine ont permis douvrir des perspectives absolument fascinantes avec par exemple le dveloppement des techniques de refroidissement et pigeage datomes par laser qui permettent aujourdhui de gnrer de manire aise des chantillons bosoniques ou fermioniques des tempratures permettant datteindre des rgimes quantiques. L'information quantique est un autre exemple de discipline en pleine expansion. Il sagit de tirer partie des proprits intrinsques la physique quantique afin d'effectuer des tches impossibles ou difficiles raliser l'aide de ressources classiques d'information. En effet, la superposition cohrente des tats et l'intrication, longtemps restes au niveau de concepts fondamentaux, sont aujourd'hui perues comme des ressources utiles pour le calcul quantique et les communications quantiques. Les enjeux socitaux correspondant ces thmatiques se situent diffrents niveaux. Sur le plan fondamental, la photonique offre un potentiel important pour faire progresser la connaissance sur diffrents sujets comme ltude des phnomnes de localisation, des proprits des gaz quantiques ou des phnomnes de dcohrence quantique. Sur le plan applicatif, des perspectives trs intressantes sont identifies avec la cryptographie quantique qui conduira relativement court terme des systmes scuriss pour le transport dinformation, ou les recherches sur les portes logiques et les mmoires quantiques qui constituent des briques technologiques essentielles pour la ralisation dun calculateur quantique.
13.2 Sources atomiques ultrafroides Lutilisation de la lumire permet de refroidir les atomes, cest--dire de diminuer leur agitation thermique, ce qui revient diminuer les fluctuations de la vitesse autour de la vitesse moyenne. Lobtention datomes ultrafroids met en jeu plusieurs mcanismes de refroidissement, le plus lmentaire dentre eux est le refroidissement Doppler. Les gaz ultra-froids ainsi obtenus forment une assemble d'atomes cohrents, permettant d'accomplir de nombreuses expriences qui n'taient jusque-l que des expriences de pense, comme des interfrences d'ondes de matire et le dveloppement de senseurs inertiels. La lenteur des atomes ultra-froids permet en outre de construire des horloges atomiques de prcision ingale, et mme denvisager la miniaturisation de ces dispositifs. Relay par une phase de refroidissement par vaporation, on atteint le rgime de dgnrescence quantique : les gaz de bosons forment alors un condensat de Bose-Einstein, les fermions un gaz de Fermi dgnr. Ce nouvel tat de la matire offre plusieurs voies explorer. Lune delles est videmment ltude des problmes fondamentaux de la mcanique quantique et de la physique de la matire condense dans des systmes trs bien caractriss exprimentalement, et avec les techniques de prcision de la physique atomique et de loptique quantique. Une autre est la ralisation de lasers atomes, cest--dire dinstruments capables de dlivrer un faisceau datomes se trouvant tous dans le mme tat, linstar des photons dun rayon laser. Cela rendrait de grands services loptique et linterfromtrie atomique, la chimie (tude de ractions entre deux faisceaux atomiques dans des conditions trs bien dfinies et contrles, condensats de molcules, etc.). Il existe aujourdhui de nombreux groupes en France qui travaillent sur les atomes froids. Leurs tudes concernent diffrents aspects de ce domaine, allant de ltude du refroidissement datomes exotiques , de mlanges datomes despces ou de nature diffrente ou de molcules la ralisation, par exemple, dun laser (photonique) alatoire. Pour aborder ces sujets trs varis, les laboratoires ont appris matriser et refroidir de nombreuses espces atomiques, allant des atomes historiques que sont le sodium, le csium et le rubidium des atomes plus spcifiques : cest par exemple le cas de lhlium mtastable, dont lnergie stocke dans ltat instable se libre instantanment au contact dune surface et permet de dtecter les atomes un par un ou le cas du mercure, pour lequel lexistence de transitions optique interdites offre la possibilit de raliser des horloges atomiques de nouvelles gnrations : les horloges optiques.
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13.2.1 Les gaz ultrafroids : un milieu opaque La propagation d'ondes en milieu opaque (diffusant) est une thmatique qui intresse de nombreux domaines de la recherche (imagerie mdicale, acoustique, sismologie, physique stellaire,...). Un nuage d'atomes froids issu d'un pige magnto-optique (MOT) offre un milieu tout fait particulier et intressant pour comprendre cette propagation. Les proprits trs particulires de ce type de milieu diffusant (fortes rsonances, structure interne des diffuseurs, effet mcanique de la lumire,...) donnent naissance une physique particulirement riche. La lumire qui traverse un tel milieu subit ainsi divers effets de diffusion multiple qui vont de la rtro-diffusion cohrente (un effet interfrentiel), au pigeage de radiation et aux instabilits dynamiques dans un MOT. Plus rcemment, les groupes de recherche se sont intresss la mesure du gain quon peut obtenir dans une configuration o le milieu datomes froids est pomp par un faisceau intense. Avec une bonne matrise du gain offert par les milieux de grande paisseur optique, il semble possible de raliser un laser alatoire avec des atomes froids. Cest un phnomne spectaculaire li la localisation dAnderson induite par les interfrences multiples dans le milieu diffusant.
13.2.2 Les mlanges dgnrs fermions-bosons, vers des simulateurs quantiques pour la matire condense La physique de la matire condense est un domaine extrmement riche o de nombreux phnomnes fondamentaux (et parfois inattendus) jouent des rles dterminants. Malheureusement, la plupart des systmes en matire condense ne permettent que difficilement dtudier ces diffrents phnomnes sparment car ils jouent gnralement des rles imbriqus, rendant difficile la comparaison directe entre thorie et exprience. Par ailleurs, de nombreux phnomnes parasites difficiles matriser, par exemple des effets de dcohrence, viennent souvent perturber ces systmes. Ainsi, le rve du physicien serait de pouvoir combler lespace sparant les thories bases sur des systmes relativement simples et les expriences beaucoup plus complexes. cet gard, les atomes ultrafroids ouvrent des perspectives sans prcdents, car ce sont des systmes trs contrlables, pratiquement sans dfaut et o les diffrents paramtres peuvent tre ajusts avec une grande prcision. Ils permettent donc dtudier ces phnomnes dans des systmes trs purs, soit indpendamment, soit en ajoutant successivement de nouveaux ingrdients. Ainsi, en contrlant trs prcisment le couplage tunnel dans des rseaux optiques exempts de tout dfaut, on a pu observer pour la premire fois la transition de Mott dans des gaz ultrafroids de bosons et plus rcemment ces travaux ont t tendus aux fermions. Sur le plan national, on notera les rsultats majeurs obtenus dans lobservation de la transition entre superfluide et supraconducteur (transition dite BEC-BCS), la transition superfluide 2 dimensions (transition BKT) et finalement lobservation directe du phnomne de localisation dAnderson, transition mtal-isolant induite par le dsordre dans les semiconducteurs.
