EL-4002

Sistemas Digitales
Circuitos Integrados y Tecnologa
Niveles de Integracin y Tecnologa CMOS

Circuitos Integrados (Integrated Circuits)

El Circuito Integrado (informalmente, un chip) es

un cristal semiconductor (normalmente silicio) que contiene las componentes electrnicas para las compuertas digitales y elementos de memoria los cuales estn interconectados en el chip Terminologa Niveles de integracin del chip
SSI (Small-Scale Integrated) menos de 10 compuertas
MSI (Medium-Scale Integrated) - 10 a 100 compuertas LSI (Large-Scale Integrated) - 100 a miles de compuertas

VLSI (Very Large-Scale Integrated) miles a centenas de

millones de compuertas
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Niveles Lgicos

Caractersticas Salida Rango Salida Nivel Alto

VDD

Caractersticas Entrada Rango Entrada Nivel Alto

Receiver

VO H
Driver

NMH Zona Prohibida

VIH VIL Rango Entrada Nivel Bajo

VO L Rango Salida NivelBajo

NML

GND

Ejemplo de Familias Lgicas

Logic Family
TTL CMOS LVTTL LVCMOS

VDD
5 (4.75 - 5.25) 5 (4.5 - 6) 3.3 (3 - 3.6) 3.3 (3 - 3.6)

VIL
0.8 1.35 0.8 0.9

VIH
2.0 3.15 2.0 1.8

VOL
0.4 0.33 0.4 0.36

VOH
2.4 3.84 2.4 2.7

Transistores
Compuertas Lgicas construidas de Transistores Switch de 3 puertos controlados por voltaje

2 puertos conectados dependiendo del voltaje del

tercero d y s estn conectados (ON) cuando g es 1

g=0 d g s s d OFF s g=1 d ON

Robert Noyce, 1927 - 1990

Apodado el Alcalde de

Silicon Valley Co-fundador de Fairchild Semiconductor en 1957 Co-fundador de Intel in 1968 Co-inventor del Circuito Integrado

Silicio
Transistores construidos en silicio, un

semiconductor Silicio puro es un mal conductor (no hay cargas libres) Silicio dopado es un buen conductor (cargas libres)
Tipo n (cargas libres negativas, electrones)
Tipo p (cargas libres positivas, huecos)
Electrn libre Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si As Si Tipo n Si Si Si Si Si Si Si B Si Tipo p Hueco libre Si Si Si
+ + -

Cuadrcula de Silicio

Transistor MOS
Metal Oxide Silicon (MOS) Transistors:
Compuerta Polysilicon (sola ser metal)

Aislador Oxide (dixido de silicio)

Silicon dopado
source gate drain Polysilicon SiO2

n p gate source drain

n substrate

nMOS

Transistor nMOS
Gate = 0 OFF (no hay conexin entre la fuente (source) y el drenaje (drain)
source gate GND +++++++ ------channel p GND drain

Gate = 1 ON (canal entre fuente y drenaje)

source gate VDD drain

n p GND

n substrate

n substrate

Transistor pMOS
Transistor pMOS es opuesto al nMOS ON cuando Gate = 0 OFF cuando Gate = 1
source Polysilicon SiO2 gate drain

p n gate source drain

p substrate

Funciones del Transistor

g=0 d nMOS g s s pMOS g d d s s ON d d OFF s s OFF g=1 d ON

Funciones del Transistor

nMOS: pasa buenos 0s, por lo tanto conecta la

fuente (source) a GND pMOS: pasa buenos 1s, por lo tanto conecta la fuente a VDD
pMOS pull-up network

entradas salida
nMOS pull-down network

Compuertas CMOS: Compuerta NOT

NOT
A Y=A A 0 1 Y 1 0 Y

VDD P1

A
N1
OFF ON

Y
N1

A
0 1

P1
ON OFF

Y
1 0

GND

Modelo de Switches para Inversor CMOS

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Compuertas CMOS: Compuerta NAND

NAND
A B Y = AB A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 1 1 1 0 Y

P2

P1

Y A B
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 P1 ON ON OFF OFF P2 ON OFF ON OFF N1 OFF OFF ON ON N2 OFF ON OFF ON

N1 N2

Y 1 1 1 0

Modelo de Switches para Compuerta NAND de 2 Entradas CMOS

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Compuerta NOR de 2 Entradas CMOS

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Compuerta NAND de 3 Entradas CMOS

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Buffer CMOS

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Compuerta AND de 2 Entradas CMOS

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Compuerta AND-OR-INVERT CMOS

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Compuerta OR-AND-INVERT CMOS

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Data Sheet Compuerta NAND 54/74HC00

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Circuitos de Prueba y Formas de Onda Lgica Serie HC

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Funcin de Transferencia E/S Inversor CMOS

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Gordon Moore, 1929 Co-fundador de Intel en

1968 con Robert Noyce. Ley de Moore: el nmero de transistores en un chip de un computador se duplica cada ao (observado en 1965) Desde 1975, la cantidad de transistores se ha duplicado cada dos aos

Parmetros de la Tecnologa
Las tecnologas de implementacin especficas de

compuertas estn caracterizadas por los siguientes parmetros:

Fan-in el nmero de entradas disponible en la compuerta Fan-out el nmero de cargas estndares capaz de manejar la

salida de una compuerta Niveles Lgicos los rangos de valores de la seal para el 1 y el 0 en las entradas y el 1 y el 0 en las salidas Margen de Ruido el voltaje de ruido externo mximo sobreimpuesto en el valor de la entrada normal que no producir un cambio indeseado en la salida del circuito Costo para una compuerta una medida de la contribucin de la compuerta al costo del circuito integrado Retardo de Propagacin el tiempo requerido por un cambio en el valor de una seal para propagarse desde una entrada hacia una salida Disipacin de Energa la cantidad de energa obtenida de una fuente de poder y consumida por la compuerta
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Fan-out
El Fan-out puede ser definido en trminos de

cargas estndares
Ejemplo: 1 carga estndar es igual a la carga

impuesta por la entrada de un inversor Tiempo de Transicin (Transition time) el tiempo requerido por la salida de la compuerta para cambiar de H a L, tHL, o de L a H, tLH El mximo fan-out que puede ser manejado por una compuerta es el nmero de cargas estndares que la compuerta puede entregar sin exceder su tiempo de transicin mximo especificado
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Costo
En un Circuito Integrado:
El costo de una compuerta es proporcional al rea

del chip ocupada por la compuerta El rea de la compuerta es, a grandes rasgos, proporcional al nmero y tamao de los transistores y a la cantidad de alambrado que los conectan Ignorando el rea del alambrado, el rea de la compuerta es, a grandes rasgos, proporcional a la cantidad de entradas de la compuerta Por lo tanto, la cantidad de entradas es una medida aproximada del costo de la compuerta
Si el rea de diseo real del chip ocupada por la

compuerta es conocida, es una medida ms precisa del costo de la compuerta

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