1

Prctica # 10: Polarizaciones del FET

Manuel Sagbay
manuels_2doc@outlook.com
AbstractEn el siguiente informe se podr apreciar todo
lo relacionado con las polarizaciones y formas de calcular los
diferentes parametros de algunos de los circuitos bsicos que se
pueden realizar con el transistor JFET
I. OBJETIVOS
1) Characteristic curves verify JFET.
a) Check the ID vs. VDS curve.
b) Check the ID vs. VGS curve
2) Design, calculate and verify the operation of these
circuits, the FET transistor polarization:
a) Polarization with two sources.
b) Auto polarization.
i) With source resistance.
ii) No resistance source.
c) With Splitter tension.
3) Design, calculate and check a circuit that allows the
JFET bias current source.
II. MARCO TERICO.
A. Transistores unipolares de efecto de campo
Los transistores unipolares de efecto de campo o FET
fueron los precursores del gran avance de la electrnica, al
posibilitar la produccin en grandes cantidades de este tipo de
dispositivos.
El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe
tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de
canal N, la corriente se debe a electrones, mientras que en un
FET de canal P, se debe a huecos.
Tras unos aos de ferviente investigacin, aparecieron en
el mercado diferentes dispositivos, ms o menos relacionados
entre s, que solucionaron el inconveniente de la fabricacin
en grandes series.
Se podra considerar como vlida la clasicacin siguiente,
a efectos de las diferentes familias que se obtuvieron.
Figure 1. Clasicacin constructiva de los transistores
Estos dispositivos s de alta velocidad y ajo consumo. Proba-
blemente no existiran microprocesadores con las prestaciones
actuales si o se hubiera desarrollado la tecnologa MOS. En la
actualidad se dispone de transistores de metal semiconductor
MESFET y de arseniuro de Galio GASFET para aplicaciones
de muy alta frecuencia. De igual manera para aplicaciones de
potencia naci el FET de estructura vertical o VMOS.
1) El JFET constitucin y funcionamiento: Constructiva-
mente, el transistor unipolar de efecto de campo est formado
por una ola capa de semiconductor de tipo N(-) sobre un
substrato de tipo P(-). Se distingue el canal cuyo dopado es N(-
) y las conexiones al exterior denominadas drenador y fuente,
que son del tipo N(+). Encima del canal, que conecta drenador
y fuente, se ha difundido una capa adicional de tipo P. Las dos
zonas dopadas tipo P se conectan conjuntamente y se llama
terminal de puerta.
Figure 2. Distribucin de las zonas de dopado del JFET
Su funcionamiento es algo diferente al del BJT. Como en
cualquier unin P-N se forma una zona de agotamiento entre la
puerta y el canal, debida a la recombinacin producida durante
la unin metalrgica de ambas zonas. Si aplicamos tensin a
algunos terminales del JFET, se producen ciertos fenmenos
que nos resultarn de utilidad.
Figure 3. a) Zonas de dopado cercanas a canal,
2
Figure 4. Smbolos esquemticos del JFET
Si interconectamos los terminales puerta-fuente a masa
y adems, el drenador a una tensin positiva, obtendremos
una tensin inversa aplicada a la zona de agotamiento entre
drenador-puerta con una corriente de circulacin pequea. Por
otro lado, si variamos esta tensin Vds, provocaremos un
cambio de tamao de la zona de agotamiento y con ello
la anchura del canal. Es decir, con esta tcnica podremos
controlar la conductividad del canal.
Figure 5. Crecimiento de las zonas de transicin
Si continuamos aumentando la tensin de drenador, se
agrandar ms an la zona de gotamiento, pudiendo suceder
la estrangulacin completa del canal. JFET (canal N) JFET
(canal P).
Como el canal es de un nico tipo de material, tendr una
resistencia determinada en funcin de la tensin que aplique-
mos (Evolucin lineal). La curva que obtendramos en estas
condiciones est representada en la gura siguiente. En la cual,
se muestra un comportamiento lineal, hasta que alcancemos
ciertos valores de tensin en los cuales el crecimiento de
corriente deja de ser proporcional. Este fenmeno se debe
al estrechamiento del canal y consiguiente aumento de la
resistencia del mismo (Evolucin real).
