ELECTRNICA

ANALGICA

Problemas







Sara Lpez Ferre
Dpto Electrnica, Automtica e Informtica Industrial
Escuela Universitaria de Ingeniera Tcnica Industrial
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

1
Problema 1-1.

La fuente de corriente pnp representada en la figura 1-1 utiliza transistores con
F
=150 y
V
EB
=O,7 V a 25 C. Con I
C1
=1 mA y V
CC
=15 V.

a) Determinar R.

b) Determinar en tanto por ciento el cambio en I
C1
para un cambio de temperatura de 50C
si V
EB
varia 2,2 mV/C mantenindose todos los dems parmetros.












Solucin

a) Prescindiendo del efecto Early y de las componentes de corriente debidas a la polariza-
cin inversa de las uniones de colector, las corrientes salientes de colector considerando
los transistores pnp idnticos, pueden expresarse:

I e
C
V
EB
V
T
1
1
= I
F ES

/


I = I
F ES C
V
EB
V
T
e
2
2

/


La ley de Kirchhoff para el lazo que contiene ambas
unidades emisor-base de la figura 5-2 requiere que:

V
EB1
=V
EB2
=V
EB


y en consecuencia

I
C1
=I
C2
=I
C


como
F1
=
F2
=
F
por ser los transistores identicos I
B1
=I
B2
=I
B


Aplicando Kirchhoff, se tiene:

I
C
+2 I
B
- I
R
=0 y - V
CC
+V
EB
+I
R
. R =0


+V
CC







I
C1


R


Fig 1-1

+V
CC




+

+

V
EB2
V
EB1

Q
2

-

-
Q
1


I
C2
2I
B
I
C1


R I
R



Fig 1-2

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

2
despejando I
R
e igualando ambas ecuaciones

I
C
+ 2 I =
V - V
R
B
CC EB


con los transistores en zona activa I
C
=
F
I
B
, sustituyendo y despejando I
C


I
C
=
+ 2

V - V
R
F
F
CC EB

despejando R y dando valores

R =
+ 2

V - V
=
150
150 + 2

15 - 0,7
= 14,1 K
F
F
CC EB

I
C
1



b) El valor de V
EB
para un cambio en la temperatura de 50 C

V
EB
(25C +T) =( 0,7 - 2,2 10
-3
T)

V
EB
(25C +50C) =( 0,7 - 2,2 10
-3
. 50) =0,59 V.

El cambio en I
C1
para un cambio de temperatura de 50C si V
EB
varia 2,2 mV/C man-
tenindose todos los dems parmetros



I
C
'
'
- I
I
. 100 =
+ 1

V - V
R
-
+ 1

V - V
R
+ 1

V - V
R
. 100
C
C
F
F
CC
EB F
F
CC EB
F
F
CC EB

I
C
'
'
- I
I
. 100 =
V - V
V - V
. 100
C
C
EB
EB
CC EB





I
I
. 100 =
- V
V - V
. 100 =
0,7 - 0,59
0,7
. 100 = 0,77 %
C
C
EB
CC EB
15



Como V
CC
>>V
BE
, el cambio efectuado en I
C1
motivado por un cambio en V
EB
debido a la
variacin de temperatura en 50C, es insignificante.
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

3
Problema 1-2.

El amplificador de la figura 1-3 tiene las siguientes caractersticas:

C
1
=C
2
=22 A C
2
=47 A K =1 mA/V
2

W/L = V
T
=3 V. r
d
=20 K

Si se considera el NMOS ideal. Calcular:

a) El punto de trabajo del transistor

b) La transconductancia.

c) La ganancia de tensin.

d) La impedancia de entrada y de salida


Solucin

a) En el estudio en continua los condensadores actan como circuitos abiertos (figura 1-4).
La red de polarizacin de la base indicada en esta ltima figura se puede sustituir por su
equivalente de Thvenin como en la figura 1-5

La tensin y la resistencia de Thvenin, sern:


V =
V . R
R +R
R =
R . R
R +R
GG
DD
2
1
2
G
1
2
1
2



V =
15 . 150
150 + 150
= 7,5 V. R =
150 . 150
150 +150
= 75 K GG G

V
DD
=15 V.

R
1
R
D

150 K 3,9 K
R
g
=600 C
1
C
2


+

R
3
=1,2M
v
g
R
2
R
S
R
L
v
0

150 K 1 K C
3
10 K
-



R
i






R
0

Fig 1-3

Sara Lpez Ferre
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4

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo puerta-fuente del circuito, considerando I
G
0

- V
GG
+I
D
R
S
+V
GS
=0

despejando I
D
y dando valores

I
D
=
7,5 - V
1
GS


Situando el MOS en zona de saturacin, por utilizarse como amplificador

I
D
( ) ( ) = K
W
L
V - V = 1 .
1
2
V - 3
GS T GS
2 2


Igualando ambas ecuaciones, ordenando y despejando V
GS
:

( )
7,5 - V
1
= 1 .
1
2
V - 3
GS
GS
2


05 , V - 2 V - 3 = 0
V = - 1,16 V valor no valido
V = 5,16 V.
GS GS
GS
GS

Dando valores a I
D


I
D
( ) = 1 .
1
2
5,16 - 3 = 2,33 mA
2


Aplicando la ley de Kichhoff al lazo drenador-fuente y dando valores a V
DS


- V
DD
+I
D
(R
D
+R
S
) +V
DS
=0

V
DS
=V
DD
- I
D
(R
D
+R
S
) =15 - 2,33 ( 3,9 +1 ) =3,58 V.
V
DD
=15 V. V
DD
=15 V.


I
D
R
D

R
1
R
D
3,9 K
150 K 3,9 K
+

R
3
=1,2M V
DS

R
G

+

-

R
3
=1,2M 75 K IG 0 V
GS

R
2
R
S

-
R
S

150 K 1 K V
GG
I
D
1 K
7,5 V


Fig 1-4 Fig 1-5

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

5
b) La transconductancia

g
m
=2 2 K .
W
L
. I = 1 .
1
2
. 2,33 = 2 mA / V
D


c) Para hacer al anlisis de la amplificacin se utiliza el modelo equivalente de baja
frecuencia y pequea seal del MOS, el circuito se representa en la figura 1-6. Se
considera la tensin de polarizacin V
DD
como un cortocircuito y a la frecuencia de la
seal las reactancias de los condensadores son suficientemente bajas, pudindose
considerar a stos como cortocircuitos
La ganancia de tensin

V =
V
V
=
V
V
.
V
V
o
g
o
i
i
g


Al ser una etapa en fuente comn


( )
( )
V
Vi
o
=
- g R / / R
1 +
R / / R
r
=
- 2 ( 3,9 / /10)
1 +
( 3,9 / /10)
20
= - 4,9
m D L
D L
d



