Diagnostico y Reparacin de Mdulos Electrnicos Automotrices
Celaya, Gto. Diciembre de 2008
Bienvenidos
Entre las diversas acciones para modernizar la educacin que se imparte en el pas, han surgido en Mxico Proyectos para la Modernizacin de la Educacin Tcnica y la Capacitacin. Su propsito es mejorar la calidad en la formacin de los alumnos, de manera que satisfaga las necesidades reales del sector productivo.
En este marco, El Centro Educativo Virtual, de la Division de Capacitacion de Evoautomotriz, ha desarrollado un curso virtual de capacitacion orientado a la promocin de conocimientos, habilidades, destrezas y actitudes necesarios para el desempeo competente en el mercado labora del sector Automotrizl.
El pas requiere cada vez ms personal tcnico altamente califi- cado para enfrentar los retos de competitividad en un mercado globalizado.
Bienvenido a formar parte de los esfuerzos educativos que se estn desarrollando para atender esos compromisos de la economa mexicana. Este curso, es una contribucin en ese sentido, pues proporciona herramientas para apoyar tu desempeo prctico dentro del sector Automotriz.
ATENTAMENTE
Ing. Ricardo Lara Director General de Evoautomotriz
LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 1
1. ELECTRONICA DE MODULOS.
El Tcnico Mecnico de hoy da, debe cumplir una serie de requisitos que hasta hace unos aos eran impensables.
Cualquier automvil modelo 2007 tiene incorporado por lo menos un mdulo que funcione en su interior con electrnica, y para los modelos de alta gama esto se vuelve un poco mas complicado y aparecen muchos componentes que comandan cada vez mas y mas cosas y dentro de estos mdulos. No se encuentra otra cosa mas que electrnica, es por eso que en mitad de una reparacin en algn momento el Tcnico debe analizar un circuito o diagnosticar si cambiar o no un mdulo. Por esta razn se explica este tema con un enfoque muy prctico, desde el punto de vista del Tcnico Mecnico que requiere una solucin a su problema con una reparacin bien realizada o un reemplazo lgico para un determinado componente averiado.
Para brindar un ejemplo a esta afirmacin se analizar un problema de calentamiento del motor en un automvil, porque no arrancan los electroventiladores.
La lgica de esta falla llevar a un usual circuito en donde el PCM recibe una seal del ECT y en caso de determinar la alta temperatura (Programada en el PCM), accionar el relevador y de esta forma el motor del Electroventilador girar. En algn automvil se podra encontrar que existiesen varias velocidades, esto se logra con varios relevadores y dos motores de electroventiladores , o simplemente un solo motor con dos circuitos uno con un resistor y otro sin resistor pero el caso mas comn fue el mencionado inicialmente, en la grfica se observa un circuito similar al descripto.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 2
Pero resulta que cuando este Tcnico va a revisar el circuito, simplemente nunca encontr el relevador, es mas el motor del ventilador no se encontraba conectado a ningn interruptor ni perilla, los cables los llevaban a una cajita en donde en el interior encontr una serie de relevadores con toda una electrnica como si se tratara del PCM, y este mdulo estaba ubicado justo al lado de los electroventiladores.
Este modulo en el caso de los Opel Astra por ejemplo, controla las funciones del A/C incluyendo la activacin de los electroventiladores, recibe los requerimientos de informacin de temperatura del motor por un Bus de datos CAN y perfectamente se puede verificar con el scanner. En mas con un TEST DE ACTUADORES se podran accionar cada una de las funciones que controla y en caso de una falla generara un DTC del tipo BXXX. Ahora como conclusin se tiene que cada vez se encontrara mas electrnica en sitios donde hasta hace un tiempo era impensable.
Por eso una buena practica es conocer todos estos componentes y si no es el caso de reparar los mdulos por lo menos poder brindar un diagnostico seguro.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 3
2. ANALASIS DE LAS FUNCIONES BASICAS.
Lo primero que se debe tener en cuenta antes de entrar en detalles de reparaciones electrnicas avanzadas de ECUS o Mdulos de control, es la relacin elctrica que existe entre el voltaje la resistencia y el amperaje.
Todos los componentes existentes estn compuestos por electrones, la corriente elctrica es el movimiento de estos electrones. Para este movimiento se hace necesario una fuerza que los impulse y la cantidad de fuerza necesaria para impulsarnos depende del componente mismo, el cual puede ofrecer mucha o poca capacidad para que de acuerdo a esa fuerza aplicada circulen los electrones.
Esta capacidad de dejar pasar los electrones es conocida como conduccin en electricidad, se presentan diferentes materiales los cuales pueden ser tan buenos conductores como los filamentos de cobre de los cableados de conexin entre el PCM y sensores o tan malos conductores como el recubrimiento plstico que los protege.
Otro tipo de materiales en electrnica son considerados como semiconductores es decir conducen solo en condiciones especificas, es el caso por ejemplo de un diodo, el cual deja pasar la corriente solo en un solo sentido, o los transistores los cuales permiten la conmutacin solo cuando reciben una seal elctrica.
Lo mas importante en este punto es conocer que es lo que pasa cuando un circuito elctrico esta formado.
Para analizar un circuito elctrico completo podemos analizar lo que pasa con el siguiente ejemplo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 4
En la imagen describe la circulacin de corriente desde el borne positivo al borne negativo en este recorrido atraviesan la dificultad que le genera el bombillo, es decir la cantidad de electrones que se muevan estn directamente relacionados con la dificultad del bombillo y de la presin elctrica de la batera.
Para entender este ejemplo se puede realizar una analoga con un circuito hidrulico.
En el esquema inferior se puede una bomba la cual esta acelerando un flujo, en este circuito hidrulico existe en la parte superior dos manmetros Ay B, y el caudal esta representado por los puntos azules.
Se puede apreciar que los manmetros muestran un mismo nivel de presin y el caudal que se encuentra en este momento es alto puesto que no se realiza ninguna obstruccin al fluido en este caso la nica restriccin es la dada por el mismo dimetro de los ductos.
Si se realiza una obstruccin en el circuito el nivel del caudal baja y los manmetros cambian de medida mostrando el primer manmetro A un incremento dado por la restriccin y el B un decremento.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 5
Los manmetros A y B representan la diferencia de presin a travs de la resistencia de la restriccin.
Ahora si esa restriccin se hace tan alta como para no permitir flujo de lquido, la diferencia de presin va a ser mxima en A con respecto a B, pero en este caso el flujo se limita al mnimo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 6
En este caso la bomba se puede comparar con la Batera o la fuente de voltaje, la restriccin de la tubera con la resistencia elctrica y el caudal se asemeja al flujo de los electrones o sea la corriente.
En electricidad el voltaje se mide en Voltios (V), la resistencia en Ohms () y la corriente Ampere (A).
El voltaje lo podemos interpretar entonces como la presin que se ejerce sobre los electrones y permiten vencer la resistencia, en la figura se puede apreciar el impulso que le ejerce el voltaje a los electrones a travs del cableado.
La corriente se define como el flujo de electrones que ayudados por el impulso de la presin elctrica circulan por un conductor, la corriente se mide en Ampere y siempre es necesario disponer de un circuito en serie para su medicin.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 7
Por su parte la Resistencia elctrica se puede definir como la oposicin a ese flujo de los electrones, en un circuito elctrico, entre mas resistencia existe menos corriente circula por medio de el.
Existe una formula matemtica que relaciona estas tres propiedades de la electricidad esta se llama la ley de Ohm, en la cual se hace una relacin muy simple de cmo las tres propiedades se relacionan en un circuito.
EL VOLTAJE = LA CORRIENTE x LA RESISTENCIA
Con esta expresin tenemos que si a un nivel de tensin (V) fijo si la resistencia de un circuito baja se eleva la corriente y en ese mismo circuito si la resistencia aumenta disminuye la corriente la siguiente imagen muestra una forma muy sencilla para relacionar matemticamente las tres propiedades.
3. PARTES DE UN MODULO ELECTRONICO DE CONTROL.
Un modulo de control como por ejemplo el PCM de un vehiculo, esta compuesto por una gran cantidad de circuitos y componentes que en muchos casos ni siquiera son de carcter comercial, lo importante al momento de tratar de Reparar un Modulo es identificar que sector del mismo es el que se encuentra con algn problema y sobre esa base tratar de analizar cual puede ser una efectiva solucin, Tan importante como buscar un reemplazo en una casa electrnica de acuerdo a una referencia es saber que tipo de control o seal elctrica maneja un determinado circuito, puesto que si no se encuentra un componente en particular podramos pensar en un reemplazo de acuerdo a la cantidad de corriente, el voltaje o la frecuencia entre otros parmetros que el modulo controle o reciba de un actuador o un sensor.
