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RECHENBEISPIELE ZUR

VU SCHALTUNGSTECHNIK
LVA: 354.019


Kerstin Schneider-Hornstein


Jnner 2013





Inhaltsverzeichnis:


1 Netzwerkberechnung .......................................................................................................... 3
2 Transistor-Gegentaktendstufe im AB-Betrieb .................................................................... 5
3 Transistor-Gegentakt-Endstufe im B-Betrieb Verlustleistung ......................................... 7
4 Dimensionierung eines Khlbleches ................................................................................... 9
5 Brckenverstrker ............................................................................................................. 10
6 Subtrahierverstrker .......................................................................................................... 12
7 Integrator ........................................................................................................................... 15
8 Gleich- / Wechselspannungsverstrker ............................................................................. 18
9 Hochpassfilter ................................................................................................................... 22
10 Nullindikator ................................................................................................................. 25
11 Spannungs/Strom-Interface ........................................................................................... 27
12 Komplexer Rckkopplungsfaktor ................................................................................. 30
13 Videoverstrker ............................................................................................................. 34
14 CMOS-Analog-Multiplexer .......................................................................................... 37
15 Thermisches Widerstandsrauschen ............................................................................... 39
16 Eingangsrauschquellen von Transistoren ...................................................................... 40
17 Rauschen einer Transistorschaltung .............................................................................. 43
18 Rauschen bei OVs praktische Gren ........................................................................ 47
19 Elektrometerverstrker .................................................................................................. 49
20 Elektrometerverstrker 2 ............................................................................................... 51
21 Rauschen einer Common Source Schaltung ................................................................. 55
22 Rauschen einer Common Gate Schaltung ..................................................................... 57
23 Empfindlichkeit eines optischen Empfngers ............................................................... 59
24 Pre- und Deemphasis ..................................................................................................... 62

2 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 3

1 Netzwerkberechnung

Analysieren Sie die unten abgebildete Schaltung und berechnen Sie die Spannungen in den
Knoten und die Strme in den Zweigen.
















U
+
=15V

RB1 = 100 k, RC1 = 5k, RE2 = 2k
RB2 = 50 k , RE1= 3k, RC2 = 2,7k

T1: 1 = 100
T2: 2 = 100




2
1
1 2
50
15 15 5
50 100
B
B B
R
U V
R R
= = =




RBB= RB1||RB2 = 50||100 = 33,3k


U1= IB1RBB + UBE + IERE1 (1)


1 1
1
1
+
=

E
B
I
I (2)


mit (2) in (1)

Schaltungstechnik Rechenbung
4 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
U1= IE / (1+1) RBB + UBE + IERE1

mA
k k
R
R
U U
I
BB
E
BE
E 29 , 1
) 101 / 3 , 33 ( 3
7 , 0 5
) 1 ( 1
1
1
1 =
+

=
+
+


mA
mA
IB 0128 , 0
101
29 , 1
1 = =

UB1=UBE +IE1RE1 = 0,7+1,293 = 4,57V

IC1 = 1IE1 = 0,991,29mA = 1,28 mA
1 1 1 15 1, 28 5 8, 6 C C C U U I R mA k V

= \ =


UE2 = UC1 + UBE2 8,6+0,7 = 9,3V

mA
k R
U U
I
E
E
E 85 , 2
2
3 , 9 15
2
2
2 =

=
+


IC2 = IE2 = 0,992,85 = 2,82 mA

UC2= IC2RC2 = 2,28mA2,7k = 7,62V < UB2
mA
I
I
E
B 028 , 0
101
85 , 2
1 2
2
2 = =
+
=



IB2 << IC1 vernachlssigbar

fr genauere Berechnung 1 Iterationsschritt mit IB2 = 0,028mA

IRC1 = IC1 IB2= 1,28-0,028= 1,252mA

UC1 = 15-51,252 = 8,74V

UE2 = 8,74+0,7 = 9,44V

mA IE 78 , 2
2
44 , 9 15
2 =

=

IC2 = 0,992,78 = 2,75mA

UC2 = 2,752,7 =7,43 V

mA IB 0275 , 0
101
78 , 2
2 = =

99 , 0
100
1
1
1
1 = = =

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 5
2 Transistor-Gegentaktendstufe im AB-Betrieb

