Led

B.5.
El diodo de emisin de luz (LED)
B.5.1.
Introduccin
Una importante componente del procesado ptico de la informacin es la generacin de seales pticas. Las seales pticas se utilizan en comunicaciones donde los resultados que se obtienen al utilizar fibras pticas para la transmisin de la informacin son mucho mejores que los obtenidos mediante la utilizacin de cables metlicos. Las seales pticas son necesarias para la proyeccin de la informacin en dispositivos visualizadores. Los haces pticos son necesarios tambin en sistemas de memoria basados en lectura ptica. El diodo emisor de luz o LED es uno de los dispositivos fotnicos ms sencillos y tiene importantes aplicaciones tanto para visualizacin como para generar seales pticas en comunicaciones. Comparado con el diodo lser (LD) su fabricacin es mucho ms sencilla pues no requiere una cavidad ptica especial para su funcionamiento. Aunque sus desventajas son una baja seal ptica, un espectro muy ancho y de luz no coherente y una respuesta bastante lenta.
B.5.2.
Materiales para los LEDs
La simplicidad del LED lo hace muy atractivo como componente para la visualizacin y las aplicaciones de comunicacin. El LED puede operar hasta frecuencias de modulacin de 1GHz. La anchura espectral de la seal ptica de un LED es del orden de kBT lo que se traduce en un margen de longitudes de onda entre 200 -300 a temperatura ambiente. Aunque esto es un espectro bastante amplio, para el ojo humano representa un solo color. Como aplicacin reciente cabe destacar la utilizacin de LEDs como luces traseras en vehculos y en semforos. La estructura bsica de un LED es una unin p-n la cual est directamente polarizada inyectndose electrones y huecos en las zonas p y n respectivamente. La carga correspondiente a los portadores minoritarios inyectados en cada una de estas zonas se recombina con la correspondiente a la de los portadores mayoritarios bien en la zona de agotamiento o bien en las zonas neutras. En semiconductores de gap directo, esta recombinacin da lugar a una emisin de luz (fotones), es decir, que en estos materiales de alta calidad domina la recombinacin radiante. Sin embargo, en materiales de gap indirecto el rendimiento de la emisin de luz es bastante pobre, la mayor parte de las recombinaciones tiene un rendimiento muy bajo generando mas bien calor que luz. Los dispositivos emisores de luz (LEDs) son una de las clases de dispositivos que ha dado mayor mpetu a la industria de los componentes semiconductores. Como el silicio (Si) es un material de gap indirecto, y la recombinacin radiante en l es muy pobre, dicho material que domina todas las dems reas de la electrnica, no es un material utilizado cuando se habla de emisin de luz (LEDs). As, las consideraciones a tener en cuenta a la hora de elegir un material para la fabricacin de LEDs son las siguientes. B.5-1
Prof. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. Ejea 11-nov-08
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Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)
Energa de emisin: La luz emitida por un dispositivo es cercana a la anchura de la banda prohibida del semiconductor. El deseo de tener una emisin energtica particular tiene una serie de motivaciones. Por una parte si buscamos colores determinados para la emisin de luz se debe elegir un material para cada color. A menudo se seleccionan aleaciones de materiales ya que tienen una mayor flexibilidad en el rango de anchuras de banda asequibles. Por otra parte, si se requieren fuentes para comunicaciones pticas se han de elegir materiales que puedan emitir en las longitudes de onda de 1,55m o 1,3m pues en dichas longitudes de onda se tienen dos mnimos en la representacin de las prdidas en la fibra ptica como se puede observar en la siguiente figura. Esto es especialmente cierto en comunicaciones a larga distancia, es decir, de cientos o incluso miles de kilmetros. Materiales como el GaAs que emiten a 0,8m, pueden todava ser utilizados en redes locales (LANs) para comunicaciones dentro de un edificio o un rea local.
Fig. B.5.1: Atenuacin ptica frente a la longitud de onda para una fibra ptica. Las prdidas son principalmente por absorcin y scattering.
Disponibilidad del substrato: Casi todas las fuentes luminosas en optoelectrnica dependen de las tcnicas de crecimiento epitaxial cristalino empleadas en las que se produce el crecimiento de una fina capa activa (de pocas micras) sobre un substrato (el cual es de alrededor de 200m). En tecnologa de crecimiento epitaxial es muy importante la disponibilidad de substratos de alta calidad. Si no es posible encontrar un substrato cuya estructura cristalina sea congruente con la de la capa activa del dispositivo, ste podr presentar dislocaciones u otro tipo de defectos que pueden afectar seriamente a su funcionamiento. Los substratos ms importantes disponibles para su aplicacin en emisin luminosa son el GaAs y el InP. Existen unos pocos semiconductores y aleaciones de estos que presentan estructuras cristalinas congruentes con estos substratos. Materiales que no se acoplen bien a estos dos ltimos materiales tienen un problema por las tcnicas de fabricacin existentes en la actualidad. Las aleaciones de GaxAl1!xAs se acoplan muy bien a substratos de GaAs; las de In0,53Ga0,47As y In0,52Al0,48As se acoplan bien al substrato de InP; el InGaAsP es un material compuesto de cuatro elementos cuya composicin se puede adaptar para acoplarse bien al InP B.5-2
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emitiendo a 1,55m; y por ltimo est el GaAsP que presenta un amplio rango de variacin de anchuras de banda prohibida disponibles. En la actualidad est aumentando el inters por los materiales con grandes gaps de energa tales como ZnSe, ZnS, SiC, AlInGaP y GaN capaces de emitir luz azul o verde. El motivo es permitir avances en la tecnologa de los visualizadores y en aplicaciones de memoria ptica de alta densidad (una longitud de onda ms corta permite la lectura de caractersticas ms pequeas). Es posible tambin ya encontrar en el mercado LEDs de SiC y de GaN aunque slo por parte de determinados fabricantes. Es importante tambin tener en cuenta que aleaciones como GaAlAs y GaAsP pasan de ser semiconductores directos a indirectos segn las relaciones de la aleacin como puede ser visto en la siguiente figura. Para una eficiente emisin de luz necesitamos trabajar en el caso de semiconductor directo.
Fig. B.5.2: Gap energtico de a) AlxGa1!xAs y b) GaAs1!xPx en funcin de la composicin de la aleacin. Se observa que pasa de directo a indirecto.
Como vimos en el anterior tema, la conservacin del momento causa que en semiconductores de gap directo se produzcan fuertes transiciones radiantes. Algunos materiales de gap indirecto, sin embargo, pueden tener tambin una eficiencia radiante razonable si se dopan con unas impurezas adecuadas. Estas impurezas crean niveles energticos en la banda prohibida, que constituyen un punto intermedio en el camino del electrn bien hacia la banda de conduccin o hacia la de valencia. Las velocidades de absorcin o de emisin son, sin embargo, ms pequeas que en semiconductores de gap directo. Como la eficiencia de la emisin de luz es pobre en estos materiales, estos pueden ser utilizados en la fabricacin de LEDs pero no en la de diodos lser en que se requieren eficiencias radiantes mayores.
B.5.3.
Funcionamiento del LED
El LED es una unin p-n directamente polarizada en la que se inyectan electrones y huecos en una regin en donde se recombinan. En general, la recombinacin se puede producir por procesos radiantes o no radiantes. En una recombinacin radiante electrn y hueco se recombinan emitiendo un fotn. En una recombinacin no radiante, la B.5-3
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recombinacin da lugar a calor o vibraciones de la estructura. Se puede definir un tiempo de vida para los portadores que se recombinen de forma radiante ("r) y otro para los que se recombinen de forma no radiante ("nr) siendo el tiempo de recombinacin total (para por ejemplo un electrn "n): (B.5.1) La eficiencia cuntica interna para el proceso radiante se define entonces como
(B.5.2)
En semiconductores directos de alta calidad, la eficiencia cuntica interna es cercana a la unidad. En materiales indirectos el rendimiento es del orden de 10!2 a 10!3.
B.5.3.1.
Inyeccin de portadores y emisin espontnea
El LED es, en esencia, un diodo p-n directamente polarizado. Los electrones y los huecos inyectados como portadores minoritarios atraviesan la unin y se recombinan bien por recombinacin radiante, bien por recombinacin no radiante. El diodo debe ser diseado para que la recombinacin radiante sea lo ms fuerte posible.
Fig. B.5.3: Figura en que se observa la inyeccin de portadores en una unin. Los huecos inyectados en la zona profunda generan fotones que no saldrn a la superficie por ser reabsorbidos. Los fotones generados por los electrones al estar ms cerca de la superficie s que sern emitidos al exterior.
En condiciones de polarizacin directa los electrones son inyectados desde la zona n a la p mientras que los huecos son inyectados desde la zona p a la n. La corriente de polarizacin directa, en general consta de tres componentes: i) Corriente de difusin de los electrones inyectados a travs de la unin a la zona p, ii) Corriente de difusin de los huecos inyectados a travs de la unin a la zona n; iii) Corriente de recombinacin en la zona de agotamiento de anchura W debida a la presencia de impurezas o defectos que permiten la B.5-4
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existencia de niveles energticos en la banda prohibida. Las densidades de estas tres corrientes son: (B.5.3)
(B.5.4)
(B.5.5)
donde Jn y Jp son las densidades de corriente de difusin de electrones y de huecos, Dn y Dp son las constantes de difusin de electrones y huecos en las regiones p y n, np y pn son las concentraciones de electrones y huecos en las zonas neutras p y n alejadas de la unin, V es la tensin aplicada, W la anchura de la zona de agotamiento, ni la concentracin intrnseca y " el tiempo de recombinacin en la zona de agotamiento el cual depende de la concentracin de estados energticos intermedios.