En general un Modulo de control esta compuesto por elementos perifricos y elementos de procesamiento.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 8
Dentro de los elementos perifricos podemos encontrar dos circuitos,
Circuito de alimentacin o fuente. Este circuito esta diseado para proteger el modulo y mantener un nivel de tensin estable al interior del mismo en los elementos de procesamiento no se permite cambios en los niveles de tensin recordemos que en un automvil el sistema de carga se caracteriza por los cambios de voltaje.
Un circuito fuente esta conformado por componentes encargados de proteger, estabilizar y regular los niveles de tensin y corriente dentro de los elementos ms usuales tenemos los siguientes:
Diodos Rectificadores y Zenner. Condensadores. Reguladores de Tensin. Varistores. Resistencias.
En la siguiente grafica se puede observar una fotografa de un circuito fuente.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 9
Una de las caractersticas con la que se puede identificar un circuito fuente es que siempre estn muy cerca de los pines de conexin y adems son los componentes de mayor tamao puesto que manejan una cantidad de corriente considerable.
Circuitos de Control.
Los circuitos de control dentro de un Modulo Elctrico estn bsicamente diseados para controlar los Actuadores como por ejemplo los inyectores las bobinas las vlvulas de marcha mnima los relevadores entre otros , estos circuitos deben cumplir con requisitos de manejo de potencia puesto que la corriente que se maneja en muchos de ellos alcanza los 5 ampere y los voltajes operados pueden llegar a picos de hasta 400V dentro de los principales componentes que hacen partes de estos circuitos tenemos:
Transistores. Circuitos integrados de control (DRIVERS).
En la seguinte imagen se presenta un ejemplo de un circuito de control de bobinas de encendido DIS compuestos por dos transistores del tipo Mosfet.
Una de las caractersticas que podran ayudar a identificar este tipo de circuitos es que siempre manejan pistas de gran tamao y generalmente estn dispuestos en lugares de fcil disipacin de calor como laminas de hierro o chapas disipadoras.
Ahora otra parte podra analizar los elementos que hacen parte del procesamiento de los datos.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 10
Procesamiento de Datos. En esta parte de circuito encontramos la parte lgica y operacional del modulo en donde se encuentran almacenados los datos de funcionamiento (Memoria), y en donde existe un componente que es encargado de operar todos los controles y seales del modulo (Procesador), estos dos componentes ayudados de muchos circuitos integrados como conversores anlogos digitales, se encargan de gestionar cada una de las funciones del modulo de control de acuerdo al requerimiento o seal enviada por parte de los sensores o sistemas que requieran una operacin cualquiera del modulo en la siguiente imagen se puede apreciar una imagen de elementos de este circuito.
El procesador siempre se encuentra muy cercano a la memoria y cercano al procesador se va a encontrar el cristal del procesador.
En algunos casos se puede encontrar que la memoria y el procesador se encuentran ubicados en un mismo componentes a este arreglo se le denomina MICROCONTROLADOR.
A continuacin se listaran cada uno de estos componentes con su respectiva especificacin y clasificacin.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 11
4. COMPNENTES DE UN MODULO.
En el interior del modulo encontramos la electrnica que esta compuesta por una gran variedad de componentes y el arreglo del circuito es un trabajo muy delicado de ingenieros especializados que realizan muchos clculos Matemticos para poder llevar todos esos elementos a la final consecucin. Algunos circuitos pueden ser de fcil compresin para el Tcnico, pero otros por el contrario requieren un poco mas de preparacin y esfuerzo, pero el no entender el diseo del circuito, no quiere decir que el Tcnico no pueda llevar a cabo una buena reparacin utilizando el mejor componente para su reemplazo. Dentro de los varios elementos que se van a encontrar en un MODULO lo primero que se debe tener en cuenta es si el componente se clasifica como PASIVO o ACTIVO el concepto de esta identificacin se lista a continuacin.
COMPONENTES PASIVOS: Se puede definir a los componentes pasivos como aquellos que no producen amplificacin y que sirven para controlar la electricidad, colaborando al mejor funcionamiento de los elementos activos (los cuales son llamados genricamente semiconductores). Los componentes pasivos estn formados por elementos de diversas clases y se tendrn que considerar independientemente, ya que son diferentes sus objetivos, construccin y resultados, de modo que se pueden a dividir en tres grandes grupos: 1. Resistencias. 2. Condensadores. 3. Bobinados.
1. Resistencias. Las resistencias se pueden definir como aquel componente que pone cierta dificultad al paso de la corriente elctrica. Es decir, ofrece resistencia a dejarse atravesar por la corriente elctrica en los ms variados valores segn el tipo de componente, de modo que pueden cumplir diversas funciones. Las resistencias, son los elementos que ms abundan el los circuitos electrnicos. Cuando destapemos cualquier caja que contenga semiconductores las veremos con profusin, distinguidas en seguida por aros de vivos colores que las envuelven y que, indican el valor de su resistencia hmica, de acuerdo con su cdigo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 12
Clases de Resistencias: Estableceremos una clasificacin de las resistencias de acuerdo con la forma de estar construidas, y tambin de acuerdo con los materiales con los se lleva a cabo esta construccin. Resistencias aglomeradas. Resistencias de capa o pelcula. Resistencias Bobinadas. Las resistencias aglomeradas se componen de una masa homognea de grafito mezclado con un elemento aglutinante, fuertemente prensado en forma cilndrica y encapsulada en un manguito de material aislante como el plstico. El valor hmico de una resistencia de carbn, es decir, su mayor o menor facilidad para dejar pasar la corriente elctrica depende de las proporciones del grafito y aglutinante empleadas en su fabricacin. En las resistencias de capa o pelcula, el elemento resistivo es una finsima capa de carbn sobre un cuerpo aislante, de forma tambin cilndrica. El cuerpo central es, en algunos casos, un minsculo tubo de cristal con los terminales de conexin conectados a cada extremo. Una variante de este tipo de resistencias son las llamadas resistencias de pelcula metlica, en las que la capa de carbn ha sido sustituida por una aleacin metlica de alta constante resistiva (nquel, cromo u oro-platino) o un xido metlico como el xido de estao. En las resistencias bobinadas se emplea un hilo conductor que posee una resistencia especfica especialmente alta. El hilo conductor se arrolla encima de un cuerpo, generalmente un tubo de cermica. En cuanto a los extremos del hilo, se fijan generalmente con abrazaderas que a su ves pueden servir como conexiones para el montaje e, incluso, si las abrazaderas son desplazables se pueden obtener valores de resistencia parciales. En muchas ocasiones se hallan tambin colocadas dentro de un prisma cermico de seccin cuadrada y se sellan con una silicona especial para que se hallen debidamente protegidas. Valor hmico y tolerancia de las resistencias: Lo mas importante de las resistencias es su valor hmico, es decir, la oposicin que ofrece al paso de la corriente elctrica. Este valor no tiene ninguna relacin con el tamao, sino que los materiales constituyentes de la resistencia. En cuanto al valor hmico hay que tener en cuenta que ste queda afectado por el calor, el calor se produce siempre que la corriente elctrica pasa a travs de una resistencia, y este aumento de la temperatura modifica el valor de las resistencias. Por este motivo, en algunos aparatos de medida hay que esperar hasta que se hayan calentado las resistencias antes de hacer la medicin para que cese la variacin de resistencia que estos elementos provocan. Tngase en cuenta que, despus de cierto tiempo, se establece un estado de equilibrio entre el calor producido y el calor irradiado, con lo que la temperatura no sigue aumentando. De todos modos, el valor asignado a una resistencia es siempre aproximado, y de ah que deba contarse siempre con una tolerancia, de modo que el valor nominal puede variar dentro de ciertos lmites. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 13
Para qu sirven las resistencias :
En los circuitos electrnicos, tanto las tensiones como las corrientes es preciso controlarlas para conseguir los efectos deseados. No podemos, por ejemplo, mandar indiscriminadamente corriente a la base de un transistor; por el contrario, estas bases precisan siempre tensiones de polarizacin para que puedan funcionar dentro de los lmites correctos, lo cual quiere decir que la tensin de base de un transistor debe mantenerse a una tensin constante con respecto el emisor. Indicacin del valor de las resistencias :
Es muy importante conocer el valor de cada una de las resistencias que forman parte de un circuito, ya que si alguna vez se ha de cambiar alguna resistencia que la sepamos sustituir por otra del valor adecuado. El valor de las resistencias va grabado sobre ellas y puede venir indicado por medio de cifras, por anillos de color o bien por puntos de color, grabado todo ello, como decimos, sobre la superficie exterior del componente y de acuerdo con un cdigo que tse debe conocer. El uso de anillos de color pintados es el sistema ms corriente utilizado en electrnica, y es el que vamos a estudiar en esta pgina. Cdigo de Colores. Es el cdigo con el que se regula el marcado del valor nominal y tolerancia para resistencias fijas de carbn y metlicas de capa fundamentalmente. Se puede resaltar que con estos cdigos lo que obtenemos es el valor nominal de la resistencia pero no el valor real que se situar dentro de un margen segn la tolerancia que se aplique. Cdigo de colores para tres o cuatro bandas.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 14
Tolerancia: sin indicacin +/- 20%
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 15
Cdigo de colores para cinco bandas
Resistencias de montaje superficial SMD (Surface Mounted Devices) Identificar el valor de una resistencia SMD es ms sencillo que para una resistencia convencional, ya que las bandas de colores son reemplazadas por sus equivalentes numricos y as se imprimen en la superficie de la resistencia, la banda que indica la tolerancia desaparece y se la "reemplaza" en base al nmero de dgitos que se indica, es decir; un nmero de tres dgitos nos indica en esos tres dgitos el valor del resistencia, y la ausencia de otra indicacin nos dice que se trata de una resistencia con una tolerancia del 5%. Un nmero de cuatro dgitos indica en los cuatro dgitos su valor y nos dice que se trata de una resistencia con una tolerancia del 1%.
