S.E.P.

D.G.E.S.T. S.N.E.S.T.

INSTITUTO TECNOLGICO De Tuxtepec

Tema: CUESTIONARIO PARA LA EVALUACION DE LA UNIDAD1

CARRERA: Ingeniera en Sistemas Computacionales

Asignatura: PRINCIPIOS ELECTRICOS Y APLICACIONES DIGITALES

PRESENTA: BOLAOS HERNANDEZ ANGEL DE JESUS PROFESORA: M.C.C. YOLANDA LETICIA TRUJILLO ANDRADE

ISC 2010/01

O 2013

1. Menciona 2 caractersticas de CA y de CD Frecuencia: Es el nmero de veces que se repite un ciclo en un segundo. Se mide en Hertzios [Hz] Perodo o Ciclo: Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo 2. Grafica CA y CD y describe su funcionamiento CORRIENTE ALTERNA

La corriente alterna tambin denominada CA es aquella donde los electrones del circuito se desplazan primero en una direccin y luego en sentido opuesto, con un movimiento en torno en posiciones relativamente fijas. CORRIENTE CONTINUA

La corriente directa denotada por CD o CC implica un flujo de energa que fluye siempre en una sola direccin

3. Define dispositivos pasivos R= Son aquellos dispositivos cuya nica funcin es disipar energa.. 4. Indica 3 dispositivos pasivos R= bobina,resistencia, condensador, resistor, rel. 5. Define dispositivos activos R= Son dispositivos capaces en algn momento de suministrar energa al circuito 6. Menciona 5 dispositivos activos R= diodo, tiristor, transistor, pila 7. Menciona como funciona una resistencia R= Su funcin es oponerse al paso de la corriente con el fin de regular el flujo de energia que esta en un circuito, se emplea para la polarizacin de carga, limitadores de tensin. 8. Defina material intrnseco R= Se le llama as al cristal del semiconductor que es qumicamente puro, y que adems no presenta defectos en su red cristalina

9. Defina material extrnseco R=cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin elctrica 10. A que se le denomina impureza R= se le denomina impureza al conjunto de tomos que se aaden de una forma controlada a un material semiconductor puro con el fin de modificar sus caractersticas electrnicas 11. Menciona algunos elementos que se utilizan como impurezas Aluminio, galio, boro, arsnico, antimonio, fosforo.

12. Como se construye un material tipo p Si agregas impurezas del grupo XIII , los cuales esta principalmente el Boro, el semiconductor se llama 'p', Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el material

13. Como se construye un material tipo N

Si agregas impurezas del grupo XV , entre los cuales esta el Fosforo, el semiconductor se llama 'n'.este material contiene un mayor nmero de electrones libres comparados con los huecos libres 14. Menciona 2 caractersticas del diodo led, zener y rectificador LED 1. La pata ms larga siempre va a ser el nodo 2. En el lado del ctodo, la base del led tiene un borde plano 3. Dentro del led, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque es ms pequea que el yunque, que indica el ctodo ZENER Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica del nodo al ctodo (polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico, pero si se le suministra corriente elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo solo dejara pasar una tensin constante. En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su caracterstica de regulador de tensin.

RECTIFICADOR 15. Describe el funcionamiento del diodo. Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad 16. Menciona una aplicacin del diodo rectificador, zener y led. RECTIFICADOR A) PROTECCIN DE POLARIDAD B) CONEXIN DE DOS CIRCUITOS INDEPENDIENTES C) RECTIFICADOR DE ONDA D) FIJADOR DE TENSIN (DESPLAZADOR DE NIVEL) ZENER Como elemento de proteccin : se coloca en paralelo en el circuito para proteger

Como circuito cortador: en fuentes AC Conexin antiparalelo : se usa para recortar en 2 niveles positivo y negativo

