FST

lectronique Lineaire

CHAPITRE II

SEMI-CONDUCTEURS

SEMI-CONDUCTEURS LA THORIE ET LES CARACTRISTIQUES DES SEMI-CONDUCTEURS Latome, le noyau, le proton, le neutron et llectron Latome LATOME est compos dun NOYAU et dLECTRONS. LATOME est lectriquement NEUTRE Le NOYAU contient des PROTONS et des NEUTRONS Le NOYAU est entour par des LECTRONS Le PROTON a une CHARGE POSITIVE. Le NEUTRON na PAS DE CHARGE. LLECTRON a une CHARGE NGATIVE. Notes *Le NOYAU a une CHARGE POSITIVE et attire les LECTRONS. *D au mouvement des LECTRONS (force centrifuge), les LECTRONS ne tombent pas sur le NOYAU. *Nous allons nous concentrer plus sur les LECTRONS car ltude des semi conducteurs est plutt aborde laide des LECTRONS.

H.Aissaoui

Mars 2006

Chapitre 2 Page 1 de 20

FST

lectronique Lineaire

Les lectrons Les LECTRONS sont sur DIFFRENTES COUCHES ET SOUS COUCHES. 2.1.1. 2.1.1.1. Les atomes des semi-conducteurs Les semi-conducteurs

Il y a une trs grande varit de semi-conducteurs. -Les semi-conducteurs construits avec des liaisons covalentes groupe IV -Les semi-conducteurs construits avec diffrents groupes -Les semi-conducteurs construits avec des liaisons ioniques Groupe Elment Elment Elment Elment III B (Boron) type p Al (Aluminium) Ga (Gallium) In (Indium) IV C (Carbone) Si (Silicium) Ge (Germanium) Sn (tain) V N (Nitrogne) P (Phosphore) As (Arsenic) Sb (Antimoine) type n

lments chimiques

H.Aissaoui

Mars 2006

Chapitre 2 Page 2 de 20

FST

lectronique Lineaire

Latome de Silicium (Si) Latome de Silicium a 14 LECTRONS 1re couche (s) 2 LECTRONS=2 me 2 couche (s, p) 2 LECTRONSet6 LECTRONS=8 me 3 couche (s, p) 2 LECTRONSet 2 LECTRONS=4

Exemple 4 atomes avoisinants de Si se combinent avec latome de Si et chacun des 4 atomes fournit un LECTRON DE VALENCE pour complter lORBITE DE VALENCE de celui-ci.

H.Aissaoui

Mars 2006

Chapitre 2 Page 3 de 20

FST

lectronique Lineaire

La structure cristalline de Silicium et la liaison covalente Les atomes combins de Si forment STRUCTURE CRISTALLINE un solide sous forme dune structure ordonne appele

Les forces qui maintiennent les atomes ensemble sappellent les LIAISONS COVALENTES. Les bandes dnergie des isolants lectriques, des semi-conducteurs et les conducteurs lectriques En physique quantique, chaque orbite ou couche a un niveau nergtique ou nergie de potentiel par rapport au noyau. Plus lorbite est grande plus lnergie de lLECTRON est grande, donc il faut une nergie externe (chaleur, lumire, rayonnement) plus faible pour dplacer cet LECTRON Lorsquon combine des atomes de Si en un CRISTAL, les charges de nombreux atomes adjacents influencent sur lorbite dun LECTRON. Chaque LECTRON dun atome de Si a une position diffrente dans un CRISTAL, donc celui-ci voit une structure des charges avoisinantes diffrentes. Comme exemple, lORBITE DE VALENCE des LECTRONS de chaque atome est diffrente avec un niveau dnergie lgrement diffrent ( cause de linfluence de la prsence des autres atomes). Cette diffrence dnergie constitue ainsi une BANDE DNERGIE. Donc on ne parle pas dune nergie de COUCHE DE VALENCE mais plutt dune BANDE DNERGIE DE VALENCE ou BANDE DE VALENCE Notes
H.Aissaoui Mars 2006 Chapitre 2 Page 4 de 20

