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Signal lectrique
Fibre optique
Conversion O/E
Photodiode
Loptolectronique : cest le domaine de llectronique qui touche les phnomnes optiques en relation avec les porteurs de charges, gnralement dans les SC. Un composant optolectronique met en jeu des phnomnes optiques en plus des phnomnes lectroniques. L et le photon sont considrs comme des vhicules du signal et de linformation. Les matriaux SC interviennent dans les principales composants optolectroniques qui sont : Les metteurs Les dtecteurs ou rcepteurs Les photo coupleurs Les guides et les modulateurs de rayonnement lectromagntiques. Les matriaux qui interviennent le plus souvent sont des SC composs III-V (GaAs, InP,), II-VI (CdS, ZnS,). Se sont gnralement les SC gap direct (GaAs, InP, GaSb) qui sont utiliss en opto.
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E E
EC E$ E! " #
SC gap direct
EC E! " #
SC gap indirect
Dans les SC gap direct, la probabilit de transition est trs importante compare celle dans les SC gap indirect.
EC EG EV
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E G ( eV )
1 . 24 ( m )
est la longueur donde du photon incident . Si on considre un flux 0 de photons; monochromatique dnergie h pntrant dans un matriau SC selon la direction Ox. # h
0 e x
%
En rgime permanent, le nombre de photons absorbs par unit de temps dans une tranche dx du SC est proportionnel la quantit de photons dans cette tranche donc au flux de photons 0(x) labscisse x. Donc
d = ( x ) dx
(x) = 0 exp(x)
est le coefficient dabsorption (cm-1 ou m-1) dpend fortement du SC et de la longueur donde des photons incidents.
2- mission spontane :
Un de la BC peut retomber spontanment sur un tat vide de la BV avec mission dun photon (ou recombinaison radiative).
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Une recombinaison est dite radiative lorsque lnergie dgage lors de la transition est sous forme de photon. ibre
EC E!
EC h E! +rou
Ce processus sera mis profit dans les metteurs de rayonnements tels que les diodes lectroluminescentes. 3- mission stimule : Un photon prsent dans le SC peut induire la transition dun de la BC vers un tat vide de la BV avec mission dun 2me photon de mme nergie et de mme direction. *C
3 h
Photon induit
h&E'(E)
2 1
*!
Ce processus sera mis profit dans les lasers SC. Dans de tels dispositifs il y a amplification de lumire par mission stimule de rayonnement.
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Recombinaison radiative : h = Ei - Ef Remarque : dans les DEL, lmission de photons est spontane et isotrope (galement rpartie dans toutes les directions). Schma lectrique:
b- Principe de fonctionnement: Le rayonnement lectromagntique mis par une diode lectroluminescente provient des recombinaisons radiatives des porteurs en excs crs lorsque celle-ci est polarise en direct.
h h qVD h n+ W p+
Il y a injection de porteurs minoritaires de part et dautre de la ZCE. Pour des raisons dintensit dmission, les rgions n et p sont trs dopes, (ZCE trs troite) c- Caractristique I(V) dune DEL : -(A)
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Analogue celle dune jonction ordinaire; elle possde un seuil et une rsistance dynamique souvent plus levs cause des dopages levs. d- Rendement externe : Il est dfinit par le rapport entre la puissance lumineuse mise et la puissance lectrique absorbe, ou par le rapport entre le nombre de photons recueillis et le nombre d injects.
ext =
P opt ext =
h = P opt ( m I I 1 . 24 q
Le rendement externe atteint dans les meilleures conditions les 8% cause des pertes dus labsorption et aux rflexions linterface SC-air. e- Spectre dmission : Le spectre dmission correspond lintensit de la lumire mise en fonction de la longueur donde. La forme du spectre est due aux diffrentes transitions radiatives possibles qui peuvent avoir lieu dans le matriau SC.
-ntensit mise
.m/
La lumire mise est caractrise par une largeur spectrale centre autour de la longueur donde de la transition la plus probable qui correspond une nergie lgrement suprieure EG. f- Applications : DEL visible Laffichage DEL infrarouge Systmes de tlcommunications Transmission de donnes (tlcommandes) Alarmes Capteurs
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b- Caractristique puissance lumineuse- courant : La puissance lumineuse dgage par une diode laser dpend du courant inject dans la diode (circulant dans la diode; P lorsque I ) P.m1/
Lmission est dabord spontane V ou I faible, lorsque I atteint une valeur de seuil IS (courant de seuil), lmission stimule apparat. Ce seuil est trs sensible la temprature. I faible fonctionnement en DEL (mission spontane). I > IS fonctionnement en D.L (mission stimule) .
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c- Applications : Tlcommunications par fibre optique Mdecine : Le diagnostic des maladies endoscopie La lumire tue le cancer Chirurgie clairage, compact disque, vido compact, imprimantes, tte de lecture optique, etc
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2- Les diodes Photosensibles : Ce sont des jonctions pn sensibles au rayonnement lumineux, o la gnration des porteurs libres est due essentiellement une source dexcitation optique par absorption de photons dans le SC. Chaque photon absorb dans le SC cre une paire -trou lorsque lnergie du photon est suprieure ou gale lnergie de la bande interdite du matriau.
