OBJETIVO

Mediante esta experiencia, se pretende resolver los circuitos complejos, reduciendo a su mnima configuracin (1 malla simple) para Thevenin y para Norton (1 circuito paralelo) y, deducir la incgnita planteada. Tambin se verificara la aplicacin de este teorema, cuando la carga es no lineal (Diodo, Transistor, etc.)

MARCO TEORICO
TEOREMA DE THEVENIN Y NORTON
Dado un circuito lineal cualquiera N, para un par terminales A y B de dicho circuito, es posible encontrar un circuito equivalente formado por una fuente de voltaje ideal en serie con una resistencia, de manera tal que ese circuito de dos terminales produzca los mismos valores de voltaje y corriente en esos terminales (conectados o no a otro circuito) que el circuito original. La fuente de voltaje tendr un valor conocido como Voltaje de Thvenin VTH y la resistencia tendr un valor conocido como Resistencia de Thvenin RTH.

Este teorema nos permite introducir un mtodo de anlisis de circuitos adicional: dividir el circuito original en componentes de dos puertos, que son equivalentes de Thvenin de una parte del circuito, los cuales se interconecten entre s. Esto permite realizar clculos ms sencillos que con el circuito completo. Otra utilidad, probablemente la ms importante de este concepto, es que teniendo este modelo es sencillo encontrar la mxima transferencia de potencia del circuito N a otro circuito conectado a los terminales A y B. RESISTENCIA DE THVENIN La resistencia de Thvenin simula la cada de potencial, para calcular se ponen a cero las fuentes independientes entonces le RTh coincide con la resistencia de entrada Rin vista en los terminales del circuito.

Entonces: RTh = Rin (con las fuentes independientes a cero) Poner las fuentes independientes a cero significa: Cortocircuitar las fuentes independientes de tensin. Dejar en circuito abierto las fuentes independientes de corriente.

Para poder determinar la resistencia de entrada Rin: CASO 1: Circuito sin fuentes dependientes. 1. Se ponen las fuentes independientes a cero. 2. Se calcula Rin mediante asociacin de resistencias.

CASO 2: Circuito con fuentes dependientes. 1. Se ponen las fuentes independientes a cero 2. a. Se aplica una fuente de tensin V0 entre los terminales AB y se calcula la corriente I0 que circula por la fuente. b. O bien, se aplica una fuente de corriente I0 entre los terminales AB y se calcula la tensin V0 entre dichos terminales entonces Rin = V0 / I0

TEOREMA DE NORDON El teorema de Norton es el dual del teorema de Thvenin, el teorema de Norton establece que un circuito lineal de dos terminales puede sustituirse por un circuito equivalente formado por una fuente de corriente IN en paralelo con una resistencia RN.

Para calcular la corriente de Norton: Utilizamos como circuito de carga un corto circuito

En esta situacin se cumple: IN = iSC

Para calcular la resistencia de Norton: - Partimos del equivalente Thvenin y aplicamos transformacin de fuentes

Adems, teniendo en cuenta que

VTh = voc IN = iSC

Se obtiene:

MAXIMA TRANFERENCIA DE POTENCIA En muchas situaciones prcticas un circuito se disea para suministrar potencia a una carga. En condiciones de circuito fuente fijo y carga variable, la transferencia de potencia a la carga es mxima cuando la resistencia de carga RL es igual a la resistencia del equivalente Thvenin del circuito fuente RTh visto desde la fuente.

Demostracin: Partimos del equivalente de Thvenin del circuito fuente

Para encontrar el maximo derivamos:

La potencia mxima resulta:

PARTE EXPERIMENTAL
MATERIALES
02 Fuentes de tensin variables. 01 Multmetro Digital. 8 Resistencias 1 K 2.2 K 3.3 K 4.7 K 5.6 K 6.8 K 10 K 15 K 01 diodos Led. 01 transistor NPN(BC-547) Cables conectores (cocodrilo) Protoboard.

