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LSER CONCEPTOS BSICOS. Bajo condiciones normales todos los materiales absorben ms luz de la que emiten. Los procesos de emisin y absorcin pueden ser entendidos mejor si planteamos el modelo atmico cuntico y recordamos que ste no consta nicamente de electrones, neutrones y protones, sino que el modelo atmico cuntico es ms complejo, segn la mecnica cuntica los electrones enlazados no pueden asumir ningn valor de energa continuo, sino que slo poseen energas discretas especificas segn las rbitas permitidas. Se dice que la energa est cuantizada y los valores permitidos de energa se denominan niveles de energa. Mientras ms alejado del ncleo se encuentre el electrn, el enlace ser ms dbil. Cuando un electrn est en su nivel de energa ms bajo posible, se dice que el tomo est en su nivel fundamental (o base). Un tomo slo puede llevarse a un estado excitado superior si el electrn absorbe una cantidad de energa exactamente igual a la diferencia entre los niveles inferior y superior. Esta energa puede ser suministrada en forma de calor, luz o energa de colisin. Lo verdaderamente importante es que sea la cantidad de energa necesaria. Un tomo con muchos electrones corresponde a la situacin en que todos los electrones disponibles se encuentran en los niveles ms bajos posibles. Por lo general, la excitacin del tomo eleva los electrones de rbitas externas, los electrones denominados electrones de valencia, hacia niveles superiores. Cuando se encuentra en un estado excitado, es posible seguir excitando al tomo hacia un estado an superior o puede liberar parte de su energa en exceso al regresar a un estado inferior. En general la vida de un tomo en un estado excitado es aproximadamente 10 ns antes de que se relaje espontneamente a un nivel inferior con la liberacin de un cuanto de energa igual a la diferencia entre su estado excitado inicial y su estado inferior final. Aunque esta energa puede manifestarse de varias formas lo que interesa son las transiciones pticas, que dan por resultado la emisin de un fotn de luz. EMISIN Y ABSORCIN.

Es instructivo considerar dos niveles de energa del sistema atmico, interactuando con un campo de radiacin donde ocurren las transiciones mostradas ms adelante. Antes de ver el modelo del lser es necesario entender como se producen los fenmenos a escala cuntica de absorcin y emisin de luz. La absorcin puede ser comprendida haciendo referencia a la figura mostrada ms adelante, donde los niveles E1 y E2 corresponden al estado base y al estado excitado. Si el fotn hv incide dentro del sistema y la frecuencia v es la misma que la diferencia de energa Eg = E2 - E1, el fotn es absorbido por el tomo, el cual pasa a un estado excitado. El tomo excitado eventualmente regresa a su estado base y emite luz en el proceso. La emisin de luz puede ocurrir por dos procesos conocidos como emisin espontnea y emisin estimulada. En el caso de la emisin espontnea la luz es emitida en direcciones aleatorias y desfasadas con respecto a la frecuencia del fotn que originalmente incidi. En la emisin estimulada el fotn entra al sistema, el tomo que se encuentra en el nivel excitado, el tomo es estimulado con la presencia del fotn a bajar de nivel y a ceder un fotn de la misma frecuencia.

Es instructivo conocer los ndices de emisin espontnea, emisin estimulada y la absorcin. Rspon = AN2 R stim =BN2 (v) Rabs = B N1 ( v)

Donde N1 y N2 respectivamente,

son las densidades atmicas en el nivel base y en el estado excitado (v) es la densidad espectral de la radiacin de energa, A, B y B son

constantes. En equilibrio trmico, las densidades atmicas estn distribuidas de acuerdo a la estadstica de Boltzmann (llamada tambin distribucin de Boltzmann), sta es: ( N2 / N1 ) = exp (- Eg/kB T) =exp (-hv/ kBT) < 1 Donde kB es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta. Las densidades atmicas no cambian con el tiempo en condiciones de equilibrio trmico; as que podemos hacer las siguientes observaciones: (N2 / N1) < 1 Existen ms tomos en el nivel excitado que en el nivel base, esto implica que la Rstim es menor que la Rspon . Lo que indica que si queremos que la Rstim domine, tenemos que afectarla. (Rspon/Rstim)= [ A/(B (v) )]=exp (hv/kB T)

Tomemos los siguientes ejemplos: 1.- = 10cm T = 300 K ( hv/kB T)= 10-4 ( Rspon/Rstim)= 0 La emisin estimulada domina. 2.- = 0.5m m T = 300/K (hv/kBT)= 100 (Rspon/Rstim) =

La emisin espontnea domina. En equilibrio trmico (v) es idntica a la densidad radiacin de un cuerpo negro la cual

esta dada por la frmula de Planck: (v)={[( 8p hv3)/c3] / [exp (hv/ kB T ) -1]} A= [ (8p hv3 )/ c3 ] B B = B

Estas relaciones fueron obtenidas por A. Einstein. Por esta razn A y B son llamados coeficientes de Einstein. Dos importantes conclusiones pueden ser esbozadas. La primera es que la Rspon puede exceder tanto la Rstim como la Rabs considerablemente si kBT hv. Las fuentes trmicas operan en este rgimen. Segundo, por radiacin dentro del espectro visible o cerca del infrarrojo (hv 1 eV), la emisin espontnea siempre domina sobre la emisin estimulada en condiciones de equilibrio. Por lo tanto fuentes trmicas no emiten luz coherente; dicho de otra manera los lseres deben necesariamente operar lejos del equilibrio trmico. Esto se consigue bombeando energa externa.

INVERSIN DE POBLACIN.

An en sistemas atmicos donde se bombea energa externa, la emisin estimulada puede no dominar, ya que compite contra el proceso de absorcin. La radiacin estimulada slo podr exceder a la radiacin absoluta cuando N2 > N1. Esta condicin es llamada inversin de poblacin, y es un prerrequisito para la operacin de un lser. La clave de este comportamiento es la probabilidad de ocurrencia real de una transicin ptica. No todas las transiciones hacia arriba o hacia abajo, ocurren en igual probabilidad, algunas tienen mayor probabilidad de emitir o absorber un fotn. Para la emisin espontnea de un fotn, la probabilidad de ocurrencia est inversamente relacionada con la longitud media de tiempo tspon que un tomo puede permanecer en el nivel superior de la transicin antes de que se relaje espontneamente. Por lo general, la duracin de tspon es del orden de dcimas de nanosegundo. Mientras ms breve sea la vida espontnea, ms alta es la probabilidad de ocurrencia de emisin espontnea. La probabilidad de ocupacin por electrones en las bandas de conduccin y de valencia est dado por la distribucin de Fermi-Dirac. 1 1+
E 2 E fc k T e B

f c (E 2 ) =

f v (E1 ) = 1+ e

1
E1 E fv kB T

Donde E fc y E fv son los niveles de Fermi. Para algunos niveles en ciertos materiales, la duracin espontnea puede ser del orden de unos milisegundos, por lo cual la probabilidad de una transicin espontnea es relativamente baja; sin embargo, a medida que disminuye la probabilidad de emisin espontnea mejoran las condiciones que favorecen la emisin estimulada. Debido a la

existencia de estos estados de mayor vida es posible crear una situacin en la que la velocidad a la que son bombeados los tomos hacia uno de tales estados supera la velocidad a la que parte. As, es posible excitar una gran cantidad de tomos hacia arriba y mantenerlos ah, en estado superior dejando atrs de ellos un estado casi vaco. Con lo que el sistema tiene una mayor poblacin en el nivel superior que en el inferior N2 > N1 y la inversin de poblacin se consigue. Este bombeo se consigue inyectando energa dentro del sistema; esta energa puede ser: luminosa, elctrica o qumica.

MODELO DEL LSER. Al irradiar un sistema atmico en el que se ha creado inversin de poblacin con un haz de fotones de frecuencia f correspondiente a la transicin entre los estados excitado y base, se hacen vibrar los tomos del estado excitado en fase con la luz incidente y de esta forma se estimula la emisin de una cascada de fotones cada una de frecuencia f. Todos los fotones emitidos tienen la misma longitud de onda y vibran en fase con los fotones incidentes. Lo que se hizo fue aadir fotones al haz incidente promoviendo la emisin estimulada a costa de la emisin espontnea. El comportamiento anterior constituye la base del efecto LSER y proporciona el origen de la denominacin (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation), amplificacin de la luz por emisin estimulada de radiacin.

Regresando al modelo de dos niveles, como en las explicaciones de emisin espontnea y estimulada, y es que la poblacin 1 + poblacin 2 = poblacin 0, desarrollaremos las ecuaciones de razn, evitando considerar el tiempo de vida real del sistema. a) Dos niveles.

N1 + N 2 = N0 .
d N2 N = B ( ) 1 ( ) 2 2 dt d N2 N = B ( ) ( 1 2 ) 2 dt

En equilibrio dN2 /dt = 0 N 1 + 2 B ( )

n = N 1 N 2 =

Siempre es positivo. El significado de estas ecuaciones de razn es: la rapidez de cambio de la poblacin en el nivel 2 va aumentar de acuerdo a la absorcin de luz del nivel 1 al nivel 2 se le resta los que se emiten por el proceso de emisin estimulada y por ltimo se le restan los del trmino que considera no slo el decaimiento de tomos, esta notacin permite aadir prdidas por otras razones como colisin. Si no hay otras prdidas se puede tomar una constante en lugar de una probabilidad.

Si se plantea la ecuacin del nivel 1 queda igual que la del segundo nivel a excepcin del ltimo trmino, ya que no se consideran prdidas. Esta frmula se iguala para quedar en equilibrio (v) es dependiente del tiempo; la restriccin mencionada al principio hace que el nivel de poblacin no cambie. Por lo que en el caso de 2 niveles la inversin de poblacin no existe porque el resultado de n es positivo, lo que indica que N1 es mayor que N2, lo que nos indica que para que exista inversin de poblacin al menos deben existir 3 niveles. Una explicacin menos matemtica se puede describir as: en un sistema de dos niveles para cualquiera de los dos, la velocidad a la que se puebla el nivel superior por absorcin iguala a la velocidad a la cual parten los tomos por emisin estimulada, lo mejor que puede esperarse para un sistema de dos niveles es que las poblaciones sean iguales en los niveles superior e inferior.

b) Tres niveles. Esto significa tener un estado base como N1 y mandarlo a un tercer nivel, manteniendo un nivel 2 que es utilizado como puente. Sus ecuaciones de razn son:

dN 3 = N 1 B 31 ( 31 ) N 3 B 31 ( 31 ) A 31 N 3 S32 N 3 dt

dN 2 = S32 N 3 A 21 N 2 N 1 B 21 ( 21 ) N 2 B12 ( 21 ) dt

dN 1 = N 3 B 31 ( 31 ) + N 3 A 31 + N 2 B12 ( 21 ) + N 2 A 21 N 1 B13 ( 31 ) N 1 B12 ( 21 ) dt

En equilibrio
A 21 < B13 ( 31 ) S32 B13 ( 31 ) + A 31 + S32

La rapidez en el cambio de poblacin en el nivel 3 aumenta de acuerdo a la absorcin o bombeo del nivel 1 al nivel 3, decrece por emisin estimulada del nivel 3 al nivel 1 , decrece espontneamente al nivel 2 y decae en forma no radioactiva del nivel 3 al nivel 2. La poblacin del nivel 2 vara por lo que recibe del nivel 3 en forma espontnea no radiactiva, decrece espontneamente hacia el nivel 1, crece por absorcin del nivel 1 al nivel 2 y decrece por emisin estimulada del nivel 2 al nivel 1. La densidad de poblacin del nivel 1 crece por lo que recibe por emisin estimulada del nivel 3, por lo que recibe del nivel 3 espontneamente; por lo que recibe por emisin estimulada y espontnea del nivel 2 y decrece por el bombeo a los niveles superiores. En equilibrio se igualan las tres ecuaciones a cero y obtenemos la inversin de poblacin, es decir ms tomos en los niveles superiores, si satisfacemos la relacin que es

