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Unit denseignement : Systmes 2 Elment constitutif : Architecture des ordinateurs

Chapitre2 : Les mmoires


Une mmoire est un circuit semi-conducteur permettant denregistrer, de conserver et de restituer des informations (instructions et variables). Cest cette capacit de mmorisation qui explique la pol valence des s st!mes numriques et leur adaptabilit de nombreuses situations. "es informations peuvent #tre crites ou lues. $l a criture lorsqu%on enregistre des informations en mmoire, lecture lorsqu%on rcup!re des informations prcdemment enregistres.

1. Organisation dune mmoire


Une mmoire peut #tre reprsente comme une armoire de rangement constitue de diffrents tiroirs. C&aque tiroir reprsente alors une case mmoire qui peut contenir un seul lment ' des donnes. "e nombre de cases mmoires pouvant #tre tr!s lev, il est alors ncessaire de pouvoir les identifier par un numro. Ce numro est appel adresse. C&aque donne devient alors accessible gr(ce son adresse

)vec une adresse de n bits il est possible de rfrencer au plus *n cases mmoire. C&aque case est remplie par un mot de donnes (sa longueur m est tou+ours une puissance de *). "e nombre de fils dadresses dun bo,tier mmoire dfinit donc le nombre de cases mmoire que comprend le bo,tier. "e nombre de fils de donnes dfinit la taille des donnes que lon peut sauvegarder dans c&aque case mmoire. -n plus du bus dadresses et du bus de donnes, un bo,tier mmoire comprend une entre de commande qui permet de dfinir le t pe daction que lon effectue avec la mmoire (lecture.criture) et une entre de slection qui permet de mettre les entres.sorties du bo,tier en &aute impdance. /n peut donc sc&matiser un circuit mmoire par la figure suivante o0 lon peut distinguer '

les entres dadresses les entres de donnes les sorties de donnes les entres de commandes ' - une entre de slection de lecture ou dcriture. ( - une entre de slection du circuit. ( S )

R/W)

Une opration de lecture ou dcriture de la mmoire suit tou+ours le m#me c cle '

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1. slection de ladresse *. c&oix de lopration effectuer ( 2.3 ) 4. slection de la mmoire ( C5 6 7 ) 8. lecture ou criture la donne

2. Caractristiques dune mmoire


- La capacit : cest le nombre total de bits que contient la mmoire. -lle sexprime aussi souvent en octet. -Le format des donnes (largeur de la mmoire): cest le nombre de bits que lon peut mmoriser par case mmoire. /n dit aussi que cest la largeur du mot mmorisable. -Le temps daccs : cest le temps qui s%coule entre l%instant o0 a t lance une opration de lecture.criture en mmoire et l%instant o0 la premi!re information est disponible sur le bus de donnes. - Le temps de cycle : il reprsente l%intervalle minimum qui doit sparer deux demandes successives de lecture ou d%criture. - Le dbit : cest le nombre maximum d%informations lues ou crites par seconde. -Volatilit : elle caractrise la permanence des informations dans la mmoire. "%information stoc9e est volatile si elle risque d%#tre altre par un dfaut d%alimentation lectrique et non volatile dans le cas contraire.

3. Diffrents types de mmoire


!" Les mmoires #i#es ($%&)
Une mmoire vive sert au stoc9age temporaire de donnes. -lle doit avoir un temps de c cle tr!s court pour ne pas ralentir le microprocesseur. "es mmoires vives sont en gnral volatiles ' elles perdent leurs informations en cas de coupure d%alimentation. Certaines d%entre elles, a ant une faible consommation, peuvent #tre rendues non volatiles par l%ad+onction d%une batterie. $l existe deux grandes familles de mmoires 2): (2andom )cces :emor ' mmoire acc!s alatoire) ' - "es 2): statiques - "es 2): d namiques

3.1.1 Les RAM statiques


"e bit mmoire d%une 2): statique (52):) est compos d%une bascule.