RESULTADOS OBTENIDOS
Se arma los tres circuitos siguientes:

Circuito N 1

Medir en los nodos a-b Datos Experimentales

Vab 2,415 v

Iab 0.966 mA

Datos con Proteus

R7
4.7k

R1
15k

R2
2.2k

E1
9V +2.41
Volts

R5
6.8k

R3
3.3k

R4
1k

R6
10k

E2

12V

R7
4.7k

R1
15k +0.97
mA

R2
2.2k

B1
9V

R5
6.8k

R3
3.3k

R4
1k

R6
10k

B2

12V

Vab 2,41 V

Iab 0.97 mA

Retire la carga de los puntos a-b y determine Eth (Voltaje a Circuito abierto). Datos Experimentales

Vab =Vth 0,207 V Datos con Proteus

R7
4.7K

R1
15K

R2
2.2K

+0.21
Volts

R3
3.3K

R4
1K

R6
10K

E2

12V

Vab =Vth 0,21 V

En el circuito sin carga completar la tabla con las respectivas mediciones en cada elemento.

Datos Experimentales Elemento R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 E1 E2 Eth Req carga Valor 15 K 2.2 K 3.3 K 1 K 6.8 K 10 K 4.7 K Voltaje(V) 1,731 V 0.251 V 1.528 V 0.461 V 10.03 v 1.987 V 12 V 0,21 V 2.73 K 2.415 V 0.966 mA 2.333 Intensidad(mA) Potencia(mW) 0.116 mA 0.2007 0.116 mA 0.0291 0.459 mA 0.7014 0.459 mA 0.2116 1,001 mA 0.423 mA 1.001 mA 10.04 0.8405 12.012

Datos con Proteus

Medicin del voltaje del circuito N 1 sin la carga

R7
4.7k

+1.73
Volts

+0.25 +1.99
Volts Volts

R1
15k

R2
2.2k

+1.53
Volts

+0.21
Volts

+0.46
Volts

R3
3.3k

R4
1k

+10.0
Volts

R6
10k

E2

12V

Medicin de la intensidad del circuito N 1 sin carga

+0.42
mA

R7
4.7k

+0.12
mA

R1
15k

R2
2.2k

+0.12
mA

+0.46
mA

R3
3.3k

R4
1k

+0.46
mA

+1.00
mA

+1.00
mA

R6
10k

E2

12V

Elemento R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 E1 E2 Eth

Valor 15 K 2.2 K 3.3 K 1 K 6.8 K 10 K 4.7 K

Voltaje(V) 1.73 V 0.25 V 1.53 V 0.46 V 10 v 1.99 V 12 V 0,21 V

Intensidad(mA) Potencia(mW) 0.12 mA 0.2076 0.12 mA 0.03 0.46 mA 0.7038 0.46 mA 0.2116 1 mA 0.42 mA 1 mA 10 0.8358 12

Con los valores obtenidos dibujar el circuito Thevenin equivalente y reponer carga, para encontrar la Vab, Iab tericamente.

En el circuito original quitar la carga de los nodos a-b, reemplazar por un cable.

Para hallar el Norton equivalente, medir IN (corriente en corto circuito) en los nodos a-b, la corriente medida es la corriente de Norton. Datos Experimentales IN=Iab 0.075 mA

Datos con Proteus

R7
4.7K

R1
15K

R2
2.2K

+0.07
mA

R3
3.3K

R4
1K

R6
10K

E2

12V

IN=Iab 0,07 mA Con los valores obtenidos dibujar el circuito Norton equivalente y reponer carga, para encontrar la Vab, Iab tericamente.

Circuito N 2

Medir en los nodos a-b

Datos Experimentales Vab 2,463 V Iab 0.359 mA

Datos con Proteus

E1
18V

R0
1K

+2.46

R1
3.3K

Volts

R4
4.7K

R0
1K

D1
LED-GREEN

R3
5.6K

R2
2.2K

R0
1K

E1
18V

R0
1K

R1
3.3K

R4
4.7K

+0.33
mA

R0
1K

D1
LED-GREEN

R3
5.6K

R2
2.2K

R0
1K

Vab 2,46 V

Iab 0,332 mA

Retire la carga de los puntos a-b y determine Eth (Voltaje a Circuito abierto). Datos Experimentales Vab =Vth 3.687 V Datos con Proteus

R0
1K

E1
18V

R1
3.3K

R4
4.7K

+3.69

R3
5.6K

Volts

R2
2.2K

R0
1K

Vab =Vth 3.69 V

En el circuito sin carga completar la tabla con las respectivas mediciones en cada elemento.

