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CHAPITRE V TRANSISTORS BIPOLAIRES LA THEORIE, LA CONSTRUCTION ET LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS BIPOLAIRES La constitution du transistor bipolaire La dfinition du BJT TRANSISTOR = TRANsfer + reSISTOR Le mot transistor vient du fait Transistor AMPLIFICATION PAR TRANSFERT Dun courant dun circuit faible rsistance (Base-metteur) un circuit haute rsistance (Base-Collecteur). BJT = Bipolar Jonction Transistor TBJ = Transistor Bipolaire Jonction 2 Types de transistor BJT BJT npn BJT pnp.
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Le BJT, un lment trois terminaux Le BJT est un lment compos de semi-conducteurs 3 couches (avec diffrent niveau de dopage). BJT npn 2 couches de n et 1 couche de p BJT pnp 2 couches de p et 1 couche de n. Le BJT est un lment ou composant trois lectrodes ou terminaux.

La reprsentation schmatique du BJT

~150 mil ~1 mil ~150 mil ~1 mil

BJT Type npn Prsence de 3 lectrodes (E, B et C).

BJT Type pnp

Largeur totale de E + B + C ~ 3.8 mm. Largeur de B ~ 25 m (~ 150 fois moins large que la largeur totale).
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La dfinition de lmetteur, de la base et du collecteur E = metteur, FORTEMENT DOP B = Base, LGREMENT DOP et TRS TROITE C = Collecteur, MOYENNEMENT DOP (La plus large des rgions car il dissipe plus de chaleur que le E et le B). Le symbole du BJT et les conventions de courants et de tensions

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[I E , I C , I B > 0] et [V BE , V CE > 0] BJT Type npn

[I E , I C , I B > 0] et [V EB , V EC > 0] BJT Type pnp

La diode metteur et la diode Collecteur

BJT vs 2 diodes discrtes dos dos

npn C
Diode Collecteur

n p p n

pnp

C
Diode Collecteur

p n n p

??? B
Diode Emetteur

??? B
Diode Emetteur

E
2. Diode Emetteur - Base: Diode Collecteur - Base: Diode Emetteur Diode Collecteur

1. Le transistor ressemble 2 diodes discrtes montes dos dos

Ce montage diodes discrtes donne 4 rgions dopes alors que le transistor donne 3 rgions avec B troite entre E et C ??? Explication dtaille dans le fonctionnement et polarisation du transistor BJT

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La construction physique du BJT La reprsentation schmatique du BJT facilite la comprhension de son fonctionnement mais la structure physique planaire est un peu diffrente de la reprsentation schmatique.

Vue en coupe simplifie du BJT

n n

p p

BJT npn = Contact mtallique

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BJT pnp

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Pour la fabrication des BJT, utilisation des procds suivants Formation du dilectrique (SiO 2 ) Photolithographie (Masques) Nettoyages des couches Diffusion p et n Mtallisation et autres. Le fonctionnement du BJT Le transistor est form de 3 semi-conducteurs avec 2 jonctions. La diode metteur peut tre polarise en directe ou inverse (2 possibilits).
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La diode Collecteur peut tre polarise en directe ou inverse (2 possibilits). Dans le fonctionnement du BJT nous pouvons avoir 4 possibilits de polarisation individuelle. Trois (3) de ces quatre (4) possibilits dictent les rgimes ou zones de fonctionnement des BJT (Zones sature, bloque et active). Le BJT non polaris la jonction diode metteur (metteur et Base) Une couche de dpltion la jonction diode Collecteur (Collecteur et Base) Une couche de dpltion Le dopage de chaque semi-conducteur est diffrent La largeur de chaque semi-conducteur est diffrente Prsence de 2 diodes 2 Zones ou couches de Dpltion Cration dions + et aux 2 jonctions Cration de champ lectrique aux 2 jonctions.

