1.

Defina los parmetros hbridos del transistor. Explique los modelos de pequea

seal del transistor en emisor comn, base comn y colector comn. MODELO HBRIDO DEL BJT: El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de hbrido. La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a la teora de cuadripolos o redes de dos puertos. La sustitucin del smbolo del BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la obtencin de ciertos valores de inters como son: la ganancia de voltaje (Av), ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo). Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por s solo no considera este aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo considera. NOTA: los parmetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parmetros hbridos y son componentes de un circuito equivalente de pequea seal que se describir en breve. Los parmetros que relacionan las cuatro variables se denominan parmetros h debido a la palabra hibrido. El parmetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables V e I en cada ecuacin, ocasiona un conjunto hibrido de unidades de medicin para los parmetros h Modelo Hbrido del BJT en Configuracin Emisor Comn: El transistor BJT NPN en configuracin emisor comn se muestra en la figura 1.

Se observa de la figura 1 que el transistor en esta configuracin es una red de dos puertos, un puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como tal. Una red de dos puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de ecuaciones: Vi = h11ii + h12 Vo io = h21ii + h22 Vo

Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parmetros que relacionan estas variables son los parmetros hbridos, h. Una analoga del BJT con la red de dos puertos general resulta en: V BE = h11iB + h12 VCE iC = h21iB + h22 VCE Ecuacin 1 Ecuacin 2

El clculo de los parmetros hbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables. Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuacin 1, se tiene que h11 =

Este parmetro hbrido se mide en y se conoce como impedancia de entrada con salida en corto y en BJT en configuracin emisor comn recibe el nombre de hie.

De la ecuacin 2, se tiene el cual es un parmetro hibrido sin unidades. Conocido como relacin de transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente de entrada, en el transistor BJT en configuracin emisor comn recibe el nombre de hfe.

Si ib=0 (entrada en circuito abierto) en la ecuacin 1 se tiene h12 =

Este parmetro h es adimensional y se conoce como relacin de transferencia inversa de voltajes, en el transistor BJT en configuracin emisor comn recibe el nombre de hre.

De la ecuacin 2, se tiene h22 = el cual es un parmetro hbrido medido en y se conoce como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor BJT en configuracin emisor comn recibe el nombre de hoe.

Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como: VBE = hie iB + hre VCE iC = h fe iB + hoe VCE Ecuacin 3 Ecuacin 4

Cada ecuacin puede representarse circuitalmente y la unin de los circuitos resultantes corresponde al equivalente o modelo hbrido. La ecuacin 3 se representa a travs de circuito en serie (malla), mientras que la ecuacin 4 se representa a travs de un circuito en paralelo (nodo), tal como muestra la figura 3.

La unin de los dos circuitos (Figura 4) se hace tomando en cuenta que iE = iC + iB y en c.c. se tiene IE = IC + IB = ( + 1)I B . El valor de medido en c.c es aproximado al valor de hfe el cual es un parmetro hbrido medido en c.a., as: h fe con lo que ahora i E = (hfe + 1)iB.

Los valores de hoe y hre son tan pequeos que pueden despreciarse originando un modelo hbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5.

El valor de vBE en hre es muy pequeo comparado con vCE, por lo que hre0. Este hecho anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo hbrido de la figura 4. En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero hoe0 y una admitancia nula es equivalente a una resistencia infinita; por esta razn en el modelo hbrido simplificado no aparece hoe.

MODELOS EN PEQUEA SEAL

Emisor comn:

C1 y C2: condensadores de acoplamiento. CE: condensador de desacoplo de RE2 Circuito de polarizacin

Recta de carga esttica

Punto de trabajo

Equivalente de pequea seal

Caso particular RE1 = 0

Caso particular sin CE

Recta de carga dinmica

Recta de carga en pequea seal:

Las componentes de seal se encuentran superpuestas a las de continua:

Recta de carga dinmica:

Punto de mxima excursin simtrica La mxima amplitud de oscilacin se obtiene cuando el punto de trabajo est centrado en la recta de carga dinmica:

Punto de mxima excursin simtrica (ICmes,VCEmes)

Colector Comn:

No es necesaria RC para la polarizacin del transistor ni para el buen funcionamiento del amplificador.

Punto de mxima excursin simtrica

Base Comn:

Punto de mxima excursin simtrica:

8.- Que funcin tiene el condensador Cb del circuito de la fig 2. C3 desacopla R1 y R2 en pequea seal, del mismo modo que lo hace CE con RE en el amplificador en emisor comn.

9.- Indique y explique ejemplos prcticos de aplicacin de los circuitos implementados Problema. Disee un amplificador seguidor de emisor con resistencia de emisor, empleando un

acoplada capacitivamente. Calcule tambin Av, Zi y Zo. Determine su punto de operacin terico, incluya las lneas de carga de ca y cd.

Figura 1.AmplificadorSeguidor de Emisor Clculos de RB para el amplificador empleando la formula larga

)( )

)(

Clculos de R1y R2

)(

)(

)(

)(

)(

)(

Rectas de carga Ic= Ic= 90mA Ic= Ic=120mA Vcc= Vcc=12v ( )( )

Ic (mA) 140 120 100 90 80 60 40 20 0 0 5 60 120

Recta dc

Recta ac

10

15

Vce (V) 20

( (

) )

( (

) )

10. Indique sus conclusiones Podemos concluir que en esta prctica profundizamos el conocimiento de la amplificacin, determinando el punto de operacin y las impedancias de entrada y salida, con lo cual observamos evidentemente que no es posible obtener una amplificacin sin una adecuada polarizacin DC Concluimos tambin que en la configuracin emisor comn se obtienen elevadas ganancias de tensin y corriente, hacindolo el circuito ideal para amplificacin de pequeas seales. Se encuentra que cuando se realiza el diseo del circuito es conveniente que el punto Q est situado en el centro de la recta de carga y que la ganancia no sea

excesivamente alta para dar estabilidad al circuito y evitar distorsiones respectivamente. Se puede observar que un circuito conectado en la opcin de colector comn se comporta como un seguidor, no presenta amplificacin a su salida.