Datos Experimentales Elemento R1 R2 R3 R4 R0 R0 R0 Led E1 E2 Eth Req carga Valor 3.3 K 2.2 K 5.6 K 4.7 K 1 K 1 K Voltaje(V) 4,401 3.787 7.476 8.094 3.054 3.054 18 v 0v 3.687 3.328 K 2,463 V 0.359 mA 0.884 Intensidad(mA) Potencia(mW) 1.332 5.862 1.721 6.517 1.332 9.958 1.721 13.93 3.054 3.054 3.054 0 mA 9.327 9,327 54.972 0 mW

Datos con Proteus

Medicin del voltaje del circuito N 2 sin la carga

R0
1K

+3.06
Volts

E1
18V

R1
3.3K

+4.41
Volts

R4
4.7K

+8.10
Volts

+3.69

+7.48
Volts

R3
5.6K

Volts

R2
2.2K

+3.79
Volts

R0
1K

+3.06
Volts

Medicin de la intensidad del circuito N 2 sin carga

+3.06
mA

E1
18V

R0
1K

R1
3.3K

R4
4.7K

+1.72 +1.34
mA mA

R3
5.6K +3.06
mA

R2
2.2K

R0
1K

Elemento R1 R2 R3 R4 R0 R0 R0

Valor 3.3 K 2.2 K 5.6 K 4.7 K 1 K 1 K

Voltaje(V) 4.41 V 3.79 V 7.48 V 8.10 V 3.06 V 3.06 V

Intensidad(mA) Potencia(mW) 1.34 mA 5.9094 mW 1.72 mA 6.5188 mW 1.34 mA 10.0232 mW 1.72 mA 13.9320 mW 3.06 mA 3.06 mA 9.3636 mW 9.3636 mW

E1 E2 Eth

18 V 0V 3.69 V

3.06 mA

55.08 mW

Con los valores obtenidos dibujar el circuito Thevenin equivalente y reponer carga, para encontrar la Vab, Iab tericamente.

En el circuito original quitar la carga de los nodos a-b, reemplazar por un cable.

Para hallar el Norton equivalente, medir IN (corriente en corto circuito) en los nodos a-b, la corriente medida es la corriente de Norton.

Datos Experimentales IN=Iab 0.996 mA Datos con Proteus

E1
18V

R0
1K

R1
3.3K

R4
4.7K

+1.00
mA

R3
5.6K

R2
2.2K

R0
1K

IN=Iab 1 mA

Con los valores obtenidos dibujar el circuito Norton equivalente y reponer carga, para encontrar la Vab, Iab tericamente.

Circuito N 3

Datos Experimentales Elemento R1 R2 R3 R4 IC IB IE VCE VCB VBE= V E1 Valor 2.2 3.3 4.7 5.6 Voltaje(V) 4.832 7.174 5.365 6.511 Intensidad(mA) Potencia(mW) 2.188 10.572 2.166 15.538 1.137 6.1 1.158 7.539 1.137 0.021 1.158

0.117 0.541 0.658 12 Datos con Proteus

3.337

40.044

Medicin del voltaje del circuito N 3 con la carga

E1
12V

R1
2.2K

R3
+4.83
Volts

4.7K +0.54
Volts

+5.37
Volts

Q1
2N2222

+0.12
Volts

+0.66

R2
3.3K

+7.17
Volts

Volts

R4
5.6K +6.51
Volts

Medicin de la intensidad del circuito N 3 con carga

E1
12V

+2.19
mA

R3
4.7K

R1
2.2K

+1.14
mA

Q1
+3.34
mA

+0.02
mA

2N2222

+1.16

R2
3.3K

mA

R4
5.6K

+2.17
mA

Elemento R1 R2 R3 R4 IC IB IE VCE VCB VBE= V E1

Valor 2.2 3.3 4.7 5.6

Voltaje(V) 4.83 7.17 5.37 6.51

Intensidad(mA) Potencia(mW) 2.19 10.577 2.17 15.558 1.14 6.122 1.16 7.552 1.14 0.02 1.16

