INTRODUO AOS SISTEMAS DE COMUNICAES PTICAS DEE/UFSCar 2 Sem/2013

Fotodetectores PIN e APD: caractersticas e aplicao

Helder E. Oshiro, Aluno de Graduao, Departamento de Engenharia Eltrica. Universidade Federal de So Carlos.
Abstract Este documento visa explicar, em linhas gerais, o funcionamento de um fotodetector quanto a sua estrutura, tipos PIN e APD, citar suas principais caractersticas, parmetros, limitaes, vantagens e desvantagens e algumas aplicaes com os dispositivos Index TermsAPD, Avalanche, Comunicao, Diodo, Fibra, Fotodetector, Fotodiodo, Luz, Sensor, ptica, pn, PIN, Semicondutor

II. PRINCPIOS RESPONSIVIDADE E EFICINCIA QUNTICA Em um condutor reversamente polarizado, a luz incide passando por um revestimento de vidro anti-refletor. Quando a energia dos ftons incidentes excedem a banda proibida de energia do material, ento os eltrons podem passar da banda de valncia para a banda de conduo. Com a tenso aplicada no diodo, o campo eltrico pode acelerar estes eltrons resultando na conduo de corrente eltrica, chamada fotocorrente Ip. Esta corrente diretamente proporcional potncia ptica incidente.

I. INTRODUO

OTODETECTORES so dispositivos que, ao serem incididos por radiao ptica, geram um sinal eltrico. So comumente utilizados na indstrias como sensores de tamanho, checagem de contedo em embalagens, leitura de cdigos, deteco de imperfeies em superfcies, e tambm em eletrnicos como leitor de CD, sensor crepuscular, acopladores pticos, entre outros. Como so inmeros os campos de aplicao destes dispositivos, importante que satisfaam algumas caractersticas para determinado uso. Algumas destas caractersticas so: Responsividade (alta resposta ou sensibilidade para o comprimento de onda trabalhado) Baixo rudo Resposta rpida Largura de banda suficiente para atender a taxa de comunicao desejada Baixa sensibilidade ao calor Dimenses compatveis Em aplicaes com fibras pticas, os fotodetectores usados so geralmente fotodiodos, por apresentarem dimenses reduzidas, alta sensibilidade e rpida resposta. Dentre os fotodiodos, h dois tipos que sero abordados neste documento: PIN (positive-intrinsic-negative) e APD (avalanche photodiode).

, Onde R a responsividade do fotodetector.

Figura 1 Semicondutor sendo incidida por luz. Retirada de [1]

A responsividade pode ser expressa tambm como eficincia quntica , pela relao

A relao entre responsividade e eficincia quntica dada por

Documento enviado para avaliao em 20-dez-2013 Helder E. Oshiro, Aluno de Graduao, Departamento de Engenharia Eltrica. Universidade Federal de So Carlos (e-mail: helderoshiro@hotmail.com).

Onde: h= constante de Planck =frequncia de radiao

INTRODUO AOS SISTEMAS DE COMUNICAES PTICAS DEE/UFSCar 2 Sem/2013 q=carga elementar Pela relao =c/, temos que

Logo, a responsividade do fotodetector aumenta com o aumento do comprimento de onda.

Figura 3 Fotodiodo pn. Retirada de [1]

TEMPO DE RESPOSTA E LARGURA DE BANDA O tempo de resposta de um fotodetector depende principalmente de 3 fatores: Tempo de transito dos portadores excitados pela luz na regio de depleo O tempo de difuso dos portadores gerados fora da regio de depleo A constante de tempo RC do fotodiodo e circuito associado Estes fatores so influenciados principalmente pelos seguintes parmetros: coeficiente de absoro , a largura w da regio de depleo, capacitncia do diodo, do amplificador, resistncias intrnsecas do diodo e resistncia de entrada do amplificador.

A figura mostra a luz incidindo sobre o material tipo p do diodo. A energia dos ftons que atingem esta regio faz com que alguns eltrons passem da banda de valncia para conduo. Pelo diodo estar reversamente polarizado, o campo eltrico faz com que os eltrons livres sejam atrados pela regio n e as lacunas para regio p. Assim, decorre que a corrente resultante proporcional potncia ptica incidida. A largura de banda , s vezes, limitada pelo tempo de transio.

Onde: W= largura da regio de depleo =velocidade de deriva A velocidade de deriva depende da tenso de polarizao reversa aplicada no diodo, atingindo um limite na casa de 105m/s, chamada velocidade de saturao, que varia de material para material. Os eltrons gerados na regio p e as lacunas na regio n tendem a se difundir na regio de depleo para atingir as regies n e p, respectivamente. Porm, como eles foram gerados fora da regio de depleo, gastam um tempo maior at atingirem o outro lado do diodo. Este tempo de difuso pode interferir no tempo de resposta do fotodetector.