Figura 1
Figura 2 w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 16
Nmero Exponente 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 10000000 100000000 1000000000 Primer dgito: corresponde al primer dgito del valor Segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor Tercer dgito: (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar. (figura 1) Tercer dgito: (1%): corresponde al tercer dgito del valor. (figura 2) Cuarto dgito: (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a agregar. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 17 Ejemplo 1: Resistencia con 3 dgitos (5%)
1023 1000 2492 1 dgito = 1 2 dgito = 0 3 dgito = 2 4 dgito = 3 = 1000 102 x 1000 = 102 Kohms 1 dgito = 1 2 dgito = 0 3 dgito = 0 4 dgito = 0 = 1 100 x 1 = 100 ohms 1 dgito = 2 2 dgito = 4 3 dgito = 9 4 dgito = 2 = 100 249 x 100 = 24.9 Kohms Debido a que en los dispositivos de montaje superficial el espacio disponible es muy reducido se intenta en lo posible aprovechar este espacio optimizando la informacin presentada. Esta clase de optimizacin puede en algunos casos causar confusin, sin embargo veamos que todos los valores son interpretables. Ejemplo 3: resistencias (Leyendas poco usuales)
Primer caso: La resistencia con la leyenda 47, se le ha aplicado una costumbre comn en muchos fabricantes que es la de la supresin del cero innecesario. Es decir estamos ante un resistor que normalmente debera tener estampado el nmero 470 (47ohms), pero que se le ha quitado el 0 por conveniencia. Este es un caso comn en prcticamente todos los resistores con 2 cifras. Note que el valor de resistencia indicado no hubiese cambiado, an cuando tuviera estampado el nmero 470 o 4700, solo su porcentaje de tolerancia o error. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 18 Segundo caso: En la resistencia con la leyenda 1R00 la R representa al punto decimal, es decir, deberamos leer "uno-punto-cero-cero". Aqu el cuarto dgito no solo nos dice que se trata de un exponente cero sino que tambin su existencia manifiesta la importancia de la precisin (1%). Se trata simplemente de un resistor de 1 ohm con una desviacin mxima de error de +/- 1% Tercer caso: (1R2) es similar al anterior, sin embargo a diferencia de este se le ha aplicado la supresin del cero por lo que deberamos entender que se trata de un resistor de 1.2 ohms con una tolerancia del 5% de error. Cuarto caso: (R33), tenemos el valor 0.33 al cual se le suprimi el cero. La ausencia de un cuarto dgito nos dice que se trata de un resistor "comn" de 0.33 ohm 5%. Quinto caso: es uno de los ms comunes y en general abundan en muchas placas con dispositivos SMD. El 000 nos dice que se trata de un resistor de cero ohm, es decir un simple conductor. Esto es debido a que la densidad del trazado es tan alta que no queda otro remedio que recurrir al viejo "puente". En otros casos estos componentes son usados como proteccin fusible aprovechando las dimensiones reducidas del material conductor.
CONDENSADORES.
Si se quiere entender un poco el significado de los condensadores, se tiene que en el Automvil el condensador mas grande que se tiene es la batera, ella absorbe un incremento en el voltaje generado por el alternador y estara en capacidad de luego entregarlo en un momento que el generador cargue menos que ese voltaje que anteriormente cargo, manteniendo as lo mas constante posible la tensin del sistema.
Bsicamente un condensador es un dispositivo capaz de almacenar energa en forma de campo elctrico. Est formado por dos armaduras metlicas paralelas (generalmente de aluminio) separadas por un material dielctrico. Va a tener una serie de caractersticas tales como capacidad, tensin de trabajo, tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a distinguir. Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan grande que se suelen utilizar varios de los submltiplos, tales como microfaradios (F=10 -6 F), nano faradios (nF=10 -9 F) y pico faradios (pF=10 -12 F). Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un condensador, que depende del tipo y grosor del dielctrico con que est fabricado. Si se supera dicha tensin, el condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado) y/o explotar. En este sentido hay que tener cuidado al elegir un condensador, de forma que nunca trabaje a una tensin superior a la mxima. Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error mximo que puede existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su cuerpo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 19
Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad superior a 1 F tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensin prestando atencin a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los inferiores a 1F, a los que se puede aplicar tensin en cualquier sentido, los que tienen polaridad pueden explotar en caso de ser sta la incorrecta. Tipos de Condensadores. Se presentan a continuacin una serie de condensadores de los ms tpicos que se pueden encontrar.
1. Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en electrolito. Siempre tienen polaridad, y una capacidad superior a 1 F. Arriba observamos claramente que el condensador n 1 es de 2200 F, con una tensin mxima de trabajo de 25v. (Inscripcin: 2200 / 25 V). Abajo a la izquierda vemos un esquema de este tipo de condensadores y a la derecha vemos unos ejemplos de condensadores electrolticos de cierto tamao, de los que se suelen emplear en aplicaciones elctricas (fuentes de alimentacin, etc.).
2. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima pelcula de xido de tantalio amorfo, que con un menor espesor tiene un poder aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1 F. Su forma de gota les da muchas veces ese nombre.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 20 3. De polister metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 F y tensiones de trabajo a partir de 63v. Ms abajo vemos su estructura: dos lminas de poli carbonato recubierto por un depsito metlico que se bobinan juntas. Aqu al lado vemos un detalle de un condensador plano de este tipo, donde se observa que es de 0.033 F y 250v. (Inscripcin: 0.033 K/ 250 MKT).
4. De polister. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de fabricacin algo diferente. En ocasiones este tipo de condensadores se presentan en forma plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas de color, recibiendo comnmente el nombre de condensadores "de bandera". Su capacidad suele ser como mximo de 470 nF.
5. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma normal, sin aplastar.
6. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes. Sus valores de capacidad estn comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones llevan sus datos impresos en forma de bandas de color.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 21 7. Cermico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los pico faradios y generalmente ya no se usan, debido a la gran deriva trmica que tienen (variacin de la capacidad con las variaciones de temperatura).