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proporcional a la rapidez que es bombeado el sistema y tenemos coeficientes adecuados de A21, B13 , A31 , S32 1 , y B13 . Esto implica encontrar un medio o material adecuado que contenga las condiciones adecuadas. Sintetizando lo anterior, los tomos son bombeados hacia el nivel ms alto, cuando se termina la excitacin el tomo baja a un nivel intermedio de larga vida, que sirve como el nivel superior de la transicin del lser. Si inicialmente el sistema est en equilibrio trmico, entonces las poblaciones de los niveles estn dadas por la distribucin de Boltzmann y por lo tanto N3 es mayor que N2, que a su vez es mayor que N1. Al suministrar energa de bombeo al sistema equivalente en magnitud a N3, se elevan los tomos del nivel base al nivel superior. La desexcitacin del nivel superior al nivel de bombeo puede ocurrir por emisin espontnea o por procesos no radiactivos como colisin. Si la velocidad a la que es alimentado el nivel superior por el nivel base excede a la desexcitacin espontnea del nivel superior, entonces es posible establecer una inversin de poblaciones entre el N2 y N1, de modo que idealmente la velocidad a la que se alimenta el nivel superior debe ser rpida, con el despoblamiento consecuente del nivel base llevndose en forma lenta. La emisin espontnea de un fotn entre los niveles superiores basta para estimular una avalancha de fotones coherentes, caractersticos del lser. Una mejora se puede conseguir con una estructura de 4 niveles, en donde la transicin lser se efecta entre los estados excitados tercero y segundo. En este caso se requiere que el despoblamiento del nivel inferior sea rpido, a fin de asegurar que el nivel superior siempre est lleno y que el nivel inferior siempre est vaco.

La constante S = A (constantes de Einstein) slo se hizo un cambio de letra para evitar confusiones. S implica una transicin no radiactiva.

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CAVIDADES RESONANTES PTICAS. La sola inversin de poblacin no es condicin suficiente para tener un lser en un sistema dado. Si el sistema no se restringe de alguna forma puede radiar espontneamente en tantas direcciones que seria imposible mantener la emisin estimulada, ya que la luz confinada favorece que los fotones reboten y hagan decaer ms tomos, lo que a su vez produce ms fotones producindose un crculo virtuoso. Al limitar el medio lser y permitir que la luz rebote de un lado a otro se ha creado una cavidad resonante ptica en la que slo es posible mantener modos de oscilacin especficos. Un modo de oscilacin en una cavidad resonante puede parecerse al establecimiento de ondas estacionarias en un resorte estirado sujeto en ambos extremos. Surge la pregunta cuntas frecuencias (modos) es posible tener en 1 cm3? En una cavidad cubica, resolviendo las ecuaciones de Maxwell la solucin del campo elctrico es un producto de senos en tres direcciones.

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E= E0 sen (kx x) sen (ky y) sen (kz z)

m kx = L

n ky = L

q kz = L

Para satisfacer las condiciones de frontera, es decir que las orillas no se muevan, se debe cumplir que cada una de las kx, ky y kz debe satisfacer que sea un mltiplo entero de semilongitudes de onda, dentro de esa cavidad en esa direccin.

Eso se representa como k x =

m si m =1 quiere decir que hay una semilongitud en el eje L

x, sera el modo fundamental; si es dos, quiere decir que hay una longitud de onda completa. Y as en las tres direcciones.

Kx

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Ky Kz Cada direccin tiene su parmetro que debe ser un entero positivo, puede ser negativo pero no existe diferencia realmente. La densidad de modos puede entenderse mejor al pensar en el espacio fase que corresponde a los modos de propagacin kx, ky y kz; formalmente hablando para cualquier valor de m, n, q se obtiene un punto en el espacio, de tal manera que esto en principio grafica todos los puntos posibles, lo que resulta una grfica difcil de distinguir, pero podemos aproximar el nmero de modos que tengan ciertas frecuencias con lo que esta grfica aproximada resulta como una esfera de radio k y espesor dk.

Cada k (k = / c) representa un modo, cada octante de la esfera de radio k, de lo que existe entre k y k se est encontrando un modo que tiene frecuencia k, en un intervalo de + cuantos modos hay en este octante # 4 k2 dk, si dividimos ste por unidad de volumen se obtiene una relacin para el nmero de modos que tiene la cavidad en el rango de + .

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El problema fundamental es la evaluacin de alrededor de 700 nm que es el rojo, aqu el nmero de modos es muy grande y la monocromaticidad se pierde, para recuperarla se limita a dos dimensiones el medio lser y se trabaja como un resonador abierto. Nmero de modos

v d =

2 d 2 c3

Si = - 6m y v= 5 x 1014 Hz v= v/ 2

vd= 1012 /cm3

Resonadores abiertos. Los ejes planos slo permiten aquellos modos cerca del eje (llamndose a estos modos de cavidades longitudinales). Esto trae como consecuencia que el nmero de modos se reduzca significativamente, 2 se reduce a una constante que depende slo del factor de la longitud y permite tener as slo 20,30,40 o 100 modos en una cavidad.

Co nL

N2 =

nL co

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fm =

Nc 2L

N =

2L

nmero de modos longitudinales

frecuencia de cada modo longitudinal La separacin entre cada modo es c/2L o c0 /NL.

Si graficamos contra la frecuencia los modos obtenemos una serie de lneas paralelas y perpendiculares con respecto al eje de la frecuencia, cuya separacin est dada ya. Sin embargo el material slo permite amplificar en un cierto intervalo as que a este peine se le superpone una curva de ganancia. El resonador antes mencionado es inestable debido a que con cualquier vibracin se desestabilizan los espejos planos, as que se utilizan resonadores con focales los cuales los radios de curvatura del los espejos coinciden con la distancia del resonador; en este tipo de resonadores la radiacin presenta una ligera curvatura en el centro llamada anchura gaussiana del haz.

Ahora bien se est diciendo que dentro de una cavidad slo se permiten ciertos modos mltiplos de una frecuencia, y por otro sabemos que slo es posible amplificar los fotones cuya frecuencia es igual al de los fotones incidentes. Surge la pregunta Son

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iguales estas frecuencias? Lo son; la lnea espectral emitida por la transicin del nivel 2 al nivel base o 1 tienen un ancho de banda finito. De hecho tendr un ancho de una lnea finito f centrado con respecto a la frecuencia de los fotones. El ancho de este perfil se relaciona con la pureza de la monocromaticidad de la luz, mientras menos ancho, ms monocromtica ser la luz del lser, porque est compuesta de menos frecuencias. Los valores reales del ancho de lnea dependen del medio lser de la configuracin ptica y sern presentados cuando se analicen los distintos tipos de lser. Por el momento basta saber que son del orden de nanometros 2 . En trminos generales, el ancho de lnea se expresa por f (en Hz) o por (en metros); para convertir una representacin en otra, se tiene: f = c / por tanto. f = c /2 ( f / )= c / 2

OPERACIN EN UNA SOLA FRECUENCIA. Para conseguir que el lser opere en una sola frecuencia, a veces es suficiente seleccionar un medio que slo ofrezca una ganancia a un slo modo, sin embargo hay que decir que esto es sumamente raro, por lo general se le agrega un interfermetro, dentro de la cavidad; un interfermetro puede ser sencillamente un cuarzo de grosor especfico y caras paralelas. Al inclinar el interfermetro en la cavidad se modifica la longitud de sta, de forma que un slo modo longitudinal cumpla el criterio de la longitud de la cavidad. Para asegurar la mxima potencia; el modo elegido debe ser el ms prximo al centro del perfil de lnea. Esto a costa del flujo radiante.
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El ancho de lnea se expresa algunas veces en trminos del nmero de onda definido como 1/ .

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MODOS DE CAVIDAD TRANSVERSAL. Como mencionamos anteriormente existe un gran nmero de modos, y slo hemos mencionado a los longitudinales o axiales. Por supuesto la cavidad permite modos transversales surgidos de ondas que se desplazan fuera del eje a lo largo de la cavidad. Estos modos afectan el perfil espacial del haz. Estos modos se definen en trminos de la distribucin de onda electromagntica transversal, los modos electromagnticos transversales (EMT), a travs de la cavidad. El modo fundamental es el modo EMT00 y corresponde a una distribucin suave de la luz a travs de la salida de un lser. Los modos transversales son una funcin del ancho de la cavidad. Al instalar una apertura variable en la cavidad, es posible reducir el dimetro hasta el punto en que sea posible permitir un slo modo EMT00 . Una vez ms se pierde el flujo radiante al tener una sola frecuencia. CONDICIN DE UMBRAL. Al analizar las condiciones necesarias para producir oscilaciones lser en un sistema dado no se ha tomado en cuenta ninguna prdida de potencia que pudiese ocurrir. Aunque para el avance del efecto lser la inversin de poblacin es indispensable, no es posible producir ninguna luz lser til a menos que la potencia radiante producida por emisin estimulada supere tales prdidas mediante otros mecanismos. Las prdidas incluyen la potencia emitida en transiciones espontneas, prdidas internas como absorcin en el medio en transiciones indeseadas, dispersin del medio y dispersin y difraccin en los espejos. L z

r1

r2

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bombeo Estas prdidas representan energa perdida. La transmisin de luz lser a travs del espejo de salida, tambin es prdida de potencia, aunque es una condicin esencial para la extraccin de potencia til de lser. Debe existir un punto de equilibrio entre ganancia y prdida.

GANANCIA. La condicin de umbral se puede entender mejor, si recordamos que el medio lser de longitud L est limitado en cada lado por espejos, uno totalmente reflejante (r1) y otro

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con una reflexividad menor (r2), este semiespejo es importante ya que su reflexividad depende de la ganancia, esto queda mejor ilustrado con el siguiente ejemplo: En el lser HeNe cuya ganancia es sumamente baja el semiespejo tiene una reflexividad del 99%; en cambio en otros cuya ganancia es alta, el semiespejo tiene un ndice de reflexin menor. Ahora bien que entendemos por alta o baja ganancia: ganancia I = I 0 eg z

g (N 2 N1 )

I = (N 2 N 1 ) z

prdidas

r1 r2 = e-2y

+ IN2 IO I Z - IN1 I I(N2-N1) Z

Para contestar la pregunta anterior hay que hacer esa pregunta de una manera ms fcil: Inyectando una intensidad de luz (I0) cuanta luz sale?