V
V
i
g
=
1275
0,6 + 1275
1

La ganancia de tensin

V =
V
V
= - 4,9
o
g


d) La resistencia de entrada:

R
i
=R
3
+R
G
=1275 K

La resistencia de salida

R
o
=R
D
// r
d
=3,9 // 20 =3,26 K
r
d
=20 K D

R
g
=600 + I
d
+
G
+ R
3
+R
G
V
gs
R
D
R
L
V
o

V
g
V
i
1275 k _

3,9 K 10 K
_ S _

R
i
R
o


Fig 1-6

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

6
Problema 1-3.

El circuito de la figura 1-7 corresponde a un amplificador multietapa.. Suponiendo que a la
frecuencia de la red v
i
no existen efectos capacitivos, calcular:

a) Los puntos de polarizacin de ambos transistores

b) Los parmetros g
m
y r

de ambos transistores.

c) El circuito equivalente de pequea seal.

d) La ganancia en tensin A
v
=V
o
/V
i
.

e) La resistencia de entrada R
i
y la resistencia de salida R
o
.

Datos: V
T
=25 mV; V
BE
=0,7V;
o1
= 100;
o2
=200; r
b
=0; r
o


Solucin

a) En el estudio en continua los condensadores actan como circuitos abiertos.
La red de polarizacin del transistor 1 se representa en la figura 1-8

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-base de Q
1


- V
CC
+I
B1
R
B
+V
BE
=0

Para el punto de trabajo Q, despejando I
B1
y dando valores

I
B1
=
V -V CC BE
B R
=
10 - 0,7
910
=10 A





V
CC
=10 V.
R
B
R
C1
R
1
R
E2

910 K 4,7 K 1 K 1 K

C
2

C
1
Q
2
C
3

Q
1
+

R
g
600 R
2
R
C2
R
L

4 K 3 K 6 K v
0

v
i

_

R
i
R
0

Fig 1-7

V
CC
=10 V.

I
B1
I
C1

R
B
R
C1

910K 4,7 K
+

+
V
CE1

V
BE1

-


-



Fig 1-8

Sara Lpez Ferre
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7
Trabajando el BJ T en activa y considerando I
CO
0

I
C1
=
F1
. I
B1
= 100 . 10 10
-3
=1 mA

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-colector:
V
CE1
=V
CC
- I
C1
R
C1
=10 - 1 . 4,7 =5,3 V.

El circuito de la red de polarizacin del transistor 2 indicada en la figura 1-9 se sustituye
por su equivalente de Thvenin como en la figura 1-10


Dando valores a la resistencia y a la tensin de Thvenin

R
TH
=1//4 =0,8 K V
TH
=
10 . 4
V.
1 4
8
+
=

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-base de Q
2


- V
TH
+I
B2
R
eq
- V
EB2
- R
E2
I
E2
+10 =0

despejando I
B2
y dando valores

I
B2
=
-10 +8,7
0,8 +(200 +1) .1
= - 6,4 10
-3
mA

Trabajando el BJ T en activa y considerando I
CO
0

I
C2
=
F2
I
B2
=200 . (- 0,0926) =- 1,3 mA

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-colector:

-V
CC
+I
E2
R
E2
+V
EC2
- I
C2
R
C2
=0


V
CC
=10 V. V
CC
=10 V.


R
1
R
E2
I
E2
R
E2

1 K 1 K 1 K

+

I
B2
V
EB2

+

Q
2

-
V
EC2

R
TH
=0,8 K
-

R
2
R
C2
R
C2

4 K 3 K V
TH
=0,8 V I
C2
3 K



Fig 1-9 Fig 1-10


Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

8
Puesto que I
E
=- (I
B
+I
C
)

-V
CC
- (I
B2
+I
C2
) R
E2
+V
EC2
- I
C2
R
C2
=0

Despejando V
EC2
y aplicando los valores numricos

V
EC2
=V
CC
+(I
B2
+I
C2
) R
E2
+I
C2
R
C2


V
EC2
=10 +(- 6,4 10
-3
- 1,3 ) . 1 +(- 1,3 ) . 3 =4,8 v.

b) La transconductancia g
m
y la resistencia r

de los transistores

g
m1
=
I
25
C1
=
102 ,
25
0,04 s. r
1
=
01
2510
g
100
0,04
m1
= = , .
3


g
m2
=
I
25
C2
=
1,3
25
=0,052 s. r
2
=
02
200
0052
gm2
=
,
=3.846 3,85 K

c) El circuito equivalente de pequea seal, se representa en la figura 1-11

d) Utilizando las ecuaciones aproximadas de una etapa amp. en emisor comn:

AV
1
=
V
V
1
i
=
- R
R +r
g 1

o C .
=
-100 . 4,7
0,6 +2,5
=-151,6

R

01
=R
C
=4,7 K

La fuente de seal V
1
y la resistencia R

01
forman el equivalente de Thvenin de la primera
etapa, como se muestra en la figura 1-12
B
1
C
1
B
2
C
2

+ +
R
g
600 r
2
g
m
V
2

R
B
r
1
g
m
V
1
R
C1
R
TH
E
2
R
C2
R
L

910K 4,7K V
1
0,8K 3K 6K V
0

V
i
R
E2
=1K
E
1
- -

R
i
R
01
R
0

Fig 1-11

R
01
=4,7 K B
2
C
2

+
r
2
g
m
V
2


V
1
R
1
//R
2
E
2
R
C2
R
L
V
0

-151,6V
i
0,8 K 3 K 6 K
R
E2
=1 K
_

Fig 1-12 R
0


Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

9

Aplicando el teorema de Thvenin a la base de la segunda etapa del amplificador, fig 1-13:



R
TH
=
08
08
,
,
. 4,7
+ 4,7
=0,68 K

V
TH
=-151,6 . V
i

08
47 08
,
, , +
=- 22 V
i


Utilizando las ecuaciones aproximadas de una etapa amp. en emisor comn con R
E
:

R
C
=
3 6
3 6
.
+
=2 K


AV
2
=
V0
TH
V
=

+ +

R +r R
TH

0
0
1
.
( )
'
R
C
E



AV
2
=
- 200 . 2
0,68 + 3,85 + 201
= -1,946

La ganancia en tensin del multietapa, ser

AV =
V
V
0
i
= (-1,946) . (- 22,4) =42


e) La resistencia de entrada total, ser:

R
i
= R
B
// r
1
=
910 . 2,47
910 2,47 +
2,4 K

La resistencia de salida total, ser:

R
0
=R
C2
=3 K


B
2
C
2

+
R
TH
r
2
g
m
r
2

0,68 K E
2

R
C2
R
L
V
0

V
TH
R
E2
3 K 6 K
- 22 V
i
1 K
-
R
0

Fig 1-13

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

10
Problema 1-4.

El amplificador de la figura 1-14 emplea un J FET y dos BJ Ts.