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Le BJT polaris Les rgimes ou zones de fonctionnement Lopration dun BJT peut tre dfinie principalement dans 3 zones de fonctionnement. Prenons lexemple dun BJT Type npn -Zone Sature Base - metteur POLARISATION DIRECTE Un gros courant circule de la Base lmetteur (Dus aux porteurs MAJORITAIRES) Base - Collecteur POLARISATION DIRECTE Un gros courant circule de la Base au Collecteur (Dus aux porteurs MAJORITAIRES)

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-Zone Bloque Base - metteur POLARISATION INVERSE Un trs petit courant circule de la Base lmetteur (Dus aux porteurs MINORITAIRES) Base - Collecteur POLARISATION INVERSE Un trs petit courant circule de la Base au Collecteur (Dus aux porteurs MINORITAIRES) -Zone Active Base - metteur POLARISATION DIRECTE Un gros courant circule dans lmetteur (Dus aux porteurs MAJORITAIRES) Base - Collecteur POLARISATION INVERSE Un gros courant circule dans le Collecteur ???

La diode est polarise inversement, alors comment le courant est grand ??? Opration inattendue.

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Le mcanisme des courants dans lmetteur, la base et le collecteur Note npn (raisonnement avec lectrons libres) est plus facile comprendre.

BJT (exemple Type npn) fonctionnant dans la zone linaire Base-metteur en polarisation directe Base-Collecteur en polarisation inverse V CB < tension de claquage. Lorsque la tension de polarisation directe Base - metteur est suprieure 0.7 Volt (V o du Silicium), les LECTRONS LIBRES (Porteurs MAJORITAIRES) de lmetteur pntrent dans rgion de la Base. De mme les TROUS (Porteurs MAJORITAIRES) de la Base pntrent dans lmetteur. Les LECTRONS LIBRES injects dans la rgion de la Base deviennent des Porteurs MINORITAIRES. 2 Chemins sont offerts aux LECTRONS LIBRES
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a. Vers le bas de la Base troite, ensuite dans le terminal de la Base b. travers la jonction du Collecteur vers le Collecteur et son terminal.

A) Le dopage de la Base faible La Base prsente une grande impdance. B) La largeur de la Base faible + diode Collecteur en polarisation inverse Les LECTRONS LIBRES injects seront attirs par le champ de la couche dappauvrissement (Base-Collecteur) et seront COLLECTS dans le Collecteur. (Puisque le dopage et la largeur de la Base sont faibles, les LECTRONS LIBRES injects ont une dure de vie assez grande pour quils puissent diffuser dans la couche dappauvrissement (Basemetteur)).

Donc le courant prendra principalement le chemin b, travers le Collecteur vers la source. La majorit du courant entre le terminal du Collecteur, traverse la rgion de la Base et ressort du terminal de lmetteur (Type npn). Un petit courant entre le terminal de la Base, traverse la jonction Base - metteur et ressort du terminal de lmetteur (Type npn). Quelques LECTRONS LIBRES vont remplir les TROUS (recombinaison) et vont devenir des LECTRONS DE VALENCE et vont se dplacer (courant de recombinaison). Ce courant est petit car la Base est faiblement dope.
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BJT Type npn

BJT Type pnp

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La contribution des porteurs minoritaires et majoritaires I C = I C (Majoritaires) + I CBO (Minoritaires). 95 99 % des LECTRONS LIBRES sont collects par le Collecteur. Seulement 5 1 % des LECTRONS LIBRES tombent dans les TROUS de la Base et passe travers son terminal. LKC I E = I C + I B . I B de lordre de A et I C de lordre de mA. Les types dopration des BJT Les BJT sont des lments 3 terminaux et peuvent tre utiliss comme des amplificateurs et interrupteurs reprsentant la configuration dun quadriple 3 terminaux doivent tre arrangs pour former un quadriple Diffrentes configurations ou montages du BJT ( voir dans les sections prochaines).

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Type dopration AMPLIFICATEUR Amplification linaire Le signal de sortie a la mme frquence que le signal dentre avec une amplitude plus grande. Pour le fonctionnement comme un amplificateur linaire (Classe A) Polarisation dans la rgion ou zone active.
+ +

G (s) = v o (s) / v i (s)

v i (s)
-

G (s)

v o (s)
-

Amplification non linaire Pour le fonctionnement comme un amplificateur non linaire Polarisation dans la zone active, sature et bloque (Classe AB, B, C,).