Fig. B.5.4: Unin p-n directamente polarizada. Concentraciones en exceso de portadores minoritarios inyectados y longitudes de difusin Ln y Lp para una unin de tipo p+n (pn>>np).
El LED se disea de forma que los fotones se emiten desde la parte superior del diodo (zona p) y no de la parte inferior (n), ya que en este ltimo caso tendran una alta posibilidad de ser absorbidos antes de emerger. En consecuencia es preferible que la inyeccin de electrones en la zona p sea mucho mayor que la de huecos en la zona n, de forma que la corriente pase a estar dominada por los electrones (es decir Jn>>Jp). La relacin de la densidad de corriente de electrones frente a la densidad de corriente total, se llama eficiencia de la inyeccin #iny.
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(B.5.6) Si el diodo es de tipo pn+, np>>pn y entonces como puede ser visto a partir de las frmulas anteriores la inyeccin de electrones en la zona p es mucho mayor que la de huecos en la n y Jn>>Jp. Si adems el material es de alta calidad de manera que la corriente de recombinacin en la regin espacial de carga es muy pequea, la eficiencia de la inyeccin valdr casi uno. Una vez se hayan inyectado los portadores minoritarios (electrones) en la regin dopada neutra (tipo p), electrones y huecos se recombinarn produciendo fotones. Estos tambin pueden recombinarse de forma no radiante debido a la presencia de defectos o mediante fonones. El proceso de recombinacin radiante fue introducido en el anterior tema y vamos a comentarlo de nuevo brevemente para semiconductores de gap directo. Como se coment, el proceso de recombinacin radiante es un proceso "vertical" en k, es decir, el valor de k para el electrn y el hueco en las bandas de conduccin y valencia respectivamente es el mismo. Como puede observarse en la siguiente figura, la energa del fotn est relacionada con las energas de electrn y hueco a partir de la expresin, (B.5.7) donde mr* es la masa reducida para el sistema electrn-hueco.
Fig. B.5.5: Diagrama E-k para las bandas de valencia y conduccin.
Las energas del electrn y del hueco se relacionan con la energa del fotn por las relaciones, (B.5.8)
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(B.5.9) Si tenemos un electrn en la banda de conduccin y un hueco en la banda de valencia con el mismo valor de k, los dos pueden recombinarse y emitir un fotn. Hay dos clases diferentes de procesos de emisin. El primero es la emisin espontnea (la cual vamos a tratar en este tema), en la que un electrn se recombina con un hueco, aunque no haya fotones presentes, y emite un fotn. La velocidad de este proceso de recombinacin radiante viene dada por la siguiente expresin: (B.5.10) donde nr es el ndice de refraccin del semiconductor, m0 la masa del electrn libre y pcv es el elemento de la matriz de momento entre la banda de valencia y la banda de conduccin. Se puede comprobar que pcv no vara mucho de un semiconductor a otro y tiene un valor que viene dado por (B.5.11) Por tanto, la velocidad de recombinacin radiante para el GaAs (nr = 3,66) vale, ~1,14109 !$ (eV) s!1 (B.5.12)
El segundo proceso de emisin es la emisin estimulada, de la cual hablaremos con mayor profundidad en el siguiente tema. En ste proceso, la presencia de fotones de frecuencia $ en una cavidad en el semiconductor, provoca un incremento en la velocidad de recombinacin que viene dada por: (B.5.13) Este incremento en la velocidad de recombinacin es pues proporcional a la concentracin de fotones ya presente en la cavidad nph. El tiempo de recombinacin de un electrn de momento !k con un hueco con el mismo momento (en ausencia de fotones, es decir, emisin espontnea) se define como: (B.5.14) A partir de esta definicin su valor para el GaAs (nr = 3,66) ser (!$ en eV): (B.5.15)
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En la definicin de "0 se ha supuesto que el electrn siempre puede encontrar un hueco con el que recombinarse. Esto sucede cuando en la regin hay una alta concentracin de electrones y huecos, es decir, una alta inyeccin de electrones y huecos o cuando se inyectan portadores minoritarios en una regin que presenta una gran concentracin de portadores mayoritarios (altamente dopada). Si la probabilidad de encontrar un hueco es pequea, el tiempo de recombinacin radiante puede ser mucho mayor. Para materiales como el GaAs, el valor de "0 es de alrededor de 1ns mientras que para materiales indirectos el tiempo de recombinacin radiante puede llegar a ser del orden de 1s. Ya veremos que en el caso de emisin estimulada el tiempo de recombinacin electrn - hueco puede llegar a ser bastante ms pequeo que "0 dependiendo de la intensidad de fotones presente en la cavidad. En consecuencia, este tiempo de recombinacin radiante es el menor tiempo posible para el caso de emisin espontnea, ya que hemos supuesto que el electrn tiene una probabilidad unidad de encontrar un hueco con su mismo valor de k. Hemos supuesto tambin que la recombinacin electrn - hueco da lugar a un proceso de emisin espontnea. Esto implica que la concentracin de fotones emitidos es bastante baja de forma que la emisin estimulada no es significativa. Los fotones emitidos abandonan el volumen del dispositivo de forma que la concentracin de fotones nunca es alta en la regin en que se produce la recombinacin electrn-hueco. En un diodo lser la situacin ser diferente, como veremos en el siguiente tema. La frecuencia de emisin de fotones (por unidad de volumen) Rspon se obtiene de integrar la velocidad de recombinacin radiante, Wem sobre todas las energas (E=!") considerando todos los pares electrn-hueco con las probabilidades de ocupacin de los estados energticos correspondientes. Determinacin de los pares electrn-hueco involucrados en el proceso: Para la obtencin de los pares electrn-hueco hay que tener en cuenta que el diagrama E-k de las bandas de energa nos dice que los electrones en la banda de conduccin Nn(E) y los huecos en la de valencia Np(E) presentan una distribucin segn su energa. La concentracin de electrones en la banda de conduccin en funcin de la energa es una funcin n(E), la cual viene dada por el producto: (B.5.16) donde Nn(E) es la densidad de estados energticos permitidos en un sistema tridimensional para el electrn dentro de la banda de conduccin y es la funcin de distribucin de Fermi-Dirac la cual nos proporciona la probabilidad de encontrar un electrn en un estado con energa E. Sus valores son:
(B.5.17)
(B.5.18)
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donde EF representa el llamado nivel energtico de Fermi, que es aquel cuya probabilidad de ocupacin es del 50% como puede observarse a partir de la expresin de e(E). En un semiconductor intrnseco est en el centro de la banda prohibida, en un semiconductor de tipo n est cercano a EC y en un semiconductor de tipo p est prximo a Ev. La funcin n(E) es la que est representada en la parte superior (banda de conduccin) de la siguiente figura (b) mientras que el rea sombreada representa la concentracin total de electrones en la banda de conduccin n, la cual no es ms que: (B.5.19) donde NC es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de conduccin.
(a)
(b)
Fig. B.5.6: (a) Diagrama E-k de bandas de energa donde se muestran las funciones Nn(E) y Np(E) correspondientes a la densidad de estados energticos permitidos en las bandas de conduccin y de valencia (b)Representacin de las concentraciones de portadores (electrones y huecos) en las bandas de conduccin y de valencia en funcin de la energa.
La concentracin de huecos en la banda de valencia en funcin de la energa es una funcin p(E), la cual viene dada por el producto: (B.5.20) donde Np(E) es la densidad de estados energticos permitidos dentro de la banda de valencia y h(E) es la probabilidad de encontrar un hueco en un estado con energa E. Sus valores son:
(B.5.21)
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h(E)=1!e(E) La concentracin total de huecos en la banda de valencia p, no es ms que:
(B.5.22)
(B.5.23) donde Nv es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de valencia.
Determinacin de la frecuencia de emisin de fotones (por unidad de volumen) Rspon. Tal y como hemos visto e(Ee) es la probabilidad de ocupacin de un estado energtico de valor Ee en la banda de conduccin por parte de electrones y h(Eh) la probabilidad de que haya huecos con nivel energtico en la banda de valencia. Obviamente cuanto mayor sean dichas probabilidades, es decir, el producto e(Ee)h(Eh) mayor ser la probabilidad de emisin de fotones. La frecuencia de emisin de fotones (por unidad de volumen) Rspon se obtiene de integrar la velocidad de recombinacin radiante, Wem sobre todas las energas (E=!") considerando todos los pares electrn-hueco con las probabilidades de ocupacin de los estados energticos correspondientes, es decir:
(B.5.24)
donde se ha hecho uso de que Wem = 1/"0 y Ncv(!")es la densidad conjunta de estados (correspondiente a la interaccin de electrones y huecos de energa especfica) cuyo valor es: (B.5.25) El resultado de este proceso de integracin nos da los lmites ms importantes para el caso de emisin espontnea, i) Si la concentracin de electrones, n, y de huecos, p, es pequea la frecuencia de emisin de fotones vale, (B.5.26) La frecuencia de emisin de fotones depender del producto de las concentraciones de electrones y huecos. A partir de esta expresin, podramos definir la vida media de un nico electrn inyectado en una regin p ligeramente dopada (p=Na % 1017cm-3) con concentracin de huecos p, que vendra dada por, B.5-10