El J FET Q
1
cuyos parmetros son I
DSS
=5,5 mA y V
P
=- 4V. , est polarizado con
V
GSQ
=- 1 V. ; V
DSQ
=5 V. y =0,04.

Los BJ Ts Q
2
y Q
3
tienen:
0
=100, r
b
=0 y r
0
. Q
2
est polarizado con
I
CQ2
=2,5 mA y Q
3
con I
CQ3
=5 mA.

V
T
=0,025 V.

R
B
=R
B1
// R
B2
=10 K y R
G
=R
G1
// R
G2
=0,5 M



a) Para el J FET Q
1
hallar la transconductancia, la resistencia de salida y el factor de am-
plificacin.

b) Para los BJ Ts Q
2
y Q
3
, calcular los parmetros para el circuito equivalente de peque-
a seal y baja frecuencia.

c) Dibujar el circuito equivalente de pequea seal y baja frecuencia del amplificador mul-
tietapa, suponiendo que a la frecuencia de la red v
i
no existen efectos capacitivos

d) Calcular en alterna los valores de salida para cada una de las etapas,

e) Determinar la ganancia total A
v
.

f) Calcular la resistencia de entrada R
i
y de salida R
0
del amplificador.

+V

R
G1
R
D
=5K R
B1
R
C2
=2 K
Q
3

C
B2
C
B3

C
B1
Q
2

Q
1

R
g

50 R
S
R
E2
R
E3
+
R
G2
1K C
S
R
B2
1K C
E2
5K v
0

v
i
_


R
i
R
0

Fig 1-14
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

11
Solucin

a) La transconductancia

g
m
= - 2
I
V
1 -
V
V
=- 2
5,5
- 4
1 -
-1
-4
= 2 mS
DSS
P
GSQ
P

La corriente en el punto de polarizacin

I
DSQ
= I 1 -
V
V
5,5 1 -
-1
-4
= 3 mA
DSS
GSQ
P
2
2

La resistencia de salida

r
d
=
1 + V
I
=
1 + 0,04 .5
. 3
=10 K
DSQ
DQ

004 ,


El factor de amplificacin

= g . r
m d
=2 . 10 =20


b) La transconductancia g
m
y la resistencia r

de los transistores bipolares

g
m2
=
I
0,025
CQ2
=
25 ,
0,025
=100 ms. r
2
=
02
100
100
gm2
= =1 K

g
m3
=
I
0,025
CQ3
=
5
0,025
=200 ms. r
3
=
03
100
200
gm3
= =0,5 K


c) Para hacer al anlisis de la amplificacin se utilizan los modelos equivalentes de baja
frecuencia y pequea seal del J FET y de los BJ Ts , el circuito se representa en la figura
1-15. Se considera la tensin de polarizacin +V y las reactancias de los condensadores
como cortocircuitos




r
d
D B
2
C
2
=B
3
r
3
E
3

R
g
=50
G + +V
3
- I
0
+
V
i
V
gs
R
D
R
B
V
2
r
2
R
C2
R
E3
V
0
R
G
5K - g
m2
V
2
2K g
m3
V
3
_

S E
2
C
3

Fig 1-15
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

12
d) Transistor J FET . Utilizando las ecuaciones de una etapa amplificadora en fuente co-
mn C.S, la ganancia de tensin y la resistencia de salida, sern.




V
V
o
i
1
=
- g R
1 +
R
r
=
- 2 . 5
1 +
5
10
= - 6,66
m D
D
d


V
01
=- 6,66 V
i



R
o1
=R
D
// r
d
=5 // 10 =3,33 K




La fuente de seal V
01
y la resistencia R

01
de la figura 1-16, se aplican a la entrada del
transistor Q
2
para alterna. Aplicando el teorema de Thvenin a la base de esta segunda
etapa del amplificador, esta figura se transforma como se muestra en la 1-17:


R
TH
=
R . R
R + R
=
. 10
+ 10
01
'
B
01
'
B
333
333
,
,
= 2,5 K



V
TH
=
V . R
R + R
01 B
01
'
B
=- 6,66 . V
i

10
333 , 10 +
=- 5 V
i



Utilizando las ecuaciones aproximadas de una etapa amp. en emisor comn C.E. : la ga-
nancia de tensin y la resistencia de salida de esta etapa ,sern



R
D

5K


R
g
=50 Q
1


+
V
i
R
G

0,5M V
01

_

R
01

Fig 1-16



R
C2
=2K R
C2
=2K

R
01
=3,33K R
TH
=2,5K
Q
2
Q
2
+

V
01
R
B
V
TH
V
02

10K _


R
02

Fig 1-17

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

13
R
02
=R
C2
=2 K

AV
2
=

02
TH
V
V
=

R +r
=
- 100 . 2
2,5 + 1
= - 57
TH

0 2
2
.R
C


V
02
=- 57 V
TH
=(-57) . (-5) V
i
=285,7 V
i



La fuente de seal V
02
y la resistencia R

02
forman el equivalente de Thvenin de la segun-
da etapa, como se muestra en la figura 1-18. Utilizando las ecuaciones de una etapa amp.
en colector comn CC: la ganancia de tensin y la resistencia de salida de esta etapa sern


AV
3
=
V
03
V
02
=
R
R +r R
02
'
( )
( )

0 3
3 0 3
1
1
+
+ +
E
E



AV
3
=
V
03
V
02
=
( )
( )
100
2
+ 1 . 5
+ 0,5 + 100 + 1 5
=0,995


V
03
=0,995 . V
02
=0,995 . 285,7 V
i
=284,2 V
i



R
03
5
'
= R / /
R + r
1 +
=
5 .
2 + 0,5
1 + 100
+
2 + 0,5
1 + 100
= 25
E3
02
'
3
0

e) La ganancia total

AV =
V
V
i
03
=284,2


f) Las resistencias de entrada y de salida, por ser una configuracin en cascada, son sim-
plemente las resistencia de entrada de la primera etapa y la de salida de la ltima.

R
i
=R
G
=0,5 M

R
0
=R
03
=25



R
02
=2K
Q
3


+
V
02
R
E3
V
03

5K _

R
03

Fig 1-18

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

14
Problema 1-5.

El circuito de la figura 1-19 est basado en un par Darlington en el que ambos transistores
Q
1
y Q
2
tienen I
CO1
=I
CO2
=0, r
b
=0 y r
0
.

V
CC
=24 V.

R
C
=560

R
E
=100

V
CE2
=6,84 V.