FST

lectronique Lineaire

*Un LECTRON possde une quantit dnergie en eV (ElectronVolt). Cette nergie dpend de latome et de lorbite o se trouve lLECTRON (1 eV = 1.6*10 19 Joule). *Les LECTRONS qui circulent sur une orbite extrmement grande (haut niveau dnergie) sappellent des LECTRONS LIBRES *Cette ORBITE ou BANDE DNERGIE avec des LECTRONS LIBRES sappelle BANDE DE CONDUCTION *Les LECTRONS LIBRES ressentent peine lattraction du NOYAU. *Un LECTRON de la COUCHE DE VALENCE possde dj une nergie leve, une petite nergie additionnelle suffirait le rendre LECTRON LIBRE (e- de valence + nergie elibre). *Un LECTRON de la COUCHE INTERNE possde trs peu dnergie, une grande nergie additionnelle est ncessaire pour le librer. *Un LECTRON LIBRE peut perdre de lnergie et tomber dans la COUCHE DE VALENCE Restitution de lnergie sous forme de chaleur, lumire ou rayonnement. *Dans les semi-conducteurs, les 2 bandes intressantes sont LA BANDE DE VALENCE LA BANDE DE CONDUCTION. *Entre chaque bande de la bande dnergie, il existe une bande appele BANDE INTERDITE.Entre la BANDE DE VALENCE ET LA BANDE DE CONDUCTION, LA BANDE INTERDITE est diffrente pour chaque matriau (1.1 eV pour le Si et 0.67 pour le Ge).

H.Aissaoui

Mars 2006

Chapitre 2 Page 5 de 20

FST

lectronique Lineaire

H.Aissaoui

Mars 2006

Chapitre 2 Page 6 de 20

FST

lectronique Lineaire

Les semi-conducteurs intrinsques Silicium intrinsque Le Silicium (Si) intrinsque est un semi-conducteur pur avec des LIAISONS COVALENTES. T = 0 o K le Si pur se comporte comme un isolant (BANDE DE CONDUCTION vide). Si Intrinsque = Isolant lectrique T = 0 K T = 25 o C, lnergie thermique CASSE ou BRISE quelques LIAISONS COVALENTES. Avec cette rupture de liaisons, des LECTRONS DE VALENCE sont relchs et il y a cration des TROUS.
H.Aissaoui Mars 2006 Chapitre 2 Page 7 de 20

FST

lectronique Lineaire

Si Intrinsque = entre Isolant et Conducteur lectrique T Gnration des lectrons libres et des trous

0 K

des temprature plus leve que T = 0 o K, les LECTRONS DE VALENCE reoivent suffisamment dnergie thermique pour devenir des LECTRONS LIBRES sur la COUCHE DE CONDUCTION, laissant derrire eux des lacunes ou des TROUS dans la COUCHE DE VALENCE TROUS DE VALENCE (les TROUS sont des particules positives). GNRATION = RCEPTION DNERGIE THERMIQUE (ou autre type dnergie) GNRATION dLECTRONS LIBRES GNRATION de TROUS Recombinaison des lectrons libres et des trous Lorbite de la BANDE DE CONDUCTION dun atome coupe parfois lORBITE DES TROUS (LORBITE DE VALENCE) dun autre atome et le TROU capte cet LECTRON LIBRE. RECOMBINAISON = MECANISME DE FUSION DLECTRONS LIBRES ET DE TROUS Dure de vie Le temps moyen qui scoule entre la gnration et la recombinaison dun paire LECTRON LIBRE/TROU sappelle dure de vie ( life time ).
H.Aissaoui Mars 2006 Chapitre 2 Page 8 de 20

FST

lectronique Lineaire

La conductivit et la rsistivit
La conductivit dun conducteur

= q. n c .

La conductivit dun semi-conducteur i = q. [(n. n ) + (p. p )] = q. n i . ( n + p ) O q = 1.6*10 19 (Charge lectrique de llectron) (C) nc =
N = (Concentration volumique de charge) (1/m 3 ) L.A

n = (Concentration dlectron libre) (1/m 3 ) p = (Concentration des trous) (1/m 3 ) n i = (Concentration du semi-conducteur intrinsque) (1/m 3 ) N = (Nombre dlectron libre) L = (Longueur du conducteur) (m) A = (Surface du conducteur) (m 2 ) v = (Densit volumique de charge) (C/ m 3 ) = (Mobilit de llectron libre) (m 2 /Vs) n = (Mobilit de llectron du semi-conducteur) (m 2 /Vs) p = (Mobilit du trou du semi-conducteur) (m 2 /Vs)

H.Aissaoui

Mars 2006

Chapitre 2 Page 9 de 20

FST

lectronique Lineaire

Note *J = . E, donc J = ( v . ) . E (J = densit de courant en A/m2). *Semi-conducteur intrinsque n = p = n i Rsistivit = 1/ . Concentration des atomes nA =
(N AVO . d) . MA

