.1.2 Generacin de corriente en CA y CD El generador de corriente alterna es un dispositivo que convierte la energa mecnica en energa elctrica.

El generador ms simple consta de una espira rectangular que gira en un campo magntico uniforme. El movimiento de rotacin de las espiras es producido por el movimiento de una turbina accionada por una corriente de agua en una central hidroelctrica, o por un chorro de vapor en una central trmica. En el primer caso, una parte de la energa potencial agua embalsada se transforma en energa elctrica; en el segundo caso, una parte de la energa qumica se transforma en energa elctrica al quemar carbn u otro combustible fsil. Cuando la espira gira, el flujo del campo magntico a travs de la espira cambia con el tiempo. Se produce una fem. Los extremos de la espira se conectan a dos anillos que giran con la espira, tal como se ve en la figura. Las conexiones al circuito externo se hacen mediante escobillas estacionarias en contacto con los anillos. Si conectamos una bombilla al generador veremos que por el filamento de la bombilla circula una corriente que hace que se ponga incandescente, y emite tanta ms luz cuanto mayor sea la velocidad con que gira la espira en el campo magntico. Con este ejemplo, completamos las tres formas que hay de variar con el tiempo el flujo de un campo magntico a travs de una espira, F =BS, como producto escalar de dos vectores, el vector campo B y el vector superficie S. Generacin de corriente directa El papel mas importante que desempea el generador de cd es alimentar de electricidad el motor de cd. En esencia, Produce corriente libre de rizo y un voltaje fijo de manera muy precisa a cualquier valor deseado desde cero hasta el valor mximo nominal; esta es en realidad una corriente elctrica de cd que permite la mejor conmutacin posible en el motor, porque carece de las formas de ondas bruscas de energa de cd de los rectificadores. El generador tiene una respuesta excelente y es particularmente apropiado para el control preciso de salida por reguladores de retroalimentacin de control, adems de estar bien adaptado para producir corriente de excitacin de respuesta y controlada en forma precisa tanto para maquinas de ca como de cd. El motor de cd juega un papel de importancia creciente en la industria moderna porque puede operar a cualquier velocidad desde cero hasta su mxima de rgimen y mantenerla hay de forma muy precisa. Por ejemplo, Los trenes de laminacin de acero que son de alta velocidad y de varias etapas, no serian posibles sin los motores de cd. Cada etapa debe mantenerse precisamente a una velocidad exacta, que es mayor que la etapa precedente, para adaptarse a la reduccin del grosor del acero en esa etapa y mantener el voltaje correcto en el acero entre etapas.

INSTITUTO TECNOLGICO DE CERRO AZUL RESUMEN Catedrtico: Salvador Zamora Garza Alumno: Leonilo Herver Rubio Principios elctricos y aplicaciones digitales

UNIDAD I: ELECTRNICA ANALGICA 1.1 Corriente alterna y corriente directa Corriente elctrica Es un flujo ordenado de electrones que atraviesa un material movindose en una misma direccin conforme saltan de un tomo a otro tomo. Para lograr este movimiento de electrones, es necesaria una diferencia de potencial elctrico, generada habitualmente por una fuente de tensin. Corriente directa La corriente directa (CD) o corriente continua (CC) es aquella cuyas cargas elctricas o electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito elctrico cerrado, movindose del polo negativo hacia el polo positivo de una fuente de fuerza electromotriz (FEM), tal como ocurre en las bateras, las dinamos o en cualquier otra fuente generadora de ese tipo de corriente elctrica. Aunque comnmente se identifica la corriente contina con la corriente constante (por ejemplo la suministrada por una batera), es corriente continua toda aquella que mantenga siempre la misma polaridad. Corriente Alterna Corriente elctrica en la que la magnitud y el sentido varan cclicamente. Se denomina corriente alterna (abreviada CA en espaol y AC en ingls, de Alternating Current) a la corriente elctrica en la que la magnitud y direccin varan cclicamente. La forma de onda de la corriente alterna ms comnmente utilizada es la de una onda senoidal, puesto que se consigue una transmisin ms eficiente de la energa. Sin embargo, en ciertas aplicaciones se utilizan otras formas de onda peridicas, tales como la triangular o la cuadrada.