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La cantidad de luz entre distancia propagada depende de la propia luz, porque el fenmeno de la emisin absorbida y emitida depende de la propia y combinando ambos modelos tenemos que el cambio en intensidad de luz entre el cambio en unidades de distancia es proporcional a la luz propagada por la diferencia de poblaciones. La ganancia puede quedar representada por la luz inyectada por un factor de ganancia exponencial, las nicas prdidas que se le asocien al sistema son los ndices de reflexin de los espejos y afecta directamente la amplitud de la onda que incide en el espejo. Las prdidas de las que hablamos son del puro resonador, bsicamente de dispersin, colisiones que se manifiestan trmicamente.

UMBRAL. Lo ms importante de esto es que si estamos buscando un umbral lo mnimo que debe ser de ganancia es lo que se gane en una vuelta completa sea igual a las prdidas. As que igualamos los factores exponenciales: ganancia = prdida g (N2 N1 ) y/L 0 21 N2 N1 0 2c3 Para v= 5 x 1014 Hz = 1011 Hz 21 = 5 ms = 6 ns N2 - N1 = 3 x 1016 /cm

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Que en trminos de constantes nos dicen que la inversin de poblacin, cuando se llega al umbral ha crecido proporcionalmente con la frecuencia (lo que nos explica por qu es difcil ver lseres azules) depende del tiempo de decaimiento del sistema y es inverso al coeficiente de prdidas totales del sistema y proporcional al ancho de banda que emita. PROPIEDADES DEL LSER. Ya hemos visto los fenmenos que permiten el efecto lser y a partir de stos ya hemos vislumbrado algunos de las propiedades que debe tener un lser, a continuacin las detallaremos. Divergencia del haz. Tambin confundida en ocasiones con direccionabilidad pero si bien en ambos casos se habla de lo mismo en el sentido estricto son diferentes; cuando se habla de divergencia, se habla de la dispersin angular debida a la difraccin o curvatura experimentada por la luz a medida que pasa por una apertura. La divergencia del haz o la cantidad por la cual se incrementa el dimetro del haz a travs de una distancia es mnima para los modos de orden ms bajo. Por consiguiente, un lser que oscila en el modo fundamental (EMT00) exhibir mxima coherencia espacial y mnima divergencia. La divergencia suele especificarse en radianes. En cambio direccionabilidad se relaciona con la capacidad de enfocar un haz lser a un pequeo punto, es decir contrarresta la difraccin. El dimetro d al que es posible enfocar un haz lser mediante una lente de distancia focal f suele expresarse como: d = 2f y divergencia del haz = / d ( frecuentemente 10-5 m/m)

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Los menores tamaos de punto se obtienen para los lseres que operan en el modo fundamental.

TIERRA

LUNA

Algunas fuentes tienen tan alta divergencia o tan poca direccionabilidad que si se emitiera uno desde la Tierra podra abarcar la Luna.

Potencia radiante. La potencia en ptica a menudo se denomina flujo, una de las caractersticas del lser es su capacidad para proporcionar alta potencia en forma de pulsos o continua. La potencia por pulsos puede ser de unos cuantos watts (lser de semiconductor) hasta 1018 watts en sistemas de fusin lser. En forma continua el lser HeNe nos da unos cuantos miliwatts y en el otro extremo el lser de CO2 proporciona varios kilowatts. Pero tal vez lo ms correcto es ver la intensidad del lser en funcin de su irradiancia o flujo por unidad de rea incidente sobre una superficie. Ejemplificando.

la lmpara pierde inten10-3 w sidad debido a que es

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irradiada en todas 30 cm La irradiancia est dada por E= potencia incidente/ rea irradiada E=I/A Un lser de HeNe tpico emite 5 mW en un haz que emite aproximadamente 1 mm de dimetro. E=5 x 10-3 W / (1 x 10 m-3)-2 = 5000 Wm-2 El Sol irradia a la Tierra con aproximadamente 1400 W/m2. Los lseres como el de argn proporcionan una irradiancia miles de veces mayor. direcciones.

Monocromaticidad. Ninguna fuente es realmente monocromtica, sin embargo haciendo una comparacin una lmpara de rub emite solamente color rojo en un ancho de 3 A., el lser reduce esto en un factor de 4. lmpara de rub = 3 A Coherencia. El alto grado de direccionabilidad y monocromatismo de los lseres est relacionado con la coherencia del haz. Es posible identificar dos tipos de coherencia; la temporal, que define la constancia de fase del haz entre dos instantes dados en el tiempo y la coherencia espacial, que define la constancia de fase del haz entre dos puntos a travs del lser de rub = 10-3 A

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frente de las ondas. Estos parmetros se modifican por el diseo de la cavidad ptica y por la estructura de energa del medio lser.

Factor Q. No confundir con la conmutacin Q. Esta forma de operacin sin ser propiamente una propiedad es importante conocerla ya que permite obtener potencias pico mucho ms altas para una energa de bombeo dada. El factor Q se describe as: energa almacenada Q = energa disipada La Q es una medida de cunta energa es posible almacenar en la cavidad en contra de la prdida de potencia en ella. Una cavidad permite almacenar unos factores Q de unos cuantos millones. En el modo de conmutacin Q (CQ) se coloca un obturador ptico, por lo general entre el espejo y el medio lser, a fin de impedir la realimentacin del espejo. De esta forma

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se incrementa la capacidad de la cavidad resonante para almacenar energa y se evita el efecto an cuando se est llevando la inversin de poblacin. Como resultado la inversin de poblacin se llevar a cabo a un valor de umbral por encima del valor normal. Cuando se abre el obturador se lleva a cabo emisin de energa en un destello corto y brillante, de esta forma por unos nanosegundos, se obtienen potencias medias de megawatts o mayores; La denominacin para esto es pulso gigante. Otra manera de obtener la CQ es empleando colorantes orgnicos como la criptocianina, este colorante es opaco y realiza la misma funcin que el obturador, pero cuando se llega a un nivel la oscilacin lser, el colorante se torna transparente y se obtiene el pulso gigante.

LSERES TPICOS. Lseres de estado slido. Lser de rub. Este lser es importante porque es el primer lser del que se demostr su funcionamiento, tambin porque fue el que permiti observar lo que sera la comunicacin por pulsos, si ponemos una barra de rub enfrente de la barra de emisin, (slo emite pulsos) podemos suponer que la absorcin dominar y lo que veremos ser la atenuacin de la luz, y efectivamente esto sucede, hasta que se recibe del lser un nivel que permita a la barra dejar pasar hasta un 95 % del pulso emitido, este fenmeno llamado transparencia autoinduccin que permite que el pulso no pierda forma, ni intensidad, a estos pulsos se les conoce como solitn, y son secantes hiperblicas (sech), con la aclaracin que el lser y el medio deben de ser del mismo material.

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En el lser de rub, el medio activo es un cristal cilndrico de rub sinttico (Al2O3) no purificado, con aproximadamente 0.05% en pesos de iones de cromo (Cr+3). Los extremos de la varilla son planos, paralelos y estn pulidos. La calidad del plano en toda la cara del extremo no debe variar en ms de un cuarto de longitud de onda (/4) y ambas superficies deben de ser paralelas entre s con una exactitud de unos cuantos segundos de arco.

El bombeo se obtiene por energa lumnica de un tubo de destellos. A menudo se colocan en los focos respectivos de un reflector elptico, para asegurar que se bombee a la varilla la mxima cantidad de luz posible. El rub absorbe la energa de bombeo en la regin azul-verde del espectro y emite su energa lser principal a una longitud de 694.3 nm. La absorcin de la luz verde eleva los iones de cromo a una banda ancha de niveles superiores a partir de los cuales se relajan muy rpidamente al nivel superior de la transicin lser. ste es un estado metaestable cuya duracin es de 3 ms. Entre este estado y el estado base se establece una inversin de poblaciones.

Lser de NdYAG.

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Este lser slido es una barra de itrio-aluminio-granate (YAG) impurificado con iones de neodimio (Nd+3). Presenta varias ventajas sobre el de rub como la de que es un sistema de 4 niveles, de menor umbral, mayor ganancia excitacin menos drstica (el lser de rub es bombeado con una luz en azul o ultravioleta) cercana al rojo o francamente rojo. El bombeo eleva los iones hacia los niveles cercanos a 2 eV, con relajamiento no radiactivo hacia el nivel lser superior. La emisin lser se lleva a cabo a 1.064 m. Este lser puede operar a velocidades de repeticin altas de hasta 50 Hz y presentar potencias de 105 W o ms.

Lseres gaseosos.
Lser de HeNe. Este lser fue el primer lser gaseoso y el segundo en trminos generales y el primero en producir un haz continuo, convirtindose en un lser de uso generalizado.

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El medio activo es una mezcla de helio y nen aproximada de 10:1, contenida en un tubo de cuarzo cerrado. Se crea una descarga brillante en el gas mediante la aplicacin de alto voltaje de entre 1 y 10 kV. Entre un par de electrodos insertados en extremos opuestos del tubo. Una vez encendido para mantener la descarga basta una corriente directa estable tpicamente de entre 3 a 10 mA. La corriente elctrica que fluye produce excitacin de los tomos de He debido a colisiones con los electrones energizados. A su vez, los tomos excitados de He transfieren parte de su energa, mediante colisiones atmicas, a los tomos de Ne, con lo que stos son elevados a sus niveles de excitacin superiores. En este nivel se establece una inversin de poblacin y puede llevarse a cabo el efecto lser a una longitud de onda de 632.8 nm. Es importante, observar que los tomos de He proporcionan el medio para excitar los tomos de Ne; el efecto lser se lleva a cabo en los niveles del Ne. El efecto lser contina en tanto sea posible mantener la inversin de poblacin y sea emitido un haz continuo con potencias en el intervalo de 0.5 a 50 mW. La ganancia del lser de HeNe a esta longitud de onda es baja y slo es posible permitir pequeas prdidas de cavidad. Lo que implica el empleo de espejos de altsima calidad con bajas prdidas por dispersin y absorcin. Los anchos de lnea en los lseres gaseosos son muchos ms bajos que los de cualquier otro. En ste suele ser de unos picmetros. En las versiones de alta potencia, los espejos son externos del tubo y estn sellados con ventanas de ajuste. Estas ventanas estn inclinadas a un ngulo especfico con respecto al eje ptico. Cuando se hace incidir luz no polarizada sobre una pieza de cristal o cuarzo inclinada a este ngulo y de esta manera slo son transmitidas las componentes de luz polarizada en el plano de la ventana. Las dems componentes son reflejadas y la luz emerge plenamente polarizada. A este ngulo se le llama ngulo de Brewster.

