UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA INGENIERA ELECTRNICA ANALGICA NOMBRE: Hernn Augusto Pogo Len INVESTIGAR SOBRE EL MOSFET Investigar

sobre el MOSFET tipo decremental Diferencias en re: MOSFETs de tipo decremental! MOSFETs de tipo incremental! "FET a! Las caracter#sticas el m$todo de anlisis %ue se aplica a los MOSFETs de tipo incremental son c"#$%e a#en e &iferen es de a%uellos aplicados a los "FETs MOSFETs de tipo decremental! '! Las caracter#sticas de trans&erencia del "FET del MOSFET tipo decremental al no ser una relacin lineal se encuentra de&inida por la ecuacin de Shockley( a medida %ue el nivel de corriente se apro'ima a I(SS) la sensibilidad de I( ante cambios en *+S se incrementa de &orma signi&icativa! Mientras %ue en el MOSFET tipo incremental las caracter#sticas de trans&erencia no se encuentra de&inidas por la ecuacin de S,oc-le sino ms bien) por una ecuacin no lineal controlada por el voltaje compuerta-fuente, el voltaje umbral y por una constante k definida para el dispositivo que se emplea. La gr&ica resultante I( en &uncin de *+S es a%uella %ue crece e'ponencialmente ante valores crecientes de *+S! Ecuacin de S,oc-le .
I D = I DSS 21 VGS / 0 Vp

el MOSFET tipo incremental

c! El MOSFET tipo decremental posee las mismas caracter#sticas de trans&erencia %ue el "FET para corrientes de drena3e de un nivel ,asta I (SS! En este punto) las caracter#sticas del MOSFET tipo decremental c"n in)an *as a ni+e%es $"r arri'a &e IDSS) mientras %ue la del FET terminan a,#) permitiendo puntos de operacin con valores positivos de *+S niveles de I( %ue e'ceden I(SS! &! A di&erencia del "FET siempre es necesario tener c,i&a&" a&ici"na% al mane3ar MOSFETs debido a la electricidad esttica a la %ue son sensibles estos) %ue puede e'istir en los lugares menos pensados! e0 Para de&inir la &orma de gra&icar la ecuacin de S,oc-le en el "FET es sencillo se le da valores a la ecuacin de I(45 encontrando *+S4 *p) *+S45 encontrando I(4 I(SS *+S4 *p6/ 7 I(4 I(SS68 &0 Para de&inir la &orma de gra&icar la ecuacin de S,oc-le en los MOSFETs tipo decremental para valores positivos *+S el intervalo re%uerido para la ma or#a de las situaciones se encontrar de&inido por los parmetros del MOSFET por la l#nea de polari9acin resultante de la red!

g0 Para los MOSFETs tipo incremental de canal:n) la corriente de drena3e es cero para a%uellos niveles de volta3e compuerta:&uente menores %ue el nivel de umbral * +S2T,0) para los niveles *+S ma ores %ue *+S2T,0 la corriente de drena3e estar de&inida por.
I D = k 2VGS VGS 2T 0 0 /

Para gra&icar la curva de trans&erencia se debe determinar la constante k por. I D 2 encendido 0 k= 2VGS 2 encendido 0 VGS 2T 0 0 / (e&inida k de da un punto para I( *+S2encendido0! entre *+S2T,0 *+S2encendido0 otro ma or %ue

A continuacin se presenta una tabla de estos transistores.

A$%icaci"nes:

 MOSFETs de tipo decremental MOSFETs de tipo incremental! "FET a! Resis "r c"n r"%a&" $"r +"% a-e .a#$%ifica&"r n"/in+ers"r! ;na de las aplicaciones ms comunes del "FET es c"#" ,n resis "r +aria'%e cu o valor de resistencia est controlado por el volta3e de dc aplicado en la terminal de la compuerta como indica la &igura1 se indica claramente la regin lineal de un transistor "FET! Observe %ue en esta regin) las distintas curvas inician todas en el origen siguen un camino prcticamente recto a medida %ue el volta3e drena3e:&uente la corriente de drena3e se incrementan! <ecuerde %ue %a 0r1fica &e ,n resis "r fi-" n" es #1s 2,e ,na %3nea rec a c"n s, "ri0en en %a in ersecci4n &e %"s e-es5

Fi06

Fi07

En la &igura/ se e'pandi la regin lineal ,asta un volta3e m'imo drena3e:&uente de 5!=*! Observe %ue incluso cuando las curvas tienen cierta curvatura) es posible apro'imarlas mediante el empleo de l#neas rectas) todas ellas con origen en la interseccin de los e3es una pendiente determinada por el volta3e en dc de compuerta: &uente! <ecuerde %ue $ara ,na 0r1fica &e I/V &"n&e %a c"rrien e es e% e-e +er ica% 8 e% +"% a-e e% e-e *"ri9"n a%( %a $en&ien e ser1 #1s $r"n,ncia&a c"n #en"r resis encia( 8 %a $en&ien e ser1 #1s *"ri9"n a% c"n ,na #a8"r resis encia5 El resultado de esto es una l#nea vertical tendr una resistencia de 5>) mientras %ue una l#nea ,ori9ontal tendr una resistencia in&inita! ?uando VGS : ;V) la pendiente ser la ms pronunciada la resistencia) la menor! A medida %ue el volta3e compuerta:&uente crece de &orma negativa) la pendiente disminu e ,asta encontrarse prcticamente ,ori9ontal cerca del volta3e de estrec,amiento! Es importante recordar %ue esta regin