Utilizada genricamente, la CA se refiere a la forma en la cual la electricidad llega a los hogares y a las empresas. Sin embargo, las seales de audio y de radiotransmitidas por los cables elctricos, son tambin ejemplos de corriente alterna. En estos usos, el fin ms importante suele ser la transmisin y recuperacin de la informacin codificada (o modulada) sobre la seal de la CA. La corriente alterna se basa en una seal de entrada de tensin variante. Lo ms habitual es una seal senoidal (o cosenoidal) puesto que consigue una transmisin ms eficiente de la energa seales trianguladas o cuadradas. 1.1.1 Caractersticas Corriente Continua: Sus electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito elctri co cerrado Se mueven del polo negativo al polo positivo de una fuente de fuerza electromotriz tal como ocurre en las bateras Al final del circuito debe haber 0V Mantiene siempre la misma polaridad Las cargas fluyen en el mismo sentido Genera energa elctrica Corriente Alterna: La magnitud y la direccin varan cclicamente La CA se refiere a la forma en la cual la electricidad llega a los hogares y empresas Las seales de audio y radiotransmitidas de los cables elctricos, son tambin ejemplos de CA Se basa en una seal de entrada de tensin variante Las polaridades se invierten tantas veces como ciclos por segundo o Hertz

1.1.2 Generacin de corriente en CA y CD El generador de corriente alterna es un dispositivo que convierte la energa mecnica en energa elctrica. El generador ms simple consta de una espira rectangular que gira en un campo magntico uniforme. El movimiento de rotacin de las espiras es producido por el movimiento de una turbina accionada por una corriente de agua en una central h idroelctrica, o por un chorro de vapor en una central trmica. En el primer caso, una parte de la energa potencial agua embalsada se transforma en energa elctrica; en el segundo caso, una parte de la energa qumica se transforma en energa elctrica a l quemar carbn u otro combustible fsil. Cuando la espira gira, el flujo del campo magntico a travs de la espira cambia con el tiempo. Se produce una fem. Los extremos de la espira se conectan a dos anillos que giran con la espira, tal como se ve en la figura. Las conexiones al circuito externo se hacen mediante escobillas estacionarias en contacto con los anillos. Si conectamos una bombilla al generador veremos que por el filamento de la bombilla circula una corriente que hace que se ponga incandescen te, y emite tanta ms luz cuanto mayor sea la velocidad con que gira la espira en el campo magntico. El electroimn genera un fuerte electromagntico entre sus polos. campo Al girar el alambre en el interior de campo electromagntico se genera un flujo de electrones, una corriente elctrica Al dar media vuelta completa a la bobina, el flujo de electrones se invierte obteniendo una corriente alterna.

Planta Nucleoelctrica Celdas Solares Planta Elica Planta Hidroelctrica

1.2 Dispositivos pasivos Un elemento pasivo es aquel que no es capaz de entregar potencia al circuito en el cual est conectado. Los elementos pasivos son: - Resistencia o resistor - Condensador o capacitor - Bobina o inductor 1.2.1 Caractersticas Dentro de las caractersticas generales que tienen los elementos pasivos se encuentran: - Tienen un par de terminales. - No pueden ser subdivididos en otros elementos simples. - Tienen una relacin nica de voltaje y corriente en sus terminales la cual los caracterizan. - Son los elementos que absorben o consumen energa, - La potencia es positiva. 1.2.2 Tcnicas de solucin en circuitos RLC Existen diferentes tcnicas de solucin para los circuitos RLC, para darle solucin a este tipo de circuitos, es necesario estudiar la ley de Ohm y las leyes de Kirchoff. La ley de Ohm, relaciona al voltaje con la corriente elctrica y la resistencia, las leyes de Kirchoff son necesarias para analizar circuitos ms complejos donde presentan n mallas y k nodos.

Ley de Ohm George Simon Ohm, descubri en 1827 que la corriente en un circuito de corriente continua vara directamente proporcional con la diferencia de potencial, e inversamente proporcional con la resistencia del circuito. La ley de Ohm, establece que la corriente elctrica (I) en un conductor o circuito, es igual a la diferencia de potencial (V) sobre el conductor (o circuito), dividido por la resistencia (R) que opone al paso, l mismo. La ley de Ohm se aplica a la totalidad de un circuito o a una parte o conductor del mismo. Anlisis por las leyes de Kirchoff. Para poder realizar un anlisis por las dos leyes de Kirchoff , es necesario conocer los siguientes conceptos, en los cuales se basan: Nodo. Un punto de conexin de dos o ms elementos de circuito se denomina nodo, junto con todo el cable o alambre de los elementos. Rama. Seccin que une a un elemento a 2 nodos. Malla. Conjunto de ramas que describen una trayectoria cerrada 1.- Ley de corriente de Kirchoff (LCK) Esta ley tambin es llamada ley de nodos o primera ley de Kirchoff y es comn que se use la sigla LCK para referirse a esta ley. La ley de corrientes de Kirchoff nos dice que: En cualquier nodo, y la suma de todos los nodos y la suma de las corrientes que entran en ese nodo es igual a la suma de las corrientes que salen. De igual forma, La suma algebraica de todas las corrientes que pasan por el nodo es i gual a cero

