UNIDAD 5 CIRCUITOS DE DISPARO

El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en dispositivos semiconductores de potencia. La salida de un convertidor que depende de la forma en que el circuito de disparo excita los dispositivos de conmutacin es una funcin directa de la conmutacin. Por consiguiente, las caractersticas del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida deseada, y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El diseo de un circuito excitador requiere conocer las caractersticas de compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores, tiristores apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unin (BJT), transistores de efecto de campo metal xido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).

5. 1 CIRCUITOS DE DISPARO CON REDES RC

5.1.1 CIRCUITO DE DISPARO RC PARA MOSFET DE POTENCIA

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequea, del orden de nanoamperes. El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir conectando un circuito RC para cargar con mayor rapidez la capacitancia de la compuerta. La corriente de compuerta (IG) y el voltaje de compuerta en estado estable (VGS) vienen dados por:

5.1.2 CIRCUITO DE DISPARO RC PARA BJT DE POTENCIA

Las tcnicas de uso comn para optimizar la activacin de la base de un transistor son: 1. Control al encendido 2. Control al apagado 3. Control proporcional en base 4. Control por antisaturacin 1. Control al encendido. La correccin de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la figura 17.4 Cuando se conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita con el resistor R, y el valor inicial de esa corriente es:

y el valor final de la corriente de base es

El capacitor C1 se carga hasta un valor final de

La constante de tiempo de carga del capacitor es, aproximadamente:

Una vez que el voltaje VB de entrada llega a cero, la unin base-emisor se polariza en sentido inverso, y C1 se descarga a travs de R2. La constante de tiempo de descarga es 2 = R2C1. Para permitir que los tiempos de carga y descarga sean suficientes, el ancho del pulso en la base debe ser t1 = 51 Y el periodo de desactivacin del pulso debe ser t2 = 52. La frecuencia mxima de conmutacin es fs = 1/T = 1/(t1 + t2) = 0.2 (1 + 2). 2. Control al apagado

3. Control proporcional a base

4. Control Antisaturacin

5.1.3 CIRCUITO DE DISPARO RC PARA SCR

El anlisis de este circuito es simple. Se analizar la parte RC del lado izquierdo:

Suponga que el SCR esta en modo de no conduccin y el capacitor esta descargado. Existe un condensador y una resistencia en serie. Cuando un circuito consiste solo de un condensador cargado y una resistencia, el condensador descargar su energa almacenada a travs de la resistencia. La tensin o diferencia de potencial elctrico a travs del condensador, que depende del tiempo, puede hallarse utilizando la ley de Kirchhoff de la corriente, donde la corriente a travs del condensar debe ser igual a la corriente a travs de la resistencia.

Vf(t) = V Esto resulta en la ecuacin diferencial lineal:

. Resolviendo esta ecuacin para V se obtiene la frmula de decaimiento exponencial:

donde V0 es la tensin o diferencia de potencial elctrico entre las placas del condensador en el tiempo t = 0.

El tiempo requerido para el voltaje para caer hasta es dado por

es denominado "constante de tiempo RC" y

Asi pues, cuando el potencimetro R2 = 0 ohm, tenemos una constante mnima y cuando giramos R2 al mximo, es mxima. Ahora analizaremos el lado derecho del circuito

El ngulo mnimo al que se debe disparar el SCR viene dado por:

El ngulo a cualquier tiempo es:

Como se puede apreciar, el ngulo de disparo es dependiente de los parmetros de la red RC que hay antes del mismo.

5. 2 CIRCUITOS DE DISPARO CON UJT

El transistor monounin (UJT, de unijunction transistor) se usa en forma comn para generar seales de disparo para SCR. En la figura se muestra un circuito de disparo con UJT. Un UJT tiene tres terminales, llamadas emisor, E, base uno, B1 y base dos, B2. Entre B1 y B21 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria. Esta resistencia es la resistencia interbase RBB y sus valores estn en el intervalo de 4.7 a 9.1 kilohms. En la figura tambin se muestran las caractersticas estticas de un UJT.

Cuando se aplica el voltaje Vs de alimentacin, se carga el capacitor e a travs del resistor R, porque el circuito de emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuitode carga es 1 = RC. Cuando el voltaje del emisor, VE, que es igual que el voltaje del capacitor, Vc, llega al voltaje pico Vp, el UJT se enciende y el capacitor e se descarga a travs de RB1 con una rapidez determinada por la constante de tiempo 2 = RB1 *C. Esta constante 2 es mucho menor que 1. Cuando el voltaje de emisor VE disminuye hasta el punto de valle Vv, el emisor deja de conducir, el UJT se apaga y se vuelve a repetir el ciclo de carga. En la figura se ven las formas de onda de los voltajes de emisor y de disparo. La forma de onda del voltaje de disparo VBl es idntica a la de la corriente de descarga del capacitor e. El voltaje de disparo VBl se deber disear suficientemente grande como para encender al SCR. El periodo de oscilacin, T, es bastante independiente del voltaje de cd de alimentacin, Vs, y se determina con:

= relacin de compromiso; 0.51 < < 0.82 Eleccion de parmetros del circuito El valor de la resistencia R debe caer entre 3K y 3M. El criterio para seleccionar su valor esta dado por

El intervalo del voltaje de alimentacin Vs debe caer entre los 10 y 35 volts. Asi pues, para el clculo de Vp tenemos:

El ancho de pulso del disparo es:

Y el valor RB2 se calculo mediante:

5. 3 CIRCUITOS DE DISPARO CON TIMER 555

El circuito temporizador 555 es muy utilizado para excitacin de compuerta de Transistores de potencia, SCR, Mosfets y TRIACS. Las 2 maneras bsicas de configurarlos son las siguientes: Operacin Astable (Multi-pulso)

Operacin Monoestable (Un solo pulso)

5. 4 CIRCUITOS DE DISPARO OPTOACOPLADOS

El uso de circuitos optoacopladores se ha popularizado en los ltimos tiempos dado que se nos permite aislar la etapa de control (baja potencia) de la etapa de alta potencia. La serie MOC nos permite disparar TRIACS o SCRs como se muestra en el circuito siguiente:

Asimismo, los optoacopladores de baja potencia permiten generar disparos hacia los MOSFETS como se puede apreciar en el siguiente circuito.