V
BE1
=V
BE2
=0,67 V


F1
=
01
=39


F2
=
02
=25

V
T
=25 mV

a) Calcular los valores de las in-
tensidades de corriente de continua para los transistores
b) Calcular R
B

c) Valores de g
m
y r

de ambos transistores a temperatura ambiente.

d) Representar el circuito equivalente de pequea seal y baja frecuencia, suponiendo que
los condensadores forman un cortocircuito,
e) Ganancia corriente total.
f) Ganancia de tensin.

Solucin

a) En el estudio en continua los condensadores
actan como circuitos abiertos y el generador de
tensin alterna v
i
se cortocircuita. El circuito de
la red de polarizacin se indica en la figura 1-20

Relacionando corrientes:

I
B2
=- I
E1
=I
B1
+I
C1


Por estar los transistores en activa:

I
B2
=I
B1
( 1 +
F1
)

I
B2
=I
C2
/
F2
e I
C2
=I
B1
( 1 +
F1
)
F2


C
C



R
B
R
C

V
CC



C
B

Q
1


Q
2


v
i
+
R
B
v
0


_



Fig 1-19
R
B
R
C
=560
V
CC

I
C1
I
C1
+I
C2

I
B1

+

+
V
CE1
I
C2

V
BE1

-

+


-

+
V
CE2

I
B2
V
BE2

-

-
R
E
=100
I
B2
+I
C2



Fig 1-20
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

15

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo colector-emisor de Q
2


-V
CC
+R
C
(I
C1
+I
C2
+I
B1
) +V
CE2
+R
E
( I
B2
+I
C2
) =0

Sustituyendo las corrientes I
C1
e I
B2


-V
CC
+R
C
[ I
B1
( 1 +
F1
) +I
C2
] +V
CE2
+R
E
[ I
B1
( 1 +
F1
) +I
C2
] =0

Sustituyendo I
C2


-V
CC
+R
C
I
B1
[(1 +
F1
) +(1 +
F1
)
F2
] +V
CE2
+R
E
I
B1
[(1 +
F1
) +(1 +
F1
)
F2
] =0

Dando valores y despejando I
B1


- 24 +0,56 I
B1
[(1+39) +(1+39) 25 ] +6,84 +0,1 I
B1
[(1+39) +(1+39) 25 ] =0

I
B1
=0,025 mA

Dando valores a las otras corrientes

I
C1
=39 . 0,025 =0,975 mA

I
C2
=0,025 ( 1 +39 ) 25 =25 mA

I
B2
=25 / 25 =1 mA

b) Aplicando la ley de Kirchhoff a los lazos base-emisor de Q
1
y de Q
2


-V
CC
+R
C
(I
C1
+I
C2
+I
B1
) +I
B1
R
B
+V
BE1
+V
BE2
+R
E
( I
B2
+I
C2
) = 0

Sustituyendo las corrientes I
C1
e I
B2


-V
CC
+R
C
[I
B1
(1 +
F1
) +I
C2
] +I
B1
R
B
+V
BE1
+V
BE2
+R
E
[I
B1
(1 +
F1
) +I
C2
] = 0

Sustituyendo I
C2


-V
CC
+R
C
I
B1
[(1+
F1
)+(1+
F1
)
F2
]+I
B1
R
B
+V
BE1
+V
BE2
+R
E
I
B1
[(1+
F1
)+(1+
F1
)
F2
]=0

Dando valores y despejando R
B


- 24+0,56x0,025[(1+39)+(1+39)25]+R
B
x0,025+2 .0,67+0,1 x0,025[(1+39)+(1+39)25] =0

R
B
=220 K

c) La transconductancia g
m
y la resistencia r

de los transistores bipolares

g
m1
=
25
IC1
=
25
975 , 0
=0,039 s. r
1
= 1000
0,039
39
gm1
01
= =

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

16

g
m2
=
25
IC2
=
25
25
=1 s. r
2
=
1
25
gm2
02
=

=25

d) El circuito equivalente de pequea seal, se representa en la figura 1-21

e) La ganancia de corriente total, se puede descomponer en:


i
b1
b1
0
i
0
T
I
I
.
I
I
=
I
I
= AI

Igualando corrientes

I
0
=I
e2
=- I
b2
- I
c2
=- I
b2
(1 +
02
)

I
b2
=- I
e1
=I
b1
+I
c1
=I
b1
(1 +
01
)


I
I
b1
0
=- (1 +
01
) (1 +
02
) =- ( 1 +39 ) . ( 1 +25 ) =-1040

Aplicando la ley de Kirchhoff al nudo de entrada

I
i
=I
b1
+I
RB



B
e2 E b2 2 b1 1
B
RB
RB
R
I R - I r + I r
=
R
V
= I





B
b1 02 01 E b1 01 2 b1 1
RB
R
I ) + 1 ( ) + 1 ( R + I ) + 1 ( r + I r
= I

B
02 01 E 01 2 1
b1 i
R
) + 1 ( ) + 1 ( R + ) + 1 ( r + r
+ 1 I = I





Despejando
I
i
I
b1
I
e1
I
b2
I
e2

B
1
E
1
=B
2
E
2

r
1
r
2
+
+V
1
- +V
2
- I
0

I
RB
R
B
R
E
V
0

V
i
220 K g
m1
V
1
g
m2
V
2
100


_

C
1
C
2


Fig 1-21

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

17


) + 1 ( ) + 1 ( R + ) + 1 ( r + r + R
R
=
I
I
02 01 E 01 2 1 B
B
i
b1




La ganancia de corriente total


i
b1
b1
0
T
I
I
.
I
I
= AI


) + 1 ( ) + 1 ( R + ) + 1 ( r + r + R
R ) + 1 ( ) + 1 (
- = AI
02 01 E 01 2 1 B
B 02 01
T





dando valores

701,8 - =
) 25 + 1 ( ) 39 + 1 ( 0,1 + ) 39 + 1 ( 0,025 + 1 + 220
220 ) 25 + 1 ( ) 39 + 1 (
- = AI
T



f) La ganancia de tensin


V
V
= AV
i
0


La tensin de salida

V
0
=- R
E
I
e2
= R
E
(1 +
01
) (1 +
02
) I
b1


La tensin de entrada

V
i
=
b1 02 01 E b1 01 2 b1 1
I ) + 1 ( ) + 1 ( R + I ) + 1 ( r + I r





b1 02 01 E b1 01 2 b1 1
b1 02 01 E
I ) + 1 ( ) + 1 ( R + I ) + 1 ( r + I r
I ) + 1 ( ) + 1 ( R
= AV





Dando valores

0,98 =
) 25 + 1 ( ) 39 + 1 ( 0,1 + ) 39 + 1 ( 0,025 + 1
) 25 + 1 ( ) 39 + 1 ( 0,1
= AV

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

18
Problema 1-6.

El circuito de la figura 1-22, es un amplificador cascodo utilizado como desplazador de
nivel de contnua. Est construido con dos transistores bipolares de las mismas caracters-
ticas:









g
m1
=g
m2
=0,4 s.

r
1
=r
2
=500

V
T
=25 mv.