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Lser de CO2 (gas molecular). Este sistema tiene alta ganancia y por lo tanto alta potencia la cual suele ser del orden de KW, si bien no slo contiene bixido de carbono, sino tambin helio y nen. ste es un lser de uso industrial, se le utiliza para realizar cortes. Los gases son bombeados en el tubo, ste utiliza en lugar de una descarga de voltaje, resonadores de microondas y emite en 10.6 m (my lejos del espectro visible). Los niveles de energa se obtienen por el movimiento oscilatorio de toda la molcula de carbono entre s. Diferentes modos de vibracin originan un conjunto de niveles de energa con transmisiones que se ubican en el infrarrojo profundo. Lser de iones de argn. En ste el medio activo es un plasma de iones excitados. Se crea una descarga elctrica en un tubo estrecho de argn gaseoso. Primero se ionizan los tomos de argn y luego son excitados por colisiones mltiples con los electrones en sus niveles de energa superiores. Para ionizar los tomos del argn se requieren aproximadamente 16 eV y otros 20 eV para excitarlos a sus niveles superiores. Debido a la existencia de varios niveles superiores varias transiciones ocurren entro de la regin del azul-verde de los cuales los

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ms intensos ocurren en 514 y 488 nm. Debido a la alta energa para ionizar y excitar las densidades de corriente son altsimas (del orden de 1 A/mm2). Estos lseres suelen tener un campo magntico para constreir la descarga gaseosa y mantener alta la densidad de corriente. Los lseres de argn emiten aproximadamente de 1 a 20 W de flujo repartido entre casi todas las longitudes de accin lser. Sin embargo los lseres de argn se utilizan en la lnea de 514 nm por ser la ms poderosa, para conseguir esto se utiliza un interfermetro. Lser orgnico (Dye 3 ). Utilizan molculas orgnicas altamente fluorescentes como medio lser y, a diferencia de los otros la transicin radiactiva en el lser de tinte no se origina en un nivel de energa metaestable, sino que tiene lugar entre dos estados electrnicos singletes de la molcula; una pequea celda de 3 x 3 Cm si se irradian con otro lser; lo que nos indica que si lo limitamos con espejos, tenemos un lser.

Se presentan algunos problemas con este tipo como son que el ancho de banda de la emisin es muy grande, por lo que no son propiamente monocromticos, otro problema es que los niveles de energa de los llamados singletes estn muy cerca del carbn 3 o triplete que son totalmente absorbentes, esto no permite tener estabilidad, si la cavidad resonante
3

Compuesto de carbono doble de uniones tipo .

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no est bien calculada, la ventaja es que son sintonizables fcilmente con un simple prisma, se puede variar uno de los espejos la direccin de la frecuencia de seleccin o variando la concentracin del compuesto Dye. Lser excmero. Estos lseres son tiles porque tienden al azul. A un compuesto (haluro de gas noble) se le excita y tiene un estado metaestable y un tiempo de vida finito (ns) y luego decae, el excmero emite en el estado superior. APLICACIONES DEL LSER Son bien conocidas las aplicaciones de los lseres, por eso slo mencionaremos aplicaciones en ptica no lineal: Mezcla de ondas: Se puede obtener la suma o diferencia de frecuencias, si mezclamos infrarrojo se puede obtener verde o infrarrojo en visible (visin nocturna). Enfriamiento y confinamiento de tomos: Un lser tiene momentum

(comportamiento corpuscular), la luz por cambio de momentum puede frenar un tomo y obtener su caracterizacin, esto se emplea en ciclotrones. Separacin de istopos: Se puede ionizar algunos tomos sobre otros sintonizando bien los lseres.

TABLAS DE LSER Las siguientes tablas enumeran las caractersticas de los principales lser.

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Lseres gaseosos. MEDIO PRINCIPA SALIDA LES LONGITU DES ONDA HeNe Argn Kriptn HeCd CO2 633 mm 488, nm 647nm 325nm oc 442nm 10.6m CO2 (TEA) 10.6m 5mw- 6W 1-10mw 2-50mw 20W-15kw oc 30mJ-150J 50-100ns pulsos hasta 1KHz de 10 5 25 50 2 5 oc oc 0.05 10 1 1 0.1-50 mW oc 0.1 0.1 DE MODO EFICIEN CIA TPICA (%) DIME TROHAZ TPICO (mm) 1 1 1 1 544 5mW-20W oc DIVERGENCIA

TRO DEL (mrad)

Lseres de estado slido. MEDIO PRINCIPA SALIDA MODO EFICIEN- DIMEDIVER-

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LES LONGITU DES ONDA Rub NdYAG 694mm 1.064m DE

CIA (%)

TRO (mm) GENCIA (mrad)

30mJ-100J 10ns-10ms 0.5 hasta 3Hz 10mJ-150J 10ns-1ms hasta 50kHz 1-2

5-10 1-10

5 5

Nd-YAG (bombeo en diodo) Nd-cristal el

1.064m

1-10 mw

oc

1.06m

100mJ100J

50 s-1ms 2 hasta 2Hz

3-20

Lser excmero. MEDIO PRINCIPA MODO EFICIENDIMESALIDA DIVER-

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LES LONGITU DES ONDA (nm) Argn Fluoruro Kriptn Fluoruro 248 193 5-25ns pulsos 2-50ns pulsos hasta 500Hz Xenn Fluoruro 351 1-30ns pulsos hasta 500Hz de hasta 1kHz DE

CIA

TRO DEL HAZ (mm)

GENCIA

hasta 1%

2x4 25x30

a 50W

2-6

hasta 2%

2x4 25x30

a 100 W

hasta 2%

2x4 25x30

a 30 W

Lseres coloreados. MEDIO PRINCIPA SALIDA MODO EFICIEN- DIMEDIVER-

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LES LONGITU DES ONDA Bombarde 340ado con 940nm ajustable lmpara estrobosco pica bombardea 400do lser iones bombardea 300do lser pulsos LSER DE SEMICONDUCTOR con 1000nm de ajustable hasta 15w 3-50 pulsos hasta 10kHz con 1000nm de ajustable hasta 2W oc DE

CIA

TRO (mm) GENCIA

hasta 50W 200ns-4s hasta 1 pulsos hasta Hz 5-25 50

5-20

0.5 - 5

0.6-1

1-2

ns depende de 2-10 la luz de bombeo

0.36

En un lser de semiconductor, no se puede aislar los tomos en los niveles de energa como en los lseres anteriores; lo que se hace es resolver la ecuacin de Schrdinger, ahora si imaginamos a los slidos como una red repetitiva y los electrones estn sujetos a potenciales peridicos formados por los ncleos de los tomos, los niveles de energa estn tan cerca que forman bandas.

PRINCIPIOS DE SEMICONDUCTORES. Un semiconductor tiene propiedades entre aislante y conductor, un ejemplo es el silicio, el cual est localizado en la cuarta columna de la tabla peridica de elementos. El

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silicio tiene en su ltima capa cuatro electrones. El semiconductor es una substancia cristalina que tiene una estructura de bandas de energa en las que la banda de valencia est completamente llena a la temperatura cero, mientras que la banda de conduccin est totalmente vaca a cero grados de temperatura absoluta, en dicho estado el semiconductor es un aislante perfecto, ya que no cuenta con bandas parcialmente llenas. Sin embargo, a temperaturas ms altas, algunos electrones de la banda de valencia pueden adquirir la suficiente energa trmica aleatoria para excitarse a travs de la banda prohibida con el fin de convertirse en electrones de conduccin en la banda de conduccin. Los estados vacos que quedan en la banda de valencia tambin contribuyen a la conductividad. Las propiedades de conduccin pueden ser interpretadas con la ayuda de los diagramas de los niveles de energa o bandas de energa. La de ms alta energa que es ocupada parcialmente: banda de conduccin. La banda inferior: la de valencia, normalmente llena. La banda prohibida: est entre las ltimas dos y determina las propiedades elctricas.

3p g 3s

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2p

2s

1s Metal Semiconductor Aislante Por comparacin en el diagrama tenemos a los metales, semiconductores y aislantes la banda gris es la banda de conduccin y la banda negra es la de valencia, entre ambas la banda prohibida; la diferencia entre las tres es la separacin entre la banda de valencia y la de conduccin - o visto de otra manera la anchura de la banda prohibida - en un metal es despreciable, mientras que en un semiconductor es mayor y en un aislante predominan las bandas de valencia. La energa necesaria para saltar una banda prohibida en un semiconductor y un aislante es: aislantes g > 3 eV semiconductor g 1 eV (=1 m)

Electrones y huecos. El problema es que los electrones se encuentran en su mayora en la banda de valencia en la mayora de los slidos; as que se debe proporcionar una excitacin condicionada a que la energa que se le comunica sea mayor que la de la separacin de la banda prohibida. Los electrones de la banda de valencia son los que forman los enlaces covalentes de parejas de electrones tetradricamente dispuestos entre los tomos. La excitacin trmica

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de un electrn de la banda de valencia a la de conduccin corresponde fsicamente a la supresin de un electrn de un enlace covalente por medio de agitacin trmica de la red. Por tanto el electrn se convierte en un electrn fuera del enlace covalente de la red y queda disponible para funcionar como portador de carga a fin de conducir una corriente a travs del cristal. La excitacin de un electrn deja una ausencia localizada en la banda de valencia en la estructura del enlace covalente que podra ser ocupada por un electrn; esta ausencia constituye el hueco. Tanto el electrn como el hueco son migratorios; el electrn libre puede vagar dentro del cristal igual que el hueco. Esta migracin tambin puede responder a un campo elctrico y pueden dar origen a una corriente macroscpica que fluye por el cristal. El problema surge cuando el electrn salta a la banda de conduccin y deja un hueco, que los dems electrones tienden a ocupar y entonces efectivamente se produce un desplazamiento en la banda de valencia, desde el punto de vista de la mecnica cuntica no es lo mismo el movimiento libre del electrn en la banda de conduccin que el movimiento que hacen los electrones por ocupar el hueco que ha dejado, lo que es caracterstico del movimiento de ambos sus curvas de energa contra momentum; el movimiento es masa multiplicada por la velocidad o lo que es igual, el momentum est asociado a una longitud de onda dada por k (k = 2/) por la h = 2 / . En trminos de energa cintica; se sustituye y la energa es una relacin cuadrtica que resulta en una parbola en el espacio libre, comparando como se ven las curvas debido a las diferentes dinmicas entre la banda de conduccin y la banda de valencia. Para que la transicin de un electrn tome lugar para o desde la banda de conduccin con absorcin o emisin de un fotn, respectivamente energa y momento deben de ser conservados. A pesar de que un fotn puede tener considerable energa, su momentum (hv/c) es muy pequeo; los semiconductores son tambin clasificados como de transicin directa o transicin indirecta.

Banda de

electrn

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conduccin Electrones y huecos estn banda prohibida g sujetos a diferentes dinmicas

valencia

hueco

Las curvas presentan diferente perfil y dependen de la orientacin que tengan como ejemplo las siguientes curvas se pueden aproximar a una parbola: Relacin momentum P = mv = h k

Electrn libre E = m v2 p2 (h k) 2 = = 2 2m 2m La primera curva corresponde a un material de transicin directa, en donde el electrn y el hueco tienen el mismo momentum y la recombinacin de ambos permiten obtener un fotn, por lo mismo el cambio no cuesta momentum sino slo un cambio de energa. Para la segunda parbola presenta un desplazamiento en el eje k lo que indica un cambio de momentum y de energa. Aqu la recombinacin banda a banda debe involucrar una tercera partcula para conservar el momentum -la tercera ley de Newton- . Los fonones sirven para este propsito que se muestran como calentamiento.

