EL OSCILADOR DE GUNN

UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA

JOHNNATAN FERNANDEZ
e-mail: esjon_05@hotmail.com
WILMER FIGUEROA
e-mail: wilmerfr@gmail.com
JOSE REINALDO SANDOVAL TORRES
e-mail: jsandova10@hotmail.com
Febrero de 2013

Resumen.
Es una forma de diodo usado en la
electrnica de alta frecuencia. A diferencia
de los diodos ordinarios construidos con
regiones de dopaje P o N, solamente tiene
regiones del tipo N, razn por lo que
impropiamente se le conoce como diodo.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos
de ellas tienen regiones tipo N fuertemente
dopadas y una delgada regin intermedia de
material ligeramente dopado. Cuando se
aplica un voltaje determinado a travs de sus
terminales, en la zona intermedia el
gradiente elctrico es mayor que en los
extremos. Finalmente esta zona empieza a
conducir esto significa que este diodo
presenta una zona de resistencia negativa.

Introduccin.
Dentro del programa a desarrollar en el
curso de Telecomunicaciones III se tiene
como objetivo el entendimiento y
aprendizaje de la transmisin de seales por
medio de Guas de Onda, para tal efecto se
hace
imprescindible
conocer
el
funcionamiento
de
los
dispositivos
generadores de seal, la cual ser trasportada

atravs de dichas guas de onda, de ah parte

la importancia y relevancia que se debe tener
en al identificacin y prediccin del
funcionamiento de dichos elementos.

Montaje.

Resultados.
LECTURA
DEL
VATIMETR
O

P leido

POTENCIA
ENTREGAD
A

EFICIENCI
A

mA

mW

Po = P
x4
mW

0,0

0,0

0,00

0,00

0,0%

0,5

55,0

0,00

0,00

0,0%

1,0

62,5

0,00

0,00

0,0%

1,5

82,5

0,00

0,00

0,0%

2,0

107,5

0,00

0,00

0,0%

2,5

112,0

0,00

0,00

0,0%

3,0

125,0

0,00

0,00

0,0%

3,5

124,0

0,00

0,00

0,0%

4,0

112,5

0,00

0,00

0,0%

4,5

110,0

0,00

0,00

0,0%

5,0

105,0

1,05

4,20

0,8%

5,5

105,0

1,31

5,24

0,9%

6,0

105,0

1,58

6,32

1,0%

6,5

100,0

1,85

7,40

1,1%

7,0

100,0

2,10

8,40

1,2%

7,5

80,0

2,29

9,16

1,5%

8,0

100,0

2,50

10,00

1,3%

8,5

90,0

2,69

10,76

1,4%

9,0

80,0

2,89

11,56

1,6%

9,5

90,0

3,05

12,20

1,4%

10,0

90,0

3,25

13,00

DIODO DE GUNN

leido

14,0

1,4%
TABLA 3-1

12,0

10,0

POTENCIA (Po)

CORRIENTE
SUMINISTRAD
A

8,0

6,0

4,0

2,0

0,0
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

5,5

6,0

6,5

7,0

7,5

8,0

8,5

9,0

9,5

10,0

VOLTAJE (V)

FIGURA 3-6

Anote el voltaje para el que el oscilador de

Gunn comienza a oscilar.
Observe la figura 3-5 y responda si el voltaje
se encuentra en la region de resistencia
negativa.
SI
DIODO DE GUNN
1,8%
1,6%
1,4%

EEFICIENCIA (%)

VOLTAJE
SUMINISTRAD
O

10. a partir de los resultados obtenidos trace

en la figura 3-6 la curva de potencia
entregada Po en funcin del voltaje
suministrado al Oscilador de Gunn.

1,2%
1,0%
0,8%
0,6%
0,4%
0,2%
0,0%

9. A partir de los resultados obtenidos en la

tabla 3-1, trace la figura 3-5 la curva de
corriente en funcin del voltaje del
Oscilador de Gunn
Grafica.
Corriente en funcin del voltaje del oscilador
de Gunn.
DIODO DE GUNN
140,0

CORRIENTE (mA)

120,0

100,0

80,0

60,0

40,0

20,0

0,0
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

5,5

VOLTAJE (V)

FIGURA 3-5

6,0

6,5

7,0

7,5

8,0

8,5

9,0

9,5

10,0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

5,5

6,0

6,5

7,0

7,5

8,0

8,5

9,0

9,5

10,0

VOLTAJE (V)

CONCLUSION
En este ejercicio se familiarizo con
los principios de operacin de un
oscilador de diodo Gunn, Se trazo l
CURV V-I del diodo Gunn y se pudo
constatar que aparece una regin de
resistencia negativa, la cual aunque
no fue tan exacta como muestra el
marco terico de la practica de
laboratorio si trata de concordar con
el patrn que este lleva, se logro
calcular la eficiencia y no fue tan
aproximada como esperbamos que
fuera.

REGUNTAS DE REVISION
1. Cules son los componentes principales
de un Oscilador de Gunn?
Rt/a: Espigas metlicas, Tornillo de
sintona dielctrica, conector hembra
BNC diafragma perforado y adaptador
2. En que materiales es posible obtener el
efecto Gunn?
Rt/a: el efecto Gunn solo es posible en
algunos materiales semiconductores tipo
n, los ms utilizados son: ARSENIURO
DE GALIO (GaAs) y el FOSFURO DE
INDIO (InP).
3. Describa el fenmeno que ad origen a la
resistencia dinmica negativa en un
cristal semiconductor.
Rt/a: Cuando el voltaje se incrementa de
modo que el gradiente de potencial a
travs de la porcin de material excede un
umbral cercano a 3,3 kV/cm , la corriente
comienza a disminuir y se dice que el
material
presenta
una
resistencia
negativa.
4. Qu determina la frecuencia exacta del
oscilador de Gunn?
Rt/a: Depende de la velocidad que deriva
de los dominios y de la longitud de la
porcin de material.
5. Un oscilador de Gunn genera una seal
de microondas de onda continua (OC) de
100 mW, con una eficiencia de 2%.
Cunta potencia debe disipar el
disipador de calor?