V
BE
=0,7 v.





a) Calcular el punto de polarizacin de los dos transistores.

b) Representar el circuito equivalente de pequea seal a frecuencias bajas, suponiendo
que a la frecuencia de la red no existen efectos capacitivos.

c) Calcular la ganancia de tensin: AV =V
o
/ V
i


d) Calcular la resistencia de entrada R
i
y la resistencia de salida R
0
del circuito


Solucin

El incremento de la ganancia de corriente directa en cortocircuito y emisor comn.
0
,
para los dos transistores


0
=g
m
. r

=0,4 . 500 =200

Considerando


0
=
F
=200

V
CC
=30 V.

R
3
R
L

30,5K 200

C
B2
v
0

Q
2


R
2
R
C

15K 330

C
B1

Q
1

R
g

200
R
1
R
E

v
i
10K 470 C
E



R
i
R
0


Fig 1-22
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

19

La figura 1-23, representa el circuito para contnua, en el cual el generador de tensin al-
terna v
i
se cortocircuita y los condensadores actan como circuitos abiertos.

Siendo I
C1
>> I
B1
e I
C2
>> I
B2


I
E2
=- I
C1
I
C1
= I
C2


Suponiendo I
2
>> I
B1
e I
2
>> I
B2


la tensin de Thvenin en la base de Q
1


V
B1
=
2 1
1 B2
R + R
R V


Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor de Q
1

y despejando I
C1


-V
B1
- I
E
R
E
+V
BE
=0

I
C1
-I
E1
=
V -V
R
B1 BE
E


Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor de Q
2

colector-emisor de Q
1
y despejando V
CE1


- V
B2 +
V
BE
+(R
C
+R
E
) I
C1
+V
CE1
=0

V
CE1
=V
B2 -
V
BE
- (R
C
+R
E
) I
C1


Calculando la tensin de Thvenin en la base de Q
2


V
B2
=
2 1 3
2 1 CC
R + R + R
) R + (R V


Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo base-emisor y emisor-colector de Q
2
y despejando
V
CE2


- V
B2
+V
BE
- V
CE2
- I
C1
R
L
+V
CC
=0

V
CE2
=- V
B2
+V
BE
- I
C1
R
L
+V
CC


Dando valores , el punto de polarizacin de cada transistor ser:

V
B2
=
15 + 10 + 30,5
) 15 + 10 ( 30
=13,5 V.

V
B1
=
15 + 10
10 . 13,5
=5,4 V.
V
CC
=30 V.

R
3
R
L

30,5K I
C2
200


+

V
B2
V
CE2


+
V
BE

-

R
2

-
R
C

15K 330
I
2
I
C1


+

V
B1
V
CE1


+

-

V
BE

R
1

-
R
E

10K 470




Fig 1-23

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

20
I
C1
= I
C2
=
0,47
0,7 - 5,4
=10 mA

V
CE1
=13,5- 0,7 - (0,33 +0,47 ) 10 = 4,8 V.

V
CE2
=30- 10 . 0,2 - 13,5 +0,7 =15,2 V.

b) La figura 1-24 representa el circuito equivalente para pequea seal y baja frecuencia:


I
i
I
c1
I
e2
g
m
V
2
B
1
C
1
E
2
C
2

R
g
R
C
=330 +
200 I
R
I
b1
I
b2
I
0

+ -
R
1
//R
2
V
1
r
1
g
m
V
1
V
2
r
2
R
L
V
0

V
i
6K
-

+
200
_

E
1
B
2

R
i
R
0

Fig 1-24


c) Ganancia en tensin AV = V
0
/ V
I


La tensin de salida

V
0
=- I
0
R
L


I
0
= g
m
V
2


V
2
= r
2
I
b2


sustituyendo

V
0
=- g
m
V
2
R
L
=- g
m.
r
2
. I
b2
. R
L
=-
0
I
b2
R
L


relacionando las corrientes I
b2
con I
b1

I
c1
=-I
e2
=I
b2
+g
m
V
2
=I
b2
(1 +
0
)

I
c1
=g
m
V
1
=
0
I
b1


La tensin de salida V
0
en funcin de I
b1


V
0
=
0
b1
L
2
0 - =
0
C1
L 0
+ 1
I
R
+ 1
I
R

La tensin de entrada se descompone
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

21

V + I R = V
1 b g i
i V
b1
= V
1
= I
b1
r
1

I = I + I i R b1


R // R
I r
=
R // R
V
= I
2
b1

1
2

1
R
1 1



b1
2
2
1
b1 R i I
R // R
R // R r
= I + I = I
1
1

+


La tensin de entrada V
i
en funcin de I
b1



b1 1 g
2
2 1
1 i

g i
I r + R
R // R
R // R r
= V + I R = V
1
1

Sustituyendo la tensin de entrada y de salida en la ganancia de tensin


1 g
2 1
2 1
0
0
L 0
i
0
r + R
//R R
//R R r
+ 1
R
=
V
V
= AV

Como 1 >> y r >> 6K =
15 + 10
15 . 10
= //R R
0 1

2 1

se puede simplificar


1 g
L . 0
i
0
r + R
R
=
V
V
= AV

Dando valores
57,14 - =
0,5 + 0,2
0,2 . 200
= AV



d) La resistencia de entrada:

R
i
=R
1
// R
2
// r
1
r
1

R
i
=500

La resistencia de salida :

R
0
=R
L
R
0
=200
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

22
Problema 1-7.

Para la conexin en paralelo de transistores de la figura 1-25, suponiendo que estos sean
idnticos, calcular:

1) El modelo equivalente de pequea seal.

2) La ganancia de tensin AV=v
0
/ v
i
.

3) La impedancia de entrada v
i
/ i
i
.

4) La impedancia de salida
.




Solucin.

1.) Modelo equivalente de pequea seal se representa en la figura 1-26.


