Conductores, Aislantes y Semiconductores.

Para facilitar la comprensin de este punto, el de los aislantes, conductores y semiconductores, vamos a describir la Energa de Fermi, y nos ayudaremos de un diagrama de bandas de energa. La Energa de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema cuntico a temperatura cero. Un conductor debe tener cargas libres, para que estas al moverse, generen una corriente elctrica, estas cargas libres son los conductores, y en que en un material sea mejor o peor conductor, tambin influye la temperatura, pues a una alta temperatura se le da ms energa al material, y esto energa permite que ya haya ms cargas libres ocupando ms estados. Diagrama de Estados de Energa:

Metales: Un conductor se caracteriza porque no existe la banda prohibida entre la banda de conduccin y la banda de valencia. Estas dos bandas son contiguas o se superponen. Por este motivo los electrones requieren poca energa para pasar de Bv a Bc, Al aplicar un campo elctrico o aumentar la temperatura del conductor los electrones adquieren la suficiente energa para pasar a la banda de conduccin. Se deduce que el nivel de Fermi est en la banda de conduccin. Por otro lado, un aumente de la temperatura para facilitar el salto de los electrones y, por tanto, aumentar la conductividad, tambin produce un incremente en la agitacin trmica de tomos y electrones aumentando los choques entre stos, y, por tanto, aumentando la resistividad del material.

En general un buen conductor se caracteriza por poseer una densidad alta de portadores de carga y muchos niveles ocupados en la banda de conduccin. Aisladores o dielctricos:

Se caracterizan porque a 0 K tienen la banda de valencia completamente llena mientras que la de conduccin est vaca y, adems, la banda prohibida tiene un ancho de aproximadamente, 10 eV. A temperatura ambiente, la energa extra de origen trmico que poseen los electrones de valencia es del orden de 0,03 eV, por lo que no tiene la energa suficiente para saltar a la banda de conduccin. Como resultad, se concluye que existen pocos electrones excitados ocupando los niveles de Bc. La energa de Fermi se encuentra en medio de la banda prohibida. Un aislador se caracteriza por una densidad casi nula de portadores de carga y una banda de conduccin vaca. Semiconductores: Estn caracterizados por una banda prohibida, Bg, muy estrecha, del orden de 1 eV. A una temperatura de 0 K, todos los electrones que ocupan los niveles ms altos de energa, se encuentran en la banda de valencia. Por tanto, a 0 K la banda de valencia est llena y la banda de conduccin est vaca. Como una banda llena no contribuye al mecanismo de conduccin (y una vaca tampoco), los semiconductores se comportan como un aislante en el cero absoluto. Al aumentar la temperatura, los electrones adquieren energa trmica y ayudados por la energa que puede proporcionarles un campo elctrico, adquieren la siguiente energa para saltar a la banda de conduccin y aumentar la densidad d portadores de carga. Se deduce que la energa de Fermi se encuentra en medio de la banda prohibida. Adems, la conductividad en los semiconductores depende en gran medida de la temperatura y aumenta rpidamente con T (Al revs que en los metales donde un aumento de la temperatura resulta un aumento de la resistividad.)

En resumen, un semiconductor se caracteriza por una densidad intermedia de portadores de carga y una banda prohibida estrecha. La conductividad del semiconductor aumenta si se le proporciona la suficiente energa por cualquier mtodo, de tal forma que los electrones de la banda de valencia salten a la banda de conduccin.

Fsica del estado slido

La fsica del estado slido, es la rama de la fsica de la materia condensada que trata sobre el estudio de los slidos, es decir, la materia rgida o semirgida. Estudia las propiedades fsicas de los materiales slidos utilizando disciplinas tales como la mecnica cuntica, la cristalografa, el electromagnetismo y la metalurgia fsica. Forma la base terica de la ciencia de materiales y su desarrollo ha sido fundamental en el campo de las aplicaciones tecnolgicas de microelectrnica al posibilitar el desarrollo de transistores y materiales semiconductores.* La mayor parte de la investigacin en la teora de la fsica de estado slido se centra en los cristales, en gran parte porque la periodicidad de los tomos en un cristal, su caracterstica definitoria, facilita el modelado matemtico, y tambin porque los materiales cristalinos tienen a menudo caractersticas elctricas, magnticas, pticas, o mecnicas que pueden ser explotadas para los propsitos de la ingeniera. El marco de la mayora de la teora en la fsica de estado slido es la anlisis es el teorema de Bloch, que caracteriza las funciones de onda de electrones en un potencial peridico. Puesto que el

teorema de Bloch se aplica solamente a los potenciales peridicos, y puesto que los incesantes movimientos al azar de los tomos en un cristal interrumpen la periodicidad, este uso del teorema de Bloch es solamente una aproximacin, pero ha demostrado ser una aproximacin enormemente valiosa, sin la cual la mayora del anlisis de la fsica de estado slido seran insuperables. Las desviaciones de la periodicidad son tratadas por la teora de perturbaciones de la mecnica cuntica.

