TEORA DE SEMICONDUCTORES

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1. INTRODUCCIN:
Dependiendo de la facilidad con que permiten el paso de una corriente, los materiales pueden clasificarse en aislantes, conductores, superconductores y semiconductores. Los aislantes o dielctricos, hacen casi imposible el paso de una corriente elctrica a travs de ellos. Estos materiales son tiles siempre que queremos protegernos de la electricidad. Los conductores, materiales por los que se transporta con facilidad una corriente elctrica, son tiles para crear lneas de transmisin de potencia. Tambin, los elementos de los circuitos electrnicos estn interconectados mediante alambres o pistas de materiales conductores. Los superconductores son conductores perfectos, es decir, ofrecen resistencia nula al paso de la corriente. El da en que los cables por medio de los cuales nos llega el suministro de energa a nuestras casas estn hechos de materiales superconductores, se pondr fin a una gran fuente de desperdicio de recursos. Finalmente, tenemos los materiales semiconductores que no permiten el paso de una corriente elctrica tan bien como los conductores, pero tampoco son capaces de dificultar su paso como lo hacen los aislantes. Ante esta descripcin, surge una inquietud por saber que tienen estos materiales de interesantes. Sin lugar a dudas, el estudio de las propiedades fsicas de los materiales semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el desarrollo tcnico de dispositivos elctricos, representan una de las revoluciones cientfico-tecnolgicas de mayor impacto sobre nuestra sociedad. Para tener una idea de la real magnitud de esta revolucin pensemos por un momento en los transistores, probablemente la aplicacin tecnolgica ms importante de los semiconductores. Cualquier habitante del mundo moderno se encuentra rodeado cotidianamente por millones de transistores. Estn en el televisor, en el equipo de msica, en la mquina de lavar, en el reloj de pulsera, en el telfono celular. De hecho, en el mundo existen muchos ms transistores que personas. La fsica estudia la naturaleza y busca descubrir las leyes que la rigen, si unimos un poco estas dos definiciones podramos decir que lo que busca la fsica de semiconductores es explicar el comportamiento de los semiconductores, experimentando con ellos exponindolos a diversas temperaturas, en ambientes con diferentes caractersticas y as observar que cambios tienen estos al ser expuestos a diversas condiciones.

2. HISTORIA:
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo XX en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad

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auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. Las sustancias o productos que pueden adoptar la forma de silicio o germanio y con la ltima toting del sistema de circuito electrnico, puede ser ampliamente utilizado en las comunicaciones, la deteccin de la tecnologa y las computadoras. Introduccin de dispositivos semiconductores tuvo lugar en 1833. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. El transistor de silicio fue inventado en el ao 1954 por Michael Faraday. En esta introduccin se sustituye los tubos de vaco de edad, previamente utilizado en las computadoras. Microprocesador es un tipo de semiconductor y es ampliamente utilizado para realizar varias funciones. Comnmente disponibles semiconductores son el zinc, el germanio y silicio. Sin embargo, el silicio es hasta la fecha el semiconductor ms ampliamente implementado debido a su fcil disponibilidad. El uso de silicio puede ser visto en computadoras, automviles y redes. El germanio es tambin un tipo de semiconductor, pero debido a la intensidad trmica de baja que ha resultado ser menos til. Tambin es utilizado en dispositivos que requieren de alta velocidad. Los dispositivos de germanio son mayormente producidos por IBM. Los dispositivos semiconductores se pueden clasificar en dos terminales, la terminal tres, de cuatro terminales y terminales mltiples. Ejemplos de dos terminales se diodo Gunn, diodos lser, diodos emisores de luz, clula fotoelctrica, clula solar y el diodo tnel. Ejemplos de los tres terminales son transistor bipolar, transistor de Darlington, el transistor de efecto de campo, y el transistor Thristor Uni-unin. Dispositivos multiterminal se conocen comnmente. Estos incluyen memoria RAM, ROM, el microprocesador y los circuitos integrados.