Identificacin del valor de los condensadores Codificacin por Bandas de Color Hemos visto que algunos tipos de condensadores llevan sus datos impresos codificados con unas bandas de color. Esta forma de codificacin es muy similar a la empleada en las resistencias, en este caso sabiendo que el valor queda expresado en pico faradios (pF). Las bandas de color son como se observa en esta figura:
En el condensador de la izquierda se aprecian los siguientes datos: verde-azul-naranja = 56000 pF = 56 nF (recordemos que el "56000" est expresado en pF). El color negro indica una tolerancia del 20%, tal como veremos en la tabla de abajo y el color rojo indica una tensin mxima de trabajo de 250v. En el de la derecha se Observa: amarillo-violeta-rojo = 4700 pF = 4.7 nF. En los de este tipo no suele aparecer informacin acerca de la tensin ni la tolerancia. Cdigo de colores en los Condensadores COLORES Banda 1 Banda 2 Multiplicador Tensin Negro -- 0 x 1 Marrn 1 1 X 10 100 V. Rojo 2 2 X 100 250 V. Naranja 3 3 X 1000 Amarillo 4 4 X 10 4 400 V. Verde 5 5 X 10 5
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 22 Azul 6 6 X 10 6 630 V. Violeta 7 7 Gris 8 8 Blanco 9 9
COLORES Tolerancia (C > 10 pF) Tolerancia (C < 10 pF) Negro +/- 20% +/- 1 pF Blanco +/- 10% +/- 1 pF Verde +/- 5% +/- 0.5 pF Rojo +/- 2% +/- 0.25 pF Marrn +/- 1% +/- 0.1 pF Codificacin mediante letras Este es otro sistema de inscripcin del valor de los condensadores sobre su cuerpo. En lugar de pintar unas bandas de color se recurre tambin a la escritura de diferentes cdigos mediante letras impresas. A veces aparece impresa en los condensadores la letra "K" a continuacin de las letras; en este caso no se traduce por "kilo", o sea, 1000 sino que significa cermico si se halla en un condensador de tubo o disco. Si el componente es un condensador de dielctrico plstico (en forma de paraleleppedo), "K" significa tolerancia del 10% sobre el valor de la capacidad, en tanto que "M" corresponde a tolerancia del 20% y "J", tolerancia del 5%. LETRA Tolerancia "M" +/- 20% "K" +/- 10% "J" +/- 5% Detrs de estas letras figura la tensin de trabajo y delante de las mismas el valor de la capacidad indicado con cifras. Para expresar este valor se puede recurrir a la colocacin de un punto entre las cifras (con valor cero), refirindose en este caso a la unidad microfaradio (F) o bien al empleo del prefijo "n" (nano faradio = 1000 pF). Ejemplo: un condensador marcado con 0,047 J 630 tiene un valor de 47000 pF = 47 nF, tolerancia del 5% sobre dicho valor y tensin mxima de trabajo de 630 v. Tambin se podra haber marcado de las siguientes maneras: 4,7n J 630, o 4n7 J 630.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 23
Codificacin "101" de los Condensadores. El cdigo 101 utilizado en los condensadores cermicos como alternativa al cdigo de colores. De acuerdo con este sistema se imprimen 3 cifras, dos de ellas son las significativas y la ltima de ellas indica el nmero de ceros que se deben aadir a las precedentes. El resultado debe expresarse siempre en pico faradios pF. As, 561 significa 560 pF, 564 significa 560000 pF = 560 nF, y en el ejemplo de la figura de la derecha, 403 significa 40000 pF = 40 nF.
Ejemplos de Identificacin con Condensadores
0,047 J 630 C = 47 nF 5% V = 630 V. 403 C = 40 nF
0,068 J 250 C = 68 nF 5% V = 250 V. 47p C = 47 pF
22J C = 22 pF 5% 2200 C = 2.2 nF
10K +/-10% 400 V C = 10 nF 10% V = 400 V 3300/10 400 V C = 3.3 nF 10% V = 400 V.
amarillo-violeta- naranja-negro C = 47 nF 20% 330K 250V C = 0.33 F V = 250 V.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 24
n47 J C = 470 pF 5% 0,1 J 250 C = 0.1 F 5% V = 250 V.
verde-azul-naranja- negro-rojo C = 56 nF 20% V = 250 V. 1 250 C = 0.1 F V = 250 V.
22K 250 V C = 22 nF V = 250 V. n15 K C = 150 pF 10%
azul-gris-rojo y marrn-negro- naranja C1 = 8.2 nF C2 = 10 nF amarillo-violeta-rojo C = 4.7 nF
.02 F 50V C = 20 nF V = 50 V. amarillo-violeta-rojo, rojo- negro-marrn y amarillo- violeta-marrn C1=4.7 nF C2=200 pF C3=470 pF
VARISTORES. Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos, conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE ALTERNA. Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas) pero adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio). w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 25
CARACTERISTICAS 1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. 2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. 3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. 4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. 5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. 6. Alto grado de aislamiento. Mximo impulso de corriente no repetitiva El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos. Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 26
En la imagen se puede observar un circuito fuente el cual contiene un gran varistor que permite realizar la estrategia de proteccin comentada. COMPONENTES ACTIVOS. Dentro de lo que respecta a la electrnica de mdulos en automotriz la gran evolucin de los sistemas se presento cuando se implementaron en los controles los Semiconductores. Estos componentes tienen un gran numero de virtudes porque simplifican los circuitos , sus propiedades permiten que cambien su caractersticas de operacin como ningn otro material lo podra hacer , para brindar un ejemplo muy simple se podra decir que este tipo de elementos podra comportarse en un momento similar a un alambre de cobre que conduce la corriente elctrica y en otro momento se podra comportar en un plstico que no conduce bien la corriente elctrica , todo esto lo hace el mismo componente y se podra conseguir este cambio tan notable con solo invertir la polaridad del circuito. TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES. Los semiconductores son materiales generalmente de SILICIO o GERMANIO cuyas caractersticas de conduccin elctrica han sido modificadas para esto han sido combinados sin formar un compuesto qumico con otros elementos. A este proceso de combinacin se le denomina DOPADO, en este proceso se consiguen bsicamente dos tipos de componentes un Material denominado tipo P y un Material denominado tipo N. Tipo N: Bsicamente se presenta un exceso de electrones. Tipo P: Bsicamente se presenta un dficit de electrones.
Los diferentes Semiconductores se forman por la combinacin de materiales tipo P y tipo N y las caractersticas fsicas de estos estn determinadas por la cantidad de dopado que se realice en las secciones de los semiconductores y as como en la organizacin fsica y el tamao de los materiales. Esto permite fabricar por ejemplo un diodo para corrientes bajas y un diodo para corrientes altas pero el principio es el mismo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 27
DIODOS. La explicacin del diodo es la caracterstica predominante en los semiconductores aunque existen varios tipos de estos elementos todos parten del funcionamiento del DIODO SEMICONDUCTOR. Como su nombre lo indica son dispositivos fabricados con dos tipos de material semiconductor uno tipo N y otro tipo P. su nombre proviene de la contraccin de las palabras (Dos Electrones) en ingles. A la seccin de material tipo P se le denomina nodo y a la seccin de material tipo N se le denomina Ctodo. En un diodo, su seccin de material tipo N tiene impurezas que le permiten poseer un exceso de electrones libres en su estructura as esta parte se hace de cierta forma negativa. Y luego en su seccin tipo P se encuentra un dficit y esta parte se torna positiva. Cuando no hay voltaje en el diodo se logra un efecto interesante en la Unin P N los electrones libres de la seccin N se unen con los huecos cercanos a la unin tipo P. A esta Recombinacin en la unin del diodo se le denomina DIPOLO, la formacin de dipolos en la zona de unin hace que en este lugar se de un dficit de portadores creando una zona de DEPLEXION algo as como una zanja en la mitad de un camino. A este lugar se le denomina zona de deplexin.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 28
Cada dipolo tiene un campo elctrico entre los Iones Positivos y Negativos. Los electrones son repelidos por este campo, cuando tratan de cruzar la zona de deplexin para recombinarse con huecos mas alejados del otro lado. con cada recombinacin aumenta el campo elctrico hasta que se logra el equilibrio es decir se detiene el paso de electrones del material tipo N al material tipo P. El campo elctrico formado por los iones se denomina BARRERA DE POTENCIAL para los diodos de Germanio es 0.3 V y para los diodos de Silicio es 0.7 V. Si se conecta una fuente de potencial elctrico (Ej la batera del auto) a las terminales del diodo, de forma que el polo positivo de la batera coincida con el material tipo P y el polo negativo con el material tipo N, se dice que el diodo se encuentra en polarizacin Directa si es en caso contrario la polarizacin es Inversa. Cuando el diodo se encuentra en polarizacion Directa los electrones libres de la seccin N y los huecos de la seccin P son repelidos hacia la unin P-N debido al voltaje aplicado por la fuente externa. Si el voltaje de polarizacion es ms grande que la barrera de potencial entonces un electrn de la seccin N cruzara ala seccin para recombinarse con un hueco de la seccin P. El desplazamiento de los electrones hacia la unin genera iones positivos dentro de la seccin N, los cuales atraen a los electrones del conductor externo hacia la zona del cristal. Una vez dentro los electrones pueden desplazarse tambin hacia la unin para recombinarse con los huecos de la seccin P, mismos que se convierten en electrones de valencia y son atrados por el polo positivo del conductor externo entonces salen del cristal (semiconductor P) y de ah se dirigen hacia la batera como lo muestra la figura.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 29
Si el diodo es polarizado de forma Inversa los huecos de la seccin P son atrados hacia el polo negativo de la batera y los electrones de la seccin N son atrados hacia el polo positivo. Puesto que Huecos y Electrones se alejan de la unin, la zona de deplexin crece de acuerdo al voltaje inverso aplicado a las terminales del diodo. Por tanto la zona de deplexin deja de aumentar cuando tiene una diferencia de potencial igual al valor de tensin inversa aplicado. Con la zona de deplexin aumentada no circula entonces corriente elctrica. El hecho es que el dispositivo en cierta forma aumento al mximo su resistencia interna.