2.) Por ser los transistores idnticos

i
b1
=i
b2
i
o
=2( 1+
0
) i
b!


v
0
=R
L
i
0
=R
L
2( 1+
0
) i
b1


v
i
=[r

+R ( 1+
0
) +R
L
2( 1+
0
)] i
b1





V
CC





i
i

v
i
Q
1
Q
2


R R


+
i
0
R
L
v
0

-

Fig 1-25
i
i




i
b1
r

g
m
v

i
b2
r

g
m
v




v
i
(1+) i
b1
R (1+) i
b2
R


+
i
0
R
L
v
0

_

Fig 1-26

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

23
La ganancia de tensin




) + (1 2 R + ) + (1 R + r
) + (1 2 R
=
v
v
= V
0 L 0
0 L
i
0

3.) i
i
=i
b1
+i
b2
=2 i
b1



La impedancia de entrada:

2
) + (1 2 R + ) + (1 R + r
=
i
v
= Z
0 L 0
i
i
i

4.) La impedancia de salida Z
0
es la resistencia vista desde la carga. Por definicin, Z
0
se
halla haciendo la tensin de fuente v
i
igual a cero y R
L
hacia infinito, aplicando una fuente
v
0
a los terminales de salida y midiendo la corriente i
0
producida (figura 1-27).














i
0
=- 2 (1+
0
) i
b1



v
0
=-[r

+R ( 1+
0
)] i
b1



) + (1 R 2
) + (1 R + r
=
i
v
= Z
0
0
0
0
0

i
b1
r i
b2
r


R (1+
0
)i
b1
R (1+
0
)i
b2



0
i
b1
i
0

0
i
b2


v
0




Fig 1-27
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

24
16 v

I
C
100
I
E1

0,7
+
V
C2

V
B1
I
C2

I
B1
I
C1
I
B2

1,5M
+

0,7v _

Fig 1-29

Problema 1-8.

Calcular para el circuito Darlington de la figura 1-28 con:

V
BE
=0,7 V ,
1

=160 ,
2
=200 y V
T
=25 mV

1) los valores de polarizacin: V
B1
, V
C2
e I
C
.

2) la tensin de salida total v
O
a frecuencias bajas.












Solucin.

1) El circuito de continua se representa figura 1-29.
I
C
=I
E1
+I
C2


I
B2
=- I
C1


Por estar los transistores en zona activa:

I
C2
=
F2
I
B2
=-
F2
I
C1


I
C1
=
F1
I
B1
I
C2
= -
F1

F2
I
B1


16 V

I
C
100
C
2

C
1
v
0

Q
1


v
i
=120 sen t mV 1,5M Q
2


Fig 1-28
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

25
V
i
b
1
I
b1
c
1
=b
2
r
2
I
b2
e
2


r
1

01
I
b1

02
I
b2

e
1

+ c
2

I
e1
100 V
o

-
Fig 1-30
Como
F
>>1 I
E1
- I
C1


I
C
= -I
C1
+I
C2
=-
F1
I
B1
-
F1

F2
I
B1
=- (
F1
+
F1

F2
) I
B1


I
C
= - ( 160+160 . 200) I
B1
=-32160 I
B1


Apliocando la ley de Kirchhoff al lazo emisor-base de Q
1
.

16 =100 10
-3
I
C
+0,7 1,5 10
3
I
B1


Sustituyendo I
C


16 =- 100 10
-3
. 32160 I
B1
+0,7 1,5 10
3
I
B1


Despejando I
B1


mA 10 3,2 -
4716
16 - 0,7
I
3 -
1 B
= =

V
B1
=-1,5 10
3
I
B1
=1,5 10
3
. 3,2 10
-3
=4,8 V

I
C
=32160 . 3,2 10
-3
=103 mA

V
C2
=16 0,1 I
C
=16 0,1 . 103 =5,7 V

I
C1
=
F1
I
B1
=160 (-3,2 10
-3
) =- 0,5 mA

La transconductancia g
m
y la resistencia r

del transistor bipolar 1.

g
m1
=
25
IC1
=
25
5 , 0
=0,02 s. r
1
= 8000
0,02
160
gm1
01
= =

2) El circuito para alterna se representa en la figura 1-30.




1,5 M








Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

26

I
e1
= - I
b1
-
01
I
b1
+
02
I
b2

I
e1
= - I
b1
-
01
I
b1
-
02

01
I
b1

I
b2
=-
01
I
b1


I
e1
= - I
b1
( 1+
01
+
01

02
) - I
b1

01

02


La tensin de salida de pico para seal

V
0
=- 0,1 I
e
=0,1 I
b1

01

02


V
0
=0,1 . 160 . 200 . I
b1
=3200 I
b1


La tensin de entrada de pico para seal

V
i
=r
1
I
b1
0,1 I
e1
=r
1
I
b1
+0,1 I
b1

01

02


V
i
=(8 +0,1 . 160 . 200) I
b1
=3208 I
b1

La ganancia de tensin

1
3208
3200

V
V
= AV
i
0
=

V
0
=V
i
=120 mv

La tensin de salida para alterna:

v
o
=120 sen t (mv)

La tensin de salida total

v
0
=V
0
+v
o
=V
C2
+v
o
=5,7 +120 10
-3
sen t (v)

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

27
Problema 1-9.

En el circuito de la figura 1-31 se consideran los amplificadores operacionales ideales y el
condensador inicialmente descargado. Para una seal de entrada cuadrada de frecuencia
50 Hz, como la representada en la figura 5-32. Si R
1
=200 K y C =100 nF:



Fig. 1-31



1. Calcular la ganancia v
02
/v
i
.

2. Dibujar con detalle la seal de salida
v
02
=f(t) para dos ciclos completos.


Solucin.

1.) La impedancia del condensador es:


C j
1
Z
C

=

La ganancia de tensin de la primera etapa:


C R j
1
-
R
Z
-
v
v
V
1 1
C
i
01
1

= = =

La ganancia de tensin de la segunda etapa:

1 -
v
v
V
01
02
2
= =

La ganancia de tensin total:


C R j
1

v
v
V
1 i
02

= =

j
0,16

10 100 . 10 200 . 50 . . 2 . j
1

v
v
V
9 - 3
i
02
=

= =
v
i
(v)

20
t
-20

Fig. 1-32
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

28
2.) La primera etapa es un integrador, figura 1-33.










Las corrientes por las patillas de entrada al AO son nulas y v
+
=v
-
=0.

i
1
=- i
C



1
1
1
R
v
i =



= = = = dt v
C R
1
- dt i
C
1
- dt i
C
1
v v
i
1
1 C C 01


La segunda etapa es un inversor, figura 1-34.

v
+
=v
-
=0.

