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NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 fmof6019 Maße in mm, wenn nicht anders

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

BPY 62

fmof6019
fmof6019
fmof6019

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

Hohe Linearität

Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C

Gruppiert lieferbar

Anwendungen

Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb

Industrieelektronik

“Messen/Steuern/Regeln”

Features

Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm

High linearity

Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection suitable up to 125 °C

Available in groups

Applications

Photointerrupters

Industrial electronics

For control and drive circuits

Typ

Bestellnummer Ordering Code

Type

BPY 62

Q60215-Y62

BPY 62-2

Q60215-Y1111

BPY 62-3

Q60215-Y1112

BPY 62-4

Q60215-Y1113

BPY 62-5 1)

Q62702-P1113

1)

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

BPY 62

BPY 62

Grenzwerte Maximum Ratings

Bezeichnung

Symbol

Wert

Einheit

Description

Symbol

Value

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range

T op ; T stg

– 40

+ 100

°C

Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s

T S

260

°C

Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s

T S

300

°C

Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage

V CE

50

V

Kollektorstrom Collector current

I

C

100

mA

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current

I

CS

200

mA

Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage

V EB

7

V

Verlustleistung, T A = 25 °C Total power dissipation

P tot

200

mW

Wärmewiderstand Thermal resistance

R thJA

500

K/W

BPY 62

BPY 62

Kennwerte (T A = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics

Bezeichnung

 

Symbol

Wert

Einheit

Description

Symbol

Value

Unit

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity

λ S max

850

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

λ

420

1130

nm

S

= 10 % von S max

 

Spectral range of sensitivity

S

= 10 % of

S max

Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area

A

0.12

mm

2

Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area

L

× B

0.5

× 0.5

mm × mm

L

× W

 

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- fläche Distance chip front to case surface

H

2.4

3.0

mm

Halbwinkel

 

ϕ

± 8

Grad

Half angle

deg.

Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode

     

Photocurrent of collector-base photodiode

e = 0.5 mW/cm 2 , V CB = 5 V

E

I

PCB

4.5

µA

E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

I

PCB

17

µA

V

CB = 5 V

Kapazität

       

Capacitance

V

CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

C

CE

8

pF

V

CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

C

CB

11

pF

V

EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

C

EB

19

pF

Dunkelstrom

 

I

CEO

5 (100)

nA

Dark current

V

CE = 35 V, E = 0

BPY 62

BPY 62

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.

Bezeichnung

Symbol

 

Wert

 

Einheit

Description

Symbol

Value

Unit

-2

-3

-4

-5

Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent E e = 0.5 mW/cm 2 , V CE = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, V CE = 5 V

I PCE

0.5

1.0

0.8

1.6

1.25

2.5

2.0

mA

I PCE

3.0

4.6

7.2

11.4

mA

Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 mA, V CC = 5 V, R L = 1 k

t r , t f

5

7

9

12

µs

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage

I C = I PCEmin 1) × 0.3,

V

CEsat

150

150

160

180

mV

E e = 0.5 mW/cm 2

Stromverstärkung Current gain E e = 0.5 mW/cm 2 , V CE = 5 V

I PCE

170

270

420

670

 

I PCB

1)

1)

I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group

BPY 62

BPY 62

Relative spectral sensitivity S rel = f (λ)

Photocurrent I PCE = f (E e ), V CE = 5 V

I P C E = f ( E e ), V C E = 5 V
Output characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Dark current
Output characteristics
I C = f (V CE ), I B = Parameter
Dark current
I CEO /I CEO25 o = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0

Output characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter

I C = f ( V C E ), I B = Parameter Photocurrent I P

Photocurrent I PCE /I PCE25 o = f (T A ), V CE = 5 V

P C E 2 5 o = f ( T A ), V C E =

Total power dissipation P tot = f (T A )

5 V Total power dissipation P t o t = f ( T A ) Dark

Dark current I CEO = f (V CE ), E = 0

) Dark current I C E O = f ( V C E ), E =

Collector-emitter capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = 0

Collector-emitter capacitance C C E = f ( V C E ), f = 1 MHz,
BPY 62

BPY 62

Collector-base capacitance C CB = f (V CB ), f = 1 MHz, E = 0

C C B = f ( V C B ), f = 1 MHz, E =

Directional characteristics S rel = f (ϕ)

Emitter-base capacitance

C EB = f

(V EB ), f = 1 MHz, E = 0

( ϕ ) Emitter-base capacitance C E B = f ( V E B ), f
( ϕ ) Emitter-base capacitance C E B = f ( V E B ), f