DIODOS RECTIFICADORES
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc... w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 30
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):
1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (V RRR mx. o V R mx. , respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. 2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (I FRM mx. e I F mx. respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. 3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
DIODO ZENER El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin Zenner (V z nom ) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor V f = -V z .
El Zenner se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de disrupcin.
Podemos distinguir:
1. V z nom , V z : Tensin nominal del Zenner (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el Zenner). 2. I z min. : Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin (V z min. ). 3. I z mx. : Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (V z mx. ). 4. P z : Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de V z nom y I z mx . w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 31
Cuando usamos un diodo Zenner en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):
1. Para un correcto funcionamiento, por el Zenner debe circular una corriente inversa mayor o igual a I z min . 2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que I z mx . 3. La potencia nominal P z que puede disipar el Zenner ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.
DIODO LED
El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin, opto aclopadores, etc.
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida.
Clculo de R resistencia de polarizacin del LED R = (Vs - Vd) / Id Vd entre 1.2 - 1.5V Id entre 10 - 20 mA w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 32
Ejemplo para Vs = 12 V, Vd = 1,5 V, Id = 10 mA -------> R = 1 K
IDENTIFICACIN DE DIODOS
Los diodos de unin p-n y los Zenner tienen caractersticas constructivas que los diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existen gran variedad de tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms prximo a la banda de color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "a".Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segn sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 33
TRANSISTOR BJT (BIPOLAR).
Cuando se selecciona un transistor se debe conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin se deber conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (I c ); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 34
2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial I c ).
4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario:
Se sustituye el transistor NPN por un PNP y se invierten todos los voltajes y corrientes.
Un ejemplo de la configuracin de este tipo de transistores el la imagen inferior que muestra la geometra e identificacin de sus pines tal cual como es representado en el manual correspondiente de cada fabricante. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 35
En el esquema se pueden identificar la Base el Colector y el Emisor.
En el caso de este tipo de transistores la capacidad de conmutacin es baja comparada con los transistores de compuerta aislada.
Un transistor de este tipo comnmente llevara entre sus terminales una corriente usual de 1A y voltajes de 60 V.
TRANSISTOR DARLINTON. En muchos mdulos de control electrnico se utiliza un transistor denominado darlintong, el cual lo podemos analizar como dos transistores convencionales BJT unidos, obteniendo as mas capacidad de conmutacin de corriente, en el escrito inferior se da el fundamento fsico que demuestra esta operacin, son unas ecuaciones muy sencillas que pueden ampliar el concepto de este transistor.
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver la forma en la figura.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 36
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2. La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es:
IE= x IB
(Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el grfico:
Ecuacin del primer transistor es:
IE1 = 1 x IB1 (1),
Ecuacin del segundo transistor es:
IE2 = 2 x IB2 (2)
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente de base del transistor T2. Entonces
IE1= IB2 (3)
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene:
IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 37
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( la ganancias se multiplican). Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (b = 100) conectados como un transistor Darlington y se utilizara la formula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor. Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas.
Muy importante: la cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 Voltios).
En los manuales de los componentes podemos encontrar una representacin para este transistor como muestra la imagen inferior.
El encapsulado es una de las caractersticas en las que este transistor cambia respecto a los convencionales BJT. Con las hojas de informacin DATASHETS es muy fcil identificar sus terminales. En el caso de requerir sus propiedades normales de operacin este mismo catalogo provee la informacin normal de operacin, o los valores mximo de parmetros de funcionamiento como serian por ejemplo.
Voltaje C E Corriente Colector normal y mxima. Frecuencia de Trabajo Mxima. Temperatura Mxima de Trabajo.
En el cuadro inferior se muestra una tabla usual para una referencia especifica de un transistor tipo DARLINTONG.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 38
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al transistor BJT. La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente Ic la es una funcin directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID ser una funcin del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso la corriente de la salida del circuito se controla por un parametro del circuito de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado
As como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el nivel de conduccin es una funcin de dos portadores de carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente ya sea de la conduccin por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p). El termino "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicacin. Todos estamos familiarizados con la habilidad de un imn permanente de atraer limaduras de metal sin necesidad de un contacto fsico directo. El campo magntico de un imn permanente acta sobre las limaduras y las atrae hacia el imn a travs de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico, para mantenerlas a tan corta distancia como sea posible. Para el FET se establece un campo elctrico por medio de las cargas presentes que controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un contacto directo entre la cantidad que controla y la que es controlada. Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las caractersticas generales de uno contra el otro. Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las caractersticas generales de uno contra el otro
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 39
CONSTRUCCIN DE LOS JFET.
El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp.
Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante sobre todo en los controles realizados en los diferentes modulos especialmente el PCM.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura inferior.
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n,se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura anterior, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a travs de la regin. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 40
Este tipo de transistores permiten que los mdulos de control puedan controlar cada vez mas circuitos con alta corriente, a este efecto se le denomina ganancia, en el momento de diagnostico de uno de estos componentes podemos encontrar que no existe cada de tensin en la excitacin de su base. Presentando generalmente voltajes cercanos a 5V a travs siempre de una resistencia. El principal de estos transistores se denomina MOSFET M: Metal O:Oxido S: Semiconductor. En la grafica inferior se puede apreciar la presentacin comercial de unos de estos transistores en ella se puede apreciar la denominacin de sus terminales y tambin su configuracin externa donde es importante recalcar la caracterstica de compuerta Aislada, el encapsulado en el caso Automotriz es tipo To 220 200 2P 3P
Pero las diferencias principales se generan en cunto a poder de conmutacin en donde este tipo de transistores puede tener mayor ganancia en la tabla inferior se presenta una especificacin general para este tipo de transistor. Es importante observar por ejemplo el valor de corriente mximo y pulsante entre Drain Source , y el voltaje mximo soportado en estos terminales.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 41
En el valor de corriente se encuentra que en condiciones normales puede comandar 20 A y en conmutacin pulsante llegara hasta 80 A y en el Voltaje D S sin problemas 450 V con lo cual un sistema de encendido podra ser activado por este componente, en la grafica de los terminales se puede apreciar que el montaje del componente es superficial SMD. TRANSISTORES IGBT. El transistor IGBT (Insulated Gated Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez mas en aplicaciones Automotrices en el cual la conmutacin de altas corrientes es un requisito importante , este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor MOSFET y un transistor BJT (Bipolar). En el caso de la excitacin de este transistor se utiliza una compuerta aislada tipo MOSFET con lo cual se controla la conmutacin por voltaje y no por corriente llevando esto mucha eficiencia a la llave electrnica. En el caso de la llave electrnica se usa un transistor BIPOPOLAR con lo que se gana conmutacin sin el valor de resistencia descrito en los transistores Mosfet , este valor de resistencia presentara un aumento en la cada de tensin a medida que aumente la corriente , mientras que en un Bipolar la cada de tensin es constante independiente de cuanta corriente conmute as que se vuelve en una unin perfecta de dos tipos de transistores en un solo encapsulado.
Como se trata de una activacin por medio de un Mosfet se tendr Gate en la excitacin, y como se tiene un bipolar en la llave electrnica ah se tendra Colector para la fuente y Emisor para el circuito a conmutar, en la grafica se puede apreciar este arreglo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 42
En la estructura interna de este transistor se encuentra una organizacin qumica que usa las propiedades de los dos transistores que se comento en el prrafo anterior.
En Automotriz una de las cargas mas complicadas para operar son las cargas inductivas estas son caractersticas de los sistemas de encendido por ejemplo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 43
En este caso la corriente tiene una caracterstica muy interesante porque presenta un aumento a medida que el tiempo de circuito cerrado aumenta, lo que lleva a que el conductor de esta corriente debe tener una muy eficiente conduccin de lo contrario colapsara.
