Proceso Tecnologico Paneles Fotovoltaicos PDF

TEMA 5: El proceso tecnolgico
Asignatura: Tecnologa de Computadores Grupo: 22M Curso 2004-2005
ndice
5.1.- Fabricacin de obleas y mtodos para la purificacin de materiales. 5.2.- Tcnicas de crecimiento monocristalino. 5.3.- Tcnicas para la creacin de zonas con impurezas controladas. 5.4.- Metalizacin. 5.5.- Otros procesos necesarios en la fabricacin de dispositivos electrnicos.
Consuelo Gonzalo, 2004
El Proceso Tecnolgico
Consiste en una serie de pasos ordenados rigurosamente para la trasferencia del diseo grfico de un chip a una oblea de silicio monoltico o monobloque. Se trata de reproducir los rasgos del diseo: Por fotolitografa Por barrido con haz de iones
El Proceso Tecnolgico
OBTENCION POLICRISTALINO OBTENCION MONOCRISTALINO OBTENCION OBLEAS CRECIMIENT O EPITAXIAL
ELIMINACION DE METAL SOBRANTE
ELIMINACION DE FOTORRESINA Y OXIDO
OXIDACION Y FOTORRESINA
METALIZACION CVD IMPLANTACION DE ION
PREPARACION DE LA MASCARA Y EXPOSICION A RADIACION CREACION DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADA S TESTEO Y CORTE
REVELADO Y GRABADO
EMPAQUETADO
UNION DE ALAMBRES
MANIPULACION Y LIMPIEZA
5.1.-FABRICACIN DE OBLEAS OBTENCIN DE SILICIO INDUSTRIAL 1) SiO2 + 2C (horno elctrico)Si + 2CO 2SiC + SiO23Si + 2CO
5.1.-FABRICACIN DE OBLEAS
OBTENCIN DE SILICIO INDUSTRIAL

Tipo de Si MGS EGS Al 1000 Concentracin de impurezas (ppm) Fe B Cr Mn Ti 2000 44 140 70 160 4 1 1 1 V 100 C 80 0,6
5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS Purificacin por zona flotante de un lingote (Si)

Velocidad de desplazamiento de espira: 2 mm/min. Altura zona fundida: 1,5 mm
5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS
Se obtienen a partir de materiales semiconductores monocristalinos que puedan impurificarse intencionadamente, controlando su conductividad El Silicio (Si) es el material semiconductor ms usado, (6 veces mas que Compuestos III-V y 10 veces mas que el Germanio).

Los monocristales grandes se cortan en obleas (wafers), sobre las que se construyen los C. I.

PROPIEDADES DE LAS OBLEAS O WAFERS: Tamao grande, para que haya un mayor n de chips por oblea. Buena planaridad, que ayuda en las formas pequeas de la fotolitografa. Limpieza, para limitar la introduccin de partculas de polvo en los procesos de fabricacin.

PROPIEDADES DE LAS OBLEAS O WAFERS: Una alta resistividad no dopada (>107 ohm.cm) para tener un buen dispositivo aislante. Baja densidad de dislocaciones, porque afectan a las caractersticas y rendimiento del dispositivo.
Mtodos de obtencin de las obleas: Crecimiento monocristalino de lingotes (fase lquida o fundida). Crecimiento monocristalino de capas finas o epitaxial.
5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS Mtodo Czochralski (o estirado del cristal): Crecimiento monocristalino de lingotes (fase lquida o fundida)

Mtodo Czochralski (o estirado del cristal)
Material Ge GaAs Si
P.F. (C) 937 1237 1420
Material Crisol Grafito Slice Slice
Atmsfera H2 /N2 Arsnico Argon
Velocidad Velocidad estirado rotacin (mm/h) (rpm) 60-120 20-50 20-30 10-30 100-200 10-20
5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL Deposicin (CVD) Qumica de fase Vapor
Epitaxia a partir de Fase Lquida (LPE) Deposicin Qumica en fase vapor de Organometlicos (MOCVD) Epitaxia de Haces Moleculares (MBE) Epitaxia de Haces Qumicos (CBE) Consuelo Gonzalo, 2004
CVD o VPE (con activacin trmica). PECVD (activado por plasma). PCVD (fotoinducido). LCVD (asistido por lser).
5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