13.2.3 Le laser atomes, vers une nouvelle optique atomique Les atomes, comme les photons, sont la fois des particules et des ondes. Ces ondes peuvent interfrer et on peut observer des phnomnes trs analogues ce qui se passe en optique. On peut ainsi fabriquer des interfromtres qui permettent dj des mesures d'acclration ou de rotation haute prcision. l'heure actuelle ces dispositifs utilisent des gaz refroidis par laser mais pas dans le rgime quantique. Il en rsulte un encombrement important (li la chute libre des atomes) et une limitation lie la brillance de la source atomique. Pour amliorer encore les caractristiques de ces dispositifs, lutilisation des condensats de Bose-Einstein ou des gaz de Fermi offre des perspectives particulirement intressantes. Il sagit maintenant de trouver de nouvelles gomtries de senseurs qui permettent d'exploiter au mieux ces nouvelles sources atomiques et d'obtenir des dispositifs compacts. L'un des principaux aspects de la mise au point de lasers atomes concerne aujourd'hui la possibilit d'mettre en continu des jets atomiques. Un laser atomes qui fonctionnerait sans discontinuer constituerait une avance importante. De la mme faon, les premiers lasers optiques n'mettaient que des impulsions brves, entre lesquelles il fallait recharger le laser. Mais il n'avait pas fallu plus de six mois pour concevoir des lasers continus : la cration de photons partir d'nergie lectrique ne pose pas de problme. En revanche, dans un laser atomes, nous ne crons pas ces derniers : ils prexistent, videmment. Il faut donc en apporter de l'extrieur si nous voulons recharger nos
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condensats de Bose-Einstein d'o sont extraits les faisceaux. Toute la difficult est de le faire sans dtruire le condensat lui-mme. Plusieurs approches semblent possibles afin daboutir un tel dispositif. On notera en particulier la ralisation dun laser atomes guids dans un faisceau lumineux. Un tel guide pourrait par exemple tre utilis pour remplir un rservoir datomes duquel le faisceau est mis de manire continue. Une autre approche vise raliser le laser atomes directement dans un guide : les atomes sont introduits lentre du guide et lors de la propagation subissent un phnomne dmission stimule vers ltat fondamental, dune manire analogue laser fibre, par exemple. Les atomes plus exotiques, comme le chrome par exemple, permettent mme de favoriser ce phnomne. Malgr les nombreuses avances importantes ces dernires annes, il reste encore beaucoup de questions ouvertes. La matrise des laboratoires dans les techniques exprimentales permet aujourdhui denvisager des expriences encore plus audacieuses et compliques. On peut par exemple imaginer mlanger plus de deux gaz quantiques dgnrs pour simuler de vrais matriaux artificiels et reproduire, par exemple, des supraconducteurs haute temprature. On peut aussi imaginer raliser de vritables oprations laide dordinateurs quantiques. Enfin, les possibilits dutiliser les lasers atomes et leurs proprits de cohrence restent encore vastes et pratiquement pas explores.
13.3 Composants pour loptique atomique En parallle des dveloppements mens dans le domaine des sources datomes froids et dans les nouvelles architectures dinterfromtres ondes de matire, des recherches sont menes pour dvelopper de nouveaux composants visant manipuler les ondes de matire. Dans ce domaine, la tendance principale repose sur lutilisation de potentiels optiques qui permettent par exemple de jouer le rle de sparatrice, lentille ou de miroir atomique. Des travaux sont en cours pour optimiser le profil dintensit des lasers et contrler les squences dapplication du potentiel pour ce type de fonctionnalit. Ainsi, lutilisation dun modulateur spatial de lumire offre un intrt important et des travaux sont mener pour russir raliser des hologrammes de phase qui permettront de faonner de manire optimale le potentiel dinteraction auxquels les atomes sont soumis.
13.4 Communications quantiques Les communications quantiques ont connu un dveloppement exponentiel ces dernires annes, notamment grce la cryptographie quantique point point qui reprsente sans doute l'application la plus connue du domaine de l'information quantique. La cryptographie quantique rpond en effet une question forte de notre socit relative la transmission de donnes scurises. Par exemple, il est aujourd'hui possible d'tablir chez deux partenaires distants des cls secrtes, parfaitement alatoires mais tout fait identiques grce la distribution de bits d'information quantique (les qubits) encods sur des photons. Ces cls, dont le niveau de scurit serait inatteignable avec des bits classiques d'information, sont ensuite employes pour effectuer des tches standards de cryptage et de transmission de messages crypts par le biais de rseaux de communication standards. Les performances actuelles des cryptosystmes les plus aboutis permettent d'tablir des cls secrtes avec des dbits de quelques Mbits/s sur des distances de l'ordre de 200 km. Au del des succs convaincants de la cryptographie quantique base sur la photonique, que ce soit en laboratoire ou en termes de solutions commerciales, l'heure est la construction de vritables rseaux de communication quantique qui ncessitent la mise au point de mmoires, ou rpteurs, quantiques pour accrotre la fois la porte et le rendement du rseau considr. Bien que des propositions concrtes de rpteurs quantiques aient t formules, aucune ralisation exprimentale pratique n'existe aujourd'hui. Ceci en incombe au fait que les photons tlcoms, mis 1310 ou 1550 nm, sont les porteurs naturels des qubits pour une distribution fibre de l'information alors que les ensembles atomiques ou autres ions pigs oprant entre 700 et 900 nm ont t identifis comme les porteurs de qubits privilgis pour leur stockage et les tches de calcul qui s'y rapportent. Si linteraction lumire-matire peut en thorie permettre de passer dun type de support lautre (photon atome), deux dsaccords majeurs subsistent aussi bien en termes de longueurs donde et de largeurs de raie associes aux deux types de qubits. Par ailleurs, de nombreuses questions doivent tre identifies : encoder les qubits sur des variables discrtes ou continues ? En cas de variable
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discrte, quelle observable utiliser ? Comment adapter de faon cohrente les longueurs d'onde des photons aux transitions atomiques considres ? Quel protocole de stockage utiliser pour garantir une fidlit maximale lors de la relecture de l'information quantique ? etc. Rpondre ces questions et identifier les points cls, thorie et dveloppements exprimentaux vont devoir tre mens de faon conjointe dans les annes venir. Une partie de lavenir de cette discipline passe sans doute par le mariage de ces porteurs. L'apport de solutions photoniques bases sur la technologie des tlcoms et de celles qui s'y rapportent (lasers, optique intgre, optique non-linaire, etc.) favorisera trs certainement l'avnement de rseaux quantiques constitus de liens fibrs interconnects par des rpteurs quantiques. Nul doute en effet que ces technologies innovantes, par ailleurs prouves depuis de nombreuses annes dans des domaines connexes, permettront non seulement de raliser les briques lmentaires d'un tel rseau mais galement de rendre les interconnections et autres interfaages simples, stables et efficaces. l'instar de ce qui se fait au sein des rseaux standards, il conviendra par ailleurs d'tablir un protocole complet de communication quantique o toutes les tches de base, savoir gnration, distribution, stockage, calcul et corrections des erreurs sur les bits distribus sont bien entendu possibles mais galement traites de faon efficace.