R
v
-
R
v
i
02 01
2
= =

1 -
v
v
01
02
=

= dt v
C R
1
v
i
1
02


Para f =50 Hz s 0,2
50
1

f
1
t = = =

Si 0 t 0,1 s como
10 100 . 10 200
t 20
t
C R
v
v
9 - 3
1
1
02
= =

t =0 v
02
=0

t =0,1 s v 10
10 100 . 10 200
0,1 . 20
v
9 - 3
02
= =

i
C



v
i
v
+
v
01

i
1
v
-

Fig 1-33
i
2

v
01
v
02

i
2

Fig 1-34
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

29
Si 0,1 t 0,2 s como 0,1) - (t
C R
v
0,1) (t v v
1
1
02 02
+ = =

t =0,1 s v
02
=10 v

t =0,2 s 0
10 100 . 10 200
0,1) - (0,2 (-20)
10 v
9 - 3
02
= + =


Si 0,2 t 0,3 s como 0,2) - (t
C R
v
0,2) (t v v
1
1
02 02
+ = =

t =0,2 s v
02
=0

t =0,3 s v 10
10 100 . 10 200
0,2) - (0,3 . 20
0 v
9 - 3
02
= + =


Representacin de la seal de entrada y de salida en funcin de t.






















v
i


20
0,1 0,2 0,3 0,4 t

-20


v
0

10v
t
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

30
Problema 1-10.

El circuito de la figura 1-35, muestra un amplificador diferencial de elevada impedancia
de entrada. Calcular V
0
, suponiendo los A.O. ideales
Solucin

Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-35, obtenemos la figura 1-36










Considerando a los Amp-Op ideales

v
i
=0 V
1
=V
1
y V
2
=V
2

y las corrientes de entrada por los terminales de Amp-Op son cero, por tanto

I =
V
R
; V = (R +R ) I = (R +R )
V
R
1
1
2
01 2 1
1
2 1
1
2


I =
V - V
R
=
V - V
R
2
0 2

2
2 01

1


Sustituyendo en la tensin de entrada

V = I R + V = (V - V )
R
R
+ V
0 2 2 2 2 01
2
1
2


[ ]
R
R + R
) V - (V = V +
R
R
R
V
) R + (R - V = V
1
1 2
1 2 2
1
2
2
1
1 2 2 0



R
2
R
1
R
1
R
2





V
1

v
i


1


V
2

v
i

2
V
0


Fig 1-35

R
2
V
1
R
1
V
0 1
R
1
V
2
R
2


I
1
I
2



V
1

v
i


1


V
2

v
i

2
V
0


Fig 1-36
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

31
Problema 1-11.

En el circuito de la figura 1-37 se considera a los Amplificadores Operacionales ideales.
Para V
1
=2 V. y V
2
=2,5 V. Calcular:

a) La tensin de salida del primer Amp-Op, V
01
.
b) La corriente I
D
que pasa por la carga.

V
1

R
1
=1 K R
2
=10 K


1
V
01
2

I
D
Carga
R
3
=1 K R
4
=10 K
V
2



R =2,5 K


Fig 1-37

Solucin

Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-37, obtenemos la figura 1-38.

Considerando a los Amp-Op ideales

v
i
=0 V
1
+
=V
1

y V
2
+
= V
2

a) El equivalente de Thvenin de la entrada V
1
+


V
1
+
=
R
R + R
V =
10
1 + 10
2,5 = 2,273 V.
4
3 4
2


I
1

V
-
1

V
1

R
1
=1 K R
2
=10 K

V
+
2

vi 1
V
01
v
i
2

I
D
Carga
R
3
=1 K R
4
=10 K
V
2

V
+
1
V
-
2


I
R
R =2,5 K


Fig 1-38
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

32
I
R
1
1
1
=
V - V
=
2 - 2,273
= - 0,273 mA
1 1
-


Dando valores, la tensin de salida V
01.


V
01
=V
1

- R
2
I
1
=2,273 - 10 . (-0,273) =5 V.

b) Como las corrientes de entrada por los terminales del Amp-Op ideal son cero y

V
2

=V
01
I
D
= I =
V
R

R
01


dando valores la corriente que pasa por la carga

I
D
=
5
2,5
= 2 mA

Problema 1-12.

Dado el amplificador de instrumentacin mostrado en la figura 1-39, encontrar la tensin
de salida si la entrada superior V
1
=0,15v. y la entrada inferior V
2
=0,1v. Se considera a
los amplificadores operacionales ideales.

R
1
=R
2
=R
3
=R
4
=10 K

R
5
=R
6
=20 K R
A
=2 K





V
1


1

R
3


R
1
R
5




R
A


3
V
0




R
2


R
4
R
6

V
2
2



Fig 1-39


Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

33
Solucin

Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-39, obtenemos la figura 1-40.

Considerando a los Amp-Op ideales v
i
=0

V
1
=V
1
+
=V
1

=0,15 V. ; V
2
=V
2
+
= V
2

=0,1 V. y V
3
+
= V
3

Como las corrientes de entrada por los terminales del Amp-Op ideal son cero, la corriente
que circula por las resistencias R
1
, R
2
y R
A


I =
V - V
R
=
0,15 - 0,1
2
= 0,025 mA
1 2
A


Las tensines de salida del Amp-Op 1, V
01
, y del Amp-Op 2, V
02
, sern

V
01
=V
1
+R
1
. I =0,15 +10 . 0,025 = 0,4 V.

V
02
=V
2
- R
2
. I =0,1 - 10 . 0,025 = - 0,15 V

Aplicando el equivalente de Thvenin en la entrada + del Amp-Op 3,

V =
V R
R +R
=
- 0,15 . 20
10 +20
= - 0,1 V
3
+ 02 6
4 6
Como: V
3
+
= V
3

=- 0,1 V.

La corriente que circula por las resistencias R
3
y R
5


I =
V - V
-
R
=
0,4 - (-0,1)
10
= 0,05 mA
5
01 3
3


La tensin en la salida del Amp-Op 3

V
0
= V
3

- I
5
R
5
=- 0,1 - 0,05 . 20 =- 1,1 V.
I
5
V
1
V
+
1
V
01

vi
1

R
3
I
5


V
-
1
R
1
V
-
3
R
5



I
v

R
A
I
i


3
V
0

I

V
+
3

V
-
2
R
2


R
4
R
6

V
2
vi 2
V
+
2
V
02

I
6


Fig 1-40

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

34
Problema 1-13.

El circuito de la figura 1-41 utiliza amplificadores operacionales ideales y un diodo zener
tambin ideal con V
Z
=6V. Calcular para V
i
=5 V y V
i
=10 V.

a) La tensin de salida del primer operacional, V
01
.

b) La corriente en la carga, I
L
.


Solucin.

a) * Si V
i
=5 V el diodo zener estar en OFF y se comportar como un circuito abierto,
la primera etapa amplificadora ser un inversor, como se puede ver en la figura 1-42

Como en la entrada del Amp-Op existe una
tierra virtual tendremos

I =
V
20
= -
V
20
i 01



V
01
=V
i
=- 5 V.