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MATERIALES SEMICONDUCTORES. Elementos intrnsecos. Un semiconductor en el que los electrones y los huecos se producen slo mediante una excitacin trmica a travs de la banda prohibida de energa, se conocen como semiconductores intrnsecos. Los huecos y los electrones creados de esta manera a menudo se denominan portadores intrnsecos de carga y la conductividad originada por estos portadores se llama conductividad intrnseca. En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y electrones deben de ser las mismas, ya que la excitacin trmica de un electrn origina inevitablemente un hueco.

En una tabla peridica el nmero de fila indica el nmero de electrones de valencia, cualquiera de los siguientes forma un material semiconductor en el sentido estricto; pero

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tienen pocas perspectivas de utilizacin, porque sus propiedades no pueden ser cambiadas sus propiedades as que se buscan hacer combinaciones.

II Zn Cd Hg

III Al Ga In

IV Si Ge

V P As Sb

VI S Se Te

Binarios: son formados por una combinacin de un grupo con otro, por ejemplo se tiene a los del grupo III con los del grupo V las propiedades de ambos se muestran a continuacin: g (m) 1.88 1.55 0.57 0.87 3.5

ELEMENTOS Ge Si AlAs GaAs InAs

TIPO I I I D D

Al Ga In

P As Sb

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Comparados con los dos primeros elementos aislados; la segunda columna nos indica que tienen distinto ancho de banda, esto significa que pueden ser excitados con una longitud de onda controlada, porque se tienen dos elementos aislados tales que su banda prohibida se puede saltar con 1.88 o 1.55 m pero son indirectos, el arsenuro de aluminio tiene un ancho de banda en luz visible, pero tienen transicin indirecta, el arsenuro de indio cae en el infrarrojo y el arsenuro de galio con una radiacin de 0.87 m est cerca del infrarrojo y ambos tienen transicin directa; la mayora de los leds infrarrojos estn hechos de GaAs, arsenuro de galio. Ternarios: Tienen mayor ventaja para maniobrar, se hacen de la siguiente manera: A) 2 elementos del grupo III y uno del V. B) 1 elemento del grupo III y dos del V. Al x

1-x Ga

As

En la grfica podemos ver como el arsenuro de galio y al arsenuro de aluminio se desplazan de tener 1m de excitacin a una excitacin de 0.4 m, al misma tabla muestra ms combinaciones.

Cuaternarios.

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Se combinan 2 del grupo III y 2 del grupo V, en la grfica estaran representados por la limitacin del InP al GaP. Lo que permite ver que tienen una mayor utilidad ya que tienen una menor necesidad de energa y un margen mayor de excitacin y absorcin en su banda prohibida. (In1-X Gax) (As1-Y PY )

Semiconductores extrnsecos. Es muy fcil introducir cantidades muy pequeas de substancias tales como arsnico, antimonio u otros elementos pertenecientes al grupo V, en cristales puros de silicio o germanio, como tomos de impurezas que ocupan sitios de la red, que normalmente estaran ocupados por el semiconductor covalente. Los tomos del grupo V tienen cinco electrones de valencia. Cuatro de ellos se usan para formar enlaces covalentes y el quinto se enlaza al tomo de impureza slo mediante fuerzas electrostticas que son

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muy dbiles y, por ende se pueden ionizar con facilidad mediante agitacin trmica de la red a temperaturas ordinarias para proporcionar una conduccin electrnica adicional. Entonces el tomo de impureza que queda se convierte en in positivo que sin embargo es inmvil, en vista de que est unido a cuatro tomos vecinos. Los semiconductores extrnsecos se diferencian de los intrnsecos porque no se encuentran en su forma pura sino que se les agregan impurezas, por lo cual son ms fciles de utilizar , hay dos maneras de dopar a un semiconductor: A) Reemplazando a elementos del grupo IV o V con tomos del siguiente grupo es decir del V o VI respectivamente producindose un exceso de electrones de valencia, teniendo la ventaja de tener electrones mviles, a este tipo de semiconductor se le llama tipo N o donadores. B) La otra manera es reemplazar a tomos del grupo III o II por tomos del grupo IV o III respectivamente, con lo que predominan los huecos o exceso de electrones de conduccin, son llamados aceptores o tipo P. La componente de conductividad elctrica que se produce por los tomos de impureza se conoce como conductividad de impureza. Cuando existe un hueco adicional es porque en la estructura del enlace covalente falta un electrn, este hueco puede emigrar fcilmente alejndose del sitio de la impureza y llenar el cuarto enlace del par de electrones. La energa necesaria para la emigracin de este hueco lejos del sitio de la impureza es del orden de la energa que se requiere para eliminar el electrn adicional de un tomo donador. En consecuencia, excepto a temperaturas muy bajas, todos los huecos sern migratorios y todos los tomos de impurezas del grupo III tendrn la naturaleza de iones negativos inmviles. Concentracin de portadores. Antes de hablar de las transiciones intrabandas debemos hablar de la concentracin de portadores y de la probabilidad de ocupacin, como vemos en la siguiente grfica

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(2m)3/2 pc = E -c 2 2 h3 (2v)3/2 pv = Ev -c 2 2 h3

Donde m y v son las masas efectivas de electrones y hoyos en las bandas de conduccin y valencia respectivamente. Vemos que la concentracin de portadores tienden a formar una parbola en la banda de conduccin con la notoriedad que la parbola es inversa, es decir que la cantidad de portadores entre unidad de volumen en la banda de conduccin es la raz cuadrada, con raz de una parbola por la relacin que uno guarda con respecto al espacio que hay entre ellos, es decir siguiendo la parbola notamos que existen ms portadores en la parte de abajo que en la de arriba en una relacin que es simplemente la ecuacin mostrada. Lo inverso es la cantidad de portadores en la banda de valencia. Probabilidad de ocupacin. Est dada por la frmula de Fermi: 1

f(E) =

(E

EF )

probabilidad de ocupacin de un electrn

1-f(E)

probabilidad de ocupacin de un hueco

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Distribucin Fermi- Dirac 1

E 2 E fc

f c (E 2 ) = 1+ e

kB T

f v (E1 ) = 1+ e

1
E1 E fv kB T

Donde E fc y E fv son los niveles de Fermi. La probabilidades de ocupacin por electrones en las bandas de conduccin y de valencia estn dadas por la distribucin de Fermi-Dirac. Las primeras dos frmulas determinan el nivel de Fermi y si T tiende a cero la probabilidad de encontrarlo es uno; este nivel est normalmente entre las bandas de conduccin y la de valencia no es un nivel intermedio sino un valor numrico de referencia. Las siguientes dos frmulas son la distribucin Fermi-Dirac y determinan la probabilidad de encontrar un electrn en la banda de valencia o la de conduccin. La funcin de distribuciones de nivel de Fermi y poblaciones de electrones y huecos para un semiconductor con impurezas tipo P y un semiconductor con impurezas tipo N.

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UNIONES PN. Hemos vistos hasta ahora semiconductores que se suponan uniformes u homogneos en cuanto a la densidad de impurezas contenidas en su interior, ahora sin embargo nos centraremos en una muestra uniforme tipo P con otra tipo N para formar un slo cristal. Lo que ocurre en una unin es que se juntan dos materiales dopados, pero por condiciones de frontera los niveles de Fermi deben ser iguales, pero al intentar unir dos materiales con diferente nivel de Fermi - llamados niveles cuasi Fermi o niveles efectivos de Fermi- ; los niveles de Fermi se igualan pero para conseguirlo las bandas que se tenan se distorsionan para conseguirlo; a esto se le conoce como la distribucin de cargas. Esto se explica de la siguiente manera: Lejos de la unin, en la regin N, la concentracin de equilibrio de los huecos recibe poca influencia por el efecto de los huecos, pero como la concentracin de electrones del lado N es mayor que del lado P en el instante de formacin existe un gradiente enorme en la concentracin de electrones en la unin entre ambas regiones, la misma situacin ocurre con los huecos en la misma unin. Los grandes gradientes iniciales de concentracin establecen corrientes de difusin que hacen que los

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electrones de la regin N y los huecos de la regin P fluyan descendiendo por los gradientes de concentracin respectivos hasta la regin de conductividad de tipo opuesto y dejando a la regin cercana a la unin vaca de portadores mayoritarios. No obstante este flujo de difusin inicial no puede continuar indefinidamente, debido a que las regiones cercanas a la unin hay deficiencia de portadores mayoritarios, las cargas de iones fijos donadores y receptores cercanos a la unin ya no estn balanceadas por las cargas de los portadores libres mviles que estaban all inicialmente, de modo que se establece un campo elctrico. La direccin de este campo elctrico se opone al flujo de los electrones que salen de la regin N y al flujo de huecos de la regin P, y la magnitud del campo contrarresta exactamente la tendencia de los portadores mayoritarios a difundirse descendiendo por la pendiente de concentracin hacia la regin de conductividad opuesta. Entonces se establece una condicin de equilibrio dinmico en la que la regin cercana a la unin queda vaca de portadores mayoritarios -llamada regin de agotamiento- y en la que se forman fuertes capas de carga espacial que contienen campos elctricos altos cerca de la unin.

En la figura se pueden

ver las tendencias de oposicin de los gradientes de

oposicin de los gradientes de concentracin y los campos elctricos; los electrones de la banda de conduccin del lado n se difundirn obviamente descendiendo por el gradiente de concentracin del lado p, sino fuera por la pendiente del potencial elctrico que deben vencer para lograrlo. El propsito de estas uniones es formar diodos, transistores, etctera... como ya sabemos, si conectamos un potencial mayor -positivo- a la parte p se rompe el equilibrio (polarizacin directa) provocando una disminucin en la separacin que ha quedado en la unin favoreciendo la movilidad de electrones y huecos.

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PROPIEDADES PTICAS. Efecto fotovoltaico P-N. Si una unin ordinaria PN se pone en cortocircuito en la oscuridad, no habr flujo de electrones, es de esperarse ya que de lo contrario se hara un trabajo sin ninguna energa de entrada rompiendo la primera ley de la termodinmica. Si se permite que caiga una luz en la unin PN, la situacin cambia materialmente y se pueden observar voltajes y corrientes mensurables. La luz que cae en las regiones p y n, a ambos lados de la unin, crea muchos pares electrn hueco en exceso, en ambas regiones. El exceso de electrones creados en la regin P puede difundirse a la unin y descender por la barrera de potencial hasta el lado n, en tanto que el exceso de huecos creados por la excitacin ptica en la regin N puede difundirse hasta la unin y flotar para pasar la barrera y entrar a la regin P. El efecto de esto es colocar una carga positiva neta en el lado p y una carga negativa en el lado n. La presencia de estas densidades de carga es tal que reducen la diferencia de potencial de barrera a un valor dado , el potencial interno ahora es diferente de los potenciales de contacto equilibrante y un voltaje igual a esta diferencia aparecer como una diferencia de potencia en las terminales este fenmeno se conoce como efecto fotovoltaico P-N. Si se cierra el circuito externo que conecta las regiones p y n fluir una corriente elctrica en tanto exista una corriente de difusin de electrones en exceso creados pticamente desde la regin N y una corriente de huecos desde la regin P creados pticamente. ste es el principio de las celdas fotovoltaicas. Al poder mover un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin y poder regresarlo a la banda original, podemos utilizar la unin PN para emitir o detectar luz. Corriente de inyeccin.