El oscilosgrama superior presenta una caracterstica para esta afirmacin. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 44 Este fenmeno de la corriente viene acompaado en el momento de su corte con un efecto de elevacin de tensin, Pico inductivo en ese momento la tensin presenta un pico que podra perjudicar una juntura dbil, se podra pensar que en el momento del pico inductivo fuese como si un diodo se polarizara de forma inversa. Este valor debe ser un ponto importante en la seleccin del transistor. En la grafica inferior se muestra la imagen de este fenmeno en donde a medida que la corriente va disminuyendo el pico de tensin aparece.
Todos estos valores estarn en la respectiva tabla de manual de los fabricantes de componentes, en la grafica inferior observaremos la identificacin de de los pines de uno de estos elementos y la tabla comn de valores mximos a soportar por parte de este transistor.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 45
Es importante apreciar que aunque la corriente continua es de 16 A, la corriente mxima pulsante es de 58 A, en el caso automotriz la mayora de consumos altos (Casos PCM), se da por corriente que pulsan a alta frecuencia.
REGULADORES DE TENSION.
Un regulador tiene como funcin mantener la tensin de salida Vo en un valor predeterminado, sobre el rango esperado de corriente de carga, independientemente de las variaciones de la corriente de la carga, la tensin de entrada al regulador Vi y la temperatura T. Si se quisiera plasmar un regulador en un diagrama de bloques lo ms prximo a lograrlo en lneas generales seria lo siguiente: w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 46
Cada uno de estos bloques sern explicados posteriormente, antes se quiso hablar de los parmetros ms importantes que caracterizan un regulador de tensin; estos son la regulacin de carga, la regulacin de lnea y el coeficiente de temperatura. Regulacin de carga Es el cambio de tensin de salida para un cambio especfico de la corriente de carga, manteniendo constantes la tensin de entrad y la temperatura, la formula general es: REG-CARGA (%) = (Vo, cargamin - Vo, cargamx) x 100% / (Vo, cargamin); donde Vo, cargamin es la tensin de salida con carga mnima (tensin nominal) y Vo, cargamx es la tensin de salida con carga mxima. Regulacin de lnea Es el cambio en la tensin de salida para un cambio dado a la tensin de entrada, manteniendo constantes la corriente de salida y la temperatura la formula general es: REG-LINEA (%) = "Vo / ("Vi x Vo) x 100%; donde "Vo es el cambio en la tensin de salida para un cambio en la entrad "Vi y vo es la tensin nominal de salida. La regulacin de lnea es comparable a otras especificaciones como el rechazo al ripple o a la regulacin de entrada
Coeficiente de temperatura Es el cambio promedio en la tensin de salida para cada 1 Celsius de cambio en la temperatura del regulador, usualmente se especifica como: T.C. (% / C) = +/- (Vomx - Vomin) / (Vo ref. x Tmx -Tmin) x 100% Siendo Vomx la tensin de salida a la mxima temperatura especificada Tmx, Vomin la tensin de salida a la temperatura mnima Tmin y Vo ref. la tensin nominal de salida especificada a un temperatura predeterminada, en la mayora de los casos 25 C.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 47
Como se dijo un regulador de tensin est constituido por una serie de bloques funcionales que permiten estabilizar la tensin de salida, el diagrama que se mostr antes est formado por referencia, circuito de muestreo , amplificador de error y un elemento de control, en teora una variacin de la tensin de salida Vo es detectada por el amplificador de error al comparar la referencia de tensin y el circuito de muestreo, este amplificador opera sobre el elementote control en serie para restaurar la Vo. Antes de adentrarnos en el tema se debe hacer mencin de algunas de estos bloques constituyentes de un regulador en serie. Voltaje de referencia: esto constituye una parte fundamental de los reguladores de tensin al proporcionar una tensin de continua, muy precisa y estable con la temperatura y con el tiempo, para minimizar los errores debidos al auto calentamiento, las referencias de tensin proporcionan una corriente de salida moderada, tpicamente en el orden de unos pocos miliamperios, estn referencias estn basadas en diodos zener y transistores bipolares o de salto de banda, Un diodo zener es el dispositivo mas barato y simple para obtener una tensin de referencia ms o menos estable, sin embargo, hay que adaptarse a los valores de tensiones zener presentes en el mercado, adems estos presentan fuertes deriva trmica y el ruido de avalancha es muy elevado; estas limitaciones pueden ser resueltas en parte co0n la ayuda de un amplificador operacional, resultando un circuito con caractersticas de autorregulacin. Ejemplo de esta mejora lo constituye el siguiente circuito.
Existen circuitos integrados monolticos con caractersticas similares a la estructura anterior como el REF102 de Burr-Brown que proporcionan una tensin de referencia de tensin de 10 V compensado trmicamente que utiliza un diodo Zener de Vz = 8.2 V, la corriente mxima de salida es de 10mA su estructura interna es lago similar a lo siguiente: w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 48
En un los PCM generalmente el Regulador de tensin debe mantener una tensin de salida constante a 5V independientemente de el valor de entrada que podra variar de valores entre 12 y 15 V.
Este tipo de reguladores estn construidos a base de monolticos integrados montado en un encapsulada TO 220 esta regulacin adems ofrece ventajas adicionales como una proteccin trmica y una proteccin contra sobre corrientes, en el caso de una sobre temperatura simplemente el circuito se abre. Una de las ventajas de estos componentes es:
Salidas de Tensin alrededor de 1 A. No requieren componentes Externos. Proteccin interna por sobre cargas de temperaturas. Proteccin interna por sobre corriente. Salida a travs de un transistor Safe Area.
El conexionado usual para los pines de estos componentes es como el mostrado en la figura inferior.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 49
Este tipo de componentes tambin tienen su propia carta de referencia de valores DATASHETS. El cuadro inferior se puede apreciar una de ellas para un regulador muy usual denominado 7805.
5.CIRCUITO DE PROCESAMIENTO DE DATOS.
En el circuito de procesamiento de datos se tienen 2 elementos fundamentales, el procesador y la memoria, se estudiara las caractersticas de las memorias y los procesadores de forma de identificarlos, no se entrara en detalles en cuanto a su operacin puesto que en los reemplazos no es una prctica usual trabajar sobre estos componentes.
Dentro de la gama de Memorias se pueden establecer tres Grupos bien definidos.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 50
DIL
Este encapsulado fue unos de los primeros usados para los autos equipados con inyeccin electrnica desde el ano 1990. Como se aprecia en la figura este posee 2 lneas con patas o pines de acceso, estas pueden ser de 28 o 32 pines. Una marca o muesca se puede observar en su encapsulado, el mismo muestra la orientacin de su propia numeracin, y la ubicacin del pin 1. Tambin encontraremos una ventana en el medio del componente el cual nos indica que podemos borrar los datos de la misma con rayos ultravioletas. Este proceso requiere de un Borrador de eprom y el tiempo de ejecucion es de aproximadamente 25 minutos. Su montaje sobre la placa puede realizarse de 2 maneras distintas, directamente soldado sobre la placa o puede aparecer tambin montada sobre w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 51 un zcalo, esto facilita su extraccin y posterior trabajo.
Memorias tipo Plcc
Este encapsulado fue el segundo utilizado por las terminales automotrices el mismo cuenta con un tamao reducido y la configuracin de sus patas envuelve los 4 lados a diferencia de su antecesor (dil) la cantidad de patas puede ser de 32, 44, 48 patas. Lo particular de esta configuracin es que las patas o pines se encuentran hacia adentro y su montaje es superficial a la placa madre. Esto simplifica el tamao que ocupa en la placa madre y tambin aporta mayor capacidad en su interior. Este tipo de memorias se borrar elctricamente para luego poder reutilizarla, este proceso se realiza con un programador de memorias. Sobre un lateral posee una marca que nos indica la posicin pin 1. Puede ser encontrado montado directamente sobre la placa como tambin sobre un zcalo, esto facilita su extraccin y manejo.
Memorias tipo Sop
Este encapsulado es uno de los mas utilizados en la actualidad, posee una capacidad de 2 hasta 32 megas en el uso automotriz, este encapsulado logro en su costo, capacidad y espacio un compromiso adoptado por los fabricantes de electrnica automotriz. La cantidad de pines utilizados es de 44 o 48 terminales, tambin posee una marca el cual nos indica la posicin del pin 1
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 52
CAPACIDADES DE LAS MEMORIAS 1. Interpretacin de su nomenclatura
Rojo (AM): marca del fabricante. Verde (29): familia a la cual pertenece. Azul (F): flash memoria, memoria a la cual se borra elctricamente. Celeste (200): capacidad de la memoria, 2 megabytes. Rosa (BB): tipo de arquitectura interna. Amarillo (-90 sf): Tiempo o velocidad de acceso.