N AVO = 6.022*10 23 atomes/g.atomes (Nombre dAvogadro). Exemple Avec les paramtres ci-dessous
Paramtres Bande Interdite (eV) Mobilit des lectrons (m 2 /V.s) Mobilit des trous (m 2 /V.s) n i (/ m 3 ) @ 25 o C Densit d (g/m 3 ) Rsistivit ( .m) Mass atomique M A g/g.atomes H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 10 de Silicium 1.1 0.135 0.048 1.5*10 16 2.33*10 6 2300 28.09 Germanium 0.67 0.39 0.19 2.4*10 19 5.32*10 6 0.45 72.60 Cuivre N/A 0.0043 N/A 1 lectron par atome 8.9*10 6 1.73*10 8 63.60

FST

lectronique Lineaire

a) Calculer la conductivit et la rsistivit du cuivre. b) Calculer la conductivit et la rsistivit du Germanium et de Silicium intrinsque 25 o C. Germanium N AVO = 6.022*10 23 atomes/g.atomes (Nombre dAvogadro) d = 5.32*10 6 g/m 3 (Densit) M A = 72.60 g/g.atomes (Mass atomique) n = 0.39 m 2 /V.s (Mobilit de llectron) p = 0.19 m 2 /V.s (Mobilit du trou) q = 1.6*10 19 C (Charge de llectron)
(N AVO . d) nA = MA

Donc n A = 4.4*10 28 atomes/m 3 (Densit des atomes dans le cristal). n i = 2.4*10 19 atomes/m 3 25 o C. = q. [(n. n ) + (p. p )] = q. n i . ( n + p ) (Conductivit) Donc i = [(2.4*10 19 ). (0.39 + 0.19)] . (1.6*10 19 ) = 2.22 S/m.
i

= 1/ i (Rsistivit) Donc i = 1 / i = 0.45

i
H.Aissaoui 20

.m.

Mars 2006

Chapitre 2 Page 11 de

FST

lectronique Lineaire

Silicium N AVO = 6.022*10 23 atomes/g.atomes (Nombre dAvogadro) d = 2.33*10 6 g/m 3 (Densit) M A = 28.09 g/g.atomes (Mass atomique) n = 0.135 m 2 /V.s (Mobilit de llectron) p = 0.048 m 2 /V.s (Mobilit du trou) q = 1.6*10 19 C (Charge de llectron) nA =
(N AVO . d) MA

Donc n A = 5*10 28 atomes/ m 3 (Densit des atomes dans le cristal). n i = 1.5*10 16 atomes/ m 3 25 o C. = q. [(n. n ) + (p. p )] = q .n i . ( n + p ) (Conductivit) Donc i = [(1.5*10 16 ). (0.135 + 0.048)] . (1.6*10 19 ) = 4.4*10 4 S/m.
i

= 1/ i (Rsistivit) Donc i = 1 / i = 2280

i
H.Aissaoui 20

.m.

Mars 2006

Chapitre 2 Page 12 de

FST

lectronique Lineaire

Conclusion 25 o C Cuivre = 1.72*10 8 .m ou = 5.8*10 7 S/m, (n A = 8.43*10 28 atomes/m 3 ) Trs bon conducteur lectrique Germanium i = 0.45 .m ou i = 2.22 S/m, (n A = 4.4*10 28 atomes/m 3 ) Entre isolant et conducteur lectrique Silicium i = 2280 .m ou i = 4.4*10 4 S/m, (n A = 5*10 28 atomes/m 3 ) Entre isolant et conducteur lectrique. Notes * Dans cet exemple, pour Si n A = 5*10 28 atomes/m 3 (Densit des atomes dans le cristal) *n i = 1.5*10 16 atomes/m 3 (Densit des LECTRONS/TROUS Gnrs). * Note Intrinsque seulement gnration thermique Dlectrons libres et de trous en petite quantit Extrinsque ajout dimpurets Dlectrons libres et de trous en grande quantit
H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 13 de

nA ~ 10 12 25 o C, 1 lien est cass pour chaque 10 12 atomes. ni

FST

lectronique Lineaire

Les semi-conducteurs extrinsques (le dopage type n et type p), les porteurs majoritaires et les porteurs minoritaires Pour augmenter des LECTRONS LIBRES ou des TROUS dans un semi-conducteur, on utilise la technique de la technique de dopage DOPAGE dun semi-conducteur = Ajout datome dIMPURETS un cristal Semi-conducteur extrinsque. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSQUE + IMPURETS SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSQUE. Ajout datome pentavalent (5 LECTRONS sur la COUCHE DE VALENCE) Type n (1 LECTRON additionnel circule dans la BANDE DE CONDUCTION) Impuret DONNEUR (Antimoine) Ajout datome Trivalent (3 LECTRONS sur la COUCHE DE VALENCE) Type p (1 TROU dans la BANDE DE VALENCE) Impuret ACCEPTEUR (Boron)
H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 14 de

FST

lectronique Lineaire

Les DONNEURS = Arsenic, Antimoine, Phosphore, (Groupe V). Les ACCEPTEURS = Aluminium, Boron, Gallium, (Groupe III). Avec lajout des impurets, la rsistivit du semi-conducteur extrinsque est bien dfinie.