3.1.2 Les RAM dynamiques


;ans les 2): d namiques (;2):), l%information est mmorise sous la forme d%une c&arge lectrique stoc9e dans un condensateur (capacit grille substrat d%un transistor :/5). - %#antages : Cette tec&nique permet une plus grande densit d%intgration, car un point mmoire ncessite environ quatre fois moins de transistors que dans une mmoire statique. 5a consommation sen retrouve donc aussi tr!s rduite. 'ncon#nients : "a prsence de courants de fuite dans le condensateur contribue sa dc&arge. )insi, linformation est perdue si on ne la rgn!re pas priodiquement (c&arge du condensateur). "es 2): d namiques doivent donc #tre rafra,c&ies rguli!rement pour entretenir la mmorisation ' il s%agit de lire l%information et de la rec&arger. Ce rafra,c&issement indispensable a plusieurs consquences ' - il complique la gestion des mmoires d namiques car il faut tenir compte des actions de rafra,c&issement qui sont prioritaires.

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- la dure de ces actions augmente le temps d%acc!s aux informations. ;autre part, la lecture de linformation est destructive. -n effet, elle se fait par dc&arge de la capacit du point mmoire lorsque celle-ci est c&arge. ;onc toute lecture doit #tre suivie dune rcriture.

3.1.3 Conclusions
-n gnral les mmoires d namiques, qui offrent une plus grande densit d%information et un co<t par bit plus faible, sont utilises pour la mmoire centrale, alors que les mmoires statiques, plus rapides, sont utilises lorsque le facteur vitesse est critique, notamment pour des mmoires de petite taille comme les cac&es et les registres. Remarques : =oici un &istorique de quelques ;2): qui ont ou sont utilises dans les >C ' La ($%& )*& (?ast >age :ode, 1@AB) ' -lle permet d%accder plus rapidement des donnes en introduisant la notion de page mmoire. (44 C7 :&D) La ($%& +(, (-xtended ;ata /ut, 1@@C) ' "es composants de cette mmoire permettent de conserver plus longtemps l%information, on peut donc ainsi espacer les c cles de rafra,c&issement. -lle apporte aussi la possibilit danticiper sur le proc&ain c cle mmoire. (44 C7 :&D) La ($%& -+(, (Eursted -;/) ' /n n%adresse plus c&aque unit de mmoire individuellement lorsqu%il faut lire ou crire des donnes. /n se contente de transmettre l%adresse de dpart du processus de lecture.criture et la longueur du bloc de donnes ( Eurst ). Ce procd permet de gagner beaucoup de temps, notamment avec les grands paquets de donnes tels qu%on en manipule avec les applications modernes. (FF :&D) La .ynchronous ($%& (5;2):, 1@@B) ' "a mmoire 5;2): a pour particularit de se s nc&roniser sur une &orloge. "es mmoires ?>:, -;/ taient des mmoires as nc&rones et elles induisaient des temps d%attentes lors de la s nc&ronisation. -lle se compose en interne de deux bancs de mmoire et des donnes peuvent #tre lues alternativement sur l%un puis sur l%autre de ces bancs gr(ce un procd d%entrelacement spcial. "e protocole d%attente devient donc tout fait inutile. Cela lui permet de supporter des frquences plus leves quavant (177 :&D). La (($-' ou (($-.($%& (;ouble ;ata 2ate 5 nc&ronous ;2):, *777) ' "a ;;2-5;2): permet de recevoir ou d%envo er des donnes lors du front montant et du front descendant de l&orloge.(144 *77 :GD)

!2 Les mmoires mortes ($,&)


>our certaines applications, il est ncessaire de pouvoir conserver des informations de faHon permanente m#me lorsque l%alimentation lectrique est interrompue. /n utilise alors des mmoires mortes ou mmoires lecture seule (2/: ' 2ead /nl :emor ). Ces mmoires sont non volatiles. Ces mmoires, contrairement aux 2):, ne peuvent #tre que lue. "inscription en mmoire des donnes reste possible mais est appele programmation. 5uivant le t pe de 2/:, la mt&ode de programmation c&angera. $l existe donc plusieurs t pes de 2/: ' - 2/: - >2/: - ->2/: - -->2/: - ?")5G ->2/:. -

3.2.1 LA ROM
-lle est programme par le fabricant et son contenu ne peut plus #tre ni modifi, ni effac par l%utilisateur. -.tructure : Cette mmoire est compose d%une matrice dont la programmation seffectue en reliant les lignes aux colonnes par des diodes. "%adresse permet de slectionner une ligne de la matrice et les donnes sont alors reHues sur les colonnes (le nombre de colonnes fixant la taille des mots mmoire). -*rogrammation : "%utilisateur doit fournir au constructeur un masque indiquant les emplacements des diode dans matrice. -%#antages :

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;ensit leve Ion volatile :moire rapide - 'ncon#nients : Jcriture impossible :odification impossible (toute erreur est fatale). ;lai de fabrication (K4 F semaines) /bligation de grandes quantits en raison du co<t lev qu%entra,ne la production du masque et le processus de fabrication.