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INTERRUPTEUR Interrupteur Le circuit agit comme un interrupteur laissant passer le signal dentre ou le bloquer. Pour le fonctionnement comme un interrupteur Polarisation dans la rgion ou zone sature (ON) et bloque (OFF).
+ +

v i (s)
-

v o (s)
-

Les amplificateurs (avec les paramtres importants) Un amplificateur (quadriple) peut tre caractris par 4 paramtres importants V v -Le gain de tension = A v = o = o Vi vi I i -Le gain de courant = A i = o = o (attention la description de i o ) Ii ii V -Limpdance dentre = Z i = i Ii
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-Limpdance de sortie = Z o = NOTES TRS IMPORTANTE

Vo Entre en court-circuit Io

RL ou A i = A v R i RL Ri (R i = rsistance dentre de lampli et R L = rsistance de charge). *Gain de puissance = Gain de courant.Gain de tension. Les interrupteurs
*v o = i o .R L et v i = i i .R i A v = A i Un interrupteur (quadriple) peut tre dans ltat ON ou OFF.

Interrupteur ON (ferm) Transistor Satur

Interrupteur OFF (ouvert) Transistor Bloqu

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LES CARACTRISTIQUES Les configurations ou les montages du BJT Tous ces composants sont monts avec un certain montage ou configuration nomme Configuration metteur Commun (CE) Configuration Base Commune (CB) Configuration Collecteur Commun (CC). La configuration metteur Commun CE (la plus utilise)

En DC

En AC

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En AC Tension dentre du ct de la Base Tension de sortie du ct du Collecteur Masse du ct de lmetteur La configuration Base Commune CB

En DC

En AC

En AC Tension dentre du ct de lmetteur Tension de sortie du ct du Collecteur Masse du ct de la Base

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Notes *Le circuit complet de polarisation et de couplage nest pas montr. *Cette configuration est utilise comme amplificateur ou interrupteur. La configuration Collecteur Commun CC (rarement utilise)

En DC

En AC Tension dentre du ct de la Base Tension de sortie du ct de lmetteur Masse du ct du Collecteur Notes *Le circuit de polarisation et de couplage nest pas montr. *Cette configuration est utilise pour ladaptation dimpdances et comme amplificateur de courant et de puissance. *Gain de puissance = Gain de tension .Gain de courant (TRS IMPORTANT)
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Remarques *Chaque configuration a des caractristiques diffrentes et est utilise pour une application spcifique ou particulire. *Tableau de comparaison des configurations

Paramtres
Rsistance dentre Rsistance de sortie TransConductance (Io/Vi) Gain de tension (Vo/Vi) Gain de courant (Io/Ii)
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metteur Commun (CE) Moyenne (~ 3 K) Moyenne (~10 K) Moyenne (~- 40 mA/V) Fort (~- 200) Fort (~-200)

Base Collecteur Commune (CB) Commun (CC) Faible (~30 ) Moyenne/Forte (~100K) Moyenne (~40 mA/V) Fort (~200) Pas de gain (~1) Moyenne/Forte (~3 K) Faible (~100 ) Non Applicable Pas de gain (~1) Fort (~200)

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Notes *Attention la dfinition du courant de sortie. *Les transistors sont commercialement identifis avec un chiffre et une lettre 2N. Les diffrents types de botiers des transistors sont donns lannexe. 2N3904 transistor de puissance npn 2N3906 transistor de puissance pnp complmentaire 2N3904. *Les diodes sont identifies par 1N. 1N4148. Les quations de courants du BJT (, , i B , i C et i E ) 1. * est le gain de courant en Base Commune (CB) * CC = * AC =
I CQ I EQ

, CC relie le courant du Collecteur au courant de lmetteur.

ic I C VCB constant = ie I E

Notes *Plus la Base et troite et lgrement dope, plus CC se rapproche 1. *En pratique CC ~ AC = *En pratique la valeur de CC est comprise entre 0.95 et 0.99 0.95 < CC < 0.99.
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2. * est le gain de courant en metteur Commun (CE) * CC = * AC =