Figure 6. Zona hmica de funcionamiento del JFET
Esta zona de comportamiento casi lineal, es parte de la curva
caracterstica del JFET, y es la que nos ofrece la posibilidad
de utilizarle como resistencia variable con la tensin. A esta
zona se la conoce como la zona hmica del JFET.
La otra corriente de circulacin por el JFET de este montaje,
corresponde con la corriente de puerta I_G, que es muy
reducida, ya que corresponde con la corriente de prdidas de
una unin p-n inversamente polarizada. Por tanto, el error es
mnimo si consideramos que la corriente de fuente es igual a
la corriente de drenador (I_S = I_D).
Como se ha comentado, si continuamos aumentando la
tensin V_DS y sta alcanza cierto valor, el estrechamiento del
canal se convierte en estrangulamiento del mismo. La tensin
a la que esto sucede se llama tensin de estrangulamiento o
"pinch off", VP. Recordemos que, a travs del canal siempre
circulan portadores mayoritarios, que lo hacen por arrastre
y debido al campo elctrico creado por la tensin externa
aplicada. Por tanto, la conduccin en los JFET se debe a
portadores mayoritarios no como en los BJTs.
Figure 7. Tensin de estrangulamiento del canal, VP
En estas circunstancias de estrangulamiento del canal, se
esperara que no pasasen portadores, sin embargo no es
as. Circula una corriente de saturacin y que es debida a
portadores altamente energticos que son capaces de atravesar
la zona de agotamiento. Adems, la corriente ser constante a
partir de ese momento y se llama corriente drenadorfuente de
saturacin, I DSS.
Figure 8. Comienzo de la zona de saturacin.
Esto se debe a que, al aplicar una tensin superior a la de
estrangulamiento del canal, la zona de contacto o de transicin
del canal, L_ZTC, no crece proporcionalmente y, omparndola
con la longitud total del canal es pequea, L_C.
3
Figure 9. Modos de funcionamiento del JFET
A esta situacin se la conoce como hiptesis del canal largo.
Durante la cual, si continuamos aumentando la tensin de
drenador, al permanecer la longitud del canal casi constante, la
corriente no aumentar, obtenindose de esta forma la citada
corriente I_DSS. Resumiendo, existen dos modos de trabajo
en el JFET, el lineal u hmico inicialmente y el de saturacin
posteriormente.
Figure 10. Efecto que provoca V_GS sin aplicacin de V_DS
Si ahora anulamos la tensin V DS y aplicamos la tensin
V GS hasta que alcance un valor egativo sucientemente
grande, la zona de transicin invade igualmente la totalidad
del canal, provocando su estrangulacin. Este valor coincide
con la tensin de estrangulamiento del canal, Vp, pero con el
signo cambiado.
Figure 11. Curvas reales de salida del JFET Canal N
Si aplicamos las dos tensiones anteriores de forma si-
multnea, por un lado la tensin V_GS menor que cero y
vamos aumentando la tensin V_DS, observamos que estran-
gulamos el canal a una tensin menor que con cada tensin
por separado. A este fenmeno se le conoce como contraccin
o estrechamiento del canal.
Con el canal contrado, la estrangulacin se produce a una
tensin de
|V
DS
| = |V
p
| |V
GS
|
Si mantenemos el valor de V DS y seguimos aumentando
la tensin inversa V GS, llegar un momento en el que
estrangularemos completamente el canal. A partir de estos
valores ya no habr portadores sucientemente energticos
para atravesar la zona de agotamiento y el JFET estar cortado
completamente. La tensin de puerta a la que se estrangula el
canal completamente se llama tensin de corte o extincin del
JFET, V_GS(OFF).
|V
GS(OFF)
| = |V
p
|
Figure 12. Zonas de trabajo y puntos conocidos del JFET Canal N
La ecuacin emprica para obtener los valores de I_D en la
zona de saturacin se rige por la ecuacin general para canal
N o canal P, es decir
I
D
= I
DSS
_
|V
P
| |V
GS
|
|V
p
|
_
2
= I
DSS
_
1
|V
GS
|
|V
p
|
_
2
I
D
= I
DSS
_
1
|V
GS
|
|V
GS(OFF)
|
_
2
I
2
D
_
R
2
D
I
DSS
_
V
2
GS(off)
I
D
_
1
2R
S
I
DSS
|V
GS(OFF)
|
_
+I
DSS
= 0
Al obtener dos resultados de esta ecuacin deberemos tomar
el que tenga sentido fsico. Uno de los valores suele superar
I_DSS. En otras ocasiones, obtenemos un valor de V_GS
4
inferior a V_GSoff para Canal N, lo cual tampoco tiene sentido
fsico.