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El ltimo es el dispositivo de semiconductores de potencia, que puede ser utilizado sobre todo para algunas aplicaciones de mayor velocidad y en donde los requisitos de voltaje seran muy altos. Pero no slo el Silicio y el Germanio son Semi-Conductores, tambin lo son: Cadmio, Boro, Aluminio, Galio, Indio, Fsforo, Arsnico, Antimonio, Azufre, Selenio, Telurio. La conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: * Elevacin de su temperatura * Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina * Incrementando la iluminacin. La conductividad elctrica de los cuerpos materiales () constituye la capacidad que tienen de conducir la corriente elctrica. La frmula matemtica para hallar la conductividad es la siguiente: Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad () se obtiene hallando primeramente el resultado de la recproca de la resistencia (o sea, 1/R) multiplicndolo a continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la longitud del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se puede observar tambin que la resistencia (R) es inversamente proporcional a (), por lo que, a menor resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante ser mayor. 3. DEFINICIN: Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Unos de los elementos ms usados como semiconductores son el silicio, el germanio y selenio, adems hay otros que no son elementos como los mencionados anteriormente si no que son compuestos como lo son el Arseniuro de Galio, el Telururo de Plomo y el Seleniuro de Zinc. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza
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introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todo conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio, utilizaremos la representacin simplificada donde se resalta la zona de nuestro inters. Si los electrones del ltimo nivel de energa de los tomos de un material se desprenden con facilidad se dice que el material es conductor, pero si los electrones no se desprenden fcilmente del ltimo nivel de energa, se dice que el material es aislante. En los metales por ejemplo se forma un bloque muy compacto entre los ncleos de los tomos mientras que los electrones se forman alrededor de este ncleo en forma de nube, por tal razn se dice que son electrones libres porque no estn ligados a sus tomos, y as pueden moverse libremente. La facilidad para moverse es la razn para que los metales sean buenos conductores de carga elctrica, ya que los electrones pueden desplazarse fcilmente por medio de ellos. Por otra parte en los materiales aislantes los electrones estn ms ligados a sus tomos correspondientes porque quedan formando los enlaces atmicos y por eso los electrones no se pueden mover con lo cual se impide que pase flujo de carga. Cuando un material presenta las caractersticas intermedias entre conductor y aislante se conoce como semiconductor. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. Elemento Cd Al, Ga, B, In Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S) Grupos 12 13 14 15 16
Electrones en la ltima capa

2 e3 e4 e5 e6 e4

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4. BANDAS DE ENERGA DE SEMICUNDUCTORES: Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no coinciden con los niveles de energa de los electrones para tomos aislados. En un gas, por ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos tomos con otros y los niveles de energa no se ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo elctrico producido por los electrones de los tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los tomos de sus alrededores. De este modo el cristal se transforma en un sistema electrnico que obedece al principio de exclusin de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo estado, transformndose los niveles discretos de energa en bandas de energa donde la separacin entre niveles energticos se hace muy pequea. La diferencia de energa mxima y mnima es variable dependiendo de la distancia entre tomos y de su configuracin electrnica. Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de enlace entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas prohibidas, formndose as bandas de valencia, bandas de conduccin y bandas prohibidas. As en un aislante la separacin entre la banda de valencia y la banda de conduccin es muy grande ( 10 eV), y esto significa que un electrn en la banda de valencia necesita mucha energa para ser liberado y convertirse en un electrn libre necesario para la conduccin. En un conductor las dos bandas estn solapadas, no necesitndose ninguna energa para alcanzar la conduccin. En un semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o lo que es lo mismo, es muy fcil que un electrn sea liberado y pueda contribuir a la conduccin. Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente desde una perspectiva ms cientfica.