13.5 Gnration et dtection d'tats quantiques de la lumire Parmi les diffrentes possibilits offertes par la lumire, lutilisation de photons uniques prsente un grand intrt pour les communications quantiques. Sils sont indiscernables, ils peuvent galement permettre de raliser des oprations de logique quantique. Dans tous les cas, lefficacit quantique dmission de la source est bien entendu une proprit critique, et de nombreuses pistes sont ltude pour amliorer ce paramtre. En particulier, des espoirs importants reposent sur lutilisation de techniques de confinement du champ lectromagntique qui permettent dexalter et collecter de faon optimale les photons. Les paires de photons intriqus sont une autre brique de base en information quantique. Les caractristiques importantes sont leurs proprits spectrales, leur accordabilit, leur intensit et le fait de pouvoir tre mises de faon dterministe. Comme pour les photons uniques, un pilotage lectrique peut tre un avantage pratique significatif. Par ailleurs, les faisceaux intenses de lumire peuvent galement tre utiliss en information quantique. Les variables continues sont utilises en cryptographie quantique et permettent aussi de gnrer des tats quantiques trs exotiques, comme notamment des chats de Schrdinger. Les dtecteurs sont aussi importants que les sources. Les proprits importantes sont leur efficacit quantique, et leur nombre de coups d'obscurit. En communication quantique, ces paramtres ont un impact direct sur la porte de transmission du systme. En calcul quantique, des performances quasiparfaites, encore loignes de ltat de lart actuel, doivent tre atteintes pour pouvoir raliser des portes logiques. Un autre axe de recherche consiste amliorer des proprits comme la rsolution du nombre de photons ou un taux maximum de comptage lev, qui peuvent se rvler utiles pour certaines applications. Enfin, lintgration de plusieurs fonctions sur une mme puce constitue un enjeu majeur pour la ralisation de composants optiques quantiques compacts et de nombreuses recherches sont actuellement menes pour raliser un circuit intgr photonique et/ou plasmonique comportant plusieurs sources et dtecteurs.
13.6 Mmoires quantiques Les mmoires quantiques sont apparues principalement comme lment cl des rseaux de communications quantiques. Dans les communications quantiques, il sagit gnralement de transmettre sur une grande distance une cl de cryptage dont la scurit est garantie par les lois de la physique quantique. Le dbit et la porte des rseaux de communications quantiques sont invitablement limits par les pertes en ligne. Avec les mthodes usuelles, on peut estimer en effet quil faudrait environ 30 ans pour transmettre un bit secret sur une distance de 1000 km. Afin de rduire les effets de ces pertes et permettre un rseau grande distance, il est ncessaire d'utiliser des rpteurs quantiques.
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Un rpteur quantique fonctionne en permettant de diviser la distance entre les extrmits du rseau en liens lmentaires. Linformation quantique (intrication) est partage entre deux rpteurs successifs puis par des techniques bien matrises (entanglement swapping), lintrication est partage entre les extrmits du rseau. Le cur d'un rpteur est constitu d'une mmoire quantique, savoir un systme matriel destin stocker l'information quantique transporte par la lumire. De nombreux milieux matriels sont tudis, avec comme point commun le grand nombre de diples individuels en interaction avec le champ. Deux types principaux dinteraction sont actuellement tudis pour stocker linformation. La premire est base sur la transparence lectromagntiquement induite (Electromagnetically Induced Transparency ou EIT en anglais). Un faisceau intense dit de contrle permet de modifier la vitesse de groupe dun faisceau se propageant dans le milieu. Lexprience consiste diminuer lintensit du faisceau de contrle lorsque limpulsion contenant linformation quantique a pntr dans le milieu: sa vitesse de propagation est alors rduite ce qui correspond au stockage de linformation. Ce phnomne dit de lumire lente est exploit pour le traitement classique de linformation mais peut galement tre appliqu au stockage dune information quantique. Afin de rcuprer linformation, il suffit ensuite de ramener lintensit du faisceau de contrle son niveau initial. La seconde mthode est base sur lcho de photons dans un milieu possdant un largissement inhomogne important. Linteraction avec une impulsion courte permet de crer une cohrence sur une transition optique. Cette cohrence optique est ensuite transfre sur une cohrence micro-ondes de longue dure de vie par lintermdiaire dune impulsion Raman afin de permettre le stockage sur des dures importantes. Cependant, durant le stockage, les diffrents diples porteurs de linformation subissent des dphasages diffrents (lis la largeur inhomogne). Une tape de refocalisation est donc ncessaire afin de les remettre en phase. Enfin, une nouvelle impulsion permet de remettre linformation initiale. Il est intressant de noter que ces deux techniques peuvent a priori sappliquer linformation quantique transporte par des photons uniques comme une information transporte par des impulsions intenses (variables continues). Les premires expriences ont t ralises en 2004 dans une vapeur chaude de csium avec un temps de stockage de quelques millisecondes mais limpossibilit de restituer linformation quantique stocke. Plus rcemment, des atomes froids ont t utiliss pour stocker des impulsions lumineuses avec des temps de stockage plus rduits (quelques micro-secondes). Afin de rduire les effets lis la diffusion des atomes pendant la phase de stockage, des solutions originales ont t dmontres (atomes stocks dans des piges 2D ou des rseaux optiques) ou sont tudies (ions confins et refroidis). Ces expriences sont pour la plupart bases sur des processus dEIT. En parallle de ces expriences ralises sur des milieux gazeux, des expriences prometteuses ont t ralises dans des cristaux dops d'ions terre-rare, celles-ci bases sur la technique de refocalisation. La mise en uvre de ces mmoires dans des rseaux de communication quantique ncessitent l'amlioration de plusieurs points bloquants, en particulier l'efficacit d'criture et de lecture, la dure de stockage et la bande passante ainsi que les longueurs d'onde de fonctionnement. Ces amliorations seront permises par dimportants dveloppements sur les milieux utiliss (augmentation de la densit optique et du temps de cohrence) ainsi que par la mise au point et lutilisation de nouveaux protocoles (par exemple bass sur les variables continues ou l'inscription de multiples informations en parallle permettant le multiplexage temporel ou spatial de l'information).