Esta ecuacin tambin se puede transformar en
I
D
I
DSS

_
1
|V
GS
|
|V
GS(OFF)
|
_
2
Que se conoce como ecuacin de Shockley para el JFET.
En la mayora de las hojas de los fabricantes aparecen los
valores de I_DSS y V_GS(OFF), con lo cual resulta sencillo
dibujar la curva de transferencia de un JFET si no disponemos
de la misma.
Figure 13. Curvas del BF245B. JFET canal N
2) Polarizacin de los JFET:
Autopolarizacin
III. MATERIALES E INSTRUMENTOS UTILIZADOS.
A. Lista de materiales:
BF245B
TIP31B
B. Lista de instrumentos:
Multisim
IV. DESARROLLO.
A. Curva caracteristica del JFET con doble fuente.
R1
R2
R3
Q5
V1
U1
0.000 A
+
-
U2
0.000 V
+
-
U3
0.000 V
+
-
U4
0.000 V
+
-
VCC
Figure 14. Diseo
Datos:
JFET BF245B
I
DSS
= 11mA
V
P
= 4V
V
DD
= 12V
I
D
= 5mA
V
DS
= 6V
Calculos:
I
D
= I
DSS
_
1
V
GS
V
P
_
2
= 11mA
_
1
I
D
R
S
4V
_
2
5mA = 11mA
_
1
5mAR
S
4V
_
2
1
_
5
11
=
5R
S
4V
R
S
= 260.640
12 = V
RD
+V
DS
+V
RS
12 = I
D
R
D
+V
DS
+I
D
R
S
12 = I
D
(R
D
+R
S
) +V
DS
5
6 = 5mA(R
D
+ 260.640)
R
D
= 939.36
V
GS
= 0 I
D
= I
DSS
R1
1M
R2
260.640
R3
1139.36
Q5
JFET_N_VIRTUAL*
V1
0 V
U1
DC 1e-009Ohm 5.234m
A
+
-
U2
DC 10MOhm
5.963
V
+
-
U3
DC 10MOhm
-1.240
V
+
-
U4
DC 10MOhm
4.673
V
+
-
VCC
12V
U30
DC 10MOhm
1.364
V
+
-
Figure 15. Circuito nal
Tabla de anlisis:
V
G
I
D
(mA)
0 5,234
-0,4 4,522
-0,8 3,839
-1,2 3,189
-1,6 2,576
-2 2,004
-2,4 1,481
-2,8 1,014
-3,2 0,616
-3,6 0,298
-4 0,083

Figure 16. Curva de transferencia
B. Polarizacin con doble fuente.
R13
R14
Q1
V2
U7
-1.898
V
+
-
U8
6.944
V
+
-
VCC
R12
U6
4.968
V
+
-
U5
3.036m
A
+
-
U27
0.088
V
+
-
Figure 17. Diseo
Datos:
JFET BF245B
I
DSS
= 11mA
V
P
= 4V
V
DD
= 12V
6
I
D
= 3mA
Calculos:
I
D
= I
DSS
_
1
V
GS
V
P
_
2
V
GS
= V
G
I
D
R
S
= 2 + 3mA R
S
V
GS
=
_
1
_
I
D
I
DSS
_
(V
p
)
2 + 3mA R
S
=
_
1
_
3mA
11mA
_
(4V )
R
S
=
___
1
_
3mA
11mA
_
(4V )
_
+ 2
_
3mA
R
S
= 29.64
V
RS
= 29.64 3mA = 89mV
V
DD
= I
D

(R
D
+R
S
) +V
DS
R
D
=
V
DD
V
DS
I
D
R
S
=
12V 7V
3mA
29.64
R
D
= 1.637K
V
RD
= 1.637K 3mA = 4.91V
Simulacin:
R13
29
R14
1637
Q1
JFET_N_VIRTUAL**
V2
2 V
U7
DC 10MOhm
-1.898
V
+
-
U8
DC 10MOhm
6.944
V
+
-
VCC
12V
R12
1M
U6
DC 10MOhm
4.968
V
+
-
U5
DC 1e-009Ohm 3.036m
A
+
-
U27
DC 10MOhm
0.088
V
+
-
Figure 18. Circuito nal
Tabla de anlisis:
Incg Calculado Simulado