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Supongamos una red cristalina formada por tomos de silicio. Cuando los tomos estn aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrn una cierta energa Es y Ep respectivamente (punto A). A medida que disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la interaccin mutua entre los tomos, hasta que ambos orbitales llegan a formar, por la distorsin creada, un sistema electrnico nico. En este momento tenemos 8 orbitales hbridos sp3 con cuatro electrones y cuatro vacantes (punto B). Si se contina disminuyendo la distancia interatmica hasta la configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los tomos, formndose bandas de energa (punto C). Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son: a) Banda de Valencia (BV). Es el conjunto de energa que poseen los electrones de valencia. b) Banda Prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energa en el cristal. c) Banda de Conduccin (BC). al conjunto de energa que poseen los electrones para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn en esta banda pueden circular por el material si existe una tensin elctrica que los empuje entre dos puntos (4 estados, sin electrones).

Conductividad elctrica del cristal Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones en la capa de conduccin, as podemos considerar tres situaciones.

Los metales, en los que ambas bandas de energa se superponen, son conductores.

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Los aislantes, en los que la diferencia existente entre las bandas de energa, del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones. Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1 eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la energa aportada para que sea menor el nmero de electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la temperatura.

5. TIPOS DE SEMICONDUCTORES:
5.1. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS:

Cuando se habla de semiconductores intrnsecos se hace referencia a que el elemento se comporta con las caractersticas propias con las que es encontrado en la naturaleza es decir se encuentra puro. Estos elementos tienen cuatro electrones de valencia por eso son llamados tetravalentes, y cuando forman enlaces covalentes con tomos vecinos, es decir que comparten sus electrones de valencia para formar octetos, los electrones se mantienen unidos y se impide su desplazamiento con lo que se reprime el paso de corriente elctrica. Los enlaces covalentes entre estos elementos no son muy fuertes y se pueden abrir con fcilmente con la ayuda de una pequea cantidad de energa que puede estar expresada en calor, luz o tensin, que hace que los electrones queden libres y as se pueda conducir carga elctrica. La conductividad en los semiconductores intrnsecos, es decir la facilidad con la que los electrones pueden pasar por ellos, es muy baja, por eso se utilizan mtodos que sirven para aumentar dicha conductividad, estos mtodos son los que originan los semiconductores extrnsecos. Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,72 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le
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denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

5.2. SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS: Cuando se habla de semiconductores extrnsecos se hace referencia a semiconductores intrnsecos que han sido modificados mediante un proceso llamado dopado, que consiste en introducirles o agregarles impurezas, es decir agregarle ciertas caractersticas de otros elementos, para que pueda haber conduccin elctrica. 5.2.1. SEMICONDUCTORES TIPO P: Es el que se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb).

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Al tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura cristalina el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose en un nivel energtico superior a los cuatro restantes. Si como antes, consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. Aun siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en una disminucin del nmero de huecos p, es decir: n > ni = pi > p, tal que: np = ni2 Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

5.2.2. SEMICONDUCTORES TIPO N: Es el que se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In).

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En este caso, las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas tambin se cumple en este caso: p > pi = ni > n, tal que: np = ni2 5.2.3. LA UNION PN(DIODO): Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada zona de transicin, que acta como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
Zona de transicin
+ + + + + + + + + + + + + + + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

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Para comprender la conduccin de corrientes en los semiconductores, debemos entender primero como funciona la unin P-N, es decir la unin de un semiconductor tipo P donde hay huecos libres y un semiconductor tipo N donde hay electrones libres. La unin P-N polarizada en directa Cuando aplicamos un potencial superior a la regin P que a la regin N la tensin externa se opondr a la barrera de potencial interna debida a la unin. Superada una determinada diferencia de potencial externo, la barrera de potencial habr desaparecido y los electrones de la zona N y los huecos de la zona P sern libres de desplazarse hacia las zonas opuestas, creando una corriente elctrica neta. En otras palabras, en polarizacin directa el diodo es conductor.