* Si V
i
=10 V. el diodo zener estar en zona zener, la primera etapa amplificadora se
corresponder con la de la figura 1-43






V
01

V
02





I
L
Z
L





Fig 1-41

I


V
01

v
i
=0
I
Fig 1-42
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

35


I =I
1
+I
2



V
i
20 40
=
- V
20
+
- 6 - V
01 01


V
01
=- 8,66 V.



b) Para el Amp-Op 2, por ser ideal v
i
=0

V
2
+
= V
2

I
1
=I
2



I
1
20 40
=
V - V
=
V - V
01 2
-
2
-
02


V
02
=V
2

- 40 I
1

V
02
=V
2

-
2 (V
01
- V
2

) =3 V
2

- 2 V
01


I
2
40 40 40
=
V - V
=
V - 3 V +2 V
=
- 2V + 2 V
2
+
02 2
+
2
-
01 2
+
01


I
2
20
=
- V - V
= - I - I
2
+
01
3 L



- V + V
= -
V
-
V
V = -
V
10
2
+
01 2
+
2
+
2
+ 01
20 20 2


I
L
=
V
Z
= -
V
10 Z
2
+
L
01
L


* Si V
i
=5 V V
01
=- 5 V. e I
L
=
- 5
10 . 2
= 0,25 mA

* Si V
i
=10 V V
01
=- 8,66 V. e I
L
=
- 8,66
10 . 2
= 0,433 mA

I
2



I
1

V
01

vi =0
I



Fig 1-43


I
1

V
01
V
-
2
V
02

vi =0
I
1

V
+
2



I
3
Z
L
I
2

I
L




Fig 1-44
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

36
Problema 1-14.

El circuito de la figura 1-45 representa un puente detector de error alimentado en continua
con V
i
, unido a un amplificador operacional que amplifica el desequilibrio del puente (R
2

es la resistencia de un sensor de la magnitud a controlar y R
4
sirve para ajustar el proceso).

* Calcular la tensin de salida V
0
=f (V
i
), considerando el amp-op ideal , si:

R
5
=R
8


R
6
=R
7


R
1
<<R
6


R
3
<<R
5




Solucin.

Poniendo corrientes y tensiones de referencia a la figura 1-45, obtenemos la figura 1-46

Aplicando el teorema de Thvenin entre los puntos A y tierra y B y tierra, la figura 1-46 se
transforma en la 1-47.

R
1
R
4
R
8


R
5

V
i
R
2
R
3
V
0

R
6


R
7



Fig 1-45

R
1
R
4
I R
8


A B R
5


V
i
R
2
R
3
V
-
V
0

R
6
V
+


R
7



Fig 1-46
I R
8


V
B
R
B
R
5


V
-
V
0

V
+


V
A
R
A
R
6

R
7




Fig 1-47
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

37
V
A B
=
R
R + R
V V =
R
R + R
V
2
1 2
i
3
3 4
i


R
A B
= R / /R =
R . R
R + R
R = R / / R =
R . R
R + R

1 2
2 1
1 2
3 4
3 4
3 4


Si R
1
<<R
6
y R
3
<<R
5
R
A
=R
1
//R
2
<<R
6
y R
B
=R
3
//R
4
<<R
5



Por considerar al amp-op ideal ( V
+
=V
-
) y ser R
6
=R
7


V
A + +
= V =
R
R + R
V =
V
2
V = V =
R
R + R

V
2

- 7
6 7
A
- 2
1 2
i


No hay corriente en ningn terminal de entrada, por tanto:

I
R R
=
V - V
=
V - V
V = V -
R
R
(V - V
B
- -
0
0
- 8
5
B
-
5 8
)

Como : R
5
=R
8
V
0
=2 V
-
- V
B



V
0
=
R
R + R
-
R
R + R
V
2
1 2
3
3 4
i

Problema 1-15.

En el circuito limitador de la figura 1-48, se utilizan un amplificador operacional ideal y
diodos zener de:

V

=0,6 v R
F
=0 y V
Z
=5 v.

Dada v
i
(t) obtener y representar v
0
(t), fijando las diferentes zonas de funcionamiento de
los componentes. R
2
=2 R
1



DZ
1
DZ
2



R
2


R
1

v
i
v
0


R
3

Fig. 1-48

v
i
(v)
10


T/2 T
t
-10
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

38
Solucin.

* Si v
i
10 v DZ1 ON y DZ2 en zona zener


R
V
I
1
i
=
R
5,6
I
2
R
=

I
Z
=I I
R
=
R
5,6

R
V

2 1
i


V
0
=- 5,6 V


Para que I
Z
0 v 2,8
2
5,6

R
R . 5,6
V 0
R
5,6

R
V

2
1
i
2 1
i
= =


2,8 v v
i
10 v v
0
=- 5,6 v


* Si v
i
2,8 v DZ1 OFF y DZ2 OFF

I =I
R

R
v

1
i
=

V
0
=- R
2
. I
R
=- v
i

R
R

1
2
=- 2 v
i


DZ1 pasa a zona zener y DZ2 pasa a ON cuando v
0
=5,6 v =- 2 v
i
v
i
=- 2,8 v


- 2,8 v v
i
- 2,8 v v
0
=- 2 v
i


* Si -10 v v
i
-2,8 v DZ1 en zona zener y DZ2 ON



R
V
I
1
i
=
R
5,6
- I
2
R
=

I
Z
=I I
R
=
R
5,6

R
V

2 1
i
+

V
0
= 5,6 V

DZ
1
DZ
2

0,6v 5v
I
Z
R
2


R
1
I
R

v
i
v
0

I
R
3

Fig.1-49


R
2

I
R

R
1



v
i
v
0

I
R
3

Fig. 1-50

DZ
1
DZ
2

0,6v 5v
I
Z

R
2


R
1
I
R

v
i
v
0

I
R
3

Fig. 1-51

Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

39
100 K 220 K

10 K 22 K
V
1
=12 mV v
0

22 K

v
2
=20 sen t (mv)



Fig 1-52

-10v v
i
- 2,8 v v
0
= 5,6 v


Representacin de v
i
(t) y v
0
(t):

v
i
(v)
10


T/2 T
t
-10
v
0
(v)
5,6
T/2 T
t
-5,6



Problema 1-16.

Determinar el voltaje de salida para el circuito de la figura, considerando a los amplifica-
dores operacionales ideales.




















Solucin.
Sara Lpez Ferre
ELAI - EUITI

40



I
1
I
21
V
1
=12 mV v
0

10 K V
01
22 K
I
22

22 K
v
2
=20 sen t (mv)

I
1
I
2


100 K 220 K










1 1 01
01 1
1
V 10 - V
10
100 -
V
100
V
-
10
V
I = = = =

V
22
10 -

22
V
I
1
01
21
= =


22
v
I
2
22
=



220
v
- I
0
2
=

Sustituyendo las corrientes


22
v

22
V 10 -

220
v
-
2 1 0
+ =

v
0
=100 V
1
- 10 v
2


v
0
=100 . 12 - 10 . 20 sen t

v
0
=1200 - 200 sen t (mv)





I I I
22 21 2
+ =