LED Decoracin. Linternas en general. Paneles informativos y publicitarios. Faros de coches. Semforos de trfico. Juguetes. Rayo lser (luz coherente de color rojo, verde o azul). Retroiluminacin de pantallas TFT de televisores. Pantallas gigantes de televisin (Jumbo). 17. Indica cmo se polariza en directa un diodo rectificador Al polarizar directamente el diodo se produce una corriente apreciable, del orden de amperios, debido a que los portadores mayoritarios atraviesan la zona de agotamiento en ambos sentidos (los huecos de la zona P van hacia la zona N y los electrones de la zona N van hacia la zona P). 18. Menciona como se polariza un diodo rectificador en inversa Al polarizar inversamente el diodo los portadores mayoritarios no tienen tendencia a atravesar la zona de agotamiento sino a alejarse de ella, lo cual provoca un ligero ensanchamiento de la zona de agotamiento. La unin es atravesada por los portadores minoritarios, que generan una pequea corriente llamada inversa o de saturacin dirigida de ctodo a nodo. Dicha corriente de saturacin es del orden de microamperios, y por tanto habitualmente despreciable a temperatura ambiente pero no a temperaturas ms elevadas. 19. Describe el funcionamiento del Transistor PNP R= Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector 20. Describe el funcionamiento del transistor NPN R= Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa 21. Menciona 2 diferencias entre el transistor PNP y NPN R= La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de sus electrodos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP

22. Menciona los tipos de transistor FET R= Transistor de unin bipolar, transistor de efecto de campo y fototransistor 23. Describe el funcionamiento del transistor FET de canal N

Al conectar a un potencial positivo el drenaje con respecto al potencial de la fuente (tomado como referencia) los electrones circularn por el semiconductor en tanto haya niveles de conduccin disponibles. La corriente elctrica se ver afectada slo por la resistencia (ohmica) que opondr el semiconductor a su paso. 24. Describe como se construye el transistor FET de canal N est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal, Las dos regiones P se interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate). 25. Describe el funcionamiento del transistor FET de canal P funciona como una fuente dependiente de corriente controlada por el voltaje compuertafuente. La impedancia de entrada de este dispositivo es lo suficientemente alta como para no incluirla en el modelo 26. Describe como se construye el transistor FET de canal P se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS, aadiendo una conexin metlica al emisor, que la resistencia no necesitaba para a su construccin, Este contacto conductor constituye el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de fuente y drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia. 27. Menciona los tipos de transistores MOSFET MOSFET de canal N o NMOS MOSFET de canal P o PMOS 28. Describe al menos 2 caractersticas de los transistores MOSFET Tiene 3 estados de funcionamiento, Estado de corte, estado de No conduccin y conduccin lineal. Puede ser de tipo n Nmos o de tipo p Pmos. 29. Describe como se construye el transistor MOSFET construccin bsica del MOSFET de tipo decremental consiste en Una placa de material tipo p que est formada a partir de una base de silicio y se le conoce como substrato, que es la base sobre la que se construye el dispositivo, muchos disposiivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS, dando por resultado un dispositivo de cuatro terminales. La compuerta se encuentra conectada tambin a una superficie de contacto metlico, pero permanece aislada del cana n por medio de una capa muy delgada de dixido de silicio (SiO2). El hecho de que la capa SiO2 es una capa aislante, revela el siguiente hecho: No existe conexin elctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET.

30. Describe el funcionamiento del DIAC para que un diac comience a funcionar, necesitar que se le apliquen entre sus bornes una tensin determinada, momento despus del cual empezar a trabajar. La tensin mnima necesaria se denomina tensin de disparo. Dicha tensin de disparo ser aproximadamente de 30 V, funciona como un controlador de disparo de tipo de componentes, como son los tiristores fundamentalmente, para el disparo de Triacs.

31. Describe como se construye el DIAC R= Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen. 32. Describe el funcionamiento del TRIAC R=funciona como un regulador de potencia media entregada a una carga, pero debido a sus caractersticas de conduccin bidireccional respecto al tiristor. En aquellas cargas que no requieran rectificacin de la corriente altera. Por ejemplo las lamparas o radiadores etc. 33. Describe como se construye el TRIAC R= La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. 34. Define OPAM Es un integrado compuesto con elementos discretos tales como transistores y resistencias, hecho para fines prcticos para amplificar, filtrar, comparar y convertir alguna seal de entrada. 35. Describe al menos 2 caractersticas del OPAM El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita 36. Menciona algunas configuraciones del OPAM Comparador, seguidor, no inversor, sumador inversor, restador inversor, integrador ideal, derivador ideal, conversor de corriente a voltaje, funcin exponencial y logartmica, convertidor digitalanalgico(R-2R). 37. Smbolo del diodo led, rectificador, zener, resistencia, transistor NPN, PNP, FET, MOSFET,DIAC Y TRIAC

Resistencia

Diodo Led

diodo Zener

Diodo Rectificador

Transistor NPN

Transistor PNP

FET

MOSFET

Diac

Triac