Verde (29): Para las memorias montadas en los automviles se encuentran en su mayora 2 tipos de familias la Nro. 27 y la Nro 29, cada familia estructuralmente cumple con ciertas condiciones como velocidad de acceso, condiciones de circuitos internos como compuertas, estructuras, arquitectura, etc. Estas caractersticas se aplican al uso al cual son sometidas.
Azul (F): Seguido del tipo de familia se observa la letra C=5v esto esta referido a su alimentacin o letra F=flash esto esta referido a que su borrado puede realizarse elctricamente. Esto se realiza mediante un programador de eproms, su ventaja Desarrollar las tensiones d la s memorias y beneficios del flash, borrado de los dil y Flash
Celeste (200): Los nmeros posteriores a su alimentacin es la capacidad que posee la memoria, lo que puede almacenar internamente y pueden ser para las memorias Dil, Plcc, Sop, aplicadas a los automviles: 128k, 256k, 512k, 1024k, 2048k, 4096k, 8192k
Equivalencias:
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 53
2. Tiempo de acceso Amarillo (-90): El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una informacin almacenada; el tiempo de acceso es una caracterstica importante para determinar la velocidad de resolucin de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir el tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la memoria se alcanzan ms rpidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se habla entonces del tiempo de acceso promedio. Ej.: -10 ns = menor a 10 nanosegundos. -120 ns = menor a 120 nanosegundos 1 nanosegundo = 1/1.000.000.000 (una milmillonsima) de Segundo.
3. logo del fabricante.
Usualmente cada proveedor de memorias identifica a su producto colocando un logo. Hay en el mercado innumerables marcas de fabricantes de memorias: ST, AMD, ATMEL, INTEL, FUJITSU, NEC,.etc Cabe destacar que debido a los distintos fabricantes de componentes, existen diferentes formas de colocar la informacin. Pero en su mayora uno puede ver a que tipo de familia pertenece, su capacidad y su velocidad de acceso. Algunos datos perteneces a datos internos de cada fabricante, numero de fabricacin, lote, etc. 1001=1024=1 megabyte 001=1024=1megabyte Tambin existen manuales referidos a los distintos tipos de memorias y su aplicacin, donde dan todas las caractersticas correspondientes de cada una de ellas.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 54
MICROCONTROLADORES.
El microcontrolador es una de las formas ms bsicas de un sistema con microprocesador. Aunque son mucho ms pequeos que los microprocesadores personales y los grandes ordenadores, se construyen microcontroladores con los mismos elementos bsicos. En el sentido ms simple, los microprocesadores producen un modelo especfico basado en unas entradas y unas salidas, con las instrucciones en un programa con microprocesador. Como la mayora de microprocesadores, los microcontroladores son simplemente ejecutores de instrucciones de propsito general. La estrella real de un sistema con microprocesador, es un programa de instrucciones que son proporcionadas por un programador. Este programa le dice al microprocesador que realice largas secuencias de acciones muy simples para lograr tareas tiles como las pensadas por el programador.
La inferior proporciona una vista global de un sistema con microprocesador. Simplemente cambiando los tipos de dispositivos de entrada y de salida, ste diagrama de bloques podra ser el de un microprocesador personal, un PCM O un simple un microcontrolador (MCU) de cualquier modulo del auto. Los dispositivos de entrada y de salida (E/S) mostrados en la figura son lo tpicos encontrados en un sistema con microprocesador.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 55
Entradas de un Sistema con Microprocesador
Los dispositivos de entrada proporcionan informacin del mundo exterior al sistema con microprocesador. En un ordenador personal, el dispositivo de entrada ms comn es el teclado, igual que una mquina de escribir. Los sistemas con microprocesadores normalmente usan dispositivos de entrada mucho ms simples como interruptores o pequeos teclados, aunque los dispositivos de entrada ms exticos se encuentran en los sistemas basados en microprocesador. Un ejemplo de un dispositivo de entrada extico para un microprocesador es el sensor de oxgeno en un automvil que mide la eficacia de la combustin tomando muestras en el tubo de escape. La mayora de entradas del microprocesador pueden procesar slo seales de entrada digital, al mismo nivel de voltaje que el de la fuente de alimentacin. El nivel 0 V o tierra se le llama VSS y el nivel positivo de la fuente de alimentacin se le llama VDD y es tpicamente de 5 Vdc. Un nivel aproximado de 0 voltios indica una seal lgica 0 y un voltaje aproximadamente igual al nivel positivo de la fuente de alimentacin indica una seal lgica 1. Por supuesto, el mundo real est lleno de seales analgicas o seales que son de otros niveles de voltaje. Algunos dispositivos de entrada traducen los voltajes de seal de algn otro nivel a los niveles VDD y VSS, necesarios para el microprocesador. Otros dispositivos de entrada convierten las seales analgicas en seales digitales (a valores binarios 1 y 0) para que el microprocesador los pueda entender y manipular. Algunos microprocesadores incluyen circuitos convertidores analgicos/digitales en el mismo circuito integrado. Los transductores se pueden usar para traducir otras seales del mundo real a niveles de seal lgica (Ej. un sensor). Que un microprocesador puede entender y manipular. Algunos ejemplos que incluyen transductores, como los sensores de temperatura, sensores de presin, detectores de nivel de luz y otros. Con estos transductores, casi cualquier propiedad fsica se puede usar como entrada a un sistema con microprocesador.
Salidas de un Sistema con Microprocesador
Se usan dispositivos de salida para comunicar la informacin o acciones del sistema con microprocesador al mundo exterior. En un ordenador personal, el dispositivo de salida ms comn es la pantalla CRT(tubo de rayos catdicos). Los sistemas con microprocesador usan a menudo dispositivos de salida mucho ms simples como los LEDs, lmparas, o zumbadores. Circuitos convertidores (a veces construidos en el mismo circuito integrado microprocesador) pueden convertir seales digitales a niveles de voltaje analgicos. Del controlador en microcontrolador viene del hecho de que estos pequeos sistemas con microprocesador normalmente controlan algo en comparacin con un ordenador personal que normalmente procesa informacin. En el caso del ordenador personal, la mayora de las salidas es de informacin (cualquier informacin en una pantalla CRT o en el papel de la impresora). Por otro lado, en un sistema con microprocesador, la mayora de las salidas son seales de nivel lgico digital, que se usan para manejar LEDs o dispositivos elctricos como rels o actuadores Ej Inyectores.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 56
Unidad Central de Proceso (CPU)
La CPU (Central Processor Unit) es el centro de cada sistema microprocesador. El trabajo de la CPU es ejecutar obedientemente las instrucciones de un programa que le fue proporcionado por un programador. Un programa con microprocesador le dice a la CPU que lea (read) la informacin de las entradas y que la escriba (write) a la memoria de trabajo o que lea la informacin de la memoria de trabajo y la escriba a las salidas. Algunas instrucciones del programa involucran decisiones simples que causan al programa continuar con la siguiente instruccin o saltar a un nuevo lugar del programa. En un captulo posterior, se vern de cerca el juego de instrucciones disponibles para un microcontrolador en particular. En un ordenador personal, hay varios niveles de programas, empezando con el programa interno, que es el control ms bsico del funcionamiento del microprocesador. Otro nivel incluye programas de usuario que se cargan en la memoria del sistema cuando estn a punto de ser usados. Esta estructura es muy compleja y no sera un buen ejemplo para mostrar a un principiante cmo trabaja el microprocesador. En un microcontrolador normalmente, solamente un programa en particular est trabajando para el control de una aplicacin. Por ejemplo, la CPU MC68HC05 slo reconoce 60 instrucciones diferentes, pero stas son representativas del juego de instrucciones de cualquier sistema con microprocesador. Este tipo de sistema con microprocesador es un buen modelo para aprender el fundamento de funcionamiento de un microprocesador, porque es posible saber lo que est pasando exactamente en cada paso de la ejecucin de un programa en la CPU.
Reloj (Clock)
Salvo excepciones, los microprocesadores usan un pequeo oscilador del reloj (clock) para activar la CPU, para mover de un paso a la secuencia siguiente. En el captulo de arquitectura de un microprocesador, se puede ver que incluso las instrucciones simples de un microcontrolador estn compuestas de una serie de pasos an ms bsicos. Cada uno de estos pasos diminutos en el funcionamiento del microprocesador toma un ciclo del reloj de la CPU.