2.- Ley de voltaje de Kirchoff (LCV) Esta ley es llamada tambin Segunda ley de Kirchoff, ley de lazos de Kirchoff o ley de mallas de Kirchoff y es comn que se use la sigla LVK para referirse a esta ley. En toda malla la suma de todas las cadas de tensin es igual a la tensin total suministrada. De forma equivalente, En toda malla la suma algebraica de las diferencias de potencial elctrico es igual a cero. 1.2.3 Aplicaciones Dentro de las aplicaciones que se pueden realizar con los dispositivos pasivos, es la creacin de filtros pasivos, estos sern los que atenuarn la seal en mayor o menor grado; Se implementan con componentes pasivos como condensadores, bobinas y resistencias. Cabe mencionar que todos los circuitos que se encuent ran en el mercado, cuentan con estos componentes, los cuales son imprescindibles para el desarrollo de la tecnologa que se tiene hasta el momento . 1.3 Dispositivos Activos La gran diferencia que existe entre los dispositivos pasivos y los activos, es que en el caso de los pasivos son aquellos que reciben energa y los activos son los que generan energa, generalmente los dispositivos activos, estn compuestos de la unin de varios elementos pasivos, a los dispositivos activos los podemos clasificar: Fuentes Independientes de Corriente: Mantienen una corriente especfica Independientemente del voltaje a travs de sus terminales. Fuentes Independientes de Voltaje:

 Mantienen un voltaje especfico independientemente de la corriente que pase por sus terminales. Fuentes Dependientes: Su salida depende de algn voltaje o corriente de alguna parte del circuito. 1.3.1 Caractersticas de semiconductores Algunos materiales de estructura cristalina tienen caractersticas elctricas intermedias entre los materiales conductores y los aislantes, las que en condiciones ordinarias pueden presentar propiedades correspondientes a uno u otro grupo, y se les conoce con el nombre de materiales semiconductores. Inicialmente los semiconductores se definieron como materiales peor conductor que los metales, pero mejor que los aislantes. Ms tarde fueron definidos como materiales cuya conductividad aumenta con la temperatura. Posteriormente se los defini como conductores electrnicos cuyo nmero de electrones libres vara con la temperatura. Conductividad elctrica. Es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, y es una de sus propiedades fsicas ms importantes de los semiconductores. En estos m ateriales es posible incrementar el nivel de la conductividad en su estructura molecular mediante: - Aumento de la temperatura, - Incremento de la radiacin de la luz, o - Integrando impurezas Estos cambios originan un aumento del nmero de electrone s o huecos liberados, los que se encargan de transportar la energa elctrica. Banda Prohibida. Es la banda de energa que separa la banda de valencia de la banda de conduccin, y es una caracterstica propia de cada material.

Caracterstica voltaje-corriente. Al elevar el voltaje aplicado al semiconductor la corriente aumenta considerablemente ms rpido que el voltaje, observndose una relacin no lineal entre la corriente y el voltaje. Y al invertir el voltaje la relacin entre la corriente y el voltaje es similar, por lo que los semiconductores tienen una caracterstica voltaje-corriente simtrica. Movilidad de los portadores. La movilidad de los portadores de la corriente es la relacin entre la velocidad de movimiento dirigido de electrones o huecos y la intensidad del campo elctrico, igual a 1 V/cm. 1.3.1.1 Estructura elctrica del Silicio Es el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido, esto debido a que despus del oxigeno es el elemento ms abundante en la superficie terrestre (27,7% en peso). El silicio, a diferencia del carbono, no existe en forma libre en la naturaleza, se encuentra en forma de dixido de silicio (slice) y de silicatos complejos. Slice: arena, cuarzo, amatista, gata, pedernal y palo, Silicatos complejos: granito, feldespato, arcilla, y mica. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:

a. Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. b. Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. c. Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. d. Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica. 1.3.1.2 Estructura elctrica del Germanio El germanio es un metal frgil, de color agrisado, muy brillante, en alguna de sus propiedades se parece al carbn y en otras al estao. El germanio se encuentra muy distribuido en la corteza terrestre con una abundancia de 6.7 partes por milln (ppm). El germanio se halla como sulfuro o est asociado a los sulfuros minerales de otros elementos, como el cobre, zinc, plomo, estao y antimonio. Tambin se lo obtiene de las cenizas de carbn. El primer dispositivo de estado slido, fue hecho de germanio. Los cristales especiales de germanio se usan como sustrato para el crecimiento en fase vapor de pelculas finas de GaAs y GaAsP en algunos diodos emisores de luz. Se emplean lentes y filtros de germanio en aparatos que operan en la regin infrarroja del espec tro. Mercurio y cobre impregnados de germanio son utilizados en detectores infrarrojos. 1.3.1.3 Materiales del tipo N y tipo P Un semiconductor se puede dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados. Los semiconductores tipo N y tipo P

Semiconductor tipo N EI silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo N, donde n hace referencia a negativo. En la Figura 39 se muestra un semiconductor tipo n. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo N, reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. Semiconductor tipo P El silicio ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo P, donde la p hace referencia a positivo. La Figura 41 representa a un semiconductor tipo P. Como l nmero d huecos supera al nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la Figura 42, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se re combinan con los electrones libres del circuito externo. En el diagrama de la Figura 43 hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito. 1.3.2 Dispositivos semiconductores Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo N y la otra mitad de tipo P, esa unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos". El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado. El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un circulo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco). La unin de las regiones p y n ser como se observa en la figura 44. Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin PN".

Unin PN polarizada en directo Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N, la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica. Unin PN polarizada en inverso Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta de una forma asimtrica respecto de la conduccin elctrica; dependiendo del sentido de la conexin, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso). 1.3.2.1 Diodos Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio. El diodo al no ser polarizado tiene las siguientes caractersticas. 1. Zona de deplexin 2.- Barrera potencial

1.3.2.1.1 LED El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros. Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del semiconductor. Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio. Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs. Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indica doras comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio comn.

1.3.2.1.2 Rectificadores Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn. Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la m xima que este va a soportar.

1.3.2.1.3 Zener El diodo zener es un tipo especial de diodo, que a diferencia del funcionamiento de los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa) siempre se utiliza polarizado inversamente. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales una tensin de valor constante. Tericamente no se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofa de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensin entre sus terminales (tensin zener, VZ). Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con los siguientes: VZ: Tensin de zener , IZM: Corriente mxima en inversa. El zen er es un dispositivo de tres estados operativos: Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal. Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal. Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante V (igual a VZ), con una corriente entre 0 y IZM. Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada corriente de saturacin Is, esta corriente permanece relativamente constante mientras aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada tensin Zener (que no es la tensin de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha. En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de corriente inversa. Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.

1.3.2.2 Transistores El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples aplicaciones fue posible gracias a la invencin del transistor, ya que este super ampliamente las dificultades que presentaban sus antecesores, las vlvulas. En efecto, las vlvulas, inventadas a principios del siglo XX, haban sido aplicadas exitosamente en telefona como amplificadores y posteriormente popularizadas en radios y televisores. Sin embargo, presentaban inconvenientes que tornaban impracticables algunas de las aplicaciones. Los transistores, desarrollados en 1947 por los fsicos W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino que, junto con otras invenciones como la de los circuitos integrados potenciaran el desarrollo de las computadoras. La palabra transistor es el resultado de la unin y contraccin de dos expresiones del idioma ingls, transference resistor que de alguna forma hacen mencin de las caractersticas de dicho componente. Su desempeo es fundamentalmente el de una resistencia de transferencia controlada por voltaje. 1.3.2.2.1 Bipolares Los transistores estn constituidos por tres partes esenciales; se trata de un arreglo de tres capas de material semiconductor: dos de un tipo de material a los lados de otra del material complementario. Existen dos versiones principales de transistores, por el material que los constituye: N P N, y P N P; cada una de las capas de material con caractersticas muy distintas a las otra dos. Las diferencias son en dopado, tamao y forma. Podemos visualizar a los transistores como dispositivos constituidos por dos diodos encontrados, o pudiramos decir opuestos. Cabe aclarar que un transistor no se puede sustituir con dos diodos encontrados u opuestos; la razn es que el mejor desempeo de un transistor se logra cuando la base es muy delgada, y los efectos que se obtienen de esta manera no se logran con dos diodos encontrados que se comportan en forma independiente como diodos, y no como lo hace la doble unin del verdadero transistor.