Aislantes
xidos Nitruros Oxi Nitruros Vidrios de silicatos
Semiconductores
Elementos III-V II-VI
Conductores
Metales Siliciuros PoliSi dopado
Semiaislantes
SIPOS
Algunos xidos
SuperConductores

Silicio policristalino:
SiH4 (g) + Q Si + 2H2 (g) 600-700
Dixido de Silicio:
SiH4 (g) + 2O2 (g) SiO2 + 2H2O (v) 400-500
Nitruro de Silicio:
3SiH4 (g) + 4NH3 (g) Si3N4 + 12H2 (g) 800-900
5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL Deposicin Qumica de fase Vapor (CVD)
Se obtiene una fase condensada del material a depositar, a partir de una especie gaseosa de distinta composicin qumica. La reaccin qumica tiene lugar sobre o en las cercanas de la superficie, a t y presin variables. Todas las especies que intervienen son voltiles a la t del proceso, excepto el producto deseado.
5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL Deposicin Qumica de fase Vapor (CVD). La temperatura es un factor determinante del crecimiento cristalino
CVD EPITAXIA (VPE): Crecimiento de un cristal sobre otro.

Homoepitaxia Heteroepitaxia
Si homoepitaxial
CVD EPITAXIA (VPE)
Dispositivos bipolares y CMOS
5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS
Tcnicas Difusin Implantacin de ines
5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.
Se establecen los perfiles de difusin requeridos. Dependen de:
Tiempo de difusin. T. Solubilidad de la impureza. Condiciones superficiales (limpieza previa). Perfeccin cristalina del sustrato (conocimiento de dislocaciones, orientacin, resistividad). Predeposicin (200-900C). Penetracin (1200C).
Para una distribucin gausiana:
Fuentes slidas Hidruro de Fsforo: PH3 Anhidrido Fosfrico: P2O5 Oxido Brico: B2O3 Fuentes lquidas Oxicloruro de Fsforo: POCl3 Tribromuro de Boro: BBr3 Procesos en la superficie activa P2O5 + Si < P + SiO2 B2O3 + Si < B + SiO2
Bobina de RF Ventana Acceso B2O3 N2

N2

TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.
Profundidad de difusin Afecta a tamaos y reglas Concentracin superficial Afecta a contactos hmicos Integral del perfil de impurificacin Afecta a la resistividad superf. Perfil en la unin Afecta a la capacidad de la unin Ley de Fick: J=-Dn
J: flujo de partculas/cm2 D: constante de difusin n: concentracin local de impurezas

TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR.

TECNOLOGA DE DIFUSIN DE VAPOR. Factores secundarios de la difusin Implante y drive-in de Iones de Boro
Redistribucin por ionizacin Los iones donadores se repelen entre s y fomentan la redistribucin espontnea
Perfil de una unin (T 32)
Perfil de unin Redistribucin trmica
IMPLANTACIN DE IN. DESCRIPCIN GENERAL:

Fuente de iones Freeman con corrientes >10 mA (slidos, lquidos o gases) Campo electrosttico para extraer iones Sistema de aceleracin Analizador de iones por su masa Sistema de reconocimiento para distribucin de iones sobre el blanco.
IMPLANTACIN DE IN.
EXTENSIN LATERAL
Perfil lateral por ranura ideal y contornos de isoconcentracin para implantacin de B a 70 keV y ranura de 1 m.
IMPLANTACIN DE IN.
EFECTO DE CANALIZACIN (channealing)
Perfil tpico del rango de los iones implantados en una muestra cristalina y amorfa.
IMPLANTACIN DE IN.
APLICACIONES:
Control de voltaje umbral (MOSFET). Regiones drenador y fuente (MOS). Colectores enterrados, emisores y bases dopadas (T. Bipolares).
5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS PROCESO DE TEMPLADO.

