OzFlor Electronics

Introduo eletrnica bsica Parte 5 Transistor A primeira verso do que veio a ser o transistor foi criada em 1945 por uma equipe do Bell Labs, composta por John Bardeen, Walter Brattain e chefiada por Willian Shockley. Este transistor primordial era feito com um cristal de germnio prensado entre duas folhas de ouro. Trs anos depois, a custo de um milho de dlares em pesquisas, a Bell possua o seu primeiro amplificador de semicondutor. Esta verso inicial era conhecida como transistor de contato de ponta. O transistor possui trs eletrodos; portanto, tambm um trodo. Um dos eletrodos chamado de base, outro de emissor e, o terceiro de coletor. Os transistores substituem as vlvulas a vcuo em todas as suas funes. Semicondutor Numa lio anterior vimos que os corpos, quanto facilidade com que eles podem conduzir a corrente, costumam ser classificados em condutores, semicondutores e Figura 1 isolantes. Para o estudo do transistor, o mais importante o semicondutor. Os materiais mais importantes, atualmente, na fabricao de transistores e diodos so: germnio, silcio, ndio, arsnio, fsforo, glio, etc. O semicondutor, um mau condutor. Est mais perto dos isolantes do que dos condutores. Entretanto, quando se adiciona alguma substancia a um semicondutor, como o germnio e o silcio, suas propriedades eltricas sofrem profundas modificaes. A substancia que se adiciona ao semicondutor puro chamada de impureza e chama-se de dopagem ao ato de adicionar tais impurezas. Tipos de impurezas Existem dois tipos de impurezas. A doadora e a aceitadora. Consideremos o semicondutor germnio, figura 2. Ele, formado por tomos de germnio. Cada tomo est ligado aos seus vizinhos atravs de quatro eltrons. Suponhamos agora que ao germnio puro, como vemos na figura 3, seja dopado com fsforo, que uma substancia que tem cinco eltrons rodeando o tomo. Essa substancia adicional ao germnio constitui uma imporeza. Essa impureza tem cinco eltrons e o germnio somente quantro. Ora, quando se misturam germnio e fsforo, quatro eltrons do fsforo se uniro ao germnio e um de cada tomo ficar livre, porque no pode juntar-se estrutura do germnio, uma vez que l s aceita quatro. Como o fsforo cedeu um eltron ao germnio, ele, fsforo, chamado de impureza doadora. Se ligarmos uma bateria a esse material, o eltron livre se mover atravs do material para o plo positivo da bateria. H, ento, passagem de corrente eltrica constituda por eltrons . o semicondutor formado chamado de semicondutor do tipo N (negativo), j que os portadores de carga so os eltrons. Existe outra possibilidade. Ao invs de dopar o germnio com fsforo, vamos adicionar a ele uma substancia que tenha somente trs eltrons na ltima camada, como o boro, por exemplo. Ento, haver um eltron a menos na Figura 2 Figura 3 Figura 4 ligao. Dizemos que h um buraco ou vazio (figura 4). Quando um eltron da estrutura se dirige lacuna para completar a ligao, o tomo de onde veio fica carregado positivamente, porque era neutro e perdeu uma carga negativa. Isto equivale a dizer que o tomo que cedeu o eltron ganhou uma lacuna. Se outro eltron vem preencher a lacuna e restabelecer o equilbrio do tomo, deixar, no tomo de onde partiu, outro buraco positivo (lacuna). Deste modo, as lacunas se movem no semicondutor e com a particularidade de o movimento das lacunas acontecer em sentido contrrio ao dos eltrons. A impureza do boro chamada de aceitadora. O germnio dopado com boro chamado de semicondutor P, porque a maioria dos portadores de carga lacunas. Convm observar que os semicondutores do tipo P ou N, no estado natural, permanecem eletricamente neutros, porque a carga de cada eltron fica equilibrada pela carga positiva que existe no ncleo. Alem disso, se s extremidades de uma barra de qualquer desses semicondutores for ligada uma bateria, haver passagem de corrente normalmente, ou seja, do plo negativo para o positivo da bateria. Ainda mais, se os plos da bateria forem invertidos, inverter-se- tambm o sentido da corrente mas a intensidade permanecer a mesma. Materiais do tipo P ou do tipo N podem ser dopados de maneira a apresentarem valores exatos de resistividade na construo de resistores internos a circuitos integrados. Juno PN Vamos justapor uma barra de semicondutor P e outro N. Formamos, o que se chama de juno PN. Quando isso acontece, na superfcie da juno sucede o seguinte: os eltrons do semicondutor N passam rapidamente atravs da superfcie da unio e vo preencher os buracos do semicondutor do tipo P. Essa transferncia no dura indefinidamente, porque cada eltron que sai do semicondutor N deixa uma carga positiva e cada lacuna que preenchida pelo eltron deixa uma carga negativa, j que, os dois semicondutores so eletricamente neutros. Ento, logo se forma uma camada de cargas positivas no semicondutor N e outra negativa no P. Essas duas camadas impedem o prosseguimento da difuso, isto , da passagem dos eltrons para a regio
Jos Antnio Flor de Sousa ARSE 62 QI4 LT1A F. 214-7244/8111-0624 jose_flor@hotmail.com http://www.fortunecity.com/greenfield/bypass/314/