Adems, se descubri que el tamao idneo de los bloques que formen al transistor deben tener dimensiones muy especiales, cosa que no permite tener el arreglo de dos diodos independientes, las dimensiones de los bloques emisor y colector son comparablem ente ms gruesos que el de la base, y el colector un poco ms grande que el emisor.

1.3.2.2.2 FET Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Explicacin de la combinacin de portadores. Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicial mente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres. Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.

Explicacin de sus elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p -n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar. Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

1.3.2.2.3 MOSFET MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS . Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los procesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje: Las reas de difusin se denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta (gate). Las aplicaciones de MOSFET ms comunes son: La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, P MOS, N-MOS Y C-MOS, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanos amperios. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

http://www.buenastareas.com/ensayos/Unidad-1-Electr%C3%B3nicaAnal%C3%B3gica/7395685.html

1.3.2.3 Tiristores Los tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrnica de Potencia. Son sin duda los dispositivos electrnicos que permiten alcanzar potencias ms altas, son dispositivos realmente robustos. En 1956 se desarrollo el primer Tiristor Bell Telephoned Laboratory. Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR). El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo pued e ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin). 1.3.2.3.1. SCR El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN. Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto meno r se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez

activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede

retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn. 1.3.2.3.2. SCS Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS (Silicon Controlled Switch) se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR. El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores. En ella se observa que mantiene la estructura de un tiristor convencional, al que se ha aadido una puerta adicional conectada a P2. Su funcionamiento es muy similar al de un tiristor convencional, pero con las siguientes diferencias: Permite su disparo mediante un impulso de corriente negativa (saliente) en el terminal de puerta G2. Permite su bloqueo (apagado) mediante un impulso de corriente de puerta positiva (entrante) en G2.

1.3.2.3.3. DIAC Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos. La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del DIAC, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas. Podemos decir que es un interruptor que se cierra por tensin (Tensin de ruptura) y permanece cerrado hasta que la corriente por el pase por cero (corriente de mantenimiento).

1.3.2.3.4 TRIAC Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH. 1.3.3 Tcnicas de diseo con semiconductores Las tcnicas de diseo de los semiconductores se abordaron en la seccin del diseo de los materiales N y P. 1.3.4. Aplicaciones con semiconductores A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores conocidos tambin como dispositivos de estado slido remplazaron los tubos electrnicos de la industria tradicional. Por la enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una mucha mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el almacenamiento de informacin, etc. Desde el punto de vista de su forma de operac in, el dispositivo semiconductor ms simple y fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento.

1.3.4.1 Rectificadores Uno de los usos ms importantes de estos diodos de unin p -n es convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como rectificacin. Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son aprovechados. Rectificador de media onda El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda, constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga. 1.3.4.2 Amplificadores El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dat o propio de cada transistor. Entonces: Ic (corriente que pasa por el colector) es igual a (factor de amplificacin) por IB (corriente que pasa por la base). IE (corriente que pasa por el emisor) es del mismo valor que IC, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente IB cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura a), En el segundo grfico las corrientes de base (IB) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta. 1.3.4.3 Conmutadores Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base deb e tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual al voltaje de alimentacin). Ver la zona verde en la figura anterior. Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en azul en el grfico Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor an, cero. Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se est operando entre encendido y apagado (funcionamiento de interruptor) Si se conoce cul es la corriente que necesita la carga para activarse, se tiene el valor de corriente que habr de conducir el transistor cuando este en saturacin y con el valor de la fuente de alimentacin del circuito, se puede obtener la recta de carga. Ver grfico