13.7 Portes logiques quantiques Dans lapproche circuit quantique du calcul quantique, toute opration mathmatique se dcompose en un produit doprations lmentaires un et deux bits quantiques, appeles portes universelles. Cette dcomposition est lextension de la logique classique (porte OU, ET, NAND) au cas quantique. Une porte un bit quantique permet de placer tout bit quantique dans nimporte quelle superposition |0 + |1. Exprimentalement, elle est obtenue en envoyant un faisceau laser ou une onde radiofrquence sur le systme physique sur lequel sont cods les deux niveaux logique |0 et |1 tels quun atome ou un ion. Pour tous les systmes candidats au calcul quantique, ces portes sont dsormais bien matrises, avec des fidlits suprieures 99%. La difficult a surtout consist tendre au niveau dobjets quantiques uniques les techniques de physique atomique (oscillations de Rabi,
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franges de Ramsey) dveloppes depuis plus de 50 ans. La manipulation et le refroidissement datomes et ions par laser ont constitu une tape essentielle dans ce dveloppement. Le vrai dfi exprimental du calcul quantique est la ralisation des portes logiques deux bits. On distingue deux portes logiques deux qubits, qui sont quivalentes : la porte C-NOT et la porte de phase (C-PHASE). Dpendant du systme physique tudi, lune ou lautre peuvent tre plus ou moins faciles produire. Une porte deux qubits fait intervenir un qubit appel de contrle et un qubit cible. Les tables de vrit de ces deux portes sont donnes par : C-NOT : |00 |00 ; |01 |01 ; |10 |11 ; |11 |10 C-PHASE : |00 |00 ; |01 |01 ; |10 |10 ; |11 - |11, dans lesquelles le premier qubit est celui qui contrle ltat du deuxime qubit, appel cible. Laspect quantique de ces portes se voit lorsque, par exemple le qubit de contrle est plac dans la superposition |0 + |1, le qubit cible tant lui dans |0. Dans ce cas le rsultat de laction de la porte conduit ltat |00 + |11, qui est un tat intriqu. Le concept clef dans la ralisation dune porte deux bits quantiques est donc celui dintrication. Une tape pralable au dveloppement dune porte est donc la dmonstration de lintrication dans le systme physique choisi. Parmi tous les systmes physiques candidats au calcul quantique, seuls quelques uns ont dmontr une porte deux bits quantiques : les ions qui constituent le systme le plus avanc (fidlit > 94%), les photons produits par conversion de frquences et les circuits supra-conducteurs. Les atomes ultrafroids placs dans des rseaux optiques ont galement dmontr lintrication mais en parallle sur un grand nombre dentre eux, et pas entre deux atomes individuels isols. En France, deux approches pour raliser des portes logiques avec des atomes individuels sont explores. Les deux utilisent linteraction entre atomes et photons. La premire approche repose sur llectrodynamique quantique en cavit. Le qubit est cod sur des tats de Rydberg datomes de rubidium dun jet atomique trs dilu. Pour coupler deux atomes, et ainsi obtenir leur intrication puis une porte logique, les chercheurs envoient le jet atomique travers une cavit radio-frquence de trs grande finesse, rsonante avec la transition du qubit. La procdure dintrication peut tre rsume ainsi : un atome dans ltat excit du qubit pntre dans la cavit et y dpose un photon. Un deuxime atome traversant la cavit et absorbe ce photon dpendant de ltat dans lequel il se trouve. Par cette mthode, on a dmontr lintrication de deux et trois atomes, ainsi quune porte de phase dans laquelle le qubit de contrle est le photon et le qubit cible est port par latome. La deuxime approche repose sur le pigeage et la manipulation datomes individuels dans des pinces optiques (faisceau laser trs focalis). Les atomes sont cette fois dans deux tats hyperfins fondamentaux, donc de dure de vie trs longue. Pour intriquer deux atomes, on utilise galement des tats de Rydberg, mais de faon transitoire. Le principe repose sur le phnomne de blocage dipolaire: linteraction entre deux atomes dans un tat de Rydberg est tellement importante, mme plusieurs micromtres de distance, que deux atomes ne peuvent tre excits simultanment par un laser dans un tel tat. Comme lun ou lautre peut tre excit, ltat final des deux atomes est un tat intriqu. Ce groupe a rcemment dmontr ce mcanisme dintrication et travaille la ralisation dune porte logique base sur ce principe. Pour terminer cette brve revue des portes logiques deux bits quantiques utilisant des techniques de physique atomique, notons galement lutilisation de nano-cristaux de diamant pour la ralisation de porte logiques quantiques. Le diamant possde des impurets de carbone 13, dont le spin nuclaire se couple au spin lectronique dun centre NV (absence dun atome de carbone et impuret dazote, lensemble constituant un atome artificiel). Il est envisageable dutiliser le carbone 13 comme un bit de contrle et le spin lectronique comme un bit cible. Une troisime approche repose sur lutilisation de composants semiconducteurs qui offrent lavantage dune grande compacit et simplicit dutilisation, ainsi que la possibilit dassocier plusieurs composants sur un mme circuit intgr. Plusieurs voies sont actuellement ltude pour progresser vers la ralisation dune porte logique quantique 2 photons. Une premire ide consiste utiliser des phnomnes dinterfrence entre photons uniques. Pour y parvenir, il est ncessaire de disposer de sources permettant de gnrer avec une efficacit maximale des photons uniques dans un seul mode spatial, temporel, spectral et de polarisation. Un autre concept prometteur repose sur lutilisation de composants prsentant une susceptibilit optique non-linaire gante, les rendant ainsi sensibles des intensits de lordre du photon unique. Cette proprit peut tre exploite pour la ralisation de portes logiques photonique. Dans les deux cas, un important travail exprimental reste accomplir pour dmontrer la faisabilit dune porte logique quantique prsentant un niveau de fidlit
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acceptable. Les travaux actuellement en cours sur ce sujet visent tudier diffrents types de composs (III-V ou II-VI essentiellement), et tester diffrentes architectures de composants permettant datteindre les performances recherches. Pour finir, signalons galement que des recherches prometteuses sont galement menes sur la ralisation de simulateurs quantiques. Mme si cette problmatique est plus loigne des celle des portes logiques, elle en partage les concepts fondamentaux, tels que lintrication et les portes logiques (ventuellement plus de deux atomes). Cette approche utilise pour linstant les atomes ultra-froids dans des rseaux optiques.