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(B.5.27) El tiempo "r en este rgimen es muy grande (cientos de nanosegundos) y disminuye conforme aumenta p. ii) En el caso de que se inyecten electrones en una zona p altamente dopada (o huecos en una zona de tipo n altamente dopada), la funcin h(Eh) (o e(Ee)) puede considerarse que vale la unidad y la frecuencia de emisin espontnea valdr, (B.5.28) para una concentracin n de electrones inyectados en la regin de tipo p altamente dopada y (B.5.29) para inyeccin de huecos en una regin altamente dopada de tipo n. Los tiempos de vida de los portadores minoritarios (es decir, n/Rspon y p/Rspon), que ya sabemos que juegan un papel muy importante en dispositivos de portadores minoritarios como el diodo o el transistor bipolar, tambin tienen gran importancia en los LEDs. En este rgimen de funcionamiento el tiempo de vida de un nico electrn (hueco) es independiente de los huecos (electrones) presentes, ya que la probabilidad de que el electrn (hueco) encuentre un hueco (electrn) es la unidad. Por tanto, el tiempo de vida es entonces en esencia "0 como se puede observar en la siguiente figura. iii) Rgimen de alta inyeccin. Este caso es importante cuando se produce la inyeccin de una alta concentracin tanto de electrones como de huecos (n = p) en una determinada regin. Podemos suponer que la probabilidad de ocupacin de los estados energticos de electrn y hueco en bandas de conduccin y de valencia es la unidad, h(Eh) = e(Ee) =1. En ese caso, la frecuencia de emisin vale, (B.5.30) y el tiempo de vida (n/Rspon=p/Rspon) radiante es "0.
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Fig. B.5.7: Tiempo de vida radiante de electrones o huecos en GaAs (semiconductor de gap directo) a 300K en funcin de la densidad de portadores. La densidad de portadores puede ser producida por inyeccin (n=p) o por dopado tipo n en cuyo caso el tiempo de vida radiante corresponde al del portador minoritario (hueco).
iv)
Un rgimen que es bastante importante para el funcionamiento de los diodos lser es cuando se inyectan suficientes electrones y huecos para provocar lo que se llama una inversin. En el caso del diodo lser los pares electrn - hueco que se recombinan emiten fotones que son absorbidos posteriormente. Por tanto, podemos definir una ganancia del material que depender de la diferencia entre los procesos de emisin y absorcin. Si la ganancia es positiva, un haz ptico crecer al moverse a travs del material en lugar de decaer. Tal y como hemos dicho anteriormente, la probabilidad de emisin de fotones ser mayor cuanto mayor sea el producto e(Ee)h(Eh). Por el contrario, la probabilidad de absorcin ser mayor cuanto mayor sea el producto (1!e(Ee))(1!h(Eh)). En consecuencia la ganancia g (!$) es proporcional a la diferencia de ambas: (B.5.31) Si e(Ee)=0 y h(Eh)=0, es decir, no hay probabilidad de encontrar electrones en la banda de conduccin ni huecos en la banda de valencia a esas energas la probabilidad de emisin es cero y la de absorcin es la unidad por lo que la ganancia es negativa y de valor #$(!"), es decir, nicamente tenemos absorcin. Un valor positivo de la ganancia se tendr cuando se cumpla que:
(B.5.32) Esta condicin es llamada inversin de poblacin, ya que la probabilidad de ocupacin por parte de electrones de los estados energticos Ee en la banda de conduccin es mayor que la de que estn ocupados por electrones los estados energticos Eh en la banda de valencia. En este caso la luz que pase por el material tendr una dependencia espacial:
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(B.5.33) es decir, crece con la distancia en lugar de disminuir, lo que sucedera si, g(!") fuese negativa. Esta ganancia en la intensidad luminosa es la base del lser semiconductor. Cuando los procesos de emisin y absorcin se producen por igual se cumple que e(Ee)+h(Eh)=1 con lo que g(!")=0. Esto es lo que se llama condicin de inversin, pues indica el valor umbral para el caso de inversin de poblacin. Suponiendo el caso e(Ee)%h(Eh)%1/2 para todos los electrones y huecos en este caso de inversin, obtenemos el siguiente valor para la frecuencia de emisin espontnea, (B.5.34) y el tiempo de vida de recombinacin en este caso vale, (B.5.35) Este valor es una eleccin razonable para calcular la emisin espontnea de un lser de semiconductor ya que nos proporciona una estimacin de la corriente umbral para tales dispositivos. La recombinacin radiante depende de la vida media radiante, "r, y de la vida media no radiante, "nr. Para mejorar el rendimiento de la emisin de fotones se necesita un valor de "r lo menor posible y de "nr lo mayor posible. Para aumentar "nr se debe reducir la densidad de defectos en el material mejorando la calidad de superficie e interfases. En un diodo LED, como hemos visto anteriormente, predominaba la inyeccin de electrones en una regin de tipo p, por lo que "r se puede reducir aumentando el dopado tipo p en la regin donde los electrones inyectados se recombinen con los huecos. Sin embargo, esto disminuye la eficiencia de la inyeccin #iny como puede comprobarse en las expresiones de Jn y #iny. Al tratarse de una unin pn+, se cumple que np>>pn. Para el semiconductor de tipo p se cumple la ley de accin de masas segn la cual el producto de las concentraciones de electrones y huecos en equilibrio trmico es igual al cuadrado de la concentracin intrnseca: np&pp= . Luego, un incremento en pp provoca una disminucin de np y, en consecuencia, de Jn y #iny. La eficiencia cuntica interna total es, 'Qit = #iny&'Qi (B.5.36)
Por tanto para maximizar 'Qit, se necesita optimizar el dopado en la zona p, de forma que no sea tan bajo como para que 'Qi sea bajo, ni tan alto como para que #iny sea bajo.
B.5.4.
Eficiencia cuntica externa
Ya hemos visto como se generan los fotones en un LED. Para que estos fotones emerjan del dispositivo hay que disear el LED con mucho cuidado. Hay tres mecanismos B.5-13
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fundamentales de prdidas de los fotones emitidos: i) los fotones emitidos pueden ser reabsorbidos por el semiconductor generando pares electrn-hueco; ii) una determinada fraccin de los fotones ser reflejada en la interfase semiconductor-aire (no emergen del semiconductor); y iii) algunos fotones incidirn sobre la superficie con ngulos superiores al ngulo crtico sufriendo por tanto un proceso de reflexin interna total. Para minimizar la absorcin de los fotones, es imprescindible que la emisin de los fotones se produzca cerca de la superficie de forma que tengan que viajar una distancia corta antes de emerger del semiconductor. Este criterio ya se tuvo en cuenta en nuestra discusin anterior de la eficiencia de la inyeccin #iny. Hay que tener en cuenta que en un material de gap directo el fotn slo puede recorrer una distancia de alrededor de una micra antes de ser absorbido. Por otra parte no se puede situar todo el volumen de emisin activa demasiado cerca de la superficie, ya que si no se generarn procesos de recombinacin no radiante debido a la existencia de defectos superficiales que reducirn la eficiencia del dispositivo. Los fotones que incidan sobre la superficie semiconductor-aire pueden reflejarse y todos los que se reflejen son por tanto perdidos. Tal y como vimos en el tema dedicado a la propagacin de la luz en un medio la intensidad luminosa reflejada es proporcional a r2 por lo que si nr2 es el ndice de refraccin del semiconductor, y nr1 el del aire, el coeficiente de reflexin R para luz incidente vertical vale, (B.5.37)
Fig. B.5.8: a) Estructura de un LED con el esquema de reflexin y transmisin de la luz en la superficie del semiconductor. b) Encapsulado dielctrico para mejorar la transmisin de los fotones generados. El dielctrico disminuye las prdidas por reflexin en la interfase GaAs- aire.
Estas prdidas se llaman prdidas de Fresnel. Para un LED de GaAs, si nr2=3,66 y nr1=1, las prdidas son de un 33%, es decir, el 33% de los fotones se reflejan y no llegan al segundo medio (aire). Para reducir estas prdidas el dispositivo se recubre con una cpula dielctrica (encapsulado dielctrico) cuyo ndice de refraccin es de alrededor de 1,6 lo que B.5-14
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reduce el nmero de fotones reflejados permitiendo que una mayor cantidad de fotones emerja. Finalmente, se tienen las prdidas de fotones debida a la reflexin interna total. Si la incidencia de los fotones es con un ngulo mayor que el crtico se reflejarn totalmente. El ngulo crtico, si el ndice de refraccin del semiconductor es nr2, vale, (B.5.38) Para la superficie GaAs-aire el ngulo crtico es 15,9. La utilizacin de una cpula (encapsulado dielctrico) elimina casi por completo esta prdida. Para un material dielctrico con nr1=1,6, el ngulo crtico aumenta hasta 38,7. Adems de los tres mecanismos de prdidas vistos con anterioridad, en muchas aplicaciones los fotones han de ser acoplados a dispositivos especiales. Por ejemplo, en comunicaciones pticas, la luz debe ser acoplada a la fibra ptica. Si la luz es acoplada a la fibra ptica debe entrar con un ngulo adecuado para que sufra el proceso de reflexin interna total, como ya se vio en un tema anterior. Si nr1 es el ndice de refraccin de la fibra y nr2 el del recubrimiento, el mximo ngulo de "aceptacin" para que el rayo se refleje totalmente dentro de la fibra es, (B.5.39) siendo NA la apertura numrica de la fibra.
Fig. B.5.9: Estructura de la fibra ptica. Obsrvese la apertura numrica de la fibra por encima de la cual la luz no se acoplar a la fibra.
Si suponemos que los fotones que emergen del LED dan lugar a una distribucin angular lambertiana entre ( = 0 y ( = )/2 , (B.5.40)
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se tiene que la probabilidad mayor corresponde al caso en que los fotones emergen perpendicularmente, es decir, por donde la distancia a recorrer a travs del semiconductor es mnima y por tanto las prdidas son tambin mnimas. En ese caso, la fraccin de luz acoplada a la fibra vale, (B.5.41)
Este valor de 'fibra es bastante pequeo (~10%) de forma que todava hay mucho que investigar para mejorar el acoplamiento, especialmente si se utilizan LEDs en sistemas de comunicacin de fibra ptica.
B.5.5.
Estructuras avanzadas de LEDs
Acabamos de ver que los aspectos ms importantes del LED son su eficiencia cuntica tanto interna como externa, la pureza espectral de la luz de salida y su tiempo de respuesta. Aunque es difcil de mejorar la pureza espectral y la respuesta temporal sin utilizar un lser, se han realizado muchos avances en lo que respecta a la tecnologa LED.
