Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
,
_
ac
od
A
A
n
F z
T !
" "
/e
,r
?
7
7
, donde%
E : ,otencial de la reaccin.
E
?
: ,otencial en condiciones estandares.
/ : &onstante de los gases (2,31I 8Jouls;molKL6).
- : -emperatura 8Melvin6.
. : )umero de electrones de la reaccin.
5 : &onstante de 5arada.
$
prod
: $ctividad de los iones en el producto.
$
reac
: $ctividad de los iones en el reactivo.
En el caso del &obre tendremos
( )
,
_
,
_
+ + +
+
+
+ +
A
A
?
/e
,r
?
A
?
A
A
7 A
7
7
7
A
A
1
Cu
#
ac
od
A
A
n
F
T !
"
A
A
n
F z
T !
" "
# $ Cu # Cu
"i este valor es maor #ue cero, nos estar indicando #ue la reaccin ocurre
espontneamente en la direccin de iz#uierda a derec4a de la ecuacin #umica
planteada. ,or el contrario, si el valor es negativo, significa #ue la reaccin ocurre
espontneamente de derec4a a iz#uierda. ,ara el cobre la reaccin de disolucin ocurre
espontneamente, por lo #ue la reaccin de depositacin deber ocurrir mediante el uso
de alguna fuerza e!terna, #ue se le oponga #ue, en este caso, es la fuerza el0ctrica.
*tra manera de calcular el potencial re#uerido en la reaccin #umica es
aplicando la regla de -o4ompson a la ecuacin de (ibbsE'elm4oltz, #uedando una
relacin en funcin de la variacin de entalpa de la reaccin el nmero de electrones
de la reaccin. Esto se ve en la siguiente e!presin%
6 8
?C? . A3 7 7 7
%olts
n
#
F & n
#
"
,
_
,
_
A
d
'
!
ac
7
1
, por lo #ue el potencial ocupado ser ! ( ) 7 , donde
M : &onductividad 8(o4m7cm)
E1
6.
d
ac
: 9istancia nodoEctodo. 8cm6
$ : <rea superficial del ctodo 8cm
A
6
Q : 9ensidad de corriente 8$mper6
En el caso del cobre el valor de potencial ocupado puede variar entre ?.1D ?.AD
volts, pudiendo llegar incluso 4asta ?.D? volts.
4.2.! Ca"da de #otencial en los contactos
Los contactos fsicos entre barras conductoras (bus bars), barras distribuidoras
interceldas, apoos de ctodos nodos, contacto entre barra de cobre la placa de
acero del ctodo permanente (soldadura), etc. representan otra fuente de resistencia,
#ue es posible disminuir con un adecuado aseo, inspeccin mantencin de la nave
electroltica, pero #ue no puede desaparecer. En plantas de un descuidado aseo este
valor puede llegar a ?.3 volts, es difcil disminuirlo por debajo de un valor estimado de
?.1D volts.
En resumen, del total de potencial e!terno #ue 4a #ue suministrar a la salida de
los rectificadores de corriente, para lograr efectuar el proceso de EH del cobre, es la
sumatoria de los factores anteriores, llegando a tener un valor promedio del orden de A.?
volts, o un intervalo posible 1.2 a A.D volts, variando por el manejo de la planta.
4.3 Diseo y configuracin de celdas
$plicando la ecuacin de 5arada e!puesta, generalmente, tenemos como datos
la produccin de cobre fino, la densidad de corriente, #ue varia entre AD? a 3?? 8$;m
A
6,
la eficiencia de corriente. &on esto calculamos un rea total #ue re#uerimos para #ue
se produzca toda la depositacin del cobre. $ trav0s de esta rea estimaremos las
dimensiones de la celda el tamaNo de la fuente de poder.
Lo primero es estimar el numero de celdas #ue se necesitan, estas dependern de
nuestra configuracin de ctodos por celda, #ue puede ser la #ue #ueramos, pero se debe
tomar en cuenta #ue las ms comunes en el mercado, por ende ms econmicas, son
de 3?, ID, C? ctodos por celda.
A 7 7 K
K
c
t
A c *
A
cell *
, donde
)Kcell : )umero de celdas en la nave.
$
t
: $rea total de depositacin.
)Kc : )umero de ctodos por celda.
$
c
: $rea por catodo.
&omo la depositacin ocurre por ambos lados de cada ctodo, el rea e!puesta
se multiplica por A.
La configuracin geom0trica de estas celdas ptimas en la nave, viene dada por
el siguiente es#uema%
Figura 4.+.1 Configuracin geom,trica optima de las celdas en una na%e electrol-tica.
9onde vemos #ue las celdas se distribuen a lo largo de la nave en dos bancos
paralelos de celdas conectadas en serie, con un pasillo por el medio para #ue pueda
caminar el operador. Esto viene dado principalmente por#ue el anc4o de la nave esta
acotado por el anc4o de un puente gra.
4.3.1 $ar%o de la na&e
El largo de la nave viene dado por la multiplicacin de la mitad de las celdas el
anc4o de cada una de estas. 9onde el anc4o de la celda esta compuesto por%
$nc4o del electrodo (1 m).
9istancia del electrodo a la pared (?.1 m).
$nc4o de la pared de la celda (?.1 m por lado).
6 8 I . 1 7
A
K
R 7
A
K
R arg m
celdas n
celda Anc.o
celdas n
na%e o
4.3.2 'ncho de la na&e
El anc4o de la nave sera igual a dos veces al largo de cada celda ms el anc4o
del pasillo central (A m) ms una 4olgura en cada pared de la celda (1 m c;u). 9onde el
largo de la celda depender de%
)umero de ctodos ms 1 (debido a #ue e!iste un nodo ms #ue ctodo).
)umero de nodos
$nc4o del ctodo (?.?1D m).
$nc4o del nodo (?.??1 m).
9istancia entre nodos ctodos (?.1 m).
$nc4o de las paredes de la celda (?.1 m por lado).
( ) ( ) ( )
P
C
D I 3
A 1
A . ? 7 K 7 K 7 K 7 A I R
1
1
]
1
+ + + +
ac c a a c c
d n An n An n na%e Anc.o
, donde
1 : $nc4o pasillo ms 4olguras laterales.
A : ,or#ue son dos celdas en la lnea transversal de la nave.
3 : $nc4o total producto de los ctodos.
I : $nc4o total producto de los nodos.
D : $nc4o total producto de la separacin nodoEctodo.
C : $nc4o de las paredes de la celda.
P : $nc4o total por celda.
-omando las configuraciones seNaladas anteriormente, de C?, ID, 3? ctodos por
celda, tenemos configuraciones de 12.D, 1D, 11.D metros de anc4o de nave,
respectivamente.
4.3.3 Volta(e) '#era(e totales * +,ente de #oder
&omo las en cada celda tenemos una serie de electrodos conectados en paralelo,
en toda la celda tendremos la misma cada de potencial #ue en la reaccin, o sea A volts.
Luego como tenemos todas las celdas conectadas en serie el voltaje de la nave ser de%
6 8 K 7 A %olts celdas * )
t
&omo las celdas estn conectadas en serie, solo estn conectados los
electrodos en paralelo, la corriente total depender de la densidad de corriente aplicada
por electrodo el rea total por celda.
( )[ ] A A * m A
m
A
i (
catodo catodos celda t
A 7 7 K 7 AD? 6 8 7
A
A
1
]
1