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A continuacin veremos lo que sucede cuando una corriente es inyectada a travs de la unin PN. Al aplicar un voltaje directo a travs de los extremos de la unin PN se perturba la situacin de equilibrio. La barrera energtica es reducida por una cantidad equivalente a la energa potencial aplicada. Los portadores mayoritarios de ambas clases encuentran ahora ms fcil cruzar la unin debido a que la energa de barrera ha disminuido, ahora la corriente de difusin debe exceder la corriente de deriva originando un flujo neto de corriente del lado P al lado N. Esta corriente se denomina corriente de inyeccin. Al cruzar la unin los portadores pueden recombinarse con portadores de polaridad opuesta y emitir radiacin de manera espontnea: la longitud de onda ms larga que es posible emitir corresponde a un electrn que se desplaza de la parte inferior de la banda de conduccin a la parte superior de la banda de valencia. Sin embargo el salto de la banda de valencia a la banda de conduccin depender de la separacin, pero en realidad hay saltos intrabandas donde se puede tambin generar la emisin de luz, ejemplificando: un desplazamiento de la zona baja de la banda de conduccin a la zona alta de la banda de conduccin y su regreso a la zona baja puede emitir fotones, as que hay que asegurar que la transicin provenga de la parte alta de la banda de valencia a la parte baja de la banda de conduccin, surge entonces el problema de que las radiaciones no sean de una sola frecuencia, otro problema es que no existen semiconductores puros; los niveles de energa se encuentran alterados, por lo que suele haber niveles intermedios entre la banda de valencia y la banda de conduccin que corresponden a la de las impurezas, efectos de temperatura; la temperatura produce transiciones fonnicas. LED. Consiste en una unin PN conectada en forma directa en la cual la corriente favorece el paso de portadores de la banda de conduccin a la banda de valencia; cuando un

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electrn pasa de una banda a otra se favorece la emisin de fotones, por el efecto de luminiscencia en inyeccin. Los diodos de unin PN normal ven esta radiacin como prdida de energa y se disean para minimizar esta prdida, pero constituyen la base del diodo emisor de luz y del diodo lser.

A temperatura ambiente, una capa de GaAs produce una luminiscencia de una intensidad de 10-20 W/cm2, sin requerir corriente. Esta intensidad es muy baja por lo que para obtener mayor intensidad se requiere romper el equilibrio. flujo de fotones = iRV = i V (n/) donde i = eficiencia interna (sin unidades) R = nmero de portadores ( nmero de portadores.) V = volumen (cm3 ) Ejemplo i = 0.5 V=2 200 X 10 Cantidad de carga=1017/cm3 = 50 ns potencia =1 mW Antes de pasar a fuentes coherentes de luz veremos a los diodos emisores de luz LED, como mencionamos anteriormente la luminiscencia en inyeccin nos proporciona por
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s misma una forma de obtener luz de una unin PN, sin embargo esta forma de luz no es coherente y es debida a emisin espontnea. Los LED se pueden fabricar para alto brillo, el cual es necesario en presentaciones visuales, sistemas fotoelctricos y componentes electropticos o para alta radiancia la cual es necesaria en sistemas de comunicacin por fibra ptica. El ancho de banda de su recombinacin espontnea es de 20 a 40 nm. En emisor de superficie de alto brillo, la reabsorcin volumtrica o de profundidad y la reflectancia de la superficie son dos factores que reducen la eficiencia del diodo; la reabsorcin se minimiza cubriendo la regin emisora de luz con un material de banda prohibida ligeramente mayor que la energa del fotn emitido. La reflectancia se reduce por encapsulacin, configuracin de la superficie (por ejemplo hemisfrica) o por recubrimientos antirreflectivos -los materiales corrientes son GaAs:Si, GaAs:Ge, GaAsP, GaAsP:N, GaAlAs, InGaP e InAlP. LED de alta radiancia. Se emplean comnmente emisores de superficie y de extremos, normalmente usados para acoplamientos de fibra ptica. Los primeros tienen una configuracin de heterounin normalizada en la que ha sido grabado un orificio a travs de un sustrato absorbente. La regin emisora de luz est definida por corriente inyectada por contacto circular. Los diodos de emisin de extremo restringido. El dispositivo tiene una doble heteroestructura en que la regin emisora est definida nuevamente por el contacto grabado. La regin emisora est situada cerca del extremo a fin de minimizar la reabsorcin. El emisor de extremo restringido tiene una anchura muy grande de haz (120 a media potencia) en el plano de la unin y puede tener una anchura relativamente estrecha (30) en el plano perpendicular. Esta anchura del haz depende de la naturaleza del guiado de ondas en la gua de onda de doble heterounin.

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La respuesta a la frecuencia es de primordial importancia para los sistemas de transferencia de informacin. Se consigue una respuesta rpida en virtud de sus cortos tiempos de vida media de recombinacin cuando se hace funcionar a los diodos en el rgimen de alta densidad de portadores inyectados. De aqu que sean deseables capas estrechas de recombinacin y altas corrientes de excitacin. Se han obtenido tiempos de vida media de recombinacin tan bajos como 1.2 ns y frecuencias de modulacin tan elevadas como 250 Mhz utilizando diodos emisores de extremos restringido. Distribucin espectral = hv-Eg e(-( hv-Eg ) kT)

La frmula de la distribucin espectral es muy simple, el aspecto interesante es la distribucin con respecto a la frecuencia, que iniciando a la frecuencia mnima -la de la banda prohibida- es que emite en un enorme ancho de banda, comparndolo con los lseres ya vistos, pero la utilidad del LED radica en que es un medio barato y dentro de ciertos criterios puede servir sustituyendo a los diodos lser.

DIODO LSER. Aqu las transiciones ocurren entre las bandas de conduccin y de valencia -como en el LED- y de la emisin estimulada resultante de la vecindad inmediata de la unin PN, los lseres de semiconductores, barren el espectro del infrarrojo al ultravioleta. El lser de AsGa es extremadamente pequeo, siendo solamente una astilla de alrededor del tamao de la cabeza de un alfiler -sin considerar la fuente de poder.
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En un lser de semiconductor la unin PN se conecta directamente con una corriente la suficientemente alta que favorezca la emisin estimulada, manteniendo a los electrones en niveles altos, de manera que el electrn se mueve en un sistema de cuatro niveles buscando transiciones rpidas del electrn entre las bandas intermedias estimulando una mayor cantidad de fotones. El semiconductor est limitado por materiales reflejantes, lo que se encuentran en los lados de las terminales, siendo suficiente ndices de reflexin del 30 %. El ndice de reflexin sin embargo es mayor en uno siendo totalmente reflejante para estimular que los fotones reboten y estimulen la emisin de ms fotones. Como sucede en los anteriores lseres. Sin embargo su importancia radica en que abarat el lser y disminuy el tamao de las fuentes ya que es de una alta eficiencia. Ahora discutiremos algunas de las principales caractersticas de los lseres de semiconductores, as como algunos tipos de lseres de semiconductor. Ganancia ptica. Como en los lseres anteriores la inversin de poblacin es una condicin para que la emisin estimulada pueda dominar. Esta condicin es realizada por contaminacin tipo P y n de la capa de recubrimiento tan pesada que los niveles de Fermi exceden la banda prohibida de la unin PN. Cuando la inyeccin de portadores en la regin activa excede cierto nivel, conocido como transparencia de valor, la inversin de poblacin es realizada, y en la regin activa se exhibe ganancia ptica.

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Una seal de entrada propagndose dentro del semiconductor debe ser amplificada en exp (gz), donde g es el coeficiente de ganancia. Una vez calculado se ve que es proporcional a R
stm

-R

abs,

donde los niveles de emisin estimulada y de absorcin estn

dados por las frmulas que ya conocimos en el tema uno. En la siguiente grfica podemos ver el valor de la ganancia ptica contra la energa del fotn en una muestra de 1.3 m de InGaAsP (regin de agotamiento), para diferentes valores de la densidad de portadores inyectados.

Para N = 1 1018 cm-3 el material absorbe luz (N=densidad de portadores inyectados) y la inversin de poblacin no ocurre. Como N crece, g se vuelve positivo sobre un rango espectral con N, el valor pico de la ganancia g p, tambin crece con N junto con el incremento de la energa de los fotones. La cercana dependencia lineal de g p sobre N sugiere una emprica aproximacin en el cual la ganancia pico es aproximadamente:

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g p g (N -NT ) Donde NT es el valor de transparencia de la inyeccin de portadores y g es el coeficiente de ganancia diferencial. Para que la frecuencia (v) llegue a oscilar, sta debe ser mayor que la energa entre la banda de separacin entre la banda de conduccin y la banda de valencia entre la constante de Planck (h) y menor que la energa en los niveles de Fermi asociados a la banda de conduccin y de valencia entre la constante de Planck. Eg h Ef c Ef v h

< <

La ganancia es directamente proporcional a la resta de los dos niveles de Fermi g (v) [ fc(E 2 ) - fv (E1 )] Como podemos ver la salida es prcticamente lineal en los lseres de semiconductor esto no ocurre siempre en otros lseres, por lo que la ganancia puede quedar expresada de la siguiente manera:

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La ganancia queda definida como el cociente entre la corriente de operacin y la corriente de umbral menos la unidad: g = [ ( I/Ith ) - 1 ] Esta linealidad entre la ganancia y la corriente nos permite modular la corriente. La intensidad pico ser modulada fcilmente teniendo como nica limitante el tiempo de relajacin de los portadores, pero si consideramos que est dada en nanosegundos podemos manejar la corriente en el orden de gigahertz. Otra cosa que se puede notar de la curva de la ganancia es que el cambio de anchura de la ganancia con respecto a la corriente permite amplificar seales de diferente frecuencia pero cercanas al coeficiente de frecuencia. Esto es debido a que la unin PN por s misma acta como un amplificador ptico. Retroalimentacin y umbral. La ganancia ptica no es suficiente para el funcionamiento del lser. Otro ingrediente necesario es la retroalimentacin ptica; que convierte un amplificador en un oscilador. En muchos lseres la retroalimentacin es provista por una cavidad formada por dos espejos, a menudo referidos como la cavidad Fabry - Perot. En el caso del lser de semiconductor, los espejos externos no son requeridos porque las caras con hendiduras actan como espejos de reflexin

n 1 R= n + 1

Po = i (i -i th ) (1.24/o )