I CQ I BQ

= h FE , CC relie le courant du Collecteur au courant de la Base.

ic I C VCE constant = h fe (Dpend du point dopration). = ib I B

Notes *Dans le BJT Type npn, moins de 5 % (entre 1 et 5) dLECTRONS LIBRES injects se recombinent avec les TROUS de Base pour produire I B 1 CC Min = = 20 5% *En pratique CC ~ AC = ( h FE ~ h fe ) *En pratique la valeur de CC est comprise entre 50 et 500 50 < CC < 500. 3. i B , i C et i E

v BE )] VT v i I *i E ~ CS [exp ( BE )] = C VT
*i C ~ I CS [exp (
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I CS = I ES avec
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*i B ~

v i I CS [exp ( BE )] = C VT

avec

I CS = I BS

I C = I E (Majoritaires) + I CBO (Minoritaires) I C = I C (Majoritaires) + I CBO (Minoritaires) Notes *Lorsque I E = 0 I C = I CBO

I B I + CBO (1 ) (1 ) IC I 1 1 = IC + C =1+ = et = 1 (1 ) I I C = I B + CBO (1 )

I E = I C + I B I C = (I C + I B ) + I CBO I C =
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*Lorsque I B = 0 I C =

I CBO = I CEO (1 )

* I C = I B + I CEO . * I CEO ~ I CBO . * TRS IMPORTANT *v BE = V BE + v be *i C = I C +i c

(DC+AC). (DC+AC).

I C ~ I B I E = ( 1) I B ~ I C .

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Les courbes courant tension (dentre et de sortie) du BJT 1) Les caractristiques entre et sortie Lobjectif Savoir les relations qui existent entre Les tensions dentre et de sortie Les courants dentre et de sortie Les caractristiques dentre et de sortie Caractristiques dentre Relation entre le courant dentre et la tension dentre pour diffrentes valeurs de tension de sortie. Caractristiques de sortie Relation entre le courant de sortie et la tension de sortie pour diffrentes valeurs de courant dentre. 2) Configuration metteur Commun (CE)

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Caractristiques de sortie (npn)

Caractristique dentre (npn)

Base metteur Polarisation directe Base Collecteur Polarisation inverse. Avec la courbe caractristiques de sortie on peut calculer les valeurs de CC et AC . Exemple Calculer CC et AC pour I B = 25 A et V CE = 7.5 Volts.

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Pour un V CE donne linformation de CC est donne sur la courbe.

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Notes *Pour BJT Type npn V BE > 0 V CE > 0 I C , I E et I B > 0 *Pour BJT Type pnp V EB > 0 V EC > 0 I C , I E et I B > 0 3) Configuration Base Commune (CB)

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Caractristiques de sortie (npn)

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Pour un V CB donne linformation de CC est donne sur la courbe.

Caractristique dentre (npn) Avec la courbe caractristiques de sortie on peut calculer les valeurs de CC ~ AC = I E = 3mA et V CB = 7.5 Volts I 3mA CC ~ AC = = C = = 1. IE 3mA Notes *Pour BJT Type npn V BE > 0
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V CB > 0 I C , I E et I B > 0. *Pour BJT Type pnp V EB > 0 V BC > 0 I C , I E et I B > 0. *La zone sature V CB < 0 (voir la caractristique de sortie). 4) Configuration Collecteur Commun (CC) metteur-Suiveur

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Pour la courbe Caractristiques de sortie , elle ressemble celle de la configuration CE (npn) avec le courant de sortie gal I E et la tension de sortie gale V CE (le courant de contrle est I B ). Pour la courbe Caractristiques dentre , elle ne ressemble pas celle de la configuration CE (npn). Notes *Pour BJT Type npn V CB > 0 V CE > 0 I C , I E et I B > 0. *Pour BJT Type pnp V BC > 0 V EC > 0 I C , I E et I B > 0. *Cette configuration est un amplificateur de gain de courant ou de puissance.

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