EG (eV)
1.24 (m)
a- La photodiode : Cest une jonction pn qui transforme lnergie lumineuse en nergie lectrique, cest un capteur de rayonnement. p h n Courant ectrique ou photo courant
Schma lectrique:
3 P
1 3
Front
*ase
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Par absorption de photons incidents, les paires -trous cres sont spars et propulss par le champ lectrique qui existe dans la ZCE. Ces porteurs de charges cres, donnent naissance un photo courant de gnration. Le photo courant rsultant intervient surtout en polarisation inverse de la diode: cest donc le courant cre par les porteurs minoritaires sous leffet de lclairement. Caractristique I(V) : Obscurit
Le courant inverse dune photodiode croit de faon importante lorsque lintensit du rayonnement croit. Le courant total : It = Iobs + Iph avec : Iobs Is trs faible Donc : It = Iph Les qualits requises pour un photodtecteur sont : Rendement quantique externe lev Sensibilit pour utilis (0.8; 1.33 et 1.55m) Rapidit (temps de rponse court) Apporter un minimum de bruit au signal lors du processus de dtection (rapport S/B important). Pour cela : o o o Couche frontale trs mince et fortement dope; Grande rgion de dpltion; Polarisation de la diode en inverse.
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a -1- Rendement quantique externe : Il est dfinit par le rapport du nombre d recueillis par le nombre de photons injects, cest aussi le nombre de porteurs gnrant le photocourant divis par le nombre de photons entrant.
ext =
I ph ext = P opt
q h
I ph qP
opt
a -2- La sensibilit : Cest le rapport du photo courant par la puissance optique, elle est exprime en (A/W). Elle scrit en fonction du rendement quantique:
S =
I ph P opt
q q q = ( m ) h 1 . 24
a- 3 - La rponse spectrale : Cest la courbe de sensibilit ou de rendement en fonction de la longueur donde (nergie des photons). Elle provient essentiellement de la caractristique dabsorption du matriau. S ou
E$ rponse spectra e
.m/
a -4- Le temps de rponse : La rapidit dune photodiode dpend du phnomne de collecte interne et de lcoulement du courant dans le circuit externe ou circuit de charge. - Temps de collecte interne, deux contributions: Temps de transite dans la ZCE: (tr = W/VS); Vs : vitesse de saturation 107cm/s. Temps de diffusion des porteurs cres dans les rgions neutres. Ce temps est contrl par le phnomne de diffusion (Ln et Lp); (td 0.1-1 ns).
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Temps li au circuit de charge: comprend la capacit de jonction Cj (Cj=.S/W), les capacits parasites Cp et la rsistance de charge RL. = RL (Cj + Cp)
Remarque : On peut Cj en W mais alors le temps de transit augmente il y a toujours un compromis rapidit-sensibilit. b- Photodiode PIN : On augmente artificiellement lpaisseur de la ZCE en insrant une rgion intrinsque entre les rgions n et p. 1 P h I 3
6 E
3 %
Si la polarisation inverse est suffisante, un champ lectrique important existe dans toute la zone intrinsque et les photoporteurs atteignent trs vite leur vitesse limite Vs. On obtient ainsi des photodiodes rapides et trs sensibles et donc un temps de rponse trs court (ns). Principe :
Le photocourant provient principalement des paires lectrons-trous cres dans la rgion intrinsque o rgne un champ lectrique. Intrt : grande sensibilit (W grand); la polarisation inverse du dispositif permet de rduire le temps de transit des porteurs sans pour autant augmenter la constante de temps (R.C) du circuit (W constante).
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c- Photodiode avalanche : Lorsque la polarisation inverse de la diode est voisine de la tension de claquage, les photo porteurs cres dans la ZCE sont multiplis par effet davalanche. On obtient ainsi une multiplication interne du photocourant trs utilis dans les systmes de tlcommunication par fibre optique. Principe :
Le photocourant est amplifi par un effet davalanche dans la rgion o le champ E dpasse le champ critique d'ionisation par impact. Intrt : Grande sensibilit (jusqu' 50 A/W). Amplification de courant 100. Inconvnient : Gain sensible la temprature et la polarisation inverse. Bruit due la nature alatoire du processus de multiplication des charges (minimum lorsqu'un seul type de porteurs contribue).
d- Photopile (cellule solaire) : Dfinition : La photopile est une photodiode qui fonctionne sans polarisation externe: elle dbite son photo courant dans une rsistance de charge RC sous clairement: Cest leffet photovoltaque. -ph
RC
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La photopile (ou cellule solaire) est un dtecteur de rayonnement solaire utilise pour la conversion photolectrique ou photovoltaque. - Caractristique I(V) : Obscurit c airement
-c !m
!co
ICC : courant de court circuit. VCO : tension de circuit ouvert (Rc ). Lorsque la jonction est excite par un rayonnement, la caractristique I(V) ne passe plus par lorigine, il existe une rgion dans laquelle le produit IV est ngatif: La diode fournit de lnergie lectrique. Il suffit alors de dfinir la rsistance de charge qui optimise la puissance fournie. Rendement de la photopile:
Il est donn par le rapport de la puissance maximale disponible la puissance du rayonnement incident :
0 ,8 (VCO .I CC ) 0 ,8 0 ,6 V 20 mA cm 2 valeur typique 10 % Psolaire 1kW / m 2 Remarque: La diffrence entre la photopile et la cellule solaire est la surface photosensible et la nature du rayonnement. La photopile fonctionne en mode photovoltaque (sans polarisation externe) alors que la photodiode doit tre polarise en inverse. Groupement de piles pour alimenter une rsistance de charge apprciable :
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! RC
- & -i et ! & !d
3- Les photocoupleurs : Ce sont des dispositifs optolectroniques constitus dun photometteur et dun photorcepteur dans le mme botier, coupls optiquement et isols lectriquement. Ce sont des quadriples dont la principale caractristique est de permettre un bon isolement entre les circuits dentre et de sortie.
Entre ectrique
Sortie ectrique
-E
-S !S
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- Rapport de transfert en courant : Ce rapport dtermine lefficacit du couplage (I = IS/IE ) VS donn. Pour la DEL :
E =
PE q q PE IE = h IE h E
Pour la photodiode :
R =
I S h q IS = PR R q PR h
CTR
IS P = E R R = I (% IE PE
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