B.5.5.1.
LED a partir de una heterounin
Si el LED se fabrica de un solo semiconductor, existen algunos problemas que reducen la eficiencia del dispositivo. El primer problema es que en un LED homounin (es decir, un dispositivo basado en un nico semiconductor), el volumen de emisin de fotones debe estar cerca de la superficie de manera que los fotones emitidos no sean reabsorbidos. Como cerca de la superficie estamos en la interfase, la calidad del semiconductor normalmente no es muy buena por lo que existirn muchos defectos que producen recombinaciones no radiantes. El LED de heterounin resuelve este problema inyectando cargas desde un material de mayor anchura de la banda prohibida en una regin activa de material de menor anchura de la banda prohibida. Los electrones y huecos son inyectados desde regiones de tipo n y p de mayor anchura de la banda prohibida en la zona activa p! de menor anchura de la banda prohibida donde quedan enclavados. Los electrones no pueden entrar en la regin de tipo p de ancha banda prohibida por debajo de la zona activa y, por tanto, no sufren de las pobres condiciones superficiales (interfase). Adems, los fotones emitidos no son absorbidos en las regiones superior o inferior pues la energa del fotn es menor que la anchuras de la banda prohibida de las regiones n o p. La regin activa suele tener un grosor de 0,1m a 0,2m y los materiales ms usados son GaAs/AlGaAs sobre substrato de GaAs y InGaAsP/InP y InGaAs/InGaAsP sobre substrato de InP.
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Fig. B.5.10: El LED de heterounin utiliza un semiconductor de gap estrecho para la regin activa. Los fotones emitidos no se absorben por las capas superior o inferior que son transparentes para la radiacin emitida.
B.5.5.2.
LEDs de emisin lateral
Ya hemos visto que es de suma importancia el acoplar una seal luminosa a una fibra ptica. Hemos discutido la eficiencia de este acoplamiento y visto la necesidad de un haz altamente colimado para un buen acoplamiento. Para conseguirlo se utiliza una heteroestructura que transmite por su lado o borde (LED de emisin lateral), como se muestra en la siguiente figura. Como veremos en el siguiente tema, la estructura se asemeja a la del diodo lser slo que en el lser se debe disear de forma que se obtenga una cavidad ptica de alta calidad que produzca realimentacin ptica.
Fig. B.5.11: Esquema de un LED de emisin lateral. La regin activa es In0,47Ga0,53As (Eg = 0,83eV) rodeada de capas de confinamiento de InGaAsP (Eg = 1eV). Las capas de confinamiento provocan que la luz salga al exterior por el borde del LED.
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En este tipo de LED se aaden capas (recubrimientos) de materiales de gran anchura de la banda prohibida lo cual no nicamente confina a electrones y huecos a la capa activa, sino que tambin provoca que los fotones emitidos viajen a lo largo del eje del LED y emerjan por el borde del componente. Una variacin escaln en el gap energtico provoca una variacin escaln de la constante dielctrica y del ndice de refraccin de forma que, si estos son los adecuados, la onda ptica queda confinada en la zona activa (de forma similar a lo que suceda en el caso de las guas de onda). La parte posterior de la zona activa es reflectante y as tambin evita la prdida de fotones por ella. Debido a la alta colimacin del haz (30 de anchura en la perpendicular a la capa activa y 120 en la paralela a la capa activa) se mejora en gran medida la eficiencia del acoplamiento de su luz a fibras pticas.
B.5.5.3.
LEDs de emisin superficial
Un tipo importante de LED es el de emisin superficial desarrollado por primera vez por Burrus y Dawson en 1970 y cuyo esquema se muestra en la siguiente figura. Al final del LED se acopla una fibra ptica practicando un orificio en el LED y adhirindola mediante la utilizacin de resina. El LED en s es una heteroestructura con una fina regin activa de bajo valor de anchura de la banda prohibida rodeada de regiones de ancha banda prohibida. Los fotones emitidos son directamente acoplados a la fibra ptica. En estructuras ms avanzadas, se sita sobre el LED una microlente para mejorar la eficiencia del acoplamiento.
Fig. B.5.12: Esquema de un LED de emisin superficial. El LED tiene una fibra pegada a su superficie.
Fig. B.5.13: (a) La luz es acoplada desde la superficie emisora del LED a la fibra multimodo mediante el uso de un material (resina) con ndice de refraccin adecuado. (b) Una microlente focaliza la luz divergente emergente desde la superficie del LED hacia la fibra ptica multimodo.
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B.5.6.
Caractersticas de los LEDs
El funcionamiento del LED depende del proceso de emisin espontnea para proporcionar luz a partir de los electrones y huecos inyectados. Como consecuencia, se tendrn simplificaciones en la fabricacin y diseo del LED si se compara con el caso del diodo lser, pero se paga el precio de que sus cualidades no son tan buenas. Las caractersticas ms importantes del LED son la caracterstica luz-corriente, la pureza espectral de la luz de salida, el tiempo de respuesta frente a seales elctricas externas y la dependencia de su salida con la temperatura. La pureza espectral (es decir, la separacin en distintas longitudes de onda del haz de salida) es un tema muy crtico desde el punto de vista de un sistema ptico de comunicaciones de alta calidad.
B.5.6.1.
Caracterstica luz-corriente
Cuando una corriente I pasa a travs de un diodo directamente polarizado, parte de esa corriente se convierte en luz. Si 'tot es la eficiencia total de esta conversin (que incorporara la eficiencia cuntica interna y externa), la corriente equivalente de fotones que emerge desde el diodo vale, Iph = nmero de fotones por segundo = (B.5.42)
En general, 'tot depende de la corriente inyectada ya que la vida media radiante de los portadores "r depende del nivel de inyeccin de portadores por lo que la relacin Iph-I es no lineal. Sin embargo, en un LED esta dependencia es bastante dbil y la caracterstica Iph-I es casi lineal como se muestra en la siguiente figura. Para niveles muy altos de inyeccin, la luz de salida empieza a saturar ya que el componente comienza a calentarse y la eficiencia de la recombinacin radiante disminuye.
Fig. B.5.14: La potencia de salida del LED es lineal con la corriente inyectada.
En LEDs de emisin superficial, se produce una cada de la luz de salida a altas corrientes, efecto que ya no se puede explicar simplemente por el calentamiento del componente. Esto sucede porque con altas corrientes la densidad de fotones aumenta lo suficiente como para que se empiece a producir una emisin estimulada de fotones. Esta emisin se produce en el plano del LED por lo que la emisin perpendicular a la superficie del
B.5-19
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LED disminuye. Estos LEDs son llamados LEDs superluminiscentes y su comportamiento es similar al de un diodo lser.
B.5.6.2.
Pureza espectral de los LEDs
La pureza espectral de la radiacin emitida es muy importante y su importancia depende de la aplicacin. Si el LED va a utilizarse en un dispositivo visualizador no es importante su pureza espectral, pero si se va utilizar para comunicaciones pticas s lo es. Los pulsos de luz de diferente longitud de onda viajan por una fibra a diferentes velocidades por lo que la seal se distorsionar si el espectro que compone la seal es muy amplio. La energa de un fotn emitido por un LED no es simplemente igual a la anchura de la banda prohibida Eg ya que los electrones en la banda de conduccin y los huecos en la de valencia estn distribuidos segn su energa. En la siguiente figura (a) y (b) se representan el diagrama de bandas de energa y la distribucin energtica de electrones y huecos en las bandas de conduccin y de valencia respectivamente. La concentracin de electrones en la banda de conduccin en funcin de la energa es una funcin n(E), la cual viene dada por el producto como hemos visto con anterioridad. La distribucin energtica de los huecos en la banda de valencia se obtiene de forma similar.
(c)
(d)
(e)
Fig. B.5.15: (a) Diagrama de bandas de energa con posibles caminos de recombinacin. (b) Distribucin energtica de los electrones en la banda de conduccin y de los huecos en la banda de valencia. La concentracin de electrones ms alta est (1/2)"kB"T por encima de EC. (c) Representacin de los estados energticos permitidos para los electrones (Nn(E)) y huecos. Los electrones y huecos estn distribuidos sobre una anchura energtica de aproximadamente 2kBT.(d) Representacin de la intensidad relativa de la luz en funcin de la energa de los fotones. (e) Representacin de la intensidad relativa de la luz en funcin de la longitud de onda de los fotones.
B.5-20