3.2.2 La PROM
Cest une 2/: qui peut #tre programme une seule fois par l%utilisateur (>rogrammable 2/:). "a programmation est ralise partir dun programmateur spcifique. -.tructure : "es liaisons diodes de la 2/: sont remplaces par des fusibles pouvant #tre dtruits ou des +onctions pouvant #tre court-circuites. - *rogrammation : "es >2/: fusible sont livres avec toutes les lignes connectes aux colonnes (7 en c&aque point mmoire). "e processus de programmation consiste donc programmer les emplacements des L1 en gnrant des impulsions de courants par lintermdiaire du programmateur M les fusibles situs aux points mmoires slectionns se retrouvant donc dtruits. "e principe est identique dans les >2/: +onctions sauf que les lignes et les colonnes sont dconnectes (1 en c&aque point mmoire). "e processus de programmation consiste donc programmer les emplacements des L7 en gnrant des impulsions de courants par lintermdiaire du programmateur M les +onctions situes aux points mmoires slectionns se retrouvant court-circuites par effet davalanc&e. - %#antages : idem 2/: Claquage en quelques minutes Co<t relativement faible - 'ncon#nients : :odification impossible (toute erreur est fatale).

3.2.3 LEPROM ou UV-EPROM


>our faciliter la mise au point d%un programme ou tout simplement permettre une erreur de programmation, il est intressant de pouvoir reprogrammer une >2/:. "a tec&nique de claquage utilise dans celles-ci ne le permet videmment pas. "%->2/: (-rasable >rogrammable 2/:) est une >2/: qui peut #tre efface. - .tructure ;ans une ->2/:, le point mmoire est ralis partir dun transistor ?):/5 (?loating gate )valanc&e in+ection :etal /x de 5ilicium). Ce transistor :/5 a t introduit par $ntel en 1@B1 et a la particularit de possder une grille flottante. - *rogrammation "a programmation consiste piger des c&arges dans la grille flottante. >our cela, il faut tout dabord appliquer une tr!s forte tension entre Nrille et 5ource. 5i lon applique ensuite une tension entre ; et 5, la canal devient conducteur. :ais comme la tension Nrille-5ource est tr!s importante, les lectrons sont dvis du canal vers la grille flottante et capturs par celle-ci. Cette c&arge se maintient une diDaine d%annes en condition normale. "exposition dune vingtaine de minutes un ra onnement ultraviolet permet dannuler la c&arge stoc9e dans la grille flottante. Cet effacement est reproductible plus dun millier de fois. "es bo,tiers des ->2/: se caractrisent donc par la prsence dune petite fen#tre transparente en quartD qui assure le passage des U=. )fin dviter toute perte accidentelle de linformation, il faut obturer la fen#tre deffacement lors de lutilisation. -%#antages : 2eprogrammable et non =olatile - 'ncon#nients :

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$mpossible de slectionner une seule cellule effacer $mpossible deffacer la mmoire in-situ. lcriture est beaucoup plus lente que sur une 2):. (environ 1777x)

3.2. LEEPROM
"-->2/: (-lecticall ->2/:) est une mmoire programmable et effaHable lectriquement. -lle rpond ainsi linconvnient principal de l->2/: et peut #tre programme in situ. - .tructure ;ans une -->2/:, le point mmoire est ralis partir dun transistor 5):/5 reprenant le m#me principe que le ?):/5 sauf que lpaisseur entre les deux grilles est beaucoup plus faible. - *rogrammation Une forte tension lectrique applique entre grille et source conduit la programmation de la mmoire. Une forte tension inverse provoquera la libration des lectrons et donc leffacement de la mmoire. -%#antages : Comportement d%une 2): non =olatile. >rogrammation et effacement mot par mot possible. - 'ncon#nients : Or!s lente pour une utilisation en 2):. Co<t de ralisation.