Ein Verstrker soll an einen Verbraucher mit RL=5 eine Sinusleistung von 50W abgeben.
Bestimmen sie unter der Voraussetzung, dass die Transistoren T1 und T2 eine
Stromverstrkung von 30, T1 und T2 eine Stromverstrkung von 100 und T3 und T4 eine
Stromverstrkung von 300 aufweisen, folgende Werte:

a) Scheitelwerte der Ausgangsspannung und des Ausgangsstromes

b) Versorgungsspannung unter der Voraussetzung einer stabilen Versorgung

c) Maximale Kollektorstrme fr die Transistoren T1, T1 ,T2 ,T2

d) Widerstandswerte fr R1 bis R6, stellen Sie einen Ruhestrom von 30mA ein um
bernahmeverzerrungen zu vermeiden.







a)
2

2
I
P R
1


( )
=>
V U
A I
4 , 22

48 , 4

=
=

Schaltungstechnik Rechenbung
6 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE



b)

Der minimale Spannungsabfall an T1, T1, T3 und R3 wird zur Bestimmung der
Versorgungsspannung herangezogen. UCE von T3 soll 0,9V nicht unterschreiten.
An R3 fllt eine Diodendurchlassspannung ab. UR3 = 0,7V

Ub
+
=Ua + UBE,T1 + UBE,T1 + UCE,T3 + UR3

Ub
+
=22,4 + 0,7 + 0,7 + 0,9 + 0,7= 25,4V

Aufgrund der Symmetrie der Schaltung ist Ub
+
= - Ub
-



c)

a T C I I

max , ' 1 , =

Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung tritt bei Vollaussteuerung auf:

UCE = Ub + Ua = 25,4V + 22,4 V = 47,8V

Mit
B
I
I
C
B = ergibt sich der maximale IC von T1 und T2 zu:
IC,T1 = IB,T1 = 149 mA

d)

An R1 und R2 fallen je 350mV ab.

= = = = 12
30
35 , 0
0
1
2 1
mA
V
I
U
R R
R

fr T1 gilt:
mA
V A
IB 2
12
7 , 0
30
48 , 4
100
1
max
|
.
|

\
|

+ =
der Strom durch die Konstantstromquellen T3 und T4 soll gro sein gegenber IBmax,T1
gewhlt: IC,T3 = 10mA

= = = = 70
10
7 , 0
3 ,
3
4 3
mA
V
I
U
R R
T C
R

mA
mA I
I
T C
T B 03 , 0
300
10
300
3 ,
3 , = = =
gewhlt Iq = 3mA

5 6
2 25, 4 1, 4
8
3
b f
q
U U V V
R R k
I mA

= = = = \
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 7
3 Transistor-Gegentakt-Endstufe im B-Betrieb
Verlustleistung

Leiten Sie eine Gleichung fr die bei sinusfrmiger Aussteuerung in einem der beiden
Transistoren entstehende maximale Verlustleistung ab.



Verlustleistung:
B-Betrieb
sin-Aussteuerung









( ) ( )
( ) | | ( )
( ) ( )
( )
dt t
R
u
t
R
u U
T
P
R
t u
t i t u t u
dt t i t u U
T
P
t i t u p
T
L
a
L
a b
v
L
a
a a a
a
T
a b v
T T v
T
T
T

=
= =
=
=
+
+
+
+ +
2
0
2
2
2
0
) ( sin

) sin(
1
), sin(
1



Schaltungstechnik Rechenbung
8 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE

T
T
dt t
T
+ =
|
.
|

\
|
=

2
0
2
cos
1
) sin(


2
1
2
T
f = =

4 4
) sin(
) ( sin
2
0
2
T T T
dt t
T
+ =





2

1
4
T
b a a
v
L
U u u
P
R


= =

( )


Mit
b a
U u =

2
(fr maximale Transistor-Verlustleistung)

2
max
2
2
1
0,1
T
b
b
v
L
L
U U
P
R R

= ~ ! (Diese Formel gilt nur fr diesen einen


Fall!)



Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 9
4 Dimensionierung eines Khlbleches

Eine Transistor-Gegentaktendstufe im B-Betrieb soll bei sinusfrmiger Aussteuerung an
einen Lastwiderstand von 8 eine Leistung von 25 Watt abgeben knnen. Bestimmen Sie die
notwendige Versorgungsspannung der Schaltung bei symmetrischer Versorgung. Errechnen
Sie mit Hilfe der Nherungsformel aus Beispiel 3 die in der Endstufe auftretende
Verlustleistung und ermitteln Sie den maximal zulssigen thermischen Widerstand Rth(KB-U)
des Khlbleches. Als Endstufentransistoren werden BD243/BD244 verwendet.
( Datenbltter)

Gegentakt-Endstufe/Khlblech



( )
C W P
P
W P
W
R
U
P
V U
V U
V u
R
u
P
G Tot
Tot
ges T
L
B
T
B
st CE
L
L
=

=
= =
=

= =

=
140 : 6 fr
Datenblatt
12
Transistor pro 6 1 , 0
22 :
3 2
20
2

max ,
max G,
,
2
Re ,
2

.
.
.

Thermisches-Ohmsches Gesetz

U
Pth I
Rth R


W
K
W
C C
R
U G th
58 , 9
12
25 140
,
=

=



Zwischen Gehuse und Umgebung:
_ _
s Khlkrper
des Datenblatt aus
,
aste Wrmeleitp
ttchen Glimmerpl
, , U KB th KB G th U G th
R R R

+ =
Rth,GKB = 0,5K/W (siehe Vorlesung)

gewhlt: Khlblech SK 31, Querschnitt 50x50mm (siehe Datenblatt)

Rth,KBU = 6,8K/W

, 0, 5 6, 8 7, 3 th G U
K K
K
R
W
W W
= =
< Rth,GU max
th
U G
U G th
P
R

=
,
Schaltungstechnik Rechenbung
10 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE

5 Brckenverstrker

Konstruieren Sie unter Verwendung der Transistor-Gegentaktendstufen aus Beispiel 4 einen
Brckenverstrker inklusive Ansteuerschaltung. Vergleichen Sie den
Ausgangsspannungsbereich, die erzielbare Ausgangsleistung und die Verlustleistung mit der
einfachen Gegentakt-Schaltung.
Nehmen Sie dabei an, dass die Transistoren ausreichend hohe Stromverstrkung haben um
mit einem Operationsverstrker angesteuert werden zu knnen.




Indizes:
B.....Brckenverstrker
G.....einfache GT-Endst


G L B L
G L B L
P P
U U
, ,
, ,
4
2
=
=


deswegen Anwendung dort, wo wenig UB zur Verfgung steht und kein Trafo eingesetzt
werden soll!

( )
G T
L
B
tor einTransis T
P
R
U
P
,
2
,
. 2
2 /
1 , 0 =

NACHTEIL: Kein Lautsprecher-Anschluss liegt auf Masse!!

VORTEIL: Betrieb mit einer Versorgungsspannung ohne Koppelkondensator








Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 11

Schaltung fr Unipolare Versorgung:



L
B
L
st CE
R
U
P
U

2
: 0 bei
2
max ,
Re ,



Schaltungstechnik Rechenbung
12 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
6 Subtrahierverstrker
Eigenschaften der Subtrahierverstrkerschaltung zur Messung von Differenzsignalen mit
Gleichtaktstrungen
Keywords: Differenzverstrkung, Gleichtaktverstrkung, Gleichtaktunterdrckung

OPV ideal
a) Berechnen Sie die Ausgangsspannung in Abhngigkeit von den Eingangsspannungen
mittels Superposition.
b) Wie gro sind Differenzverstrkung und Gleichtaktverstrkung?
c) Wie gro ist die Gleichtaktunterdrckung (Verhltnis von Differenzverstrkung zu
Gleichtaktverstrkung)?
d) R1=R3=R2=R4=10k (Nennwert):
Wie gro ist die minimale Gleichtaktunterdrckung, wenn die Widerstnde eine Toleranz
von 0,5% aufweisen?
e) R1=R3=10k, R2=R4=100k (Nennwert), Toleranz 0,5%:
Wie wirkt sich die Erhhung der Verstrkung auf die Gleichtaktunterdrckung aus?
f) R1=R3=R2=R4=10k, Toleranz vernachlssigbar
Wie gro ist die Gleichtaktunterdrckung, wenn der Subtrahierer von unsymmetrischen
Spannungsquellen mit einem Innenwiderstand von 100 bei Eingang 1 und 0 bei
Eingang 2 angespeist wird?
g) R1=R3=R2=R4=10k, Aussteuerbereich der OPV-Eingnge Up=Un = -10V ... 10V:
Wie gro ist der Gleichtakt-Aussteuerbereich der Subtrahierverstrker-Eingnge?
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 13
a)
Eingang 1:
U U
e e 1 2
0 0 = , : Spannungsteiler und Elektrometerverstrker
U U
R
R R
R R
R
a e 1 1
2
1 2
4 3
3
=
+

