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Transistores BJT
Profesor: Oscar Marino D az Betancur Monitor: Mario Alejandro Berrio Perdomo Electr onica Anal ogica Jorge Eduardo Jaramillo - Cod 205526 Juan David Ropero - Cod 204037 Alvaro Aguirre Londo no - Cod 205050 Pamela Lopez - Cod 2050 UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

ResumenEn el presente informe se analizaran todos los conceptos y las medidas que han sido tomadas en la pr actica realizada, adem as presentaremos simulaciones y an alisis sobre estas llegando a un entendimiento completo sobre los dos tipos de conguraciones y polarizaci on de los transistores BJT.

I.

ACTIVIDAD

Para el circuito de la gura 1. 1. Realizar la simulaci on del circuito.

Figura 3. Corriente de colector

Figura 4. Tensi on de salida

Figura 1. Simulaci on Transistor

Ic =

Vc 2v = = 0,0006061A = 0,060mA Rc 3,3k = Ic 0,0006061A = = 68,1 Ib 0,0000089A Ic Ie = 0,060mA

Vc = Ic Rc Vc = (0,0006061) (3,3F ) = 2v Vce = Vc 0,7v = 2v 0,7v = 1,3v

Figura 2. Corriente de base

3. Comprobar las relaciones de las formulas b asicas del transistor. VCC IB RB VBE = 0 Despejando IB obtenemos IB = (VCC VBE ) /RB

2. Medir y calcular matem aticamente los valores para la corriente de base, colector y emisor, la tensi on colectoremisor y ; Analizar los resultados. Vb 5v Ib = = = 0,0000089A = 8,9A Rb 560k

VC + IC RC VCC = 0 VCE = VCC IC RC 5v 8,9A(560k) Vbe = 0 asumiendo una caida de 0v en la juntura base-emisor 5v 4,984 0 = 0 0,016 0 3v (0,0006061A)(3,3k) 5v = 0 3v + 2,00013 5v = 0 5,00013v 5v = 0 4. Completar la siguiente tabla, realizar una gr aca de Vce vs Ic y concluir acerca de los valores obtenidos.
V2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vce 4.78 V 82.9 mV 155 mV 1.88 V 1.99 V 2.98 V 3.95 V 4.91 V 5.90 V 6.89 V 7.83 V Ic -1.43 A 277.9 A 560 A 600.5 A 610 A 618 A 622 A 630 A 633 A 640 A 649 A P 4.1 w 27.55 w 91.05 w 610.02 w 1.20 mw 1.83 mw 2.43 mw 3.100 mw 3.73 mw 4.41 mw 5.100 mw Figura 6. Polarizaci on con resistencias peque nas

5. Obtener los limites de las diferentes regiones de funcionamiento del transistor y especicarlas en la gr aca de Ic vs Vce. Obtener los par ametros del transistor, r pi, re, gm.

Figura 7. Polarizaci on con resistencias de mediano valor

Figura 5. Regiones de funcionamiento

6. Variar las resistencias que componen el circuito y analizar lo que sucede con el transitor. Vemos que el transistor se polariza con estos valores de resistencias, pero se cae un poco la tensi on en la resistencia de colector, las corrientes son mayores en este caso. (transistor en operaci on) Para el caso de resistencias de mediano valor la tensi on de salida se reduce al valor de los milivoltios, es decir se cae dr asticamente la tensi on de colector, aunque logre

la polarizaci on del transistor, no es mucho lo que se de entrada en e stos casos. (transistor amplique una senal en corte) En el caso de resistencias muy grandes el transistor deja de operar ya que las corrientes de polarizaci on son muy sto impide que se polarice sus junturas(transistor bajitas y e en saturaci on) 7. Variar las fuentes de polarizaci on de base y de colector y analizar los cambios producidos en el transistor Con tensiones de bajo valor la corriente de base es demasido baja alrededor de los nano amperios y sucede que el transistor nunca se polariza, es decir est a en zona de no operaci on. no se alcanza Al variar las tensiones a un valor medio aun la zona de trabajo porque las corrientes son de valores de microamperios. Para las tensiones correctas se nota que las corrientes son de miliamperios, entonces el transistor esta en zona de operaci on. 8. Establecer el punto de trabajo del transitor en cada una de las regiones de funcionamiento dando valores adecuados a

Figura 10. Polarizaci on con tensiones de medio valor

Figura 8. Polarizaci on con resistencias de alto valor

Figura 11. Polarizaci on con tensiones de mayor valor

Figura 9. Polarizaci on con tensiones de bajo valor

los elementos del circuito y a las fuentes de polarizaci on para cada caso. Indicar en cada caso como se encuentra el punto de trabajo en la teor a y en la pr actica y analizar los resultados.

II.

CUESTIONARIO

Que es el efecto Early? El efecto Early es la variaci on en la anchura de la base en un transistor de uni on bipolar (BJT) debido a una variaci on en la tensi on de base-a-colector aplicada, nombre de su descubridor James M. temprana . Una mayor polarizaci on inversa a trav es de la uni on colector-base, por ejemplo, aumenta el colector-base ancho de agotamiento , la disminuci on de la anchura de la parte neutra de carga de la base. En la Figura 6 de la base neutra (activa) es de color verde, y las regiones de base est an agotados hash de color verde claro. El emisor neutro y regiones colectoras son de color azul oscuro y las regiones agotados hash azul claro. Bajo aumento de polarizaci on

inversa colector-base, el panel inferior de la Figura 6 muestra una ampliaci on de la regi on de agotamiento en la base y la reducci on asociada de la regi on de base neutra. La regi on de agotamiento colector tambi en aumenta bajo polarizaci on inversa, m as de que lo hace de la base, debido a que el colector es menos fuertemente dopado. El principio que rige estas dos anchuras es neutralidad de carga . El estrechamiento del colector no tiene un efecto signicativo como el colector es mucho m as larga que la base. La uni on emisor-base es sin cambios debido a la tensi on de emisor-base es el mismo. Figura 7. La tensi on temprana (VA ) como se ve en la trama de salidacaracter stica de un BJT . Base-estrechamiento tiene dos consecuencias que afectan a la actual: Hay menos posibilidades de recombinaci on dentro de la regi on de base m as pequeno. El gradiente de carga se incrementa a trav es de la base, y, en consecuencia, la corriente de portadores minoritarios inyecta a trav es de los aumentos de uni on de emisor. Ambos factores incrementan el colector o corriente de salidadel transistor con un aumento en la tensi on de colector. Este aumento de la corriente se muestra en la Figura 2. Tangentes a las caracter sticas de las grandes tensiones extrapolan hacia atr as

Figura 12. Corriente voltaje del transistor entrada

Figura 14. Efecto Early

Figura 13. Corriente voltaje del transistor salida

para interceptar el eje de tensi on en una tensi on de la tensi on de llamada temprana, a menudo denotado por el s mbolo VA .

III.

CONCLUSIONES

El fabricante proporciona dos tensiones m aximas (VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las tensiones m aximas de polarizaci on en continua los transistores. Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identicaci on de los terminales. Tambi en tendremos que conocer una serie de valores m aximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos soprepasar para no destruir el dispositivo. A bajas corrientes, la corriente de colector disminuye debido a que la fracci on de portadores inyectados por el emisor que se recombinan en la zona de carga espacial antes de llegar a la base (y, por tanto, al colector) no es despreciable. Con altos niveles de inyecci on, el efecto Kirk provoca la disminuci on de la corriente de colector.
Figura 15. Efecto Early Ic contr Vce