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La concentracin de electrones en la banda de conduccin en funcin de la energa es una funcin asimtrica que tiene un pico en (1/2)&kB&T por encima de EC. De forma tpica, los electrones estn distribuidos en una anchura de alrededor de 2&kB&T desde EC como se observa en (b). La distribucin energtica de los huecos en la banda de valencia se produce en una anchura energtica similar desde EV. Recordemos que la velocidad de recombinacin directa es proporcional tanto a la concentracin de electrones como a la de huecos en las energas involucradas. Esto significar que el espectro de emisin va a quedar determinado bsicamente en funcin de: (B.5.43) donde y corresponden a las energas del electrn y del hueco involucrados en el proceso de recombinacin radiante, respectivamente, Eg es la anchura de la banda prohibida del semiconductor empleado y Ncv( ) es la densidad conjunta de estados (correspondiente a la interaccin de electrones y huecos de energa especfica). La transicin identificada como 1 en la figura anterior (a), involucra la recombinacin directa de un electrn en EC y un hueco en Ev. Pero las concentraciones de portadores cerca de los lmites de las bandas es muy pequea y, por tanto, este tipo de recombinacin no ocurre de forma frecuente. La intensidad relativa de la luz a este fotn de energa h&*1 es pequea (como se observa en (d)). Las transiciones que involucran las concentraciones de electrones y de huecos ms grandes ocurren con mayor frecuencia. Por ejemplo, la transicin 2 tiene la probabilidad mxima ya que a esas energas las concentraciones de electrones y de huecos son las mximas, como se observa en (b). La intensidad relativa de la luz correspondiente a esta transicin energtica h&*2, es por tanto mxima. Transiciones como la designada como 3 que producen la emisin de fotones altamente energticos h&*3, involucran energas para los electrones y huecos cuyas concentraciones son pequeas (b). Por tanto, la intensidad de la luz a estas energas fotnicas elevadas es pequea. La cada de la intensidad de la luz en funcin de las caractersticas energticas del fotn (espectro de salida) se muestra en (d). Podemos tambin obtener la representacin de la intensidad relativa de la luz en funcin de la longitud de onda (e) ya que . La anchura del espectro ( ) se define como la anchura entre los puntos de intensidad media, como se observa en (d) y (e). La longitud de onda correspondiente al pico de intensidad y la anchura del espectro estn obviamente muy relacionadas con la distribucin energtica de los electrones y huecos en las bandas de conduccin y valencia y, por tanto, dependen del semiconductor utilizado. La energa del fotn para el pico de emisin es prxima a Eg+kB&T ya que sta corresponde a transiciones de mximo a mximo en las distribuciones de energa de electrones y huecos. La anchura vara de forma tpica entre 2,5&kB&T y 3&kB&T, como se muestra en (d). El espectro de salida, o representacin de la intensidad relativa en funcin de la longitud de onda, de un LED depende no solamente del material semiconductor sino tambin de la estructura de la unin p-n, incluyendo los niveles de dopado. El espectro representado en (e) representa un espectro idealizado en el que no se han tenido en cuenta efectos de alto dopado de las bandas energticas y se ha considerado un bajo nivel de inyeccin de portadores para la unin directamente polarizada. Si se considera un alto nivel de inyeccin, la anchura ser: B.5-21
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(B.5.44) donde Nc es la densidad efectiva de estados en la banda de conduccin. Teniendo en cuenta estos efectos, el espectro de salida de un LED presenta una asimetra menor que la obtenida para el espectro idealizado. En la siguiente figura se observan las caractersticas tpicas de un LED rojo (655nm) donde se observa esta menor asimetra y que la anchura del espectro es de alrededor de 24nm a temperatura ambiente, lo cual corresponde a una anchura de alrededor de 2,7&kB&T en la distribucin energtica de los fotones emitidos. Esto es un espectro muy ancho aunque para muchas aplicaciones puede ser ms que suficiente. De hecho el LED se puede utilizar prcticamente en comunicaciones pticas siempre que no se tenga que enviar la seal a largas distancias. A largas distancias ya ser necesario el uso de un diodo lser.
Fig. B.5.16: Espectro de salida tpico de un LED rojo de GaAsP.
B.5.6.3.
Respuesta temporal del LED
Un aspecto importante en la transmisin de informacin por medios pticos es la conversin de seales elctricas en luminosas. Una aplicacin tpica en la que se utiliza un LED para la generacin de las seales luminosas es el mostrado en la siguiente figura (a). El LED es bsicamente un diodo de unin p-n directamente polarizado en el que se inyectan portadores minoritarios en la regin activa de recombinacin. Para modular la salida del dispositivo se deben modular los portadores inyectados. Por tanto, dejando aparte los elementos parsitos externos, un punto crtico es la velocidad de extraccin de cargas del dispositivo. Esta velocidad est controlada por el tiempo de recombinacin de los portadores. Vamos a considerar un modelo sencillo para la respuesta del LED. En (b) se muestra la estructura tpica del LED, al cual se ha considerado para simplificar un sistema unidimensional. Los portadores son inyectados desde la zona n- a la zona p. La ecuacin de continuidad para estos portadores ser: (B.5.45) donde el primer trmino es debido a la recombinacin de portadores (incluyendo los procesos no radiantes) y el segundo trmino es la componente de la corriente debida a la B.5-22
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difusin de portadores. Como el campo elctrico en la unin (para el caso que est directamente polarizada) es pequeo, podemos despreciar la corriente debida al arrastre de portadores. Si ahora aplicamos una polarizacin en pequea seal al diodo, la concentracin de portadores resultante ser: (B.5.46) Sustituyendo esta expresin en la ecuacin de continuidad y comparando las componentes de dc y ac: dc: (B.5.47)
ac: Si definimos las longitudes:
(B.5.48)
(B.5.49) (B.5.50) llegamos a que: dc: (B.5.51)
ac: La respuesta temporal del LED la podemos definir de la siguiente forma:
(B.5.52)
(B.5.53) es decir, la relacin entre la componente ac de la corriente fotnica y la componente ac de la corriente electrnica. Vamos a suponer que los nicos responsables del flujo de corriente son los electrones. Bajo esa suposicin: (B.5.54) Supondremos tambin que todos los portadores se recombinan aproximadamente en el momento en que alcanzan el lmite de la regin activa d; es decir, Ln<<d (B.5.55)
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En ese caso la solucin de la ecuacin diferencial de la seal ac es de la forma: (B.5.56) La corriente fotnica ser: (B.5.57) Adems, (B.5.58) Lo cual nos da la funcin respuesta temporal definida con anterioridad: (B.5.59) Esta expresin muestra la importancia del tiempo de recombinacin " a travs del ancho de banda lmite que puede ser alcanzado en los LEDs. El ancho de banda modulado fc se define como la frecuencia a la que la potencia ptica vale la mitad de la potencia ptica a frecuencia cero. (B.5.60) con (B.5.61) donde "r y "nr son los tiempos de recombinacin radiante y no radiante. Para dispositivos de alta calidad "~"r. La respuesta en frecuencia del LED se muestra en (c).
B.5-24
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Fig. B.5.17: a) Circuito para la modulacin de la salida de un LED; b) geometra del LED utilizado para el estudio de la respuesta temporal intrnseca frente a una seal ac; c) cada de la respuesta del LED con la frecuencia.
En la siguiente figura se muestra la dependencia del tiempo de vida radiante con la concentracin de portadores o el dopado de la regin activa. Conforme aumenta la corriente del LED, el tiempo de recombinacin disminuye y el ancho de banda de modulacin aumenta. Esta relacin se puede demostrar experimentalmente como se puede observar en la misma figura. Hay que tener en cuenta que la concentracin de portadores en la regin activa es proporcional a J/d, donde J es la densidad de corriente y d el grosor de la regin activa.
Fig. B.5.18: Ancho de banda de modulacin en funcin de la densidad de corriente.
El ancho de banda de modulacin tambin se puede incrementar aumentando el dopado de la regin activa. Cuanto mayor es el dopado de la zona p menor es el tiempo necesario para la recombinacin de los electrones inyectados con huecos. En rgimen de alto nivel de inyeccin ( = =1) se tiene que "r ="0. En dicho caso se tiene el tiempo de recombinacin ms corto que se puede obtener que es de ~0,5ns por lo que podemos alcanzar frecuencias de corte cercanas al gigahercio. Los lmites que presenta la recombinacin radiante es una diferencia fundamental entre los LEDs y los diodos lser. Los diodos lser no operan bajo condiciones de emisin B.5-25
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espontnea sino de emisin estimulada. Como veremos en el siguiente tema, la emisin estimulada depende de la densidad de fotones presente y proporciona tiempos de recombinacin cercanos a 10ps.
B.5.6.4.
Dependencia con la temperatura de la emisin del LED
En una seccin anterior hemos visto la variacin de la salida luminosa en funcin de la corriente, comprobando como la potencia ptica de salida saturaba a alta corriente debido a un calentamiento del dispositivo. Si consideramos diodos de alta calidad con una concentracin de defectos despreciable que pueda afectar a la eficiencia de la recombinacin electrn-hueco, la temperatura afecta al componente de dos formas i) Prdidas de portadores inyectados en las regiones de los contactos a altas temperaturas; y ii) proceso de Auger que contribuye a una recombinacin no radiante. Como se muestra en la siguiente figura, en el LED, que es un diodo p-n polarizado directamente, se inyectan portadores de las zonas dopadas a la zona activa donde se recombinan para emitir fotones (caso ideal mostrado en (a)). Sin embargo, conforme aumenta la temperatura se generan ms portadores con lo que la distribucin energtica de carga inyectada es ms ancha como se muestra en (b). No todos estos portadores se recombinarn en la zona activa sino que algunos portadores podrn atravesarla dando lugar a una corriente de prdidas, de portadores que la atraviesan sin recombinarse y por tanto sin generar fotones. Si se aumenta la corriente inyectada en el LED, ste se calienta y como resultado aumenta su corriente de prdidas. Esta corriente depender del diseo del componente. Por ejemplo, si la regin activa es ancha, las prdidas podrn ser menores. La corriente de prdidas puede ser bastante grande en muchos dispositivos y contribuir de un 20% a un 30% en la corriente total. Para evitar el calentamiento del LED a altas corrientes se pueden utilizar corrientes pulsantes y as reducir la corriente eficaz con lo que disminuye el calentamiento del dispositivo.
Fig. B.5.19: a) Esquema de la inyeccin de carga en un LED a baja temperatura. Todos los portadores inyectados se recombinan en la regin activa; b) A mayores temperaturas debido a la dispersin de energa kBT de los portadores inyectados, un mayor nmero de portadores pueden perderse, reducindose la eficiencia radiante.