13.8 Imagerie quantique Cette thmatique vise tendre au domaine des images optiques la problmatique que loptique quantique a initie dans le cas des faisceaux lumineux simples , comme les faisceaux gaussiens : rduction des fluctuations quantiques au-del de la limite quantique standard, production de corrlations et dintrication quantique, application lamlioration des mesures optiques. Le passage limagerie permet de sattaquer des problmes importants comme celui de la rsolution ultime en optique, de la lithographie ultime, cest--dire la possibilit de tracer par mthodes optiques longueur donde donne les traits les plus fins possibles, la possibilit de faire du traitement dimage non limit par le bruit de photons. Les images optiques tant capables de transporter de manire parallle une grande quantit dinformation, limagerie quantique ouvre de plus la voie une augmentation apprciable du dbit des canaux quantiques dinformation. LEurope, et la France en particulier, ont t ces dernires annes les fers de lance du domaine (projet QUANTIM), et des rsultats importants ont t obtenus : estimation prcise des limites quantiques la rsolution et des moyens pour aller au-del ; rle exact des corrlations quantiques spatiales pour la formation dimages par ghost imaging ; production dimages spatialement corrles au niveau quantique ; amplification quantique dimages par effet paramtrique en cavit multimode mesure dinfimes dplacements transverses de faisceaux lumineux, en dessous de la limite quantique standard ; rle des fluctuations quantiques dans lextraction dinformation partir dimages et dans le traitement dimage. Aprs une phase de lent dmarrage le sujet prend maintenant de lampleur outre atlantique, avec le soutien du DARPA et du DHS (R. Boyd Rochester, J. Dowling Louisiana State U., A. Sergienko Boston, P. Lett au NIST), sur les questions de ghost imaging, damlioration de la rsolution optique, de lithographie quantique . Lquipe du NIST Gaithersburg a rcemment mis au point une mthode la fois extrmement efficace et simple de production dimages quantiques intriques par mlange quatre ondes dans une vapeur atomique non refroidie. Les bases conceptuelles du domaine semblent assez bien dbroussailles, et le sujet est amen se dvelopper essentiellement au niveau exprimental, grce lamlioration progressive des techniques de production et de dtection. Il y a par contre un gros effort thorique faire pour lutilisation de ces mthodes dans le traitement quantique massivement parallle de linformation quantique, une tape indispensable sur le (long) chemin menant un ordinateur quantique rellement utile. De limagerie quantique loptique quantique multimode : Les images, dfinies par un trs grand nombre de paramtres indpendants, sont des systmes fortement multimodes, et limagerie quantique a permis daborder le vaste domaine des systmes quantiques trs fortement multimodes, et de se forger des outils conceptuels dinvestigation qui en dpassent le cadre. Les groupes impliqus dans limagerie quantique sont maintenant prts tudier dautres systmes quantiques trs fortement multimodes ou multipartites. Parmi les sujets de recherche particulirement porteurs dans ce domaine, on peut notamment citer les peignes de frquence quantiques . Il sagit dun nouveau type de systme fortement multimode (typiquement 100 000 modes frquentiels diffrents), consistant en un train priodique dimpulsions de forme temporelle arbitraire. Comme les peignes de frquence sont bien connus pour leur efficacit en mtrologie, la manipulation de leurs fluctuations et corrlations quantiques permet denvisager des
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progrs importants dans les mesures de prcisions effectues avec de telles sources lumineuses. Une mthode a par exemple t propose pour mesurer dinfimes dcalages temporels entre deux trains dimpulsion, avec une sensibilit pouvant atteindre thoriquement le domaine de la yoctoseconde (10-24 s).
13.9 Manipulation optique de spin Bien que ce paramtre soit habituellement difficilement contrlable dans la plupart des systmes, lorientation du spin dune particule est une grandeur trs robuste lorsque llectron est plac dans des conditions particulires. Diffrentes approches offrent ainsi des proprits prometteuses pour initialiser un spin individuel dans un tat cohrent, le manipuler sans dgrader sa cohrence et au final le lire par voie optique. Des recherches sont actuellement en cours pour tudier le comportement de plusieurs systmes reposant notamment sur lutilisation dun lectron/trou ou atome magntique pig dans diffrents types de boites quantiques. Cette proprit de cohrence du spin, qui est au cur de cette action, rend ce systme trs attractif pour la ralisation de portes logiques quantiques dans la matire condense, utilisant le spin comme quantum-bit , ou pour la spintronique. Un effort important est mener pour comprendre les proprits fondamentales qui peuvent limiter la cohrence de spin dans une bote quantique, comme par exemple linteraction hyperfine avec les noyaux ou bien le rle du couplage spin-orbite. Il sagit pour le futur didentifier le systme le mieux adapt aux applications vises et de dvelopper les protocoles exprimentaux qui permettront de manipuler optiquement un spin en sattachant en particulier la ralisation des fonctions dcriture et de lecture de lorientation du spin dans une bote quantique individuelle.
13.10 Programmes nationaux, positionnement international Sur cette thmatique, les quipes franaises font partie des meilleures du monde et plusieurs premires mondiales particulirement spectaculaires sont mettre leur crdit au cours des dernires annes. On peut notamment citer lobservation de la localisation dAnderson dans un gaz datomes ultrafroids, la caractrisation complte de ltat quantique dun champ lumineux dans une cavit de trs haute finesse, l'utilisation d'atomes pigs uniques pour l'information quantique, la ralisation de chats de Schrdinger optique ou de cryptographie quantique partir de variables continues. Ces thmatiques sont actuellement dveloppes au sein de nombreux laboratoires franais : LCFIO, LKB, MPQ, LPN, SYRTE, INSP, INL, IN, LPCNO, LAC, FEMTO-ST, LPMC (Nice), INLN, LCAR, PhLAM, LPL, LPQM
13.11 Structuration de la communaut Le GdR "Information et communication quantiques" (2001-2008) a permis de fdrer les quipes travaillant dans ce domaine. Un GdR avec des contours voisins est actuellement en gestation, et devrait aboutir une cration dans un futur proche. Par ailleurs, le GDR Ondes traite en partie de certains sujets qui se situent lintersection entre optique et information quantique.
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ANNEXES
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14 .
QUELQUES CENTRALES DE TECHNOLOGIE
14.1 Grandes centrales technologiques 14.1.1 Le programme RTB Le programme de Recherche Technologique de Base (RTB) a t initi en 2003 par le Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche (MESR) pour crer et coordonner une infrastructure de recherche au meilleur niveau international dans le domaine des micro et nano-technologies. Lobjectif est doffrir la communaut scientifique un ensemble de grandes centrales technologiques disposant dquipements lourds mutualiss et localiss sur les sites de certains grands laboratoires, afin de dvelopper des filires technologiques de haut niveau et constituer le socle ncessaire lessor des nanosciences et des nanotechnologies. Un rseau de centrales de proximit, de moindre envergure, complte lchelle locale loffre des grandes centrales. Lensemble du rseau a t labellis en 2009 Trs Grande Infrastructure de Recherche (TGIR) par le MESR. Enfin, lObservatoire des Micro et Nanotechnologies (OMNT) assure une veille technologique et la diffusion des travaux de synthse de groupes dexperts dans les domaines cl des micro-nanotechnologies. Le programme RTB est port et coordonn par le groupement dintrt scientifique RENATECH et le laboratoire dElectronique et de Technologies de lInformation (LETI) du Commissariat lEnergie Atomique. Le Rseau National des Grandes Centrales Technologiques RENATECH, pilot par lInstitut des Sciences et de lIngnierie des Systmes (INSIS) du CNRS et les tutelles universitaires des laboratoires, regroupe 6 units de recherche: FEMTO (Besanon), FMNT (Grenoble), IEF (Orsay), IEMN (Lille), LAAS (Toulouse), LPN (Marcoussis). Les principales technologies-cl et domaines scientifiques dvelopps par les grandes centrales sont illustrs ci-dessous :