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Donde n es el ndice de reflexin de la ganancia media. Tpicamente n = 3.5, resultando en una cara de 30 % de reflexin. A pesar de que la cavidad Fabry - Perot est formada por dos caras estriadas es relativamente generadora de prdidas, sin embargo, la ganancia es lo suficiente para superar las prdidas. El concepto de umbral lser puede ser entendido notando que cierta fraccin de fotones generados por la emisin estimulada es perdida a causa de las prdidas en la cavidad y necesitan ser repuestos de una manera continua. Si la ganancia ptica no es lo suficientemente considerable para compensar las prdidas de la cavidad, la poblacin de fotones no puede ser reunida, una cantidad mnima de ganancia es necesaria para la operacin de un lser. Esta cantidad puede conseguirse nicamente cuando el lser es bombeado arriba de un nivel de umbral. La corriente necesaria para alcanzar el umbral es llamada corriente de umbral. Una manera simple de obtener la condicin de umbral es estudiar como la amplitud de una onda cambia durante una vuelta del viaje. Considerando una onda de amplitud Eo, frecuencia , y constante de onda k = n/c. Durante una vuelta del viaje, su amplitud es incrementada en exp[(g/2)(2L)] porque la ganancia (g) y su fase cambia en 2kL, donde L es el largo de la cavidad lser. Al mismo tiempo, su amplitud cambia en (R1 R2)1/ 2exp(- int L) a causa de la reflexin de las caras del lser y porque las prdidas internas (int) que incluyen la absorcin de los portadores libres y otros posibles mecanismos de prdida. Aqu R1 y R2 son las reflexiones de las caras del lser. A pesar de que son normalmente iguales en la mayora de los casos, las dos reflexiones pueden ser diferentes si son cubiertas para modificar su reflexin natural. En el estado estabilizado la onda debe permanecer sin cambios despus de una vuelta, quedando: Eoe(gL)(R1 R2)1/2 e(intL) e (2ikL) = Eo Igualando la amplitud y la fase en ambos lados de la ecuacin, obtenemos:

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g = int +

1 1 Ln 2L R1 R 2

= int + mir = cav

2kL = 2m

v = vm = mc / (2nL)

Donde k = 2nv/c y m es un entero. La ecuacin de la ganancia es igual a las prdidas totales en la cavidad en umbral y ms all. La segunda lnea que la frecuencia lser debe ser igual a una de las frecuencias vm = mc /(2nL) donde m es un entero. Estas frecuencias corresponden a los modos longitudinales y estn determinados por el largo ptico nL. El espaciamiento vL entre los modos longitudinales es constante (vL= c/2nL); n puede ser ignorado excepto cuando la dispersin del material es incluida (vL =c/2ng L) . Tpicamente para los lseres de semiconductor el valor del espaciamiento se encuentra entre vL = 100 - 200 GHz para una L = 200- 400 m. Un lser de semiconductor FP 4 generalmente emite luz en muchos modos longitudinales de la cavidad. Como los lseres anteriormente vistos aqu el medio slo permite la amplificacin de algunos modos, sin embargo el lser de semiconductor slo permite uno o dos modos longitudinales de cada lado del modo principal. Estructura del lser de semiconductor. El primer diodo lser consisti en un slo cristal de arsenuro de galio, impurificado para formar una unin PN, y un potencial directo aplicado, la eleccin del GaAs es debido a su transicin directa. Los extremos del diodo estn hundidos y pulidos para fin de proporcionar la cavidad ptica. Los lados son speros para evitar la prdida de luz. El diodo se mejor realizando algunas modificaciones al lser que consisten en una delgada regin activa (~ 0.1 m) colocada entre dos regiones una p y otra n cubiertas de
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Fabry-Perot

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otro semiconductor con una banda prohibida ms alta. La resultante heterounin PN es polarizada por contactos metlicos colocados en las regiones p y n. Semejantes lseres son llamados lseres de semiconductor de rea ancha, la corriente es inyectada sobre la relativa rea ancha cubierta de la regin P y regin N. La luz lser es emitida de las dos caras estriadas en forma de un punto elptico de dimensiones 1 x 100 m2. En la direccin perpendicular al plano de la unin. Al rodear la capa activa con regiones de menor ndice de refraccin que la capa activa en s, la emisin del lser es confinada horizontalmente en esa regin en la cual puede estimular ms fotones. En la practica la delgadez de la regin activa soporta un slo modo transversal. Los lser de semiconductor de rea ancha tiene un nmero de desventajas, la mayor de stas es su alta corriente de umbral y el patrn espacial altamente elptico que cambia de manera incontrolable con la corriente. Estos problemas pueden ser resueltos introduciendo mecanismos para confinar la luz lateral. Los lseres son clasificados en dos categoras y son de ganancia guiada e ndice guiado.

Lser semiconductor de ganancia guiada. Un simple esquema para resolver el problema de confinamiento de luz consiste en limitar la corriente de inyeccin sobre una banda estrecha. Semejantes lseres son conocidos como lser semiconductor de geometra estriada. Una aproximacin de regin
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dielctrica (de SiO2) es depositada en lo alto de la regin P, con una abertura central en la cual la corriente es inyectada.

n(InGaAsP) Difusin Dielctrico p (InP) InGsAsP n (InP) n(InP) substrato n+ (InP) En el otro, una capa tipo N es depositada en la cima de la regin P. Una difusin de Zinc sobre la regin N convierte la regin en tipo P. La corriente fluye a travs de la regin central y es bloqueada a causa del voltaje inverso natural de la unin PN. Existen ms variantes. En todos los diseos el voltaje es inyectado por una delgada estra sobre la regin central (5-10 m de anchura). La corriente es confinada para separarse a lo largo del cristal sobre la estra, el confinamiento de la corriente produce un perfil de emisin ptica al centro de la banda, debido a que la regin activa exhibe grandes prdidas ms all de la regin central de la estra de difusin donde la ganancia es mxima. Como la luz es confinada con ayuda de la ganancia es la razn del nombre de estos lseres. Las corrientes de umbral son del orden de 50-100 mA con lo que la vida de operacin de los lseres aumenta. La desventaja principal es que el tamao del punto elptico de emisin no es estable cuando la potencia del lser es incrementada. Lser semiconductor de ndice guiado. Otra manera de resolver el problema del confinamiento de la luz es introduciendo un ndice de refraccin (nL) en la direccin lateral as que la gua de onda est formada de manera similar en direccin transversal en el diseo de heteroestructura. Tales lseres normalmente son subclasificados segn la magnitud de ndice de refraccin. En ndice p (InGaAsP) p(InP)

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positivo, si la regin central tiene un ndice ms alto que la regin exterior, de tal forma que la luz es reflejada en la frontera del dielctrico. En un ndice negativo la regin central de la regin activa tiene un ndice ms bajo que las regiones exteriores, de esta manera parte de la luz es reflejada y el resto es refractada dentro de la capa de mayor ndice de refraccin, este mtodo tiene el inconveniente de que el modo principal tiene menos radiacin debido a la prdida de radiacin. El lser semiconductor de ndice guiado puede usar una de cuatro estructuras, que son la heteroestructura enterrada u oculta (BH buried heteroestructure), la construccin difusa, la estructura de espesor variante y la estructura de regin curva. En la heteroestructura oculta una delgada tira es grabada en la doble heteroestructura, esta tira es montada en un material tipo N altamente resistivo, con una apropiada banda prohibida y bajo ndice de refraccin. En la construccin selectivamente difusa un qumico dopante como el zinc para el GaAlAs o cadmio para InGaAsP, es difundido dentro de la regin activa inmediatamente debajo del contacto metlico, el dopante cambia el ndice de refraccin de la regin activa para formar un canal lateral gua de onda. En la estructura de espesor variante un canal es grabado dentro del substrato, capas de cristal son readecuados dentro del canal, con un lquido. Este proceso llena las depresiones y parcialmente disuelve las protuberancias, por eso se crean variaciones en el espesor de la regin activa y de confinamiento, cuando una onda ptica encuentra un incremento local en el espesor, el rea ms gruesa acta como un ndice positivo gua de onda. En la estructura de regin curva, una tira es grabada dentro del substrato, capas de material semiconductor son adicionadas a esta estructura usando vapor para duplicar exactamente la configuracin de la tira. La regin activa tiene un espesor constante con

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dobleces laterales. La onda ptica viaja por el altiplano de la regin activa. El bajo ndice del exterior de los dobleces confina la luz.

En adicin al confinamiento de la onda ptica para lograr una alta potencia ptica de salida se necesita restringir la corriente a la regin activa as ms del 60 % de la corriente contribuye a la emisin. Los mtodos principales para confinar corriente. En cada mtodo la arquitectura del dispositivo bloquea la corriente a ambos lados de la regin de emisin; son: la difusin preferencial de dopantes, la implantacin de protones, confinamiento de banda interna; as como por regiones de alta resistencia o por polarizacin inversa de la unin PN, la cual impide la corriente que fluya mientras el dispositivo es polarizado directamente bajo condiciones normales. Para estructuras con una regin activa continua, la corriente puede ser confinada tambin por arriba o abajo de la regin de emisin. Los diodos son polarizados directamente as que la corriente viaja de la regin tipo P a la regin tipo N. En la difusin preferencial de dopantes, se difunden parcialmente dopantes tipo P (Zn o Cd) a travs de una regin tipo N se establece una estrecha trayectoria de corriente desde donde la polarizacin inversa de corriente de la unin PN bloquea la corriente fuera de la regin difusa.

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La implantacin de protones, crea regiones de alta resistencia, las cuales restringen la corriente a un angosto camino entre estas regiones. El confinamiento de banda interna, consiste en adicionar material por encima de la estructura de emisin grabando un canal dentro de la parte plana de la regin activa. La polarizacin inversa de la unin PN restringe la corriente a ambos lados del canal. Cuando la regin activa es discontinua como en un lser BH, la corriente puede ser bloqueada en ambos lados del canal por el crecimiento de la unin tcnica de confinamiento. OPERACIN EN UN SOLO MODO. En los lseres de doble heterounin el modo de mayor orden transversal que puede ser excitado depende del espesor de la gua de onda y del diferencial del ndice refractivo de las fronteras de la gua de onda, si el diferencial es mantenido en aproximadamente 0.08, entonces nicamente el modo fundamental transversal podr propagarse si el rea activa es ms delgada que 1 m. Una manera de restringir un lser para tener nicamente un modo longitudinal es reducir el largo de la cavidad ptica (L) a un punto donde la separacin de frecuencias (f) de los modos adyacentes permita la operacin de un solo modo. Sin embargo esta reduccin tiene el inconveniente de limitar la salida a unos pocos miliwatts. Dispositivos alternos han sido desarrollados, entre stos se encuentran los lseres de emisin superficial (SEL) y los resonadores de frecuencia selectiva. En el lser de emisin superficial, le regin activa es menor de 10 m de ancho y menor de 10 m de largo y acta como una pequea cavidad vertical; dos mejoras han de ser consideradas. Una es que la radiacin ptica es dirigida hacia la superficie ya sea por espejos en 45 o por reflectores distribuidos de Bragg de segundo orden. PN que estn polarizados inversamente cuando el dispositivo est operando. Un diodo lser puede usar ms de una

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Tres tipos de configuracin de lser usan un reflector de frecuencia selectiva; en cada caso el reflector es una red de difraccin corrugada; la cual es una gua de onda pasiva adyacente a la regin activa. La onda ptica se propaga paralelamente a esta red. La operacin de este tipo de lser est basado en el reflector de red distribuida en fase de Bragg. Una red de difraccin en fase es esencialmente una regin de variaciones peridicas del ndice de refraccin que causa que dos ondas viajen propagndose en contra hasta juntarse. La unin de stas permite a la longitud de onda acercarse a la longitud de onda de Bragg B, la cual est relacionada al periodo de las corrugaciones por:

B =

2 ne k

Donde ne es el ndice efectivo del modo y k es el orden de la red de difraccin. El primer orden de la red (k = 1) provee la ms fuerte unin, pero a veces el segundo orden de la red es usado, por su mayor periodo de corrugacin que hace su fabricacin ms fcil. Los lseres basados en esta arquitectura exhiben una buena operacin en modo longitudinal nico y operan con baja sensibilidad a las variaciones de corriente y de temperatura. En los lseres de realimentacin distribuida (DFB) la red de difraccin para el selector de la longitud de onda est formada completamente sobre la regin activa. En un lser ideal DFB, los modos longitudinales estn espaciados simtricamente alrededor de B por la longitud de onda dada por:

= B

B
2 n e Le

(m +

Donde m= 0,1,2,3, ... es el orden del modo y L es el largo efectivo de la red.