V
DD
12V 12V
V
DS
7V 6.944V
I
D
3mA 3.036mA
V
GS
-1.91V -1.898V
C. Autopolarizacin con resistencia al Source
7
Q6
R15
R16
R17
U10
0.000
V
+
-
U11
0.000
V
+
-
U23
0.000
V
+
-
U9
0.000
A
+
-
U29
0.000
V
+
-
VCC
Figure 19. Diseo
Datos:
JFET BF245B
I
DSS
= 11mA
V
P
= 4V
V
DD
= 12V
I
D
= 3mA
Calculos:
I
D
= I
DSS
_
1
V
GS
V
P
_
2
V
GS
= I
D
R
S
= 7mA R
S
V
GS
=
_
1
_
I
D
I
DSS
_
(V
p
)
7mA R
S
=
_
1
_
7mA
11mA
_
(4V )
R
S
=
__
1
_
3mA
11mA
_
(4V )
_
7mA
R
S
= 115.58
V
RS
= 115.58 7mA = 0.809V
V
DD
= I
D

(R
D
+R
S
) +V
DS
R
D
=
V
DD
V
DS
I
D
R
S
=
12V 6V
7mA
115.58
R
D
= 741.56
V
RD
= 741.56 7mA = 5.33V
Simulacin:
Q6
JFET_N_VIRTUAL****
R15
741.56
R16
1M
R17
115.59
U10
DC 10MOhm
5.794
V
+
-
U11
DC 10MOhm
-0.761
V
+
-
U23
DC 10MOhm
5.369
V
+
-
U9
DC 1e-009Ohm
7.240m
A
+
-
U29
DC 10MOhm
0.837
V
+
-
VCC
12V
Figure 20. Circuito simulado
Tabla de anlisis:
Incg Calculado Simulado
V
DD
12V 12V
V
DS
6V 5.794V
I
D
7mA 7.24mA
V
GS
-0.809V -0.761V
D. Autopolarizacin sin resistencia al Source
8
Q7
R18
R19
VCC
U12
0.000
A
+
-
U13
0.000
V
+
-
U14
0.000
V
+
-
U22
0.000
V
+
-
Figure 21. Diseo
Datos:
JFET BF245B
I
DSS
= 11mA
V
P
= 4V
V
DD
= 12V
V
DS
= 5V
Calculos:
I
DSS
= I
D
= 11mA
V
DD
= I
D
R
D
+V
DS
R
D
=
V
DD
V
DS
I
D
=
12V 5V
11mA
R
D
= 636.36
V
RD
= 636.36 11mA = 7V
Simulacin:
Q7
JFET_N_VIRTUAL*****
R18
636.36
R19
1M
VCC
12V
U12
DC 1e-009Ohm 0.011
A
+
-
U13
DC 10MOhm 5.005
V
+
-
U14
DC 10MOhm
4.559u
V
+
-
U22
DC 10MOhm
6.995
V
+
-
Figure 22. Circuito simulado
Tabla de anlisis:
Incg Calculado Simulado
V
DD
12V 12V
V
DS
5V 5.005V
I
D
11mA 11mA
V
GS
0V 4.559uV
E. Polarizacin con divisor de tensin
9
Q3
R4
R9
R10
VCC
R11
U20
0.000
A
+
-
U24
0.000
V
+
-
U25
0.000
V
+
-
U26
0.000
V
+
-
U28
0.000
V
+
-
U31
0.000
V
+
-
Figure 23. Diseo
Datos:
JFET BF245B
I
DSS
= 11mA
V
P
= 4V
V
DD
= 12V
I
D
= 6mA
V
G
= 1.3V
I
DT
= 4mA
Calculos:
R
11
=
1.3V
4mA
= 325
R
4
=
R
11
V
CC
V
G
R
11
= 2.675K
V
GS
=
_
1
_
I
D
I
DSS
_
(V
p
)
V
GS
=
_
1
_
6mA
11mA
_
(4V ) = 1.046V
V
GS
= V
G
I
D
R
S
1.046V = 1.3 6mA R
S
R
S
=
1.046 1.3
6mA
= 390.96
V
RS
= 390.96 6mA = 2.346V
V
DD
= I
D

(R
D
+R
S
) +V
DS
R
D
=
V
DD
V
DS
I
D
R
S
=
12V 6V
6mA
390.96
R
D
= 609.03
V
RD
= 609.03 6mA = 3.65V
Simulacin:
Q3
JFET_N_VIRTUAL***
R4
2.7k
R9
390.9
R10
609.03
VCC
12V