3.2.! La "LA#$ EPROM


"a mmoire ?las& s%apparente la tec&nologie de l-->2/:. -lle est programmable et effaHable lectriquement comme les -->2/:. - .tructure $l existe deux tec&nologie diffrentes qui se diffrencient par lorganisation de leurs rseaux mmoire ' larc&itecture I/2 et I)I;. "arc&itecture I/2 propose un assemblage des cellules lmentaires de mmorisation en parall!le avec les lignes de slection comme dans une -->2/: classique. "arc&itecture I)I; propose un assemblage en srie de ces m#mes cellules avec les lignes de slection. ;un point de vue pratique, la diffrence ma+eure entre I/2 et I)I; tient leurs interfaces. )lors quune I/2 dispose de bus dadresses et de donnes ddis, la I)I; est dote dune interface d-.5 indirecte. . >ar contre, la structure I)I; autorise une implantation plus dense gr(ce une taille de cellule approximativement 87 P plus petite que la structure I/2. - *rogrammation 5i I/2 et I)I; exploitent toutes deux le m#me principe de stoc9age de c&arges dans la grille flottante dun transistor, lorganisation de leur rseau mmoire noffre pas la m#me souplesse dutilisation. "es ?las& I/2 autorisent un adressage alatoire qui permet de la programmer octet par octet alors que la ?las& I)I; autorise un acc!s squentiel aux donnes et permettra seulement une programmation par secteur comme sur un disque dur. - %#antages ?las& I/2 ' Comportement d%une 2): non =olatile. >rogrammation et effacement mot par mot possible. Oemps dacc!s faible. ?las& I)I; ' Comportement d%une 2): non =olatile. ?orte densit dintgration co<t rduit. 2apidit de lcriture.lecture par paquet Consommation rduite. - 'ncon#nients ?las& I/2 ' "enteur de lcriture.lecture par paquet. co<t. ?las& I)I; '

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-criture.lecture par octet impossible. $nterface -.5 indirecte "a ?las& ->2/: a connu un essor tr!s important ces derni!res annes avec le boom de la tlp&onie portable et des appareils multimdia (>;), appareil p&oto numrique, lecteur :>4, etc...).

4. Critres de c oi! dune mmoire


"es principaux crit!res retenir sont ' - Capacit - =itesse - Consommation - Co<t

". #otion de irarc ie mmoire


Une mmoire idale serait une mmoire de grande capacit, capable de stoc9er un maximum dinformations et possdant un temps dacc!s tr!s faible afin de pouvoir travailler rapidement sur ces informations. :ais il se trouve que les mmoires de grande capacit sont souvent tr!s lente et que les mmoires rapides sont tr!s c&!res. -t pourtant, la vitesse dacc!s la mmoire conditionne dans une large mesure les performances dun s st!me. -n effet, cest l que se trouve le goulot dtranglement entre un microprocesseur capable de traiter des informations tr!s rapidement et une mmoire beaucoup plus lente (ex ' processeur actuel 4N&D et mmoire 877:GD). /r, on na +amais besoin de toutes les informations au m#me moment. )fin dobtenir le meilleur compromis co<t-performance, on dfinie donc une &irarc&ie mmoire. /n utilise des mmoires de faible capacit mais tr!s rapide pour stoc9er les informations dont le microprocesseur se sert le plus et on utilise des mmoires de capacit importante mais beaucoup plus lente pour stoc9er les informations dont le microprocesseur se sert le moins. )insi, plus on sloigne du microprocesseur et plus la capacit et le temps dacc!s des mmoires vont augmenter.

Les registres sont les lments de mmoire les plus rapides. $ls sont situs au niveau du processeur et servent au stoc9age des oprandes et des rsultats intermdiaires. La mmoire cache est une mmoire rapide de faible capacit destine acclrer lacc!s la mmoire centrale en stoc9ant les donnes les plus utilises. La mmoire principale est lorgane principal de rangement des informations. -lle contient les programmes (instructions et donnes) et est plus lente que les deux mmoires prcdentes. La mmoire dappui sert de mmoire intermdiaire entre la mmoire centrale et les mmoires de masse. -lle +oue le m#me rQle que la mmoire cac&e.

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La mmoire de masse est une mmoire prip&rique de grande capacit utilise pour le stoc9age permanent ou la sauvegarde des informations. -lle utilise pour cela des supports magntiques (disque dur, R$>) ou optiques (C;2/:, ;=;2/:).

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