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ELG 2536 - LECTRONIQUE I Syllabus de Cours

Professeur : Dr. Mustapha C.E. YAGOUB Bureau : Colonel By : A-614 Courriel : myagoub@site.uottawa.ca URL : http://www.site.uottawa.ca/~myagoub/ELG2536.html

Horaires LEC 1 LEC 2 DGD Laboratoire Manuel de cours : Sedra A.S. and Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 6th Ed., 2010. Autre livre de rfrences Razavi B., Fundamentals of Microelectronics, Wiley, 2008 Des notes complmentaires seront mises la disposition des tudiants(es) partir du site du cours Lundi Jeudi 08:30 - 10:00 10:00 - 11:30 Pavillon EITI Pavillon EITI Pavillon Portable Colonel By Hall Pice: STE C0136 Pice: STE C0136 Pice: POR 104 Pice : CBY B302

Vendredi 08:30 - 10:00 Mardi 11:30 - 14:30

TRS IMPORTANT
Note finale : SI MAX [(25% * MI-SESSION + 45% * EXAMEN FINAL), (70% * EXAMEN FINAL)] 35(%), ALORS NOTE FINALE =15% * LABS+15% * QUIZZES/DEVOIRS + MAX [(25% * MI-SESSION +45% * EXAMEN FINAL), (70% * EXAMEN FINAL)] SINON NOTE FINALE = ECHEC

Consultation Prendre rendez-vous par Courriel. Lundi CBY : A-614 de 10:00 11:00 valuation Devoirs et quizzes : 15 % Les devoirs devront tre soumis une semaine aprs. Des quizzes pourront tre programms durant le premier quart dheure de la sance de cours ou de DGD. Examen de mi-session : 25 %

Sa date sera fixe ultrieurement. Un mmo des quations utilises en cours sera fourni. Examen Final : Laboratoires : 45 % 15 %

Il y a quatre laboratoires. Chaque groupe ne doit pas excder trois tudiants. Seuls les rsultats mesurs pendant les sances de laboratoire et autographis par une personne autorise seront accepts dans les rapports. Les rapports de laboratoire doivent tre remis la fin de la sance de laboratoire.

Pralables Ce cours fait suite aux cours dlectronique de base et de thorie des circuits (ELG 2538). Une bonne matrise des thmes abords dans ces cours est absolument ncessaire. De plus, il prcde

des cours plus avancs en lectronique analogique et numrique (ELG 3536, ELG 3575, ELG 4515, ELG 4537, etc.) et est de ce fait un cours essentiel lingnieur en lectronique. Contenu du cours I Physique des semi-conducteurs. Diodes : fonctionnement, modles et circuits dapplication. Transistors Bipolaires Jonctions - fonctionnement et caractristiques. Circuits quivalents en cc et en ca. Configurations de base d'amplificateurs TBJ un tage. Transistors Effet de Champ : structure et fonctionnement physique, circuits de polarisation, circuits quivalents faible signal et configurations de base d'amplificateurs. Concepts fondamentaux de circuits logiques. Inverseur TBJ. Inverseur CMOS. Dlai de propagation de l'inverseur CMOS. Portes logiques CMOS et autres circuits numriques. Introduction aux composants semi-conducteurs de puissance : thyristor, triac, Transistor bipolaire porte isole. Applications en lectronique de puissance : les convertisseurs ca-cc, cc-cc et cc-ca.

Description du cours

Introduction Signaux analogiques et numriques, Spectre en frquence dun signal, Gain en dB. Concepts fondamentaux d'amplificateurs. Rponse en frquence damplificateurs.

Diodes Principe de la jonction PN : diode idale Fonctionnement, Circuits quivalents et diffrents modles. Diodes redresseuses et Zener. Applications : circuits limiteurs, redresseurs, .

Transistors jonctions bipolaires (BJT) Fonctionnement et caractristiques de transistors PNP et NPN en mode actif. Configurations d'amplificateurs BJT petit signal un seul tage.

Transistors effet de champ (FET) Structure et fonctionnement physique : MOSFET. Circuits de polarisation Configurations d'amplificateurs de base.

Concepts fondamentaux de circuits logiques. Inverseurs BJT et CMOS.

Dlai de propagation de l'inverseur CMOS. Portes logiques CMOS et autres circuits numriques.

Composants semi-conducteurs de puissance. Thyristors, triacs, transistors bipolaires porte isole Convertisseurs ca-cc, cc-cc et cc-ca.

Ordre chronologique du droulement du cours :

Chapitres Introduction (sections 1.1-1.5 (*)) Diodes jonction P-N (sections 3.1-3.5 et 4.1-4.7)

Sections du manuel Introduction llectronique, applications Dfinitions : composants, signaux et circuits Amplification : principe et modles (**) Physique des semi-conducteurs (sections 3.1-3.3) Jonction PN (sections 3.4 et 3.5) Diode idale : caractristique et circuit quivalent (section 4.1) Diode jonction P-N : caractristiques, principes de fonctionnement et modles (sections 4.2 et 4.3) Diodes Zener (section 4.4) Circuits redresseurs diodes (section 4.5) Circuits limiteurs et doubleurs (section 4.6) Diodes spciales (section 4.7) Structure (section 6.1) Fonctionnement et caractristiques (section 6.2) Analyse et modles quivalents DC/AC (sections 6.3-6.5) Circuits amplificateurs (sections 6.6-6.8) Structure (section 5.1) Fonctionnement et caractristiques (section 5.2) Analyse et modles quivalents DC/AC (sections 5.3-5.4) Configuration CMOS (section 5.1.8) Circuits amplificateurs (sections 5.4-5.8) Introduction aux circuits logiques (section 13.1) Inverseur BJT (**) Inverseur CMOS (section 13.2) Portes logiques CMOS, Flip-Flops et autres circuits numriques (sections 13.3-13.4) Thyristors, triacs, transistors bipolaires porte isole (**) Convertisseurs ca-cc, cc-cc et cc-ca (**)

Transistors jonctions bipolaires (BJT) (sections 6.1-6.8) Transistors effet de champ (FET) Transistor MOSFET (sections 5.1-5.8) Circuits logiques (sections 13.1-13.4)

Composants semiconducteurs de puissance (diffrentes sources)


(*)

Les sections indiques se rfrent au livre

Sedra A.S. and Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 2010
(**) Certaines parties du cours seront tires des autres sources cites en rfrence. Quelques parties pourraient tre donnes aux tudiants sous forme de documents photocopis.