R11
325
U20
DC 1e-009Ohm
5.981m
A
+
-
U24
DC 10MOhm
3.643
V
+
-
U25
DC 10MOhm
6.018
V
+
-
U26
DC 10MOhm
-1.049
V
+
-
U28
DC 10MOhm
2.338
V
+
-
U31
DC 10MOhm
1.289
V
+
-
Figure 24. Circuito simulado
Tabla de anlisis:
Incg Calculado Simulado
V
DD
12V 12V
V
DS
6V 6.018V
I
D
6mA 5.981mA
V
GS
-1.046V -1.049V
10
F. Fuente de corriente continua
Q2
R5
R7
R8
100%
Q4
R6
VDD
R20
U15
0.000
V
+
-
U16
0.000
A
+ -
U17
0.000
A
+ -
U18
0.000
A
+
-
U19
0.000
V
+
-
U21
0.000
V
+
-
Figure 25. Diseo
Datos:
JFET BF245B
I
DSS
= 11mA
V
P
= 4V
V
DD
= 12V
I
D
= 2mA
TIP31B
HFE = 180
G = 4
I
C
= 120
Calculos:
I
B
=
I
C
HFE
=
120
180
= 0.666mA
I
Bsat
= I
B
G = 0.666mA 4 = 2.66mA
V
GS
= I
D
R
S
= 2mA R
S
V
GS
=
_
1
_
I
D
I
DSS
_
(V
p
)
2mA R
S
=
_
1
_
2mA
11mA
_
(4V )
R
S
=
_
1
_
2mA
11mA
_
(4V )
2mA
R
S
= 1.147K
V
RS
= 1147 2mA = 2.2943V = V
GS
V
RD
= 5V
2R
D
=
V
DR
I
D
+I
Bsat
=
5V
2mA+ 2.66mA
R
D
= 536.48 = R
P
V
RD
= R
D
(I
D
+I
Bsat
) = 536.48 (2mA+ 2.66mA) =
2.5V
R
B
=
V
CC
V
R2
0.7V
2.66mA
R
D
=
(12 2.5 0.7)V
2.66mA
536.48
R
B
=
(12 2.5 0.7)V
2.66mA
536.48 = 2.771K
Simulacin:
11
Q2
JFET_N_VIRTUAL******
R5
1.147k
R7
2.8k
R8 536.48
Key=A 100%
Q4
BJT_NPN_VIRTUAL
R6
100
VDD
12V
R20
1M U15
DC 10MOhm
2.294
V
+
-
U16
DC 1e-009Ohm
0.119
A
+ -
U17
DC 1e-009Ohm
3.007m
A
+ -
U18
DC 1e-009Ohm
5.008m
A
+
-
U19
DC 10MOhm
7.020
V
+
-
U21
DC 10MOhm
9.314
V
+
-
Figure 26. Circuito simulado
Tabla de anlisis:
Incg Calculado Simulado
V
DD
12V 12V
V
DS
6V 6.018V
I
D
6mA 5.981mA
V
GS
-1.046V -1.049V
I
B
2.66mA 3.007mA
I
C
120mA 119mA
V
RD
9.5V 9.324V
V. CONCLUCIONES.
As can be seen, the estimates of the JFET transistor
polarizations are very simple, the only drawback may
have while computing circuits source resistance, which
depending on the polarization becomes slightly compli-
cated.
La respuesta de la curva de transferencia de los transis-
tores JFET no tienen el comportamiento igual al terico
dado que el voltaje en el VGS aunque no realize el
circuito con resistencia al source no es cero, dando asi
una curva diferente de acuerdo a los datos que se obtienen
tericamente.
VI. BIBLIOGRAFA
REFERENCES
[1] http://ocw.bib.upct.es/pluginle.php/7888/mod_resource/content/1/Capitulo_6_-
_Transistores_FET.pdf
[2] http://r-luis.xbot.es/icdatos/555.html