Es necesario para reparar el dao en la red y situar los tomos dopantes en lugares sustitucionales en los que sern elctricamente activos. Las caractersticas del templado dependen del tipo de dopante y de la dosis y se resumen con los diagramas isocronos de templado. Cuando la capa superficial es amorfa la recristalizacin tiene lugar por Epitaxia en Fase Slida (SPE). La interfaz amorfa/cristalina se mueve hacia la superficie con una velocidad constante que depende de la t, el dopado y la orientacin del cristal.
5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS PROCESO DE TEMPLADO.

La energa de activacin de SPE para el Si, de 2,3 eV, indica que el proceso involucra ruptura de enlaces en la interfase. La velocidad de recristalizacin de la capa amorfa es fuertemente dependiente de la orientacin (mejor <100>). La presencia de impurezas (O,C, N, Ar) ralentiza o desorganiza la recristalizacin (ruptura o formacin de enlaces). Otras impurezas (B, P, As) aumentan la velocidad de crecimiento, porque las impurezas sustitucionales debilitan enlaces y aumentan la afinidad de los enlaces rotos.
VENTAJAS DE LA IMPLANTACIN DE IN SOBRE LA DIFUSIN: Control de la cantidad de impurezas implantadas Control del perfil Homogeneidad de la oblea Fcil reproduccin Temperatura baja, aunque necesita templado posterior.
Aplicaciones:
Formacin de islas Pozos (tub) ELECTRODO DE PUERTA (polisilicio dopado) Formacin de canal TECNOLOGA SOI (mtodos ELO, FIPOS,
SIMOX, UNIBOND)
5.4.- METALIZACIN
Creacin de zonas conductoras en los circuitos (aluminio, oro y wolframio.
5.4.- METALIZACIN
Mtodos (PVD, Physical Vapor Deposition) para crear la capa conductora son:
Evaporacin: Se evapora el metal con calor y alto vaco, y se condensa en la superficie al enfriarse. Salpicado: Un plasma de Ar bombardea al metal, que se deposita en la superficie.
5.4.- METALIZACIN
Evaporacin por filamento incandescente: El filamento caliente expulsa tomos en fase vapor Se usa corriente contnua Es un mtodo barato El metal se contamina fcilmente No funciona con aleaciones
5.4.- METALIZACIN
Bombardeo por haz electrnico: El calentamiento expulsa tomos del filamento en forma de vapor Alta tasa de depsito Baja contaminacin Funciona continuadamente Puede evaporar aleaciones (Al/Cu) Se producen rayos x
5.4.- METALIZACIN
Calentamiento por RF: Se calienta utilizando una bobina de radio frecuencia No produce ionizacin Calienta el metal, no el recipiente No produce contaminacin el metal
5.6.- METALIZACIN
Sputtering o Salpicado Consiste en el bombardeo con iones Argon a 5001000 eV sobre metal en una cmara de vaco
Metal (ctodo) Oblea (nodo) Electrones Iones Argn Metal
-+
Ar
5.6.- METALIZACIN
DEPOSICIN DE COBRE Tiene un 40% de menor resistencia que otros metales, y sus dispositivos son un 15% mas rpidos. En chips ultra-pequeos es menos vulnerable que el aluminio a la electromigracin, que produce roturas del conductor. Desventajas: Se difunde rpidamente en el Silicio y cambia sus propiedades conductoras. Solucin de IBM con su tecnologa llamada Damascene (orden inverso al tradicional):
5.6.- METALIZACIN
DEPOSICIN DE COBRE El patrn de alambres o vas se obtiene grabando el xido. Deposicin del metal y eliminacin del exceso por pulido. Se deposita un complejo de Cu en poliamida (aislante), para evitar la difusin en Si.
5.6.- METALIZACIN
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LIMPIEZA INICIAL DE LA SUPERFICIE. IMPLANTACIN DE IN EN LA PARTE INFERIOR. LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: OXIDACIN. GRABADO (ETCHING). MANIPULACIN. TESTEO Y CORTE. UNIN DE ALAMBRES. EMPAQUETADO.
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LIMPIEZA INICIAL DE LA SUPERFICIE. Proceso necesario antes de realizar cualquier operacin sobre la superficie de una oblea.
o Limpieza mecnica. o Limpieza con reactivos qumicos:
H2SO4/HNO3: Elimina restos de resinas y otros materiales orgnicos (aceites o grasas). HF: Limpia restos de xido de silicio no deseable inicialmente. NH4OH/H2O2: Permite quitar contaminantes orgnicos y restos de fluoruros. Tambin elimina metales (I y II). HCl/H2O2: Elimina metales pesados por formacin de compuestos complejos solubles
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LIMPIEZA INICIAL DE LA SUPERFICIE.
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
IMPLANTACIN DE IN EN LA PARTE INFERIOR. La implantacin de Argon en la parte inferior del sustrato es un proceso que se realiza con la finalidad de provocar la emigracin de dislocaciones no deseables hacia la zona implantada, en los procesos que impliquen elevaciones de temperatura (templado o annealing).
LITOGRAFA SUPERFICIAL DEFINICIN DE REAS:

Es la impresin sobre una superficie plana de unas formas mediante bloques de estampacin (mscaras).
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS. Procesos: o Preparacin previa de la superficie del sustrato: Formacin de una capa de xido. Deposicin de fotorresina (photoresist). o Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas. o Grabado (etching) o limpieza de zonas en resinas y xido.
LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN

DE REAS: OXIDACIN HUMEDA Velocidad y temperatura (m/h) Malas cualidades como aislante
Si + 2 H2O SiO2 + 2 H2
Material resultante muy poroso (H2)
H2 O2
N2 H2O
Gas portador N2/O2 sobre bao de agua caliente
H2O
Sistema Flash
H2O
N2
Consuelo Gonzalo, 2004 2

DE REAS: OXIDACIN SECA Velocidad y temperatura (nm/h) Material resultante muy compacto Buenas cualidades como aislante Relacin Si/Si02: aprox. 0,45 Optimetra on-line de espesor Si + O2 SiO2
DE REAS: DEPOSICIN DE FOTORRESINA (photoresist). NEGATIVA (solubilidad inferior al revelador) POSITIVA (solubilidad superior al revelador) DE INVERSIN
DE REAS: DEPOSICIN DE FOTORRESINA (photoresist).
LITOGRAFA
REAS:
CREACIN DE MSCARAS
SUPERFICIAL
DEFINICIN
DE
Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas.
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS CREACIN DE MSCARAS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS:
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS CREACIN DE MSCARAS

LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS:
Mnima vibracin durante la reduccin Base de vidrio poco sensible a la dilatacin Baja absorcin de UV Alto grado de aplanamiento Imprimacin con alta absorcin: Cromo (duro, lavable) aunque es muy reflectante Limpieza peridica: cepillado, soplado, uso de disolventes suaves como metanol o acetona
LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: CREACIN DE MSCARAS Errores de enmascaramiento o Errores de operador:Alineamiento o Errores de herramienta: Temperatura, Ampliacin, Distorsin
LITOGRAFA REAS:
CREACIN DE MSCARAS
SUPERFICIAL
DEFINICIN
DE
Errores de enmascaramiento
Error de Deslizamiento
Error de Periodicidad
DE REAS:
CREACIN DE MSCARAS
Tipos de alineamiento
o Por contacto o superposicin: La mscara se deteriora o Por proximidad: Se produce difraccin (50-160 K$) o Por proyeccin: Sistema ms caro (200-500 K$) o Por exposicin repetitiva: Los fallos se reproducen
LITOGRAFA REAS:
CREACIN DE MSCARAS
SUPERFICIAL
DEFINICIN
DE
Errores de alinamiento. Son acumualtivos.