ANTIMOINE (DONNEUR)

BORON ACCEPTEUR

H.Aissaoui 20

Mars 2006

Chapitre 2 Page 15 de

FST

lectronique Lineaire

Notes *Trs Important Le 5me LECTRON de la COUCHE DE VALENCE du DONNEUR, devient un LECTRON LIBRE sans laisser de TROU et latome du donneur sera stable. *Type n LECTRONS LIBRES = PORTEURS MAJORITAIRES (Dus aux impurets type n) TROUS = PORTEURS MINORITAIRES (Due la gnration thermique). *Type p TROUS = PORTEURS MAJORITAIRES (Dus aux impurets type p) LECTRONS LIBRES = PORTEURS MINORITAIRES (Due la gnration thermique). *Silicium intrinsque T = 25 o C n i = nombre dLECTRONS LIBRES = nombre de TROUS. *La mobilit des LECTRONS LIBRES tant plus grande que celle des TROUS (les TROUS bougent moins vites), on utilise plus des semi- conducteurs type n que du type p ( n = 0.135 m 2 /V.s et p = 0.048 m 2 /V.s pour le Silicium). *Notation et relation p p = Densit des TROUS dans le semi-conducteur type p = N A = PORTEURS MAJORITAIRES
H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 16 de

FST

lectronique Lineaire

n p = Densit des LECTRONS LIBRES dans le semi-conducteur type p = PORTEURS MINORITAIRES n n = Densit des LECTRONS LIBRES dans le semi-conducteur type n = N D = PORTEURS MAJORITAIRES p n = Densit des TROUS dans le semi-conducteur type n = PORTEURS MINORITAIRES.
ni *n p = . NA ni *p n = . ND
2 2

n nn et pn

p p p et n p

Majoritaires Minoritaires Majoritaires Minoritaires Les caractristiques des semi-conducteurs extrinsques La rsistivit extrinsque La rsistivit diminue lorsque le niveau de dopage augmente Type n n n = N D augmente diminue
H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 17 de

FST

lectronique Lineaire

Type p

p p = N A augmente

diminue

Le coefficient de temprature des semi-conducteurs et des conducteurs *Conducteur Lorsque T augmente R augmente (Coefficient de temprature >0) *Semi-conducteur Lorsque T augmente R diminue (Coefficient de temprature <0) Les courants dans les semi-conducteurs Introduction Dans les semi-conducteurs il y a 2 types de courants -Courant de drive ( Drift Current ) -Courant de diffusion ( Diffusion Current ). Le courant de drive et le courant de diffusion -Courant de drive (Du au champ lectrique) Lorsquun champ lectrique est appliqu un semi-conducteur Les LECTRONS LIBRES et les TROUS se dplacent
H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 18 de

FST

lectronique Lineaire

2 COURANTS de drive (J d n et J d p ) J d Total = (J d n + J d p ) J d Total = e . E J d Total = q. [(n. n ) + (p. p )] . E. -Courant de Diffusion (Due la diffrence de concentration des porteurs) Lorsquil y a une diffrence de concentration des porteurs dans un semi-conducteur Les LECTRONS LIBRES et les TROUS se dplacent 2 COURANTS de Diffusion (J D n et J D p ) J D Total = (J D n + J D p ) J D Total = q. [(Dn.
dn dp ) - (Dp. )] dx dx

O Dn = Constante de diffusion (m 2 /s) pour le type n. Dp = Constante de diffusion (m 2 /s) pour le type p.
dn = Variation de concentration dlectrons par rapport la distance. dx dp = Variation de concentration de trous par rapport la distance. dx p n q Relation dEINSTEIN = D = . Dn KT p

Courant total
H.Aissaoui 20 Mars 2006 Chapitre 2 Page 19 de

FST

lectronique Lineaire

J Total = J d Total + J D Total J Total = {q. [(n. n ) + (p. p )]. E} + {q. [(Dn.
dn dp ) - (Dp. )]}. dx dx

LES UTILISATIONS ET LES APPLICATIONS DES SEMI-CONDUCTEURS Les semi-conducteurs sont utiliss pour la fabrication des composants lectroniques. Composants lectroniques = -Diodes de diffrents types -Transistors bipolaires et unipolaires (BJT et FET) -Amplificateurs oprationnels (Ampli-Op) -Circuits Intgrs -Autres.

H.Aissaoui 20

Mars 2006

Chapitre 2 Page 20 de