0.12 0.54 0.66 12

3.34

40.08

Medir en los nodos a-b Datos Experimentales Vab 7.168 v Iab 1.179

Datos con Proteus

E1
12V

R1
2.2K

R3
4.7K

Q1
2N2222

+7.17

R2
3.3K

Volts

R4
5.6K

E1
12V

R1
2.2K

R3
4.7K

Q1
+0.02
mA

2N2222

R2
3.3K +1.16
mA

R4
5.6K

Vab 7,17 V

Iab 1.18 mA

Retire la carga de los puntos a-b y determine Eth (Voltaje a Circuito abierto). Datos Experimentales Vab =Vth 7.19 v Datos con Proteus

E1
12V

R1
2.2K +7.20
Volts

R2
3.3K

Vab =Vth 7.20 V

En el circuito sin carga completar la tabla con las respectivas mediciones en cada elemento. Datos Experimentales Elemento R1 R2 E1 Eth Req Valor 2.2 K 3.3 K Voltaje(V) 4.78 7.19 12 v 7.19 v Intensidad(mA) Potencia(mW) 2.181 10.425 2.181 15.681 2.181 26.172

1.324

Datos con Proteus Medicin del voltaje del circuito N 3 sin la carga

E1
12V

R1
2.2K +4.80
Volts

R2
3.3K +7.20
Volts

Medicin de la intensidad del circuito N 3 sin carga

+2.18
mA

E1
12V

R1
2.2K

R2
3.3K

+2.18
mA

Elemento R1 R2 E1 Eth

Valor 2.2 K 3.3 K

Voltaje(V) 4.80 V 7.20 V 7.20 V

Intensidad(mA) Potencia(mW) 2.18 mA 10.464 mW 2.18 mA 15.696 mW

Con los valores obtenidos dibujar el circuito Thevenin equivalente y reponer carga, para encontrar la Vab, Iab tericamente.

En el circuito original quitar la carga de los nodos a-b, reemplazar por un cable.

Para hallar el Norton equivalente, medir IN (corriente en corto circuito) en los nodos a-b, la corriente medida es la corriente de Norton. Datos Experimentales

IN=Iab 5.454 mA

Datos con Proteus

E1
12V

R1
2.2K

+5.45
mA

R2
3.3K

IN=Iab 5,45 mA

CUESTIONARIO
1. Resuelva tericamente cada una de los circuitos mediante el teorema de Thevenin. En la siguiente hoja 2. Resuelva tericamente cada uno de los circuitos mediante el teorema de Norton.

En la siguiente hoja 3. Simular c/u de los circuitos empleados en la experiencia. 4. Ver manual y caractersticas tcnicas del transistor (, Va, etc.). El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias. Estas relaciones se denominan parmetros hbridos y definen los valores instantneos de tensin y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los parmetros permiten predecir el comportamiento del circuito en particular sin construirlo realmente. A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del transistor: 1. Ganancia de tensin: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia de entrada. La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente 500 ohmnios, mientras que la resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente ms de 20.000 ohmnios. Para un transistor de unin la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50. 2. Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Aunque un transistor de unin tenga un valor de alfa menor que la unidad, si por el contrario posee una ganancia de resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida es extremadamente alta, la ganancia de tensin ser aproximadamente 1.800 3. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de resistencia. Es del orden de 400 o 500. Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y conexin de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa, ctodo a masa y placa a masa en la terminologa del tubo de vaco.