+ +

+ +

+ + + +

+ + + + +

La unin P-N polarizada inversamente Si la tensin aplicada externamente al diodo es del mismo signo que la barrera de potencial interna se dice que el diodo est polarizado inversamente. El terminal positivo de la pila atrae a los electrones del material N apartndolos de la unin, mientras que el negativo a trae a las cargas positivas del material P, apartndolos tambin de la unin. Se agrava, por tanto, en la unin, la ausencia de carga libre. En estas condiciones, el material se comporta como un buenaislante. Sin embargo, se forma una corriente inversa de saturacin o corriente de fuga (a travs de las parejas electrn-hueco creadas por excitacin trmica) pero que resulta de valor prcticamente despreciable (del orden de nA) y dependiente nicamente de la temperatura. En otras palabras, podemos considerar que el diodo es aislante cuando se polariza inversamente.

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+ +

+ +

+ + + +

+ + + + +

DIODO: La unin P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unin P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unin de los dos materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material tipo P repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el material tipo N, y as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas se neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unin hacia el material tipo P y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unin P-N. Entonces si se aplica el voltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo al tipo N la corriente fluye y es lo que nosotros llamamos polarizacin directa. Cuando invertimos este voltaje los huecos y electrones son atrados a cada terminal y se alejan de la unin, lo que hace que las partculas cargadas no puedan pasar la unin y de esta forma el flujo de corriente se anula, esto es lo que conocemos como polarizacin inversa. Esta propiedad de dejar pasar o bloquear la corriente en un semiconductor de unin P-N no solo se usa en los diodos sino tambin en los transistores.

DIODO ZENER: El diodo Zener es un tipo de diodo que funciona con polarizacin inversa, y cuando se polariza directamente se comporta similar a un diodo ordinario, trabajando como un rectificador comn. Cuando trabaja en polarizacin inversa el diodo zener mantiene constante un voltaje entre sus terminales y por esto son utilizados como reguladores de tensin.
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DIODO TNEL: El diodo tnel es otro tipo de diodo que trabaja con polarizacin directa aprovechando un efecto conocido como tnel. En el efecto tnel el comportamiento de la corriente que circula por el diodo esta en funcin de la tensin en sus terminales. Cuando se aplica un pequeo voltaje comienza a circular corriente en el diodo, si se sigue aumentando el voltaje la corriente sigue aumentando hasta cierto punto conocido como valle en el cual empieza a disminuir, cuando llega a un punto mnimo vuelve a incrementarse el paso de corriente en funcin del voltaje que se aplique al diodo.

DIODO EMISOR DE LUZ (LED) El LED es un tipo de diodo que se comporta como un diodo comn con la diferencia de que al ser atravesado por una corriente emite luz que varia de acuerdo a los elementos semiconductores utilizados en su fabricacin. Cuando circula corriente por la unin PN que compone el diodo los electrones y huecos se recombinan generando radiaciones con diferentes longitudes de onda debido a los materiales con los que esta construido, y de acuerdo a la longitud de onda varan los colores de la luz emitida por el diodo.

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6. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR: LEY DE ACCIN DE MASAS En un semiconductor tanto intrnseco como extrnseco, se cumple:

n: nmero de e- /volumen p: nmero de h+ /volumen ni: concentracin intrnseca A una Temperatura dada: el producto de las densidades de los dos tipos de portadores que mantiene constante. En un semiconductor extrnseco, el incremento de un tipo de portador tiende a reducir el otro. LEY DE CUASI-NEUTRALIDAD ELCTRICA (GENERAL) Indica que las cargas positivas deben ser igual que las negativas

NA: densidad de impurezas aceptadoras ND: densidad de impurezas donadoras LEYES DE ACCIN DE MASAS Y DE CUASI-NEUTRALIDAD ELCTRICA. CASOS PARTICULARES