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Hemos visto en temas anteriores que la ionizacin por impacto ocurre cuando un electrn con suficiente energa cintica (electrn "caliente") colisiona con un electrn de la banda de valencia (ligado a la estructura cristalina) dando lugar a dos electrones en la banda de conduccin y un hueco en la de valencia. El proceso contrario tambin puede ocurrir cuando un electrn y un hueco se recombinan, proporcionando el exceso de energa a un electrn y produciendo de esa manera un electrn "caliente". El electrn "caliente" pierde su energa emitiendo fonones (es decir, proporcionando calor). Este proceso es llamado Proceso de Auger y es un importante proceso no radiante, especialmente en materiales de estrecha banda prohibida. La velocidad de la recombinacin de Auger es proporcional a np2 o pn2, dependiendo de si el portador "caliente" final es un electrn o un hueco. La recombinacin de Auger involucra a tres portadores en el estado inicial que pueden ser dos electrones y un hueco o dos huecos y un electrn, siendo el resultado final un electrn o hueco "caliente" sin emisin de un fotn. La velocidad de recombinacin depende fuertemente de la concentracin de portadores, el gap energtico del material a la temperatura dada y los detalles de la estructura de bandas. El resultado final es que para LEDs de materiales de gap estrecho (Eg<1,0eV), la recombinacin de Auger es un proceso no radiante importante que adems tiene una fuerte dependencia con la temperatura. El efecto conjunto de la prdida de portadores y de los procesos de Auger sobre la potencia ptica de un LED puede verse en la siguiente ecuacin segn la cual su corriente de fotones vale, (B.5.62) donde T1 es una temperatura que depende de la anchura de la banda prohibida del material y de parmetros del diseo fsico del LED. El valor de T1 debe ser lo mayor posible para asegurar la independencia de la temperatura del LED. Para LEDs de 1,3m de InAsGaP, T1 vale de 180K a 200K mientras que para LEDs de GaAs vale de 300K a 350K. Adems de la dependencia de la potencia ptica con la temperatura, no debemos olvidar que la anchura de la banda prohibida de todos los semiconductores disminuye con la temperatura. Por tanto, el pico del espectro de emisin del LED se correr hacia longitudes de onda mayores conforme aumente la temperatura. Este corrimiento es de 3,5/K para un LED de GaAs y 6/K para un LED de InGaAsP.
Fig. B.5.20: Variacin del espectro de salida de un LED de AlGaAs con la temperatura. El valor normalizado del pico de emisin es a 25C.
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B.5.6.5.
Construccin del LED
La construccin tpica de un LED se muestra en la siguiente figura.
Fig. B.5.21: Construccin de un LED.
En el ejemplo, el LED es construido sobre un substrato de GaP o GaAsP. En la parte superior de este substrato se ha producido el crecimiento de una fina capa de tipo p. La unin p-n, donde tiene lugar la recombinacin y se genera la radiacin est entre estas dos capas. Como la capa de GaP es transparente, la radiacin escapa a travs de la capa superior. Con un substrato de GaAs, el flujo dirigido hacia abajo es absorbido. Con un substrato de GaP que es transparente, se debe aadir una capa reflectante en el electrodo inferior para mejorar la eficiencia. El mecanismo por el cual el flujo escapa se muestra en la siguiente figura.
Fig. B.5.22: Diseo ptico de un LED.
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El flujo se escapa por la parte superior de la unin, a travs de la capa p. Aplicando la ley de Snell a la interfase aire-GaP encontramos que debido al proceso de reflexin interna total, solamente el flujo en un cono muy estrecho (ngulo del cono de 17) puede escapar (b). Para mejorar esto, la unin es encapsulada en plstico, incrementando el ngulo de escape a 26. El encapsulado no mejora nicamente la eficiencia ptica, sino que tambin permite mantener unidos todos los componentes del LED. El perfil del encapsulado plstico, o lente, tambin controla el patrn de radiacin del LED. En la siguiente figura se muestran algunas formas tpicas de LEDs conjuntamente con sus patrones de radiacin. A cada encapsulado se le da un nombre. As el mostrado en (a) es llamado T-1 3/4 y el mostrado en (b) T-1 donde el nmero que aparece despus de la T hace referencia al dimetro del LED en 1/8 de pulgada.
Fig. B.5.23: Ejemplos de LEDs clsicos.
B.5.6.6.
Caractersticas pticas y elctricas
El LED es un diodo p-n y como tal su curva caracterstica es parecida a la de un diodo normal de unin p-n. Su tensin de codo est entre 1,2V y 2V dependiendo del material semiconductor. Su resistencia dinmica vara desde unos pocos ohms hasta decenas de ohms. La tensin de ruptura es de unos 5V. En la siguiente figura se muestra un factor de limitacin B.5-29
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muy importante para los LEDs, la potencia mxima disipable (PMAX) y su dependencia con la temperatura.
Fig. B.5.24: Caractersticas iD/VD y mxima disipacin de potencia permisible.
El tercer parmetro a considerar, especialmente cuando el LED va a ser utilizado en un modo pulsado, es la mxima corriente de pico permisible (iMP). Para modo pulsado los parmetros se relacionan a partir de las ecuaciones que vamos a comentar. Ciclo de trabajo: (B.5.63)
La corriente promedio en un tren de pulsos est relacionada con la corriente mxima de pico a travs de la expresin: iavg = ip dc (B.5.64)
donde iavg: es la corriente promedio, ip: la corriente de pico y dc el ciclo de trabajo. La disipacin de potencia en estado estacionario viene dada por la expresin: B.5-30
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PD = iD&VD Siendo iD la corriente por el diodo y VD la tensin de cada en el diodo. En condiciones pulsantes la potencia promedio disipada es: Pavg = iavg[VDO + RD(ip-iDO)]
(B.5.65)
(B.5.66)
donde VDO: tensin en el punto de operacin, iDO: corriente en el punto de operacin y RD: resistencia dinmica del LED. La resistencia dinmica del LED puede ser calculada a partir de la curva caracterstica del LED: RD = +VD/+iD (B.5.67)
Fig. B.5.25: Ciclo de trabajo y corrientes de pico y promedio en un tren de pulsos.
El parmetro ptico ms importante es la intensidad luminosa. La intensidad luminosa es una funcin no lineal de la corriente del LED, de manera que la intensidad luminosa relativa aumenta al aumentar la corriente. Esta no linealidad puede ser expresada de dos formas diferentes: representando IPR =f(ID) o definiendo una eficiencia relativa, 'PR = IPR/IPRO. La curva B ('PR) de la siguiente figura muestra que a corrientes grandes la eficiencia del LED aumenta considerablemente. Este hecho favorece la utilizacin del LED en modo pulsante ya que el incremento de corriente en estado estacionario est limitado por la mxima disipacin de potencia. En modo pulsante se puede conseguir una mayor intensidad luminosa sin llegar al lmite de potencia disipable. En modo pulsante, la intensidad promedio puede ser calculada utilizando la siguiente ecuacin: (B.5.68) donde, IPRavg: intensidad luminosa promedio (cd, W/sr), IPRO: intensidad luminosa de referencia (cd, W/sr), iP: corriente de pico (A), i0: corriente de referencia (A), dc: ciclo de trabajo, 'PR: eficiencia relativa a la corriente de pico y 'PRO: eficiencia relativa de referencia (vale 1).
B.5-31
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Mencionar por ltimo que el espectro de salida no es monocromtico sino que presenta un ancho de banda considerable alrededor de la longitud de onda central. Otra caracterstica del LED (como ya hemos visto con anterioridad) es la dependencia con la temperatura de su intensidad luminosa. El coeficiente de temperatura de IPR es de alrededor de 1%/C. Un incremento de 25C disminuir la intensidad luminosa un 25% como puede ser visto en Fig. B.5.20. Este efecto no puede ser pasado por alto. La ltima, y ya ms favorable, caracterstica de un LED es su tiempo de respuesta, tpicamente de 90ns para LEDs amarillos y rojos y de 500ns para los verdes. Este pequeo valor del tiempo de respuesta hace que los LEDs sean tiles como fuentes en aplicaciones de comunicacin ptica. Adems las fuentes luminosas incandescentes, con un tiempo de respuesta grande, no tienen casi aplicacin en este campo.
Fig. B.5.26: Intensidad luminosa relativa y eficiencia.
Fig. B.5.27: Espectro de salida tpico de un LED.
B.5.6.7.
Circuitos de excitacin para los LEDs
El diseo de circuitos con LEDs debe tener en cuenta tres consideraciones: 1. Configuracin mecnica y patrn de radiacin apropiados. B.5-32
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2. Disipacin y variaciones con la temperatura en el LED. 3. Requisitos del circuito de excitacin del LED. La primera consideracin a tener en cuenta puede ser fcilmente solventada consultando los catlogos que proporciona el fabricante, donde se pueden encontrar una gran variedad de LEDs para todas las posibles configuraciones. La segunda consideracin en cuanto a las variaciones con la temperatura ya fue estudiada en su momento. El propsito de un circuito de excitacin es garantizar la intensidad luminosa deseada para el LED. Como la intensidad es funcin directa de la corriente por el LED el problema del diseo es crear un circuito de excitacin que conduzca a la corriente deseada a travs del diodo LED. En la siguiente figura se muestran algunos circuitos tpicos y muy empleados.
Fig. B.5.28: Circuitos de excitacin de LEDs.
El circuito de excitacin ms sencillo es de forma incuestionable el circuito de excitacin mediante la utilizacin de una resistencia. La desventaja de este circuito es que, debido a las tolerancias en las caractersticas de los LEDs, valor de la resistencia y variacin de la tensin de alimentacin, la corriente por el LED y, en consecuencia, la intensidad resultante puede presentar variaciones considerables. Este inconveniente puede no serlo cuando se utiliza un nico LED como indicador. Sin embargo, si se tienen varios LEDs B.5-33