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14.1.2 La photonique dans le programme RTB Le programme RTB a permis de se doter dune infrastructure technologique comptitive au niveau mondial pour mener une recherche de haut niveau, dvelopper linnovation et rpondre aux besoins de la socit dans les domaines de linformation et la communication, la biologie, lnergie, lenvironnement. Une feuille de route a t tablie en 2009, en dgageant 5 domaines prioritaires : loptolectronique et la photonique la micro et nanolectronique la spintronique et le nanomagntisme les micro et nanosystmes lectromcaniques (MEMS et NEMS) les micro et nanosystmes pour la biologie et la sant
et 2 axes transverses : linstrumentation la simulation
Une stratgie de recherches a t dfinie dans chaque domaine, autour dun nombre restreint de dfis technologiques. Des procds technologiques-cl et les quipements ncessaires ont t identifis pour chaque dfi afin dintensifier le potentiel de recherche de la communaut et dobtenir des rsultats au meilleur niveau international. Lanalyse du domaine de la photonique a mis en vidence son caractre foisonnant qui dpasse celui de loptique et optolectronique traditionnelles longtemps marques par le dveloppement de composants discrets. Deux grands vecteurs enrichissent et dynamisent le domaine gnral des recherches en photonique : lapport des nanotechnologies et lintroduction des concepts de la nanophotonique qui seront lorigine de vritables ruptures scientifiques et technologiques pour les futures gnrations de composants photoniques lexigence de systmes miniatures et hautement fonctionnels qui se heurte ce jour au verrou de lintgration photonique, tant dans un systme tout optique que dans le cas dune cointgration de loptique avec llectronique, la chimie, la biologie etc ... De nouvelles architectures, linterfaage et la convergence de diffrentes technologies sont les clefs de voute indispensables au dveloppement de futurs systmes pour les communications, les systmes embarqus, le mdical, le contrle de lenvironnement, etc
Bien videmment, les recherches mener concernent non seulement la conception et la ralisation de composants et micro-nanosystmes innovants mais aussi des travaux plus amont , en photonique et dans le champ pluridisciplinaire de loptique. Les progrs sur les concepts, les procds de fabrication, les approches dintgration, limplication dquipes pluridisciplinaires autorisent la dmonstration de nouveaux mcanismes fondamentaux bnficiant de la matrise technologique lchelle nanomtrique, au carrefour de plusieurs disciplines. Ainsi, la comprhension des mcanismes dinteractions de la lumire avec la matire lchelle sub-longueur donde conduit des avances en optique quantique, une meilleure connaissance des phnomnes biologiques etc Ce travail danalyse et ltat des lieux des projets de recherche a conduit dgager deux grands dfis : Le premier tend faire merger de nouvelles sources, exploitant les rcentes avances fondamentales et de nouvelles approches technologiques. Le dveloppement de concepts, technologies et architectures de ce composant-cl est essentiel pour rpondre la diversit des besoins, et des solutions gnriques sont ncessaires pour obtenir des ruptures
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significatives et un essor de la photonique grande chelle. Dans ce cadre il est ncessaire de repousser les limites des performances actuelles : extension du domaine spectral (visible, UV, THz, lumire blanche), puret spectrale, qualit spatiale de lmission, puissance, rendement, etc - en proposant et matrisant de nouvelles filires de matriaux (nouveaux alliages, matriaux actifs base de nanocristaux ou botes quantiques, ), des architectures innovantes incorporant des mtamatriaux, des cristaux photoniques, des effets plasmoniques, etc Labsence de sources intgrables est dautre part un obstacle majeur pour parvenir des systmes compacts, voire des systmes sur puce ou mme des circuits intgrs photoniques. Des architectures radicalement nouvelles, exploitant des phnomnes lchelle sub-longueur donde et des technologies gnriques doivent tre tudies pour rendre les sources intgrables et ouvrir la voie des systmes laser sur puce et une photonique intgre . Le second dfi sattaque directement au verrou de lintgration photonique en visant la faisabilit de systmes photoniques sur puce. Il concerne lhybridation et/ou lintgration sur puce de diffrents types de fonctions, entirement ou partiellement optiques. Il sagit de dvelopper des comptences scientifiques et technologiques permettant dintgrer ou dhybrider des fonctions optiques avec des fonctions issues de technologies spcifiques lectronique, hyperfrquences, lectronique de puissance, microsystmes, chimie, biologie De plus, lintgration de loptique et de fonctions nanophotoniques impose des architectures et des procds matrisant les 3 dimensions, de lchelle nanomtrique lchelle centimtrique. La complexit de lapproche ncessite une approche systme, recherchant des voies mthodologiques et si possible gnriques pour tirer pleinement le bnfice des potentialits optiques, gagner en compacit et fonctionnalit par rapport aux systmes discrets actuels. Ceci conduit dmontrer de nouveaux concepts dintgration et leurs architectures associes, en mettant au point des procds collectifs et reproductibles tirant notamment profit des quipements et du savoir-faire de la microlectronique. La ralisation de composants optiques et systmes sur puce compatibles CMOS permet denvisager des fonctions optiques intelligentes pour la dtection et limagerie ; elle est aussi trs prometteuse comme voie alternative aux composants sur verre traditionnels, en apportant une forte valeur ajoute par lapport de fonctionnalits inexistantes ce jour, ainsi quune fabrication grande chelle assurant reproductibilit et faible cot. Diffrents domaines dapplications sont concerns : interconnexions optiques, tlcom, datacom, instrumentation, capteurs, systmes embarqus, Les travaux de recherche se dclinent selon plusieurs axes : o intgration tout optique, composants optiques, micro-optique, optique adaptative : fonctions optiques sur semi-conducteurs III-V, LiNbO3, organiques, polymres, microoptique intgre etc photonique sur silicium : problmatique de la source Si, fonctions intgres toutoptique, hybridation de la photonique III-V sur Si, intgration de loptique et de llectronique pour des fonctions avances de modulation, routage, dtection, , imagerie, intgration multifonctionnelle pour les capteurs, lanalyse, les laboratoires sur puce,
14.2 Les centrales spcifiques et/ou de proximit Ces centrales ont vocation complter, lchelle locale, les dispositifs du rseau des grandes centrales de technologie nationales. Il sagit de salles blanches de taille modre dote dquipements de base en matire de fabrication et dobservation dveloppes au sein dune concertation assure par les CNanos. Ces quipements gnriques doivent permettre la ralisation d'chantillons simples, les projets plus complexes et/ou ncessitant plus dtapes technologiques pouvant tre traits dans les grandes centrales. Les objectifs de ce dispositif sont de:
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permettre la communaut scientifique de disposer, lchelle locale, de moyens de base dlaboration et dobservation, apporter un soutien, cette chelle, aux projets ne ncessitant pas les moyens lourds des grandes centrales, contribuer la formation des doctorants et des chercheurs, s'ouvrir, dans des conditions prciser, aux acteurs industriels, et en particulier aux PME
Le ministre, le CNRS et le CEA ont mis en place un soutien des centrales de proximit avec trois objectifs clairs : labelliser un nombre limit de projets de centrales, en apportant un fond damorage ou dquipement annuel assurer un maillage harmonieux du territoire national, prenant en compte la ralit de la rpartition gographique des forces de recherche dans le domaine des nanosciences et des nanotechnologies afficher et soutenir les rles que doivent jouer ces centrales de proximit, ouverture la communaut locale, soutien aux projets cette chelle, participation la formation des doctorants et des chercheurs
Les 9 plateformes labellises en 2009 sont les suivantes : NANOFAB, Grenoble, la plateforme lyonnaise ECL-INSA Lyon, le Centre de Technologie de l'Universit de Montpellier II, la centrale de technologie spcifique Grand-Est Nancy et Strasbourg, LAtelier de nanofabrication du SPEC-CEA Saclay, les Salles blanches Paris Centre, la Centrale de proximit en nanotechnologies de Paris Nord, la Centrale de Technologie de Rennes et la centrale de proximit en micro-nano technologie de Marseille et Nice (CT-PACA). l'avenir, dautres centrales de proximit, en nombre limit pourront tre si elles remplissent bien les conditions requises douverture et de contribution la formation des doctorants, des chercheurs acadmiques et PME.
14.3 Plateforme fibres optiques de nouvelle gnration Depuis 2005, le Groupement dIntrt Scientifique GRIFON constitue une plateforme nationale ddie la synthse de fibres optiques de nouvelle gnration. Ce GIS sappuie sur la mise en commun des moyens technologiques de fabrication et de caractrisation des plateformes d'Xlim (Limoges), du PhLAM (Lille) et du LPMC (Nice). Lobjectif est doffrir un plateau technique fibres optiques aux laboratoires de recherche acadmiques et industriels. Au sein de cette plateforme nationale, des mthodes dlaborations et de caractrisations de verres et fibres optiques sont dveloppes afin de raliser des fibres optiques de nouvelle gnration : fibres micro-structures, fibres trous, fibres bande interdite photonique ou encore fibres multi-coeurs ou multi-gaine. Le nombre, la nature et les performances des quipements qui la constituent, font de la plateforme GRIFON une structure unique en Europe. De manire non exhaustive, citons parmi les principaux quipements : 3 bancs de synthse de prformes de fibres optiques par dpt en phase vapeur de type MCVD et OVD, 3 tours de fibrage et dtirage dont 2 sont plus particulirement ddies la ralisation de fibres micro-structures, ou encore 2 systmes de densification de prformes. Plus rcemment le GIS a complt son offre par le dveloppement de la technologie SolGel et de la voie poudre pour llaboration de nouveaux matriaux ou lintroduction de micro et nano particules dans des guides optiques. Des fours tubulaires pour la vitrification et des bancs verticaux de consolidation de prformes (traitement avant fibrage) permettent galement la ralisation de prformes originales. Le GIS dispose galement d'quipements de caractrisation optique tels que des mesureurs de profil dindice de rfraction, des bancs de mesure de dispersion chromatique, des
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microscopes lectroniques, ainsi qu'un parc de sources et dtecteurs couvrant une grande gamme spectrale s'tendant de lUV lIR moyen. Ce plateau technique a permis et permet dapporter une plus-value importante dans de nombreux projets scientifiques nationaux et europens. Parmi les ralisations citons des fibres toutes solides bande interdite photonique, des fibres cur creux guidant dans lUV, ou encore des fibres obtenues par synthse SolGel. Parmi les champs dapplication de ces fibres, citons celui des sources lumineuses fibres, quil sagisse de sources lasers de forte puissance ou de sources supercontinuum. Les perspectives pour les prochaines annes sinscrivent dans le dveloppement des guides optiques pour des bandes de longueur donde UV-visible, dune part, et stendant de lIR moyen au Terahertz, dautre part. Ceci implique, pour la plateforme GRIFON , doptimiser et de mettre en place de nouveaux procds de synthse de matriaux. Deux objectifs principaux sont viss : la synthse de volumes dops plus importants ainsi que la matrise fine des profils dindice pour la fabrication de fibres unimodales larges curs. Ceci sappuie sur de nouveaux procds MCVD ou OVD avec dopage terre-rare en phase vapeur et sur des approches base de vitrification de poudres les mthodes Sol-Gel, core-suction et la synthse/insertion de nanoparticules, ventuellement dopes pour tendre les domaines d'applications des fibres et accder des proprits nouvelles ncessitant la synthse de matrices originales. Le but est, par exemple, dobtenir des fibres ou des sources fibres avec une diversification des longueurs d'onde mises, une augmentation de l'efficacit non linaire ou laccs de nouvelles applications comme la fonctionnalisation des fibres ou la plasmonique.
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15 . RECENSEMENT
**lesacronymessont identifiablessurleWEB Matriaux Avancs Mesures Extrmes Spectro-Analyse Techniques dimagerie Optique et Biomdical
ARTHEMIS BIPM BRGM CEADAM CEADAM(CESTA) CEADAM(LeRipault) CEADRT/LETI(Grenoble) CEADRT/LITEN(Grenobleet Chambry) CEADSM(Saclay) CEADSM/INAC(Grenoble) CEADSM/IRAMIS(Saclay) CEADSM/IRFU(Saclay) CELIA CEMES CESR CIMAPMIL CIRIMAT CLIO CORIA CPMOH CPT(X) CRAL CRHEA CRPP DPGMulhouse ECPM EDFR&D ENSCM ENSPCI
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Procds technologiques Innovants Nanostructures Photoniques Sources de Lumire Dtection de Lumire MOEMS et MEMS Tlcom et Stockage Optiques Optolectronique des Systmes Embarqus Quantique et Atomique
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ESPCI ESPNI FEMTOST FOTON G2R GEMaC(Meudon) GEORGIATECH GEPI GES GIPSA GREMI GSMA Hpital desXVXX IBL ICB(Dijon) ICMCB(Bordeaux) IEF IEMN IES IETR IM2NP IMEPLAHC IMN(Nantes) IMS INL INLN InNess INSP(Paris) InstitutCharles Delaunay InstitutCurie Institutde PhysiquedeRennes
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InstitutFresnel InstitutLangevin InstitutNEEL InstitutTlcom IPCMS IPGP IRCICA ISAE ISIS ISL(StLouis) ITODYS L2TI LAAS Laboratoire desLasers LAC(Orsay) LAGIS LaHC LALP LAM LAOG LASIM LASMEA LCAR LCFIO LCMTRThiais LCVN(Montpellier) LE2I LERMA LESIA LHC LIRMM LISIF LKB
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LM2N LMA(Lyon) LMI LMOPS(Metz) LMP LMPQ LOAENSTA LOB LP3 LPA LPA(ENSParis) LPCA LPCML(Lyon) LPCNO LPICM LPL LPMC(Nice) LPMC(Palaiseau) LPN LPQM LPSENS LRMH LRS LSIIT LSIM LSLP LSOL LSP LULI LVC MIPS MPQ Observatoire deGrenoble
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Observatoire deMeudon OCA ONERADTIM ONERADMPH ONERADOTA PHASE PhLAM PIIM POMA PPSM(Cachan) SOLEIL SPCTS Spectromtrie Physique SYRTE XLIM
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Photonique & Horizons