Distancia media de desviacin despus de n pasos r=n1/2 : desviacin tpica de un paso
Factores de inters:
o o o o o Resolucin ancho lnea Longitud onda exposicin Precisin instrumentacin Uniformidad iluminacin Tiempo e intensidad exposicin
DE REAS:
LITOGRAFA PTICA O FOTOLITOGRAFA

Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas
DE REAS:
LITOGRAFA PTICA O FOTOLITOGRAFA

Es la mas extendida. Uso de luz con que ha ido disminuyendo. MSF (minimum feature size) es funcin de y del espesor de resina, d. MSF=(d. )1/2.
DE
LITOGRAFA ELECTRNICA O CON HAZ DE ELECTRONES

REAS:
Exposicin a una radiacin a travs de una mscara con las formas definidas:
LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: LITOGRAFA POR RAYOS-X (1972) Al reducir la longitud de onda de la radiacin, todos los materiales pticos se vuelven opacos por absorcin, pero aumenta la transmisin en la regin de los R-X. La eleccin de los materiales de la mscara (partes absorbentes y transmisoras), la atmsfera y la resina se determinan por su espectro de absorcin en los R-X. Mayor tiempo de exposicin que en la litografa electrnica. La energa asociada es de 0,3-3 keV. Mtodo de proximidad (PXL).
DE REAS:
ERRORES O DEFECTOS

Agujeros en pistas Mala delineacin Manchas Puentes entre pistas Pistas abiertas
DE REAS:
ERRORES O DEFECTOS
DE REAS:
GRABADO (etching)
Llimpieza de zonas en resinas y xido.
DE REAS:
GRABADO (etching)
Tipos
o Hmedo (disoluciones que revelan zonas de las resinas). o Seco (plasmas)
LITOGRAFA REAS: o o o o
GRABADO (etching)
SUPERFICIAL
DEFINICIN
DE
Ventajas del grabado seco vs hmedo

Mejor control bidimensional Uniformidad superior Compatibilidad con un proceso multicmaras Menos efluyente.
Desventajas
o Elevado coste del equipo o Extensin del dao al semiconductor.
DE REAS:
GRABADO (etching)
Tcnicas de grabado
o RASPADO DE IN o POR PLASMA o POR PLASMA REACTIVO o POR HACES DE IONES ASISTIDOS QUMICAMENTE o LATERAL ETCHING UNDERCUT (LEU)
GRABADO (etching) o limpieza de zonas metalizadas

REAS:
LITOGRAFA
SUPERFICIAL
DEFINICIN
DE
La oblea se introduce en una cmara cargada negativamente. Se calienta a 100C y a vaco (10 mtorr). Se llena con plasma cargado positivamente (N2, Cl2 o BCl3). Las cargas opuestas provocan la alineacin de las molculas en direccin vertical, originando un pulido del metal (Al).
5.7.- OTROS PROCESOS NECESARIOS EN LA FABRICACIN DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS LITOGRAFA SUPERFICIAL O DEFINICIN DE REAS: GRABADO (etching) o limpieza de zonas metalizadas