Figura 5

Pgina 1

OzFlor Electronics

P e das lacunas para a regio N. Essas duas camadas formam um obstculo ao movimento das cargas majoritrias, que chamada de barreira de potencial. Ela equivalente a uma pilha imaginria, como ilustra a figura 5. Funcionamento da juno Feita a juno da maneira explicada, vamos ligar aos seus extremos uma bateria e verificar o que acontece. Inicialmente, liguemos o plo positivo da bateria regio P e o negativo regio N, como mostra a figura 6. Nesta situao, as lacunas da regio P so empurradas para a regio de contato, e os eltrons da regio N tambm so empurrados para a regio de contato. O plo positivo Figura 5 atrai os eltrons e o negativo atrai as lacunas. Assim, no Figura 6 semicondutor, a corrente formada pelo movimento dos eltrons e das lacunas. Quando a bateria ligada da maneira descrita, o plo positivo ao semicondutor P e o negativo ao N, diz-se que a juno est polarizada no sentido direto, que corresponde ao sentido em que h passagem de corrente. Se a bateria estiver ligada como mostra a figura 6, o terminal negativo atrai as lacunas e o positivo os eltrons. Tanto eltrons como lacunas ficam concentrados nos extremos dos semicondutores, e no ha passagem de corrente. Isto a mesma coisa que aumentar a barreira de potencial. Dizemos que a juno est polarizada no sentido inverso. Uma juno deste tipo, PN, chamada de diodo. Por essa razo, os diodos formados pelas junes PN de semicondutores, como o germnio e o silcio, so largamente utilizados em eletrnica. Na figura ao lado vemos a simbologia do diodo. O A o nodo, este o lado por onde entra a corrente e o K, o ctodo por onde sai a corrente (sentido convencional). Estrutura do transistor Dois semicondutores do tipo N, tendo entre si um semicondutor do tipo P, ou dois semicondutores do tipo P, tendo no meio um semicondutor do tipo N, formam o componente que recebe o nome de transistor. No primeiro caso, o transistor do tipo NPN e, no segundo PNP. Na figura 7, mostramos as representaes de um transistor tipo NPN e Figura 7 outro PNP. Cada semicondutor unido a um terminal metlico para lig-lo ao circuito Figura 8 externo. A fatia do meio, recebe o nome de base e as laterais de emissor e coletor, respectivamente. Na figura 8, mostramos a simbologia dos dois tipos de transistores. Consideremos um transistor NPN e polarizemos a juno emissor-base no sentido direto, e a juno coletor-base, no sentido inverso como mostra a figura 7. 1- Na juno NP emissor-base, os eltrons so empurrados pelo plo negativo da bateria, at base. Ai, uma pequena parte deles se recombina com as lacunas, que so poucas, j que a base muito fina. 2- A bateria que alimenta o coletor est em srie com a bateria que alimenta o emissor; portanto, ela refora o efeito desta ltima e atrai os eltrons que passam pela base. Assim, praticamente todos os eltrons que partiram do emissor atingem o coletor, e a corrente do coletor quase a mesma do emissor. 3- O outro transistor PNP, est com as ligaes invertidas em relao ao NPN. Os portadores de corrente, agora, so as lacunas. As explicaes que demos para o funcionamento do transistor NPN valem para o PNP, com a diferena de que agora, o fluxo de lacuna. 4- Nas duas polarizaes da figura 8, o sentido da corrente o real. 5Tanto o emissor como o coletor so feitos do mesmo tipo de semicondutor. Entretanto, o coletor mais volumoso que o emissor, como mostra a figura 9.
Figura 9

Jos Antnio Flor de Sousa

ARSE 62 QI4 LT1A F. 214-7244/8111-0624 jose_flor@hotmail.com http://www.fortunecity.com/greenfield/bypass/314/

Pgina 2