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7. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICUNDUCTOR: El movimiento de electrones y huecos (partculas cargadas) da lugar a una corriente. Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos electrnicos Que a su vez controlan la corriente en la malla en la que estn situados. CORRIENTES EN LOS SEMICONDUCTORES Para hablar de la corriente en los semiconductores debemos tener varios conceptos claros y as entender mejor las cosas. Cuando hablamos de corriente elctrica nos estamos refiriendo al flujo de carga elctrica, es decir, los portadores de carga que se mueven libremente por un conductor producen una corriente y ese movimiento puede ser originado mediante una excitacin por medio de energa. Los mecanismos o formas de excitacin para producir el movimiento de estos portadores de carga se llaman fenmenos de transporte que pueden producir conduccin por arrastre o por difusin. La conduccin por arrastre se presenta cuando a un material semiconductor se le aplica una diferencia de potencial es decir un voltaje, o se somete a un campo elctrico. El campo elctrico hace que los portadores de carga es decir electrones y huecos, tomen una direccin y una velocidad, y de esta forma se produce una corriente de arrastre. La cantidad de cargas de esta corriente que se mueven por el conductor en un determinado tiempo depende de la fuerza con que acta el campo elctrico. Nota: Para entender esto de una manera sencilla ya sabemos por ejemplo que en un semiconductor los electrones se estn moviendo continuamente y de forma aleatoria debido a la influencia de la energa trmica, pero cuando se le aplica la influencia de un campo elctrico, cada electrn percibe una fuerza que hace que los electrones se
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muevan con sentido contrario al campo elctrico y los huecos si se muevan en el mismo sentido de este. La fuerza que ejerce el campo elctrico en los electrones y huecos hace que estos se muevan con una velocidad que se conoce como velocidad de arrastre. DIFUSIN EN UNIN PN Cuando no hay campos elctricos aplicados los portadores de carga se mueven aleatoriamente y se dispersan generando un flujo de corriente, llamada corriente de difusin que se da porque hay una diferencia en la concentracin de huecos y electrones originada en la unin P-N. Entonces de esta forma los huecos y los electrones se pasaran al otro material, es decir, los electrones del semiconductor tipo N al tipo P y los huecos del semiconductor tipo P al tipo N, con la intencin de combinarse. De esta manera quedan iones en la parte ms cercana a la unin de cada material quedando iones positivos en el material tipo N y iones negativos en el material tipo P. En la regin que van formando estos iones cerca de la unin de los semiconductores tipo N y tipo P se va generando un campo elctrico. La corriente de arrastre es originada por el movimiento aleatorio de portadores de carga los cuales estn influidos por un campo elctrico, y la corriente de difusin es la concentracin de portadores de carga en zonas menos concentradas, estas dependen del gradiente de concentracin. 8. APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELCTRICOS: Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de semiconductores en la industria electrnica ha aumentado de forma importante. As que veremos algunas de las ms importantes: Termistores: Termistores NTC.- (Coeficiente de temperatura negativo) Son componentes en los cuales disminuye su resistencia al aumentar la temperatura. +TEMPERATURA -RESISTENCIA - TEMPERATURA + RESISTENCIA Smbolo: Aspecto fsico:

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Termistores PTC.- (Coeficiente de temperatura positivo) Son componentes en los cuales aumenta su resistencia al aumentar la temperatura. +TEMPERATURA +RESISTENCIA - TEMPERATURA - RESISTENCIA Smbolo: Aspecto fsico:

Aplicaciones de los Termistores: Termostatos de estufas, aire acondicionado, etc. Detectores para alarmas contra incendios. Compensacin del valor hmico en circuitos al variar la temperatura

Foto resistores o LDR: Estos dispositivos electrnicos son capaces de variar su resistencia en funcin de la luz que incide sobre ellos. Estn compuestos por Sulfuro de Cadmio, compuesto qumico que posee la propiedad de aumentar la circulacin de electrones a medida que aumenta la luz. + LUZ -RESISTENCIA - LUZ + RESISTENCIA

Aplicaciones de la LDR.Como detector de presencia, cuando se interrumpe la luz que incide sobre el. Como interruptor crepuscular, encendiendo una lmpara cuando se hace de noche. Varistores: Son componentes cuya resistencia aumenta cuando disminuye el voltaje aplicado en sus extremos. - VOLTAJE + RESISTENCIA + VOLTAJE - RESISTENCIA Smbolo:

Aplicaciones de la VDR - Compensacin del valor hmico cuando vara la tensin en un circuito. - Estabilizadores de tensin. Diodo Rectificador: Estos diodos tienen su principal aplicacin en la conversin de corriente alterna AC, en corriente continua DC.
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Smbolo:

A significa nodo (+) y la K significa Ctodo (-). En la imagen de su aspecto fsico observamos una franja blanca, esta representa al ctodo Puente Rectificador: Los fabricantes han incluido dentro de una misma cpsula cuatro diodos rectificadores con montaje llamado "en puente". Smbolo:

Aplicaciones: - Se utilizan en fuentes de alimentacin conectados a la salida de un transformador para poder obtener en su salida, indicada por las patillas + y -, una corriente continua. Diodo de Seal: Este tipo de diodo se utiliza para la deteccin de pequeas seales, o seales dbiles, por lo que trabaja con pequeas corrientes. La tensin Umbral, o tensin a partir de la cual el diodo, polarizado directamente, comienza a conducir, suele ser inferior a la del diodo rectificador. O sea la V.Umbral es aproximadamente 0,3 voltios. Smbolo:

Aplicaciones: Se emplean, sobre todo el la deteccin de seales de Radio Frecuencia (RF). Se utilizan en etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales. Diodo PIN: Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan frecuencias muy altas como VHF, UHF y circuitos de microondas. Cuando se le aplica una polarizacin directa al diodo PIN, conduce corriente y se comporta como un interruptor cerrado. Si se le aplica una polarizacin inversa se comporta como un interruptor abierto, no dejando pasar la seal. Smbolo:
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Diodo Zener: El diodo zener sirve para regular o estabilizar el voltaje en un circuito. Esto quiere decir que tiene la propiedad de mantener en sus extremos una tensin constante gracias a que aumenta la corriente que circula por el. Smbolo:

Diodo Varactor: Este dispositivo se fabrica con la finalidad de obtener un condensador electrnico compuesto a base de semiconductores. Smbolo: Aplicaciones: La aplicacin mas importante es en los sintonizadores de canales, utilizados tanto en videos, como en los televisores actuales. Las bandas que se pueden sintonizar son: - BANDA I o VL .- Canales bajos de VHF DE 47 A 68 MHZ - BANDA III o VHF .- Canales altos de VHF DE 174 A 230 MHZ - BANDA V o UHF .- Canales altos UHF DE 470 A 854 MHZ

Fotodiodo: Es un dispositivo que tiene la propiedad de que estando polarizado directamente, conduce cuando recibe luz. Smbolo:

Aplicaciones: Se utiliza en televisores, videos, y equipos de msica como sensor de los mandos a distancia que utilizan diodos emisores de rayos infrarrojos. Diodo LED: Es un diodo que realiza la funcin contraria al fotodiodo. Cuando se le aplica tensin, polarizado directamente, emite luz. Se fabrica con un compuesto formado por Galio, Arsnico y Fsforo. Smbolo:
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Aplicaciones: Se emplean, en aparatos electrnicos como indicadores luminosos, por ejemplo: televisores, videos, mandos, etc.

9. CONCLUSIONES: Los Semiconductores poseen propiedades elctricas y pticas nicas que hacen de ellos componentes esenciales en dispositivos electrnicos y de comunicacin. Las corrientes en los semiconductores se generan por el movimiento de los portadores de carga, es decir de los de huecos (+) y los electrones (-). En los diodos aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente. En los diodos l aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de corriente elctrica

10. BIBLIOGRAFIA:
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htm http://www.uv.es/~candid/docencia/ed_tema-02.pdf http://queaprendemoshoy.com/introduccion-a-las-uniones-pn-ensemiconductores/#.UBgLC2HE8Xg http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/456727 http://colos.inf.um.es/carmfisica/FisicaCurricu/GO_AtomoSchrodinger.html http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor www.politecnicocartagena.com/img%20dto%20fisica/semiconductores.ppt

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