MANIPULACIN
Salas donde estn controladas: la humedad, temperatura y contaminacin. Sus tipos en orden creciente de limpieza son: Clase 10000, 1000, 100, 10 y 1. La especificacin de una Clase 1 es: 10F0,5F (-12,2C) y 50%5% humedad. Personal debidamente equipado para reducir la contaminacin del aire. Empleo de robots para la manipulacin, siempre que es posible. Operacin de limpieza constante SRD (Spin, Rinse and Dryer) con agua (RO/DI) absolutamente pura, con todos los minerales y contaminantes eliminados, caracterizada por su alta resistividad
TESTEO Y CORTE.
Adelgazamiento mecnico para eliminar posibles rupturas. Pasivacin superficial (Si3N4). Testeo de cada dispositivo (varios cientos) de una oblea. Los fallos se marcan en rojo. Corte de los dispositivos de la oblea, que pasarn al proceso de conexin de alambres.
TESTEO Y CORTE.
UNIN DE ALAMBRES
Se crean puntos con Cu, Ag o Pd a los que se puedan unir alambres de Au o Al por compresin trmica o ultrasonidos. La automatizacin permite unir alambres muy finos (30micras de dimetro, 1/3 del dimetro de un pelo) entre cada dispositivo y conector externo.
UNIN DE ALAMBRES
EMPAQUETADO
1971 2002
Agradecimientos
Estas transparencias han sido realizadas a partir del material facilitado por la profesora gueda Arquero Hidalgo y de las transparencias del Profesor Pedro Gmez Vilda.
http://tamarisco.datsi.fi.upm.es/ASIGNATURAS/TC/apuntes/Proc_Tec.pdf
BIBLIOGRAFA
Acero Alvarez Santos, R., Materiales y componentes electrnicos, Madrid, Litoprint, 1973, Cap. 2, 3 y 5 Cowley, A.H. y Jones, R.A., Polyhedron, 13(8), 1994, 1149-1157. Grovenor, C.R.M., Materials for Semiconductor Devices, England, The Bath Press, 1987, pp.165, ISBN 0-904357-821 Harrold, S.J., An Introduction to GaAs IC design, Prentice Hall, N.Y., 1993, pp. 172, ISBN 0-13-486358-5 Levy, R.A. (Ed.), Microelectronic Materials and Processes, Netherlands, Kluwer A.C.,1989, pp. 985 Waser R. (Ed.), Nanoelectronics and information technology. Wiley-VCH, 2003, 1001 pp., ISBN 3-52740363-9
Qumica, Vol. 87(4), 1991, 445-456
Leal,
M.C.
Dominguez
Horna,
C., Anales
de
BIBLIOGRAFA
www.epigress.se www.svg.com/product www.ecn.purdue.edu/WBG www.grc.nasa.gov/WWW/SiC/SiC.html www.sp.phy.cam.ac.uk/~dp109/SiGeResearch.html www-mbe.phy.cam.ac.uk/Lab www.sp.phy.cam.ac.uk/SPWeb/research/index.html www.iop.org/IOP/Groups/SP/links.html www.semiconductors.co.uk/home.html www.intel.com/research/silicon/ www.physics.udel.edu/wwwusers/watson/scen103/litho/ www.engr.sjsu.edu/WofMatE/Semiconductors.htm www.cs.colorado.edu/~lindsay/talk/

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TEMA 5: El proceso tecnolgico

Asignatura: Tecnologa de Computadores Grupo: 22M Curso 2004-2005

ELIMINACION DE METAL SOBRANTE

ELIMINACION DE FOTORRESINA Y OXIDO

METALIZACION CVD IMPLANTACION DE ION

Consuelo Gonzalo, 2004

Consuelo Gonzalo, 2004

OBTENCIN DE SILICIO INDUSTRIAL

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5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS Purificacin por zona flotante de un lingote (Si)

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5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS

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5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS

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5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS

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5.1.- FABRICACIN DE OBLEAS

P.F. (C) 937 1237 1420

Material Crisol Grafito Slice Slice

Atmsfera H2 /N2 Arsnico Argon

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5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

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5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

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5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

CVD EPITAXIA (VPE): Crecimiento de un cristal sobre otro.

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5.2.- CRECIMIENTO MONOCRISTALINO DE CAPAS FINAS O EPITAXIAL

CVD EPITAXIA (VPE)

Dispositivos bipolares y CMOS

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5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

Tcnicas Difusin Implantacin de ines

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Para una distribucin gausiana:

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5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

J: flujo de partculas/cm2 D: constante de difusin n: concentracin local de impurezas

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5.3.-TCNICAS PARA LA CREACIN DE ZONAS CON IMPUREZAS CONTROLADAS

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Perfil de una unin (T 32)

Perfil de unin Redistribucin trmica

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IMPLANTACIN DE IN. DESCRIPCIN GENERAL:

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