Parmetros caractersticos del transistor Parmetro El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

As por ejemplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacin de 8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad. Ganancia de corriente o parmetro de un transistor La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin que existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y la variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por

todo ello, se pueden considerar que los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300. En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez de utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. As por ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos valores. Relacin entre los parmetros y Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = IC/IE y = IC/IB y teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor IE = IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros, tal como se indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una ganancia de corriente de 150, operaramos as:

5. Cmo aplica el teorema de Thevenin en circuitos que presentan fuentes controladas? Cuando en el circuito slo hay fuentes dependientes, el voltaje de Thvenin es cero y slo existe la resistencia de Thvenin, en el modelo equivalente de Thvenin. Para obtener la resistencia de Thvenin, se debe poner en las terminales de la carga: una fuente de voltaje de prueba que inyecta una corriente de prueba, una fuente de corriente de prueba que entre sus terminales tienen un voltaje de prueba, y la resistencia de Thvenin ser: RTh = VP/IP. Para facilitar los clculos se puede elegir un valor de 1V para el voltaje de prueba o de 1A para la corriente de prueba (aunque puede elegirse cualquier valor, se utiliza el valor unitario por ser ms sencillo) y por lo tanto la resistencia de Thvenin ser: RTh = 1/IP, si VP = 1V y necesitaremos encontrar el valor de IP para obtener RTh. RTh = VP/1, si IP = 1A y necesitaremos encontrar el valor de VP para encontrar RTh.

6. D aplicaciones prcticas de la aplicacin del Teorema de Thevenin. Lo aplicamos en redes elctricas de potencia, para analizar la estabilidad de la red y localizacin de falla. Tambin se utiliza en la caracterizacin (o sea, determinacin de parmetros) de semiconductores, dispositivos piezoelctricos. Estos circuitos electrnicos los podemos encontrar en sistemas de control, cargadores de bateras, convertidores dc-dc, sistemas mdicos. 7. Porqu se dice que el Teorema de Norton es dual del Teorema de Thevenin? Se dice que es dual porque cada mtodo utiliza de diferente manera los componentes, en algunos problemas nos resultara ms fcil resolver por mtodo de Thevenin y en otros por el mtodo de Norton; en otros casos ser el mismo resolver por cualquiera de los mtodos pero siempre nos darn el mismo resultado.

8. Averige la Corriente Norton de una Batera de automvil. Una batera de automvil tiene una FEM (tensin de la batera a circuito abierto) de 12V y una resistencia interna de 0,1 Ohm. La corriente de cortocircuito es en este caso de: 12V/0,1 Ohm = 120A

9. Un generador de una Central presenta los siguientes datos: 500Kv, 800amp. De corto circuito. Para qu sirven estos datos? Explique. Nos sirve porque nos permite hallar la resistencia interna del generador ya que cuando menor sea la resistencia interna mejor ser el generador de tensin. 10. Observaciones y Conclusiones.

OBSERVACIONES
Recomendamos cambiar los elementos que no hagan buen contacto y los que se encuentren defectuosos, ya que estos pueden ocasionar errores en la medicin. Se recomienda calibrar correctamente el multmetro antes de realizar las mediciones, calibrar en un rango apropiado para evitar dificultades.

Los clculos obtenidos tericamente tienen un porcentaje de error con respecto a los
clculos experimentales menor al 2%.

CONCLUSIONES
El teorema de Thvenin es el mejor para determinar la impedancia equivalente de un circuito resumido a una fuente y una impedancia por tanto en Corto circuito, se usa para determinar la corriente de proteccin de los interruptores adems si se necesita hacer una mxima transferencia de potencia en un sistema se obtiene el equivalente de Thvenin y se usa ese mismo valor de impedancia, por tanto tendremos la mxima transferencia de carga. Se comprob experimental el teorema de Thvenin y Norton. Los errores fueron producto de causa de la idealizacin de los instrumentos, ya que estos no son ideales sino que tienen elementos internos que afectan a las mediciones.

BIBLIOGRAFA
Hayt, William & Kemmerly, Jack (1999). 1 (en Espaol). Anlisis de Circuitos en ingeniera (5 edicin edicin). Mc. Graw Hill. pp. 24. ISBN 970-10-0407-8. Circuitos elctricos - Jess Fraile Mora - Madrid 2012 http://es.wikipedia.org/wiki/Teorema http://gco.tel.uva.es/tutorial_cir/tema3 http://personales.unican.es/peredaj/Presentacion-Teoremas.pdf http://www.slideshare.net/robles666/teoremas-de-thevenin-y-norton http://www.ece.rice.edu/~dhj/norton/Nortonmemo.pdf http://www.webelectronica.com.ar/news13/nota05.htm- batera de automvil