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situados cerca el uno del otro, las variaciones de intensidad luminosa pueden resultar desagradables. El valor de la resistencia RB puede ser calculado a partir de la siguiente ecuacin, donde RD es la resistencia dinmica del diodo, como se observa en la grfica de (a). (B.5.69) Varios LEDs pueden ser conectados en serie utilizando este simple circuito con lo que la corriente por todos ellos es la misma. La conexin en paralelo de los LEDs debe ser evitada ya que las variaciones en las caractersticas de los LEDs causan diferencias inaceptables entre las corrientes que circulan por cada LED y, por tanto, en la iluminacin proporcionada por cada uno de ellos. Los valores de la resistencia dinmica del LED (RD) y de la corriente y tensin de referencia deben ser obtenidos a partir de la curva que da el fabricante para el diodo, pues normalmente no son proporcionados en los "data sheets". La solucin grfica, es por tanto, lo ms simple y rpido. Con unos pocos componentes ms y un transistor, es posible disear un circuito de excitacin (b) que garantiza una corriente estable y predecible a travs de un nico LED o de una combinacin de ellos. La ventaja de este circuito es que la corriente no est a merced de las posibles variaciones en las caractersticas del LED pues se trata de una fuente de corriente. Este circuito puede ser utilizado para varios LEDs en serie siempre y cuando la cada de tensin a travs de todos los LEDs no supere la tensin de colector disponible, VCC. El circuito puede ser diseado utilizando la siguiente relacin: (B.5.70) donde VCC es la tensin de alimentacin (V), VB es la tensin fijada por el diodo zner de referencia (V) e iR es la corriente a travs del diodo zner (A). (B.5.71) donde VBE es la cada de tensin base - emisor (VBE = 0,7V), iD es la corriente que se desea que circule por el LED (A). Para que el circuito funcione adecuadamente se ha de cumplir que: (B.5.72) donde n es el nmero de LEDs en serie y Vp la cada de tensin en cada uno de ellos. En (c) se muestran varios circuitos de excitacin que utilizan lgica digital, lo cual es una aplicacin muy comn. Todas las familias lgicas presentan una capacidad de corriente limitada en estado alto. Por tanto, no es posible proporcionar la corriente de excitacin al LED a partir de la corriente en estado alto. En estado bajo, la corriente es algo mayor (16mA para TTL) y un LED puede ser excitado con una corriente bastante modesta, como se muestra en el primer circuito de (c). Cuando se requiere una corriente mayor deben ser utilizados circuitos de excitacin especiales.
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B.5.7.
Aplicaciones de LEDs
Los LEDs tienen mltiples aplicaciones en sistemas de procesamiento ptico de la informacin. Entre estas aplicaciones podemos destacar los visualizadores, donde se utilizan uno o ms LEDs para generar seales pticas visibles al ojo humano. Los LEDs son tambin utilizados en sistemas de comunicaciones pticas para redes locales. Otra importante aplicacin de los LEDs es para proporcionar un aislamiento de tipo ptico, en el cual dos circuitos elctricos se "conectan" mediante la luz proveniente de un LED (optoacopladores). El LED como elemento de un visualizador Una importante aplicacin de los LEDs es en tecnologa de visualizadores. Un visualizador basado en LEDs es un visualizador activo ya que emite la luz, a diferencia de los visualizadores basados en cristales lquidos en los que la luz no es generada por la propia clula de cristal lquido. En consecuencia los visualizadores basados en LEDs pueden ser muy brillantes generando suficiente potencia como para ser utilizados en aplicaciones como las luces traseras de los automviles, semforos o incluso pantallas anunciadores diurnas. Como los visualizadores se deben ver por el ojo humano, la luz debera ser generada para cubrir todo el espectro visible si se quieren producir visualizadores que acten en todos los colores. La luz roja (,~6600) se consigue a partir de LEDs de GaAs0,6P0,4 y aleaciones de AlGaAs. La luz verde (,~5200) a partir de GaP. La luz azul es muy difcil de obtener ya que el gap energtico que necesitamos es de 2,1 a 2,4eV y la tecnologa de estos materiales an no est muy desarrollada. Se consiguen a partir de GaN y ZnSe aunque no son fciles de conseguir. El LED se puede utilizar como una sola lmpara (en la mayora de las ocasiones como indicador en un sistema electrnico) o en matrices. Las matrices (arrays) estn conectados de manera que permiten generar caracteres alfanumricos. En la siguiente figura podemos observar un visualizador tpico para caracteres en el que se utiliza una matriz de siete segmentos en el que cada segmento es un LED. Para su conexionado externo se utiliza un encapsulado de 14 pines (en realidad 4 no se conectan).
Fig. B.5.29: Esquema de un visualizador de 7 segmentos con punto decimal con LEDs. Se muestra un encapsulado de 14 bits, con las conexiones tpicas de cada pin.
B.5-35
CEF
Los visualizadores basados en LEDs son especialmente tiles en aplicaciones en las que tiene importancia el brillo del visualizador. La potencia de salida del LED es bastante alta como para permitir a los visualizadores ser visibles a plena luz del da. Adems como el LED es un simple diodo p-n es muy fcil integrarlo con otros dispositivos semiconductores. Aunque el consumo de potencia y el coste son mayores que en los cristales lquidos y, por tanto, estos ltimos tienen ventaja en monitores de ordenadores porttiles, s que tienen un buen futuro en aplicaciones donde sustituyan a las bombillas clsicas (luces de automvil y seales de trfico). El LED en las comunicaciones Aunque la luz del LED aparece al ojo humano como de un solo color y por tanto de una sola longitud de onda, esto no es as. En realidad el espectro es bastante amplio y de unos +,~200. Ya hemos dicho anteriormente que esto es un problema en comunicaciones a larga distancia ya que debido a que la velocidad de propagacin en una fibra depende de la longitud de onda, si un pulso est formado por mltiples longitudes de onda, entonces al viajar a lo largo de la fibra se deformar y se ensanchar en el tiempo (dispersin cromtica). El LED por tanto reduce su uso a comunicaciones de corta distancia donde la dispersin es despreciable. Otra limitacin es la velocidad de transmisin, ya que en un LED no puede ser modulada su intensidad a una velocidad mayor que 1GHz. En muchas aplicaciones esta velocidad puede ser suficiente pero en la actualidad necesitamos cada vez mayores velocidades, lo que implica el uso de diodos lser (LDs). El LED como optoacoplador Una aplicacin muy importante del LED es el optoacoplador. Este componente consiste en un emisor y en un sensor de luz. Permite transmitir seales con un alto aislamiento entre una parte y otra del circuito. Sustituye a componentes como el transformador, rels y condensadores de aislamiento (bloqueo).
Fig. B.5.30: Esquema de dos optoacopladores; con fotodiodo y con fototransistor.
El componente conectado a la entrada es un diodo LED y el sensor es un fotodiodo o un fototransistor. La seal luminosa se transmite a travs del aire proporcionando por tanto un B.5-36
CEF
alto aislamiento. Sistemas que necesitan de tan alto aislamiento pueden ser, por ejemplo, fuentes de alimentacin, amplificadores para electrocardigrafos, etc. En estos ltimos existe alta tensin en primario y por la seguridad del paciente es imprescindible el aislamiento galvnico. Sobre la fiabilidad del LED Como a cualquier otro componente electrnico a los LEDs les exigimos fiabilidad. Es deseable que no falle el visualizador u otro circuito que contenga un LED. Los tres fallos ms comunes en un LED son: "fallo infantil" en los que el LED ha sufrido algn deterioro en el proceso de fabricacin y por tanto falla durante el proceso de "burn in" o quemado inicial. Este "burn in" consiste en hacer funcionar el LED a alta potencia durante 100 horas. Los LEDs que sobreviven este test de quemado tienen un alto MTBF. Tcnicas avanzadas de fabricacin permiten reducir estos fallos. Si despus del quemado inicial se produce algn fallo debido a una combinacin de defectos no aparentes hasta ese momento, este cmulo de casualidades y mala suerte se llama fallo por malformacin o "freak failure". La mayora de los LEDs sobreviven estos dos primeros tipos de fallos y llegan a tener un MTBF de hasta 106 horas en LEDs de GaAs y 109 horas en LEDs de InP. El MTBF se define de forma diferente segn la aplicacin. Para comunicaciones pticas la prdida de potencia implica el espaciado entre repetidores y por tanto es la cada de potencia la que determinar el envejecimiento del componente. En un sistema con tolerancia suficiente el MTBF se puede definir como el tiempo que tarda en disminuir la potencia a la mitad (!3dB). Pero si el espaciado de repetidores es mayor, tal vez necesitemos un MTBF definido a partir de una cada de potencia del 20% (!1dB). El fallo gradual es el ltimo tipo de fallo existente en los LEDs, donde se produce una degradacin progresiva. Esta degradacin incluye un aumento de la recombinacin no radiante. Debido a los defectos de fabricacin (dislocaciones) se genera un defecto que se conoce con el nombre de efecto de lnea oscura. Este defecto se debe a una migracin de las dislocaciones del substrato a la regin activa reduciendo as las recombinaciones radiantes. Aunque en los LDs este defecto es catastrfico no ocurre as en los LEDs donde slo se reduce gradualmente la luz emitida. Ocurre en los LEDs de GaAs pero no en los de InP por lo que estos ltimos tienen un mayor MTBF. El mejorar el MTBF de los componentes y poder predecirlo sin tener que realizar tests de larga duracin sigue siendo un rea de investigacin muy importante en la actualidad.
B.5.8.
Resumen
El LED es un componente de mltiples aplicaciones, siendo las ms importantes su utilizacin en visualizadores y sistemas de comunicacin ptica. Sus principales ventajas son su simplicidad de fabricacin y su fcil utilizacin (incorporacin a un circuito electrnico). Sus desventajas principales son su gran anchura espectral y su ancho de banda de modulacin limitada al GHz ms o menos.
B.5-37