lineal se encuentra limitada a niveles de * (S %ue son relativamente pe%ue@os en comparacin con el volta3e de estrec,amiento! En particular se observa %ue. c"#" se incre#en a %a resis encia &rena-e/f,en e a #e&i&a 2,e e% +"% a-e c"#$,er a/f,en e se acerca a% +a%"r &e es rec*a#ien "5

Fi0<5a

Fi0<5' Esta resistencia de drena3e controlada por volta3e se utili9a en el ampli&icador no: inversora de la &iguraA! Bo inversora indica que tanto la salida como la entrada se encuentran en fase. Si <& 4 <1) la ganancia resultante es / como se muestran las se@ales senoidales en &ase de la &igura A!a! Si se reempla9a la el resistor variable por un "FET de canal:n! Si <&4 A!A-> se utili9a el transistor de la &igura A!b la ganancia se podr#a e'tender de 1CA!A-6A!A-4/ ,asta 1CA!A->6155>4 A8 para cuando * +S var#a de :/!=* a 5* respectivamente! Por lo tanto la ganancia del ampli&icador puede establecerse en cual%uier valor entre / A8) simplemente al controlar el volta3e de polari9acin de dc aplicado!

El impacto de este tipo de control se puede e'tender para una in&inidad de aplicaciones! Por e3emplo) si el volta3e de la bater#a de un radio comien9a a caer como consecuencia de una utili9acin prolongada) el nivel de dc en la compuerta del "FET de control caer) por lo %ue el nivel de <(S tambi$n lo ,ar! ;na ca#da en <(S ocasionar un incremento de ganancia para el mismo valor de <& con lo %ue el volumen de la salida del radio podr mantenerse! Otras aplicaciones son. o En una gran cantidad de osciladores 2redes dise@adas para generar se@ales senoidales de &recuencias espec#&icas0 tienen un &actor de resistencia en la ecuacin para la &recuencia generada! o Para controlar la estabilidad del sistema cuando var#e la temperatura! o Para evitar %ue ruidos se metan en un sistema! o ?omo volt#metro "FET! '! Re& &e e#$"ri9aci4n El gran aislamiento entre los circuitos de compuerta drena3e permite el dise@o de un tempori9ador relativamente simple como el presentado en la &igura8!

Fi0= El interruptor del tipo normalmente abierto 2BE0 %ue cuando se cierra) coloca al capacitor en corto causa %ue el volta3e en sus terminales caiga rpidamente a 5*! La red de conmutacin puede mane3ar la descarga rpida de volta3e a trav$s del capacitor) debido a %ue los volta3es de traba3o son relativamente ba3os el tiempo de descarga es e'tremadamente corto! c! Sis e#as &e fi'ra 4$ ica Se utili9a para la transmisin de datos de sistemas de &ibra ptica!

Mediante un dise@o espec#&ico para el canal de comunicacin TTL de &ibra ptica! (ise@o "FET.

&! Mane-a&"r &e re%e+a&"r $"r MOSFET El mane3ador de relevador por MOSFET %ue se describir a continuacin es un e3emplo e'celente de cmo es posible utili9ar FETs para #ane-ar re&es &e a% " +"% a-e>c"rrien e sin c"ns,#ir c"rrien e " $" encia &e% circ,i "( #ane-a&"r( &e e?ci aci4n5 La a% a i#$e&ancia &e en ra&a &e %"s FETs esencia%#en e a3s%a a#'as $ar es &e %a re& sin %a necesi&a& &e ener es%a'"nes 4$ ic"s " e%ec r"#a0n@ ic"s5 La red %ue se describir puede emplearse para una variedad de aplicaciones) sin embargo) esta aplicacin estar limitada a un sistema de alarma %ue se activa cuando alguien o algo crucen el plano de la lu9 transmitida!