Cuerpos solidos
Los cuerpos slidos estn formados por tomos densamente empaquetados con intensas fuerzas de interaccin entre ellos. Los efectos de interaccin son responsables de las propiedades mecnicas, trmicas, elctricas, magnticas y pticas de los slidos. Una caracterstica importante de la mayora de los slidos es su estructura cristalina. Los tomos estn distribuidos en posiciones regulares que se repiten regularmente de manera geomtrica. La distribucin especfica de los tomos puede deberse a una variada gama de fuerzas. Por ejemplo, algunos slidos como el cloruro de sodio o sal comn se mantienen unidos por enlaces inicos debidos a la interaccin electrosttica entre los iones que componen el material. En otros, como el diamante, los tomos comparten electrones, lo que da lugar a los llamados enlaces covalentes. Las sustancias inertes, como el nen, no presentan ninguno de esos enlaces. Su existencia es el resultado de unas fuerzas de atraccin conocidas como fuerzas de Van der Waals, as llamadas en honor al fsico holands Johannes Diderik van der Waals. Estas fuerzas aparecen entre tomos neutros o molculas como resultado de la polarizacin elctrica. Los metales, se mantienen unidos por lo que se conoce como gas electrnico, formado por electrones libres de la capa atmica externa compartidos por todos los tomos del metal y que definen la mayora de sus propiedades. tambin presenta caractersticas del estado slido tales como:

Estructura Cristalina[editar editar cdigo]

La Fsica del estado slido constituye una parte importante de la Fsica Cuntica. Con su ayuda podemos comprender las propiedades mecnicas, trmicas, elctrico-magnticas y pticas propias de los slidos. La existencia de la materia en un estado u otro depende de las condiciones de presin y temperatura en las que se formaron. De la misma forma, estos parmetros condicionan la formacin de la estructura interna del slido. Cada elemento tiene sus propias curvas de cambio de fase, de manera que dependiendo del elemento se necesitarn unas condiciones u otras para la formacin del slido o para realizar

cualquier otro cambio de fase. Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna en la materia y su distribucin en la misma podemos distinguir entre:

Monocristal: Presenta una fuerte interaccin entre sus componentes los cuales describen una mnima oscilacin con poca energa potencial. Las partculas estn dispuestas de acuerdo a un orden en el espacio que est determinado de acuerdo con una red estructural formada por la "recreacin" geomtrica de la celdilla unidad en toda la estructura del slido. Presentan lo que se conoce como Anisotropa.

Policristal: Est compuesto por diversas regiones en las que individualmente se recrea un monocristal aunque las disposiciones de cada una de estas regiones no son simtricas entre s. Presenta lo que se llama Isotropa estadstica.

Amorfos: No presentan una estructura o distribucin en el espacio, lo cual los determina como una estructura espacial tridimensional no definida. No se trata de una estructura cristalina.

Formas y propiedades del cristal.

En rigor, esta clasificacin slo es aplicable a sustancias puras. En un modelo de slido en el que los tomos estn conectados entre s mediante una especie de "muelles" (los cuales representaran la energa potencial que los une), la energa interna del slido se compone de energa potencial elstica y energa cintica de sus tomos. La presin es una medida del grado de compresin de sus tomos y la temperatura una medida de la energa cintica interna del conjunto de los mismos. Esto nos permite determinar que de acuerdo con las