Figura 2 Tempo de resposta. Retirada de [2]

III. FOTODIODO FOTODIODO COMUM A figura abaixo mostra um fotodiodo p-n comum.

Figura 4 Resposta a um pulso ptico. Retirada de [1]

INTRODUO AOS SISTEMAS DE COMUNICAES PTICAS DEE/UFSCar 2 Sem/2013 FOTODETECTOR PIN Para amenizar o problema da difuso do fotodiodo pn comum, o fotodiodo PIN conta com uma maior regio de depleo atravs da insero de uma camada intrnseca entre as regies p e n.

Figura 5 Estrutura e distribuio do campo eltrico em um fotodiodo pin. Retirada de [1]

Figura 6 Estrutura e distribuio do campo eltrico em um fotodiodo APD. Retirada de [1]

A largura w deve ter um comprimento que proporcione um equilbrio entre responsividade e tempo de resposta, uma vez que, quanto maior a distncia a ser percorrida pelos portadores, maior ser este tempo. A principal diferena entre o fotodiodo p-n e o fotodiodo PIN que o tempo de deriva da fotocorrente mais alto que o tempo de difuso devido maior incidncia de ftons na regio intrnseca.

FOTODETECTORES APD Nos fotodetectores PIN, a responsividade R limitada para =1. Nos fotodetectores de avalanche, R pode atingir valores muito mais altos atravs do ganho de corrente pela ionizao por impacto. A ionizao por impacto ocorre quando um eltron acelerado adquire energia cintica suficiente para leva outros eltrons da banda de valncia para banda de conduo, gerando outros pares eltrons-lacunas.

A estrutura de um APD contm uma camada tipo p a mais que o PIN. Nesta camada h uma forte concentrao do campo eltrico quando reversamente polarizado. Na camada intrnseca ainda ocorre a maior absoro dos ftons, gerando eltrons livres que sero acelerados pelo campo eltrico e, na regio de ganho, adquirir mais energia cintica e gerar pares eltron-lacuna. A ionizao, especialmente em altas tenses de polarizao, muito sensvel variao de temperaura. Isso faz com que o ganho de corrente no fotodiodo APD seja muito varivel em relao temperatura. Pode-se perceber est dependncia observando-se o grfico abaixo.

Figura 7 Influncia da temperatura e tenso no ganho de corrente de um APD. Retirada de [2]

INTRODUO AOS SISTEMAS DE COMUNICAES PTICAS DEE/UFSCar 2 Sem/2013 IV. COMPARAO PIN VS APD Fotodetectores APD possuem responsividade mais alta. Por isso, usado em aplicaes onde a potncia da luz na fibra baixa. O APD possui maior sensibilidade temperatura, maior rudo e requer maior tenso de polarizao para garantir a multiplicao em avalanche. Algumas caractersticas comparativas podem ser melhor visualizadas na tabela abaixo.
[7]

YOUNG, Paul H., Tcnicas de Comunicaes Eletrnicas, 5 Ed., Pearson, 2005

Tabela 1 Comparao PIN vs. APD. Retirada de [4]

V. CONSIDERAES FINAIS Foram apresentados os tipos e estruturas bsicas de fotodiodos. Com a compreenso de alguns parmetros e termos como responsividade, tempo de resposta e largura de banda, acredita-se que, mesmo no abrangendo todos os tipos de fotodetectores, uma base terica para a escolha de fotodetectores para uma dada aplicao foi construda.

REFERNCIAS
[1] G. P. Agrawal, Fiber-Optic Communication Systems, 3a ed., John Wiley, 2002.

[2]

Gerd Keiser, "Optical Fiber Communications" (2nd edition), McGraw-Hill, 1991 PIRES, Jos, captulo 4 Fotodetectores em Sistemas de Comunicao ptica, IST UTL. Disponvel em https://dspace.ist.utl.pt/bitstream/2295/81427/1/SCO_Cap4_03.pdf JESUS, Abel Ribeiro; SALVI, Emille Jeane Novais Ribeiro; CERQUEIRA, Filipe Cardoso, COSTA, Gabriel Ramalho; MARQUES, Nikolas da Silva. Dossi tcnico fabricao de fibras pticas, SBRT. Disponvel em http://sbrt.ibict.br/dossietecnico/downloadsDT/Mjc2NzU= PINTO, Filipe Correia; RIBEIRO, Henrique Varella, Fotodetectores, USP. Disponvel em http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/2009/Fotodetetores.pdf

[3]

[4]

[5]

[6] GEIRINHAS, Pedro Miguel; FREIRE, Mrio Marques; CASTA,

Henriqu Matos; SILVA, Henrique Jos, Avaliao Do Desempenho De Fotododos Pin E Apd Em Sistemas De Comunicao pticos Com Deteco Directa