1.3.4.4 Fuentes de voltaje Todo dispositivo que crea una diferencia de potencial se conoce como una fuente de voltaje. Las celdas o pilas secas, las pilas hmedas y los g eneradores son capaces de mantener un flujo constante. En las pilas secas y en las hmedas la energa que se desprende de una reaccin qumica que se lleva a cabo dentro de la pila se transforma en energa elctrica. Los generadores por su parte convierten energa mecnica en energa elctrica. La energa potencial elctrica, sea cual sea el mtodo empleado en su produccin, est disponible en las terminales de la pila o generador. La energa potencial por coulomb de carga disponible para los electrones que se desplazan entre las terminales es el voltaje (llamado a veces fuerza electromotriz, o fem). El voltaje proporciona la presin elctrica necesaria para desplazar los electrones entre las terminales de un circuito. Fuentes ideales del voltaje FUENTES INDEPENDIENTES: Sus caractersticas no dependen de ninguna otra variable de red, aunque pueden variar con el tiempo Existe solamente en modelos matemticos de circuitos. FUENTES DEPENDIENTES O CONTROLADAS: Cuando el voltaje a travs de una fuente ideal del voltaje es determinado por otro voltaje o corriente en un circuito, se llama dependiente o fuente controlada del voltaje. 1.4 Amplificadores operacionales El Amplificador Operacional como CI, introducido por el fabricante Fairchild en 1968 (A741), se convirti en el estndar de la industria. El Amplificador Operacional es un amplificador de voltaje con ganancia de voltaje extremadamente alta. Mientras ms elevada sea la ganancia, es mejor, ya que un Amp. Op. Ideal tendra una ganancia infinitamente grande. -741, ganancia tpica 200x103 (200 V/mV) -77, ganancia tpica 12x106 (12 V/V) La figura muestra el smbolo y el circuito equivalente del Amplificador Operacional. Los parmetros de Lazo Abierto estn dados como: : resistencia diferencial de entrada. Para el AO-741, rd= 2 M , ro= 75 , a= 200 V/mV.

1.4.1 Configuraciones Existen diferentes configuraciones que se pueden realizar con los amplifica dores operacionales, las configuraciones ms bsicas son dos, que a partir de ellas surgen configuraciones ms complejas, estas son el amplificador inversor y el no inversor, que a continuacin se analizaran. Amplificador no inversor. 1.4.1.1 Seguidor unitario Si se hace R1 = y R2 = 0, en el amplificador No Inversor, se convierte en el amplificador de ganancia unitaria, o seguidor de voltaje. Su principal aplicacin es como acople de Impedancia, puesto que en la entrada se presenta como un circuito abierto y en la salida se ve un cortocircuito hacia una fuente de valor vo= vI.

1.4.1.2 Comparador En un circuito electrnico, se llama comparador a un amplificador operacional en lazo abierto (sin realimentacin entre su salida y su entrada) y suele usarse para comparar una tensin variable con otra tensin fija que se utiliza como referencia. 1.4.1.3 Sumador El Amplificador Sumador puede tener varias Entradas y una Salida.

1.4.1.4 Restador El Amplificador de Diferencias tiene Dos entradas y una Salida. Es posible encontrar el voltaje de salida, vo, por medio del principio de Superposicin como: 1.4.1.5 Diferenciador En la salida (V0) se obtiene la derivada de la seal de entrada (vi), r especto al tiempo, multiplicada por una constante. El circuito se basa en un inversor, en el que R1 se ha sustituido por un condensador. La relacin entrada -salida del circuito diferenciador se obtiene haciendo iC = iR, as: El circuito produce una salida que es proporcional a la derivada del tiempo de la entrada. La constante de proporcionalidad est dada por R y C.

1.4.1.6 Integrador La salida es el producto de una constante por la integral de la seal de entrada. La relacin entrada-salida del circuito Integrador se obtiene haciendo iR = iC , as: 1.4.1.7 Amplificador logartmico. Su salida es no lineal, es proporcional al logarit mo neperiano de la seal de entrada. Se basa en la relacin exponencial existente entre la corriente y la tensin en una unin PN 1.4.1.8 Multiplicador Para poder construir un multiplicador hay que basarse en las propiedades de los logaritmos.

1.4.1.9 Divisor 1.4.2 Aplicaciones Las aplicaciones que pueden tener los amplificadores operacionales son bastas, como ya se analizo en sus configuraciones, a dems de estas, se pueden construir, convertidores de corriente-voltaje y viceversa, convertidores de frecuencia- voltaje y viceversa, filtros pasa bajas, filtro pasa altas, limitadores y rectificadores de media onda, osciladores de relajacin, convertidor anlogo digital y digital a anlogo, entre otros dispositivos

http://www.slideshare.net/danniq02/electrnica-analgica-18138984