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

1.2.1 1.2.2 1.2.3

1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.3.4

1.4.1 1.4.2 1.4.3 1.4.4 1.4.5

1.7.1 1.7.2 1.7.3 1.7.4 1.7.5

1.8.1 1.8.2 1.8.3

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5

3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.2.4

3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4

4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4 4.2.5

4.4 4.5 4.6 4.7

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

5.2.1 5.2.2 5.2.3 5.2.4 5.2.5 5.2.6 5.2.7

5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.3.4

5.4.1 5.4.2 5.4.3

5.5.1 5.5.2 5.5.3 5.5.4 5.5.5 5.5.6

5.6.1 5.6.2 5.6.3 5.6.4

5.7.1 5.7.2 5.7.3 5.7.4 5.7.5 5.7.6 5.7.7

5.8.1 5.8.2 5.8.3 5.8.4

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Procdsdecrationdenouveauxmatriaux __________________________________ 61 Filmsminces,filmsnanostructursparPLD_________________________________________61 Productiondenanoagrgatsfonctionnalissenmilieuxgazeuxouliquide ________________61

7.2.1 7.2.2 7.2.3 7.2.4 7.2.5 7.2.6 7.2.7

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

8.2.1 8.2.2 8.2.3 8.2.4 8.2.5 8.2.6 8.2.7

8.3 8.4 8.5

8.4.1 8.5.1 8.5.2 8.5.3 8.5.4

10. MOEMSetNOEMS ____________________________________________________91

TRANSPORTETTRAITEMENTDELINFORMATION________________________________93 11. TelecommunicationsoptiquesStockageoptique____________________________94

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

12. Technologiesoptolectroniquesetphotoniquespourlectroniquedessystmes embarqus _______________________________________________________________99

12.2 12.3 12.4

13.3 13.4 13.5 13.6 13.7 13.8 13.9 13.10 13.11

ANNEXES________________________________________________________________110 14. Quelquescentralesdetechnologie ______________________________________111

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

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Imagerie hyperspectrale Enjeux, perspectives, dfis

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Programmes de recherche nationaux

Imagerie polarimtrique Enjeux, perspectives, dfis

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Recensement de la communaut franaise

Optique adaptative Enjeux, perspectives, dfis

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Structuration de la communaut franaise

Imagerie en champ proche Enjeux, perspectives, dfis

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Imagerie dans les milieux diffusants Enjeux, perspectives, dfis

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

Photonique & Horizons , CNRS & INSIS, Mars 2010

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LOptique biomdicale en France

Quelques exemples de congrs

Procdsdecrationdenouveauxmatriaux __________ 61 Filmsminces,filmsnanostructursparPLD_61 Productiondenanoagrgatsfonctionnalissenmilieuxgazeuxouliquide 61

TRANSPORTETTRAITEMENTDELINFORMATION____93 11. TelecommunicationsoptiquesStockageoptique94

ANNEXES__________________________110 14. Quelquescentralesdetechnologie 111