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Solues dos exerccios Transistor Bipolar 1 Analisando o circuito da figura temos que:

VCC VCEsat 5 0,2 = = 4,8mA 1.10 3 1.10 3 V VBE 5 0,7 4,3 = = I B = CC RB RB RB IC =

Para um forado=3, o valor de RB dado por:


= IC = forado IB 4,8.10 3 =3 4,3 RB R B = 2,69k

Para forado/2, temos que:


forado = 4,8.10 3 4,3 RB RB IC IB 2 2

4,3 = 0,448k 4,8.10 3 2

Assim, o maior valor que RB pode assumir, garantindo que forado/2, RB=0,448k. 2 Primeiramente vamos determinar os valores de F e R para ento calcularmos o valor de R . Para F =200, temos que:
F 200 = = 0,995 F + 1 201

F =

Como a rea da juno base coletor 50 vezes maior que a rea da juno base emissor, as correntes de ISE e ISC seguem a seguinte relao: ISC=50ISE

Assim, podemos determinar o valor de R a partir da relao: I SC R = I SE F R = R = I SE F I SC

F 50 0,995 R = = 0,0199 50 Finalmente o valor de R dado por:


R = R 0,0199 = = 0,0203 1 R 1 0,0199

Com o transistor operando com IB=1mA e IC=0, o valor de forado=0. A expresso que calcula o valor de VCEsat dada por:

VCEsat = VT ln

1+

forado

+ 1) R R

Substituindo VT=25,8mV (T=300K), temos: 1 + (0 + 1) 1 0 0,0203

VCEsat = 0,0258 ln VCEsat = 101mV

0,0203

3 Para Vi=0, o transistor est na regio de corte. Neste caso, IC=0 e, portanto:
VOH = VCC = 3V

Como o transistor comea a conduzir com VBE=0,5V, a corrente de base neste caso muito pequena, e assim a queda no resistor RB pode ser desprezada. Assim, temos que:
VIL = 0,5V

O valor de VOL o valor de tenso na entrada (Vi) onde o transistor comea a entrar na regio de saturao. Para VCEsat=0,3V, a corrente IC dada por:
IC = VCC VCEsat 3 0,3 = = 4,22mA RC 640

Para =30, a corrente de base dada por:


IB = I C 4,22.10 3 = = 140A 30

Assim, a tenso de entrada em que o transistor entra na regio de saturao a soma de VBEsat somada com a queda no resistor da base RB. Para VBEsat=0,7V, temos: VIH = R B I B + VBEsat VIH = 450.140.10 6 + 0,7 VIH = 763,3mV Finalmente, para Vi>VOH, VCE=VCEsat=0,3V. Portanto VOL=0,3V. As margens de rudo da caracterstica de transferncia de tenso do inversor so dadas por: N ML = VIL VOL = 0,5 0,3 = 0,2V N MH = VOH VIH = 3 0,763 = 2,237V A figura abaixo mostra o inversor analisado (INV1) com outro inversor conectado em sua sada (INV2).
INV1 VCC R2 INV2 VCC R4

VI

R1

Q1

R3

Q2

Observe que no circuito da figura acima, quando a tenso Vi for baixa, o transistor Q1 est na regio de corte e dessa maneira h um divisor de tenso formado por R2 e R3. Podemos perceber que neste caso, o nvel de tenso VOH ser diferente do valor calculado com o inversor sem carga. Para R2=640, R3=450 e VCC=3V, o valor de VOH dado por:

VOH = VCC VCC VOH

R2 R 2 + R3 640 = 33 = 1,24V 640 + 450

O novo valor de NMH dado por: N MH = VOH VIH = 1,24 0,763 = 0,477V Podemos perceber que conectando uma porta lgica na sada do inverso RTL, ocorre uma diminuio considervel na excurso do sinal de sada e na margem de rudo, sendo este um dos fatores limitantes para o uso desta tecnologia em projetos de circuitos digitais. 4 a) Quando a tenso de entrada estiver em 5V, a corrente na base do transistor injeta portadores minoritrios. Para RB=1k, VBE=0,7V, o valor da corrente de base para Vi=5V dado por:
I B2 = Vi VBE 5 0,7 = = 4,3mA RB 1.10 3

A carga armazenada em excesso na base do transistor dada por:


Q s = s (I B 2 I Csat )

Onde s a constante de tempo de armazenamento de carga na base. Observe que na equao acima a diferena IB2-ICsat/ a corrente em excesso que faz com que o transistor armazene carga em excesso. Para VCC=5V, VCEsat=0,2V e RC=500, a corrente de saturao do transistor obtida pela seguinte expresso:
I Csat = VCC VCEsat 5 0,2 = = 9,6mA RC 500

Assim, a carga armazenada pode ser expressa por:


Q s = s (4,3.10 3 9,6.10 3 )

Para determinarmos o valor de , vamos analisar o transistor durante o escoamento da carga armazenada na base. De acordo com o enunciado, para C=0, o tempo para escoar a carga em excesso armazenada na base foi ts=80ns. Assim, temos que:

i=

dQ Q = it dt I Q s = t s (I B1 + Csat )

Onde ts o tempo necessrio para retirar a carga em excesso da regio da base e IB1 + ICsat/ a corrente que escoa esta carga. Para Vi=V1=0,2V, a corrente IB1 dada por:
I B1 = V1 VBE 0,2 0,7 = = 0,5mA RB 1.10 3

O sinal negativo de IB1 indica que a corrente sai da base do transistor. Finalmente para C=0, temos que:
Q s1 = 80.10 9 (0,5.10 3 + 9,6.10 3 )

No outro caso, com o resistor da base em paralelo com o capacitor de 8pF, o capacitor ajuda a escoar a carga armazenada na base do transistor, e assim ts=30ns. A carga que o capacitor descarrega dada por: Q C = CVC = 8.10 12 (5 0,2) = 38,4pF O restante da carga pode ser expressa por:
Q s 2 = 30.10 9 (0,5.10 3 + 9,6.10 3 )

Como a carga escoada nos dois casos, com e sem capacitor, a mesma, temos que: QS1=QS2+QC
80.10 9 (0,5.10 3 + 50.10 9 (0,5.10 3 + = 35,8 9,6.10 9,6.10 3 ) = 30.10 9 (0,5.10 3 + ) + 38,4.10 12 9,6.10 3 ) = 38,4.10 12
3

Igualando as expresses da carga armazenada durante o carregamento e o escoamento, a constante de tempo de carga dada por: s (4,3.10 3 9,6.10 3 9,6.10 3 ) = 80.10 9 (0,5.10 3 + ) 35.8 35.8

s = 15,2ns

b) Para que o tempo de escoamento da carga armazenada em excesso (ts) seja nulo, o capacitor deve ser capaz de fornecer a carga que armazenada na base do transistor. Assim, temos que:
CV = s (I B 2 I Csat )

Substituindo os valores encontrados no item a), temos: C= 15,2.10 9 9,6.10 3 ) (4,3.10 3 5 0,2 35,8 C = 12,8pF

Podemos concluir neste exerccio que o capacitor colocado na base ajuda a escoar a carga armazenada na base, diminuindo o tempo de comutao do inversor RTL.