+

Eingang 2:
U U
e e 1 2
0 0 = , : Invertierender Verstrker
U U
R
R
a e 2 2
4
3
=
gesamt:
U U
R
R R
R R
R
U
R
R
U
R
R
R R
R R
U
R
R
a e e e e
=
+

+
=
+
+

1
2
1 2
4 3
3
2
4
3
1
4
3
3 4
1 2
2
4
3
1
1

b)

Differenzspannung:
U U U
d e e
=
1 2


Gleichtaktspannung:
U
U U
gl
e e
=
+
1 2
2

Das Ergebnis aus a) mit
U v U v U
a d d gl gl
= + U
U
U
e
d
gl 1
2
= + U
U
U
e
d
gl 2
2
= +
ergibt:
U
R
R
R R
R R
U
R
R
R R
R R
U
a d gl
= +
+
+
|
\

|
.
|
+
+
+

|
\

|
.
|

1
2
1
1
1
1
1
1
4
3
3 4
1 2
4
3
3 4
1 2

v
R
R
R R
R R
d
= +
+
+
|
\

|
.
|
1
2
1
1
1
4
3
3 4
1 2
v
R
R
R R
R R
gl
=
+
+

|
\

|
.
|
4
3
3 4
1 2
1
1
1
Ziel: vgl = 0 R R R R
1 2 3 4
=
Anm.: Zustzlich muss aber die Gleichtaktverstrkung des OPV kompensiert werden.
c)
Die Gleichtaktunterdrckung drckt bei einer Differenzspannungsquelle und berlagerten
Gleichtaktstrungen die Abschwchung des Strsignals gegenber dem Nutzsignal aus.
v
v
R
R
R R
R R
R
R
R R
R R
R R R R
R R R R
d
gl
=
+
+
+
|
\

|
.
|
+
+

|
\

|
.
|
=
+ +

1
2
1
1
1
1
1
1
1
2
2
4
3
3 4
1 2
4
3
3 4
1 2
3 4 1 2
3 4 1 2

d)
Die maximale Abweichung tritt auf, wenn die Widerstandsverhltnisse bei
unterschiedlichen Grenzen liegen:
R
R
1
2
9 95
10 05
0 99
min
,
,
, = =
R
R
3
4
10 05
9 95
1 01
max
,
,
, = =
v
v
d
gl
=
+ +

=
1
2
2 1 01 0 99
1 01 0 99
100
, ,
, ,


Schaltungstechnik Rechenbung
14 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
e)
R
R
1
2
9 95
100 5
0 099
min
,
,
, = =
R
R
3
4
10 05
99 5
0101
max
,
,
, = =
v
v
d
gl
=
+ +

=
1
2
2 0101 0 099
0101 0 099
550
, ,
, ,

f)


Innenwiderstand wird zu R1 addiert
R R R
i 1 1

= +
R
R
1
2
101
10 0
1 01

= =
,
,
,
v
v
d
gl
=
+ +

= =
1
2
2 1 1 01
1 1 01
4 01
0 02
200 5
,
,
,
,
,
g)
U U
R
R R
p e
=
+
1
2
1 2

1
1
2
1 2 20V .. 20V
e p p
R
U U U
R
| |
= + = =
|
\ .
.