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B.5.

El diodo de emisin de luz (LED)

Materiales para los LEDs

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Funcionamiento del LED

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Inyeccin de portadores y emisin espontnea

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.5: Diagrama E-k para las bandas de valencia y conduccin.

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

h(E)=1!e(E) La concentracin total de huecos en la banda de valencia p, no es ms que:

(B.5.23) donde Nv es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de valencia.

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Eficiencia cuntica externa

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Estructuras avanzadas de LEDs

LED a partir de una heterounin

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

LEDs de emisin lateral

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

LEDs de emisin superficial

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Caractersticas de los LEDs

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Pureza espectral de los LEDs

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.16: Espectro de salida tpico de un LED rojo de GaAsP.

Respuesta temporal del LED

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

ac: Si definimos las longitudes:

(B.5.49) (B.5.50) llegamos a que: dc: (B.5.51)

ac: La respuesta temporal del LED la podemos definir de la siguiente forma:

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.18: Ancho de banda de modulacin en funcin de la densidad de corriente.

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Dependencia con la temperatura de la emisin del LED

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Construccin del LED

La construccin tpica de un LED se muestra en la siguiente figura.

Fig. B.5.21: Construccin de un LED.

Fig. B.5.22: Diseo ptico de un LED.

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.23: Ejemplos de LEDs clsicos.

Caractersticas pticas y elctricas

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.24: Caractersticas iD/VD y mxima disipacin de potencia permisible.

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.25: Ciclo de trabajo y corrientes de pico y promedio en un tren de pulsos.

Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)

Fig. B.5.26: Intensidad luminosa relativa y eficiencia.

Fig. B.5.27: Espectro de salida tpico de un LED.