Memoria del Microprocesador Se usan varios tipos de memoria para los diferentes propsitos en un sistema con microprocesador. Los tipos principales de memoria encontrados en un microcontrolador son:
Memorias para almacenar el Programa: ROM (Read Only Memory): memoria slo de lectura, este tipo de memoria se programa en fbrica y se llama Mscara.
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): memoria slo de lectura, programable elctricamente y se borra por luz ultravioleta a travs de una ventana en la parte superior del dispositivo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 57
OTP (One Time Programmable): memoria slo de lectura, programable elctricamente una sola vez.
FLASH: memoria programable y borrable elctricamente, por bloques. Estos tipos se usan principalmente para almacenar los programas y los datos permanentes que deben permanecer inalterados incluso cuando no hay ninguna alimentacin aplicada al microcontrolador.
Memoria para almacenar Datos:
RAM (Random Access read/write Memory): memoria de acceso a lectura o escritura aleatorio, se usa para el almacenamiento temporal de datos y el clculo intermedio de los resultados durante las operaciones. Este tipo de memoria pierde los datos cuando se queda sin alimentacin.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): memoria slo de lectura programable y borrable elctricamente. La unidad ms pequea de una memoria, es de un solo bit, que puede guardar uno valor lgico 0 o 1. Estos bits se agrupan en conjuntos de ocho bits para hacer uno byte. Los microprocesadores ms grandes utilizan grupos de 16 o 32 bits, llamados palabras o word. El tamao de una palabra (word) puede ser diferente para cada microprocesador, pero un byte siempre es de ocho bits. Los ordenadores personales trabajan con programas muy grandes y con grandes cantidades de datos, para ello usan formas especiales de dispositivos de almacenamiento, llamados almacenamiento en masa, como los discos blandos, los discos duros, y los discos compactos. No es raro encontrar varios millones de bytes de memoria RAM en un ordenador personal, con discos duros con varios gigabytes o discos compactos muy similares a los usados para las grabaciones de msica con una capacidad de 640 millones de bytes de memoria de slo lectura. En comparacin, los sistemas con microcontrolador tpico tienen una memoria total entre 1,000 y 64,000 bytes.
Programa de un Microprocesador
La Figura inferior muestra el programa como una nube, porque se origina en la imaginacin del ingeniero o programador del microprocesador. Esto es comparable a un ingeniero elctrico que piensa en un nuevo circuito o un ingeniero mecnico que deduce un nuevo ensamblaje. Los componentes de un programa son las instrucciones del juego de instrucciones de la CPU. As como el diseador del circuito puede construir un circuito sumador con simple puertas AND, OR y NOT, un programador puede escribir un programa para sumar nmeros con simples instrucciones. Los programas se guardan en la memoria de un microprocesador donde pueden ser ejecutados de modo secuencial por la CPU. En el captulo de programacin, se aprender a escribir programas y prepararlos para ser cargados en la memoria de un microprocesador.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 58
El Microcontrolador
Hasta ahora se han visto varias partes de un sistema con microprocesador y ya se est preparado para hablar sobre los microcontroladores. En la mitad superior de la figura inferior se muestra un sistema con microprocesador genrico, con una parte adjunta de contorno punteado. Esta parte, es un microcontrolador y la mitad inferior de la figura es un diagrama de bloques que muestra su estructura interior con ms detalle. El cristal no se contiene dentro del microcontrolador, pero es una parte necesaria del circuito oscilador. En algunos casos, se puede sustituir el cristal por un resonador cermico que es ms econmico o un an menos caro con un conjunto RC (resistencia-condensador).
Un microcontrolador puede definirse como un sistema microprocesador completo, que incluye la CPU, la memoria, un oscilador del reloj, las E/S y otros perifricos en un solo circuito integrado. Cuando algunos de estos elementos como las E/S o la memoria no estn incluidos, al circuito integrado se le llama microprocesador. La CPU de un ordenador personal es un microprocesador.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 59
En la grafica se puede observar un ejemplo de un PCM de Magneto Marelli, ah se tiene.
1. Procesador (y en el caso de no ser esta su memoria principal Microcontrolador). 2. Memoria. 3. Cristal.
6.PROCESOS DE SOLDADO PARA COMPONENTES CONVENCIONALES.
La soldadura con estao es la base de todas las aplicaciones electrnicas porque permite la realizacin de conexiones entre conductores y entre stos y los diversos componentes, obteniendo rpidamente la mxima seguridad de contacto. Consiste en unir las partes a soldar de manera que se toquen y cubrirlas con una gota de estao fundido que, una vez enfriada, constituir una verdadera unin, sobre todo desde el punto de vista electrnico. sta es una tarea manual delicada que slo se consigue dominar con la prctica. w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 60
Recuerda que tu habilidad para soldar con efectividad determinar directamente el buen funcionamiento del montaje a lo largo del tiempo. Una soldadura mal hecha puede causar que el producto falle en algn momento. Esto es como aprender a andar en bicicleta, una vez que se domina ya nuca se olvida.
ste es el clsico soldador de tipo lpiz, de 30w. Su calentamiento es permanente y posee una alta inercia trmica. Tanto en el momento de la soldadura como en las pausas de esta labor, el soldador permanece conectado a la corriente elctrica. Resulta adecuado para trabajos repetitivos y numerosos.
El estao En realidad, el trmino "estao" se emplea de forma impropia porque no se trata de estao slo, sino de una aleacin de este metal con plomo, generalmente con una proporcin respectiva del 60% y del 40%, que resulta ser la ms indicada para las soldaduras en Electrnica.
Antes de iniciar una soldadura hay que asegurase de que:
1. La punta del soldador est limpia. Para ello se puede usar un cepillo de alambres suaves (que suele estar incluido en el soporte) o mejor una esponja humedecida (que tambin suelen traer los soportes). Se frotar la punta suavemente con el cepillo o contra la esponja. En ningn caso se raspar la punta con una lima, tijeras o similar, ya que puede daarse el recubrimiento de cromo que tiene la punta del soldador (el recubrimiento proporciona una mayor vida a la punta).
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 61
2. Las piezas a soldar estn totalmente limpias y a ser posible pre estaadas. Para ello se utilizar un limpia metales, lija muy fina, una lima pequea o las tijeras, dependiendo del tipo y tamao del material que se vaya a soldar.
3. Se est utilizara un soldador de la potencia adecuada. En Electrnica, lo mejor es usar soldadores de 15~30w., nunca superiores, pues los componentes del circuito se pueden daar si se les aplica un calor excesivo.
Las piezas empiezan a calentarse hasta que alcanzan la temperatura del soldador. Si la punta est limpia, esto suele tardar menos de 3 segundos. Este tiempo depender de si se usan alicates y de la masa de las piezas a calentar.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 62
Sin quitar el soldador, aplicar el estao (unos pocos milmetros) a la zona de la soldadura, evitando tocar directamente la punta. Cuando la zona a soldar es grande, se puede mover el punto de aplicacin del estao por la zona para ayudar a distribuirlo.
Proceso para desoldar.
Ahora se describir un tipo de desoldador denominado chupn. Este desoldador de vaco es una bomba de succin que consta de un cilindro que tiene en su interior un mbolo accionado por un muelle. Tiene una punta de plstico, que soporta perfectamente las temperaturas utilizadas. El cuerpo principal (depsito) suele ser de aluminio. Para manejarlo debemos cargarlo venciendo la fuerza del muelle y en el momento deseado pulsaremos el botn que libera el muelle y se produce el vaco en la punta. Servir para absorber estao, que estaremos fundiendo simultneamente con la punta del soldador. El modo de proceder es el siguiente:
Cargar el desoldador. Para ello presionaremos el pulsador de carga, venciendo la fuerza del muelle.
Aplicar la punta del soldador A la zona de donde se quiera quitar el estao. Si la punta del soldador est limpia, el estao se derretir en unos pocos segundos. Asegurarse de que el desoldador est listo.
w w w . e v o a u t o m o t r i z . c o m LECCION 1 Electricidad y Electrnica
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381 Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094 http://www.cise.com 63
En ese momento, sin retirar el soldador, acercar la punta del chupn a la zona y pulsar el botn de accionamiento. Se disparar el mbolo interno produciendo un gran vaco en la punta y absorbiendo el estao hacia el depsito. Este dispositivo tiene un depsito suficientemente grande como para no necesitar vaciarlo cada vez que se usa, como ocurre con el desoldador de pera. Para limpiarlo, generalmente hay que desmontarlo desenroscando sus partes.///