caractersticas externas del medio en que se encuentre, permitirn al elemento en cuestin poder adoptar un estado u otro e incluso formar o no una estructura cristalina. Sin embargo la formacin de una estructura cristalina no es un proceso fijo en un mismo elemento, ya que incluso tratndose as las condiciones de formacin del slido podran determinar dos estructuras cristalinas diferentes para un mismo elemento, la cul otorga las propiedades tanto fsicas y elctricas como pticas al nuevo slido formado. Por ejemplo, el carbono puede cristalizar en grafito en determinadas condiciones y en otras cristaliza en el diamante, sin duda las caractersticas de uno frente a otro difieren bastante para tratarse en ambos casos de carbono cristalizado. Este proceso no slo es dependiente de la presin y la temperatura en s mismos, sino tambin del tiempo aplicado en cada uno de dichos factores. De esta forma se sabe que la formacin de cristales requiere un calentamiento del material a alta temperatura, aproximadamente 200 C, lo que se conoce como temperatura de cristalizacin, a partir de la cual el elemento se funde para posteriormente, despus de un tiempo lo suficientemente largo, cristalice. Al aadir temperatura al material, realmente le estamos damos energa, permitiendo que las partculas que lo componen oscilen a mayor velocidad con una mayor energa trmica, logrando que se funda(cambie al estado lquido). Luego mediante un enfriamiento lento conseguimos dar tiempo a las partculas que, de forma natural, tienden a retomar una forma geomtrica y ordenada en la red interna consiguiendo as que se forme un cristal. De igual forma, si repetimos el proceso pero aplicando un tiempo de enfriamiento demasiado corto impedimos que las partculas pueda "re-colocarse" en una red cristalina homognea haciendo as que la solidificacin de lugar a un amorfo. El policristal es el caso ms tpico de los que puedan encontrarse en la naturaleza, ya que un monocristal es un caso que rara vez se da. Un cristal posee diferentes zonas que no pueden homogeneizarse entre si, pero se puede hacer que sean como monocristales individuales en cada una de sus regiones. Siguiendo el ejemplo del carbono, la cualidad de que un mismo elemento pueda cristalizar en diferentes formas nos lleva al hecho de que es la red cristalina que forman la que determina sus propiedades. En la naturaleza existen 14 tipos de redes cristalinas (otras ms complejas son combinaciones de estas ms simples) que son conocidas como Redes de Bravais. Estas redes son organizaciones geomtricas tridimensionales en el espacio caractersticas de las partculas del slido. As pueden estudiarse las distribuciones en la red de los elementos. Por ejemplo: El fsforo(P) cristaliza en una estructura cbica, el hierro (Fe) en una bcc ("Body Center Cubic") y la plata (Ag) en una fcc ("Face Center Cubic"). Otros cristalizan en redes compuestas como por ejemplo los elementos del grupo IV(C, Si, Ge...) o del III de la tabla

peridica que lo hacen en una estructura de tipo diamante, que es la combinacin de dos redes fcc con una distancia interatmica de 1/4 de la diagonal.

Representacin de una celdilla en la disposicin geomtrica de sus partculas.

Segn cada una de estas distribuciones, cada una de las partculas situadas en los nodos de la estructura, contribuye en una parte a la formacin del nmero de tomos contenido en su interior. Se trata del nmero de partculas por celdilla elemental que puede obtenerse como:

Siendo "nv" el nmero de partculas en los vrtices, "ni" en el interior y "nf" en las caras del tetraedro. Debido a que muchos de los compuestos elementales presentan simetra esfrica podemos visualizarlas considerando stas comoempaquetamientos espaciales de esferas rgidas. Partiendo de esta idea, podemos determinar la llamada Fraccin de Empaquetamientoque nos proporciona una medida de lo "llena" que est la estructura reticular:

Para observar la estructura interna que posee un cristal generalmente puede determinarse a partir del anlisis de la difraccin ondulatoria producida cuando los fotones inciden en el cristal. Gracias a estas observaciones W.L.Bragg propuso la conocida Ley de Bragg, que permite ver superficialmente la posicin de los planos que forman los tomos.. Ley de Bragg:

Estas mismas propiedades pertenecientes a los slidos cristalinos y el fundamento de los cambios de fase es el utilizado en el proceso de grabacin de CD-RW y DVD-RW mediante cambios en la estructura cristalina, haciendo zonas amorfas o policristalinas, segn los datos (bits) que se desean grabar. Otras propiedades y teoras estn relacionadas con la fsica de los cristales como las bandas

de energas o los modelos que explican las propiedades elctricas de conductores metlicos y semiconductores. Vase tambin: Teora de bandas

Modelo de bandas energticas[editar editar cdigo]

El comportamiento de los electrones est regido por las leyes de la mecnica cuntica, por lo tanto:

Los electrones no pueden tener cualquier nivel de energa: los estados de energa estn cuantificados. A un conjunto de niveles de energa muy cerca entre s se lo denomina banda de energa y se la considera continua.

No todas las bandas se ocupan uniformemente, sino que algunas tienen ms probabilidades de ser ocupadas que otras, incluso hay bandas totalmente desocupadas, o sea que la probabilidad de que un electrn tenga ese nivel de energa es nula o muy cercana a cero.

Vase tambin: Modelo de Kronig-Penney

Modelo simple[editar editar cdigo]

Poner un nombre ms adecuado y hacer el artculo correspondiente. Modelo de los enlaces covalentes?