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Las amplitudes de los rdenes superiores sucesivos son enormemente reducidas con respecto al orden cero, ejemplificando el modo de primer orden (m = 1) est usualmente 30 dB ms abajo de la amplitud del orden cero (m = 0).

Tericamente en un lser DFB teniendo en ambos extremos cubierta antireflectiva, los dos modos de orden cero a lado de la longitud de Bragg deben sufrir la misma baja de ganancia de umbral y deben emitir simultneamente en una estructura idealmente simtrica. Sin embargo en la prctica el azar del proceso de hacer los surcos produce cierta degeneracin en la ganancia modal y resulta en operar a un solo modo. Esta cara asimtrica puede ser mejor aprovechada colocando una cubierta de alta reflexin en un extremo y en el otro una cubierta de baja reflexin, ejemplificando: uno alrededor del 2 % sobre la cara frontal y uno del 30 % en la cara trasera. Una variacin del lser DFB a sido la introduccin de un cambio de fase en /2 (que es un cuarto de longitud de onda) en la corrugacin del centro de la cavidad ptica para hacer que el lser oscile cerca de la longitud de onda de Bragg , porque la reflexin es ms efectiva en esta longitud de onda. Para el lser con reflector distribuido de Bragg (DBR) la red est localizada en los extremos de la regin activa para remplazar con los surcos finales los espejos usados en el resonador ptico Fabry - Perot. El lser de reflectores distribuidos consiste de reflectores

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pasivos y activos, esta estructura mejora las propiedades de emisin y tiene una alta eficiencia y una alta capacidad de salida. Las ecuaciones de razn para la regin activa; para un lser que opera en un solo modo tienen la siguiente forma:
dP P = GP + R sp dt p dN I N = GP dt q p

G = g g = GN ( N - N0) Donde P es el nmero de fotones, N el nmero de electrones que cambia con respecto al tiempo, G es el ndice de emisin estimulada Rsp es el ndice de emisin espontnea dentro del modo de emisin. Hay que hacer notar que Rsp es ms pequeo que la emisin espontnea total. De hecho G y Rsp estn relacionados (Rsp = nsp G), donde nsp es conocida como el factor de emisin y es normalmente 2 para lseres de semiconductores, es el factor de confinamiento y g es la ganancia ptica a la frecuencia del modo, p es el tiempo de vida del fotn. La explicacin de la primera ecuacin es sumamente sencilla, el nmero de fotones con respecto al tiempo es igual al nmero de fotones de emisin estimulada ms el nmero de fotones causados por emisin espontanea que sean de la misma frecuencia que los anteriores menos el nmero de fotones que son destruidos de manera natural dentro de la cavidad ptica. La segunda ecuacin indica la razn a los cuales los electrones son creados o destruidos dentro de la regin activa. El ltimo trmino gobierna la razn de recombinacin de huecos - electrones en la emisin estimulada. c es el tiempo de vida de los portadores incluye la prdida de electrones por emisin espontnea o recombinacin no radiactiva. MODULACIN DE DIODOS LSER.

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Los dos principales mtodos usados para variar una salida ptica de un diodo lser son la modulacin de pulsos usada en sistemas digitales y la modulacin en amplitud para transmisin de datos de forma analgica, nos centraremos en esta ltima. Como mencionamos al principio del tema, una de los principales problemas es el tiempo de relajacin de portadores, sin embargo ste no es una gran limitante. Tanto los diodos lser como los LED de alta radiancia pueden usarse para modular datos analgicos.

En un sistema analgico la variacin en el tiempo de la seal elctrica analgica s(t) es usada para modular directamente una fuente ptica alrededor de la corriente de polarizacin IB , como se observa en la figura, cuando no hay seal de entrada la potencia de salida es Pt. Cuando la seal s(t) es aplicada la potencia de salida P(t) es: P(t) = Pt [ 1 + ms(t) ] Aqu m es el ndice de modulacin definido como:

m =

I I B

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Donde IB = IB para LED de alta radiancia y IB = IB + Ith para diodos lser. El parmetro es la variacin de corriente alrededor del punto de polarizacin. Para prevenir distorsiones en la seal de salida, la modulacin debe ser confinada a la regin lineal de la curva; adems si es ms grande que IB (si m es ms grande en un 100 %) la regin ms baja de la curva podra ser seccionada, con el resultado de tener una seria distorsin. Un valor tpico de m para aplicaciones analgicas vara en el rango de 0.25 a 0.50. SISTEMA DE LSER DE SEMICONDUCTOR. Un sistema de lser de semiconductor se compone de cuatro subelementos (1) la fuente de diodo lser, (2) el elemento de disipacin trmica o radiador de calor; (3) ptica de captacin y de proyeccin; (4) fuente de alimentacin electrnica.

Fuente de diodo lser: En las aplicaciones de sealizacin, el parmetro ms importante es la potencia pico de radiacin, mientras que la potencia media es ms importante en los sistemas de iluminacin. En aplicaciones pulsantes a temperatura ambiente normal, con potencias de salida pico superiores a 15 W o potencias medias superiores a los 15 mW, es ms ventajoso emplear pilas o conjunto de diodos. Una pila de diodos est compuesta por dos a cinco diodos lser puestos uno encima de otro sobre el mismo radiador de calor. Un conjunto est compuesto por muchos diodos lser, cuyo nmero puede variar entre 5 y 1000 unidades. El tamao de un conjunto con 200 diodos lser, dispuestos de manera que sus respectivas salidas se orienten hacia una misma direccin, viene a ser de 6,35 por 6,35 mm. La potencia media de esta fuente funcionando a temperatura ambiente normal, con un factor de servicio de 0.001 es de 200 mW. La disipacin de potencia es de 3,8 W, tomando como base un rendimiento sobre la potencia exterior del 5 % (este calor puede disiparse mediante un radiador enfriado por aire o una unidad de enfriamiento termoelctrica). Disipacin trmica: El aumento de temperatura en la unin PN produce una deriva de la salida espectral, un aumento de corriente de umbral y una disminucin de salida de

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potencia radiante media. Para aminorar el problema del aumento de temperatura, el primer paso es un diseo electrnico adecuado para minimizar las prdidas producidas por los contactos resistivos y las impedancias. Las fuentes de diodo lser de un solo diodo se suelen montar radiadores de cobre diseados para limitar el aumento de temperatura a menos de 20 C. Las pilas y conjuntos multidiodo agrupados estrechamente presenten severos problemas trmicos debido a la gran densidad de flujo trmico. Para aumentar el rea del radiador, se emplea un diseo tridimensional en forma de V invertida. Este diseo establece un compromiso entre el tamao ptico efectivo y el radiador de calor. La solucin actual para una mejor disipacin de calor es el empleo de fibras pticas en los sistemas lser multidiodo. Los diodos lser estn montados sobre radiadores individuales y la salida de radiacin se conduce mediante fibras pticas a la pequea zona de emisin. Las grandes distancias de separacin entre las pilas de diodos permiten el empleo de radiadores mucho mayores para reducir la densidad de flujo trmico. Esta tcnica es adecuada para aplicaciones de sealizacin en la que los diodos lser trabajan individualmente y la radiacin es conducida por cable de fibra ptica. Otros sistemas de refrigeracin incluyen radiadores de aire forzado o de lquido enfriado, refrigeradores termoelctricos, refrigeradores criognicos y frascos Dewar de nitrgeno lquido. Fuentes de alimentacin electrnica para los lseres de diodo: Para controlar los lseres de diodo y los conjuntos de diodos se han desarrollado una gran variedad de fuentes de alimentacin de impulsos. Los puntos con ms problemas son la adaptacin de impedancias debido a las caractersticas no lineales de los diodos, las elevadas tensiones de umbral que necesitan los diodos conectados en serie y la proteccin del diodo contra las sobrecargas de corriente inversa. Cada diseo necesita un circuito de disparo, un interruptor electrnico, circuitos de proteccin y una fuente de alimentacin primaria. Los elementos de interrupcin que se emplean normalmente son los rectificadores controlados de silicio (SCR) y los transistores. No obstante, tambin pueden emplearse tubos de gas y dispositivos electromecnicos. Las limitaciones de tensin y/o de corriente de los SCR y de los transistores como elementos de interrupcin obligan a que los diodos lser de un sistema multidiodo estn

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conectados elctricamente en circuitos serie-paralelo. Cuando el nmero de diodos conectados en serie se hace mayor, la tensin de funcionamiento y resistencia hmica aumentan rpidamente a valores que plantean problemas de inadaptacin de impedancia. Tal como puede entenderse los elementos de interrupcin con transistores tienen las ventajas de un mayor rendimiento y de un control continuo sobre la anchura y la frecuencia de repeticin de los impulsos. Se ha creado un diseo de fuente de alimentacin de impulsos de alto rendimiento SCR y lnea de retardo que utilizan la transformacin de impedancia variable exponencialmente. Esta fuente de alimentacin de impulso presenta un rendimiento de la potencia de carga/descarga del 80 %. TABLAS DE LSER DE SEMICONDUCTOR MEDIO PRINCIPALES LONGITUDES ONDA GaAlAs InGaAsP Arreglo acoplados en fase 750 - 905 nm 1.1 - 1.6 nm 790 - 850 nm 1 - 40 mW 1 - 10 mW 1 W - 10 W oc oc hasta 20 % hasta 20 % 20 - 40 % 10 x 30 10 x 30 10 x 30 DE SALIDA MODO EFICIENCIA DIMETRO TPICA DE TPICO HAZ

100 mW - 1W oc

Diodo lser tipo RCA C86000 E Material Unin GaAlAs DH Longitud de onda de 820 mm emisin Ancho de lnea 4 nm 10 mW (cw)

Corriente de umbral 75 mA

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Potencia de salida mxima Corriente normal Corriente mxima directa 200 mA Cada directo de voltaje 2 V directa 100 mA Tiempo de respuesta < 1 ns

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