Fi0A

El LE( I< 2in&rarro3o) no visible0 de la &igura= se encuentra dirigido su lu9 a trav$s de un Dembudo direccionalE %ue llega a una celda &otoconductiva de la red de control! La celda &otoconductiva tiene un rango de resistencia de cerca de /55-> en su nivel de resistencia de oscuridad ,asta menos de 1-> en sus niveles de alta iluminacin! El resistor <1 es una resistencia variable %ue puede emplearse para &i3ar el nivel de umbral del MOSFET de tipo decremental! Se utili9a MOSFET de mediana potencia debido al alto nivel de corriente de drena3e a trav$s de la bobina magneti9adora! El diodo se incorpora como un dispositivo de proteccin! ?uando el sistema se encuentra encendido la lu9 est incidiendo sobre la celda &otoconductiva) la resistencia de la celda puede disminuir cerca de 15 ->! Para este nivel) la ampli&icacin de la regla de divisor de volta3e obtendr un volta3e cercano a 5!=8* en la terminal de la compuerta 2con el potencimetro de =5->a3ustado en 5->! El MOSFET estar encendido) pero a un nivel de corriente de drena3e %ue pueda causar %ue el relevador cambie de estado! ?uando alguien se atraviese) el suministro de lu9 ser interrumpido) la resistencia de la celda rpidamente 2en pocos ms0 crecer a 155->! Luego el volta3e en la compuerta crecer a A*) encender al MOSFET) activar al relevador encender al sistema %ue se controla! ;n circuito de alarma contar#a con su propio dise@o de control %ue asegurar#a %ue $sta no se apague cuando la lu9 regrese a la celda &otoconductiva! En esencia) se ,a logrado controlar una red de alta corriente mediante un nivel de volta3e de dc relativamente pe%ue@o con un dise@o no costos! El Fnico de&ecto obvio en el dise@o es el ,ec,o de %ue el MOSFET se encontrar encendido incluso cuando no ,a intrusin! Esto puede solucionarse mediante el uso de un dise@o ms so&isticado) pero tenga en mente %ue los MOSFETS s"n 3$ica#en e &is$"si i+"s &e 'a-" c"ns,#" &e $" encia) por lo %ue el consumo de potencia) incluso con el tiempo) no es importante! E-ercici": MOSFETs de tipo decremental! MOSFETs de tipo incremental! Para la red de la a0 b0 c0 d0 *+ I(J *+SJ *( *S *(SJ &igura G!HI) determine.

Para las caracter#sticas de trans&erencia de la ecuacin de S,oc-le .

I I
D

VGS VGS I
D

V A!=V = = 1!K=V / / = 5 = V = A!= IV I D = DSS = 1!=m! 8 = 5 V

VGS = I DSS 2 1 0 / " V p

VGS =

= I DSS = 15 m!VGS

I D = I DSS 21

Vp

0/

con VGS = 1V I D = 15m!21 1 / 0 = 1G!=Am! A!=

VG =

%/V DD 115k L /5V = = /!1GV %1 + %/ 115k + I15k

VGS = VG I D L % VGS = /!1GV I D L 21!1k0 I D = I DSS 21 VGS / 0 Vp

I D = 15m!21 I D& I D& = A!Am!

2 /!1GV I D L 21!1k00 / 0 A!=v = A!Am!7 I D& = K!Im! MMM #$

VGS = /!1GV I D L 21!1k0 VGS & = /!1GV A!A L 21!1k0 = 1!8KV VGS & = 1!8KV

M$todo gr&ico.
VGS =VG I D L % D VGS = /!1GV I D L 21!1k 0 VGS = 5V ID = /!1G =1!IGm! 1!1k

I D =5! VGS = /!1GV

V DS =V DD I D L 2 % D + %S 0 V DS& = /5V 2A!Am!0 L 2 /!/k+1!1k 0 V DS& I!11V V D =V DD I D L 2 % D 0 V D = /5 2A!Am!0 L 2 /!/k 0 V D =1/!K8V VS = I D L 2 % S 0 VS = 2A!Am!0 L 21!1k 0 VS = A!GAV

Para la con&iguracin por divisor de volta3e de la &igura G!IG determine. a! I(J *+SJ b! *( *S

VG =

%/V DD G!H'L /8V = = I!K1V %1 + % / 15 ' + G!H'

VGS = VG I D L % S VGS = I!K1V I D L 25!K=k0 I D = 5m! VGS = I!K1V VGS = 5V ID = I !K = 1/!IAm! 5!K=

k= k=

I D 2 encendido 0 2VGS 2 encendido 0 VGS 2T 0 0 / =m! ! = 5!== L 15 A / / 2G A0 V

I D = k 2VGS VGS 2T 0 0 / I D = 5!== L 15 A 2VGS A0 / I D = 5!== L 15 A 2I!K1 I D 25!K=k 0 A0 / I D&1 = G!IGm!7 I D& / =1G!1Hm! I D& = G!IGm! VGS = I!K1V 2 8!IGm!0 L 25!K=k 0 VGS = =!IGV

M$todo gr&ico.
I D = k 2VGS VGS 2T 0 0 / I D = 5!== L 15 A 2VGS A0 / VGS = =V I D = 5!== L 15 A 2= A0 / I D = /!/m! VGS = HV I D = 5!== L 15 A 2H A0 / I D = 1A!K=m!

CONCLUSIONES B COMENTARIOS: Aprendimos acerca de los MOSFETs tipo decremental MOSFETs tipo decremental! <eali9amos e3ercicios de estos! Aprendimos sus respectivos clculos curvas caracter#sticas! BIBLIOGRAFA:

No lestad M Bas,els- ) DElectrnica. teor#a de circuitos PEA<SOB Prentice Hall) Octava Edicin

dispositivos electrnicosE)