El modelo de Drude permita explicar el comportamiento como conductor de algunos slidos basndose en la aplicacin de la teora cintica a los electrones en un slido. Sin embargo este modelo era insuficiente a la hora de explicar el comportamiento de otros materiales que hoy da se conocen como semiconductores. En respuesta al modelo de Drude surgi el modelo de bandas energticas, el cual basndose en las distribuciones de los electrones en sus orbitales a modo de regiones discretas, puede explicar el comportamiento de la conductividad en los materiales. Usualmente, se presenta este esquema basado en el modelo atmico de Bohr y el principio de exclusin de Pauli. Supngase una red cristalina formada por tomos de silicio. Cuando los tomos estn aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrn una cierta energa Es y Ep respectivamente (punto A). A medida que disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la interaccin mutua entre los tomos, hasta que ambos orbitales llegan a formar, por la distorsin creada, un sistema electrnico nico. En este momento se tienen 8 orbitales hbridos sp con cuatro electrones y cuatro vacantes (punto B). Si se contina disminuyendo la distancia interatmica hasta la configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los tomos, formndose bandas de energa (punto Z). Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son:

1. Banda de valencia. 4 estados, con 4 electrones. 2. Banda prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energa en el cristal. 3. Banda de conduccin. 4 estados, sin electrones.

Distribucin probabilstica de los electrones en las bandas[editar editar cdigo]

Los electrones no se distribuyen uniformemente en las diferentes bandas, sino que algunas son ms probables a ser ocupadas que otras. La probabilidad de ocupacin de las bandas est dada por la estadstica de Fermi-Dirac, y el parmetro ms importante es la energa de Fermi.

Conductividad elctrica[editar editar cdigo]

La conduccin elctrica en un slido se presenta cuando el mismo tiene parcialmente llena su banda de conduccin. Tambin hay conduccin elctrica cuando la banda de conduccin est vaca y adems sta se traslapa con la banda de valencia.

Semiconductor
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Elemento Grupos

Electrones en la ltima capa

Cd

12

2e

Al, Ga, B, In

13

3e

Si, C, Ge

14

4e

P, As, Sb

15

5e

Se, Te, (S)

16

6e

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Tipos de semiconductores[editar editar cdigo]

Semiconductores intrnsecos[editar editar cdigo]

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el

correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C): ni(Si) = 1.5 1010cm-3 ni(Ge) = 1.73 1013cm-3 Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos[editar editar cdigo]

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.

Semiconductor tipo N[editar editar cdigo]

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el materialdopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P[editar editar cdigo]

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la

excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natura

Dopaje (semiconductores)
Para otros usos de este trmino, vase Dopaje (desambiguacin). En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

Semiconductores de Grupo IV[editar editar cdigo]

Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

Tipos de materiales dopantes[editar editar cdigo]

Tipo N[editar editar cdigo]
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor

original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

Dopaje de tipo N

Tipo P[editar editar cdigo]

Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Dopaje de tipo P

Hueco de electrn
Un hueco de electrn , o simplemente hueco,1 es la ausencia de un electrn en la banda de valencia (ver tambin valencia). Tal banda de valencia estara normalmente completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o casi completa) es caracterstica de los aislantes y de los semiconductores. La nocin de "hueco" en este caso es esencialmente un modo sencillo y til para analizar el movimiento de un gran nmero de electrones, considerando ex profeso a esta ausencia o hueco de electrones como si fuera una partcula elemental o -ms exactamenteuna cuasipartcula. Considerado lo anterior, el hueco de electrn es, junto al electrn, entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente elctrica en los semiconductores. El hueco de electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el electrn pero, contrariamente al electrn, su carga es positiva. Aunque bien corresponde el recalcar que los huecos no son partculas como s lo es -por ejemplo- el electrn, sino la falta de un electrn en un semiconductor; a cada falta de un electrn -entoncesresulta asociada una complementaria carga de signo positivo (+).

Por ejemplo cuando un cristal tetravalente (es decir de 4 valencias) como el muy conocido silicio es dopado con tomos especficos que, como el boro, poseen slo tres electrones en estado devalencia atmica, uno de los cuatro enlaces del silicio queda libre. Es entonces que los electrones adyacentes pueden con cierta facilidad desplazarse y ocupar el lugar que ha quedado libre en el enlace; este fenmeno es llamado entonces hueco. Para un observador externo lo antedicho ser percibido como el "desplazamiento de una carga positiva", sin embargo lo real es que se trata del desplazamiento de electrones en sentido opuesto al ms frecuente. La descripcin figurada de un hueco de electrn como si se tratara de una partcula equiparable al electrn aunque con carga elctrica positiva es en todo caso didcticamente bastante til al permitir describir el comportamiento de estos fenmenos. Otra caracterstica peculiar de los huecos de electrn es que su movilidad resulta ser menor que la de los electrones propiamente dichos; por ejemplo la relacin entre la movilidad de los electrones y la de los huecos(de electrones) tiene un valor aproximado de 2,5-3.

Unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Polarizacin directa de la unin P - N[editar editar cdigo]

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de la unin P - N[editar editar cdigo]

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes

que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, versemiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (versemiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.