Gleichtaktaussteuerung: Ue1 = Ue2
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 15
7 Integrator
Analyse der Integratorgrundschaltung mit den wichtigsten Quellen der Abweichung (siehe
Buch Elektrische Messtechnik S.126f).
Keywords: Integratordrift, OPV-Offsetspannung, OPV-Eingangsruhestrom

a) OPV ideal:
Ermitteln Sie eine Beziehung fr R und C, soda die gewnschte Umsetzung von Rechteck
auf Dreieck erzielt wird.
b) R = 100 k; OPV ideal:
Wie gro ist C zu whlen?
c) R = 100 k; C = 3,75 nF; OPV ideal bis auf |Ie-| = 5 nA:
Was geschieht mit dem Ausgang, wenn der Eingang offen gelassen wird ?
d) R = 100 k; C = 3,75 nF; OPV ideal bis auf |Ie-| = 5 nA und |Uoff| = 600 V:
Was geschieht mit dem Ausgang, wenn der Eingang kurzgeschlossen wird ?
e) R = 10 k; C = 37,5 nF; OPV ideal bis auf |Ie-| = 5 nA und |Uoff| = 600 V:
Wie wirkt sich die nderung von R und C aus ?
f) R = 100 k; C = 3,75 nF; OPV ideal bis auf |Ie-| = 5 nA und |Uoff| = 600 V:
Mit einem Parallelwiderstand Rp (parallel zu C) soll die Schaltung stabilisiert werden. Bei
Ue = 0 V ist eine maximale Ausgangsspannung von 20 mV zulssig. Wie gro mu Rp
gewhlt werden ?
g) R = 100 k; C = 3,75 nF; Rp = 1,6 M; OPV ideal:
Wie gro ist die durch Rp verursachte Abweichung von |a| gegenber dem gewnschten
Wert?

Schaltungstechnik Rechenbung
16 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
a)
Fr den Integrator gilt allgemein:
u
C
i dt
i i
u
R
C C
C e
e
=
= =

1
u u
RC
u dt
a C e
= =
1

bei konstanter Eingangsspannung:
U
U
R C
t
a
e
=


2 1
U
R C
a
e
=


`
ms

int
= = R C
3
8
375 ms = s
b)
C
R
= =

3 75 , nF
c)
I i C
du
dt
e C
a

= =
Die Ausgangsspannung steigt mit
du
dt
I
C
a e
|
\

|
.
| = = =

5
13
nA
3,75nF
V
s
,
`
an.
d)
Worst case: Abweichungen addieren sich
I
U
R
R
off
=
I I I
U
R
I
C R e
off
e
= + = + =


600
100
5
V
k
nA =11nA

+
du
dt
I
C
a C
|
\

|
.
| = = =
11
2 93
nA
3,75nF
V
s
,
`

e)
I
C
= +
600
10
5
V
k
nA = 65nA


du
dt
I
C
a C
|
\

|
.
| = = =
65
1 73
nA
37,5nF
V
s
,
`

f)
stationrer Zustand:
I I I
Rp R e
= + =

11nA
U U U
Rp a off
= = 20mV- 600 V =19,4mV
R
U
I
p
Rp
Rp
, max
,
, = = =
19 4
11
1 76 M M



Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 17
g)
( )
U U
R
j C
R
U
R
j R C
R
a e
p
e
p
p
=

=
+

1
1
1


Parallelwiderstand ergibt Tiefpass mit der Sprungantwort:
( ) u t U U U e
a a a a
t
( ) = +
|
\

|
.
|
|


0 0
1


= = R C
p
6 ms

U U
a a 0
=
`

( )
`
( )
` `
U U U U U e
a a a a a
= = + +
|
\

|
.
|
|


1 1
1
ms
ms


`
U U
e
e
a a
=

+

1
1
1
1
ms
ms



fiktiver (!) Endwert des Ladevorganges: V 48 = V 3 | |
0
R
R
v U U
p
e a
= =


`
,991 U
e
e
a
=

+
=

48
1
1
3
1 6
1 6
V anstelle von 4 V
( ) F U
a
= 0 231 , %


Schaltungstechnik Rechenbung
18 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
8 Gleich- / Wechselspannungsverstrker

Die dargestellte Schaltung weist fr Gleich- und Wechselspannung unterschiedliche
Verstrkung auf. Die Eingangsspannung entspricht der im Bild dargestellten.

-2
0
2
4
6
0 2 4 6 8 10
u
e
(t)
u
e
(t)
[V]
u
e
t


a) OPV ideal;
Berechnen Sie die Beziehung der Widerstnde R1 und R2 damit
Gleichspannungsverstrkung vr==1 und Wechselspannungsverstrkung vr~=5
auftreten.
b) R1=100k, OPV ideal;
Wie gro ist der Widerstand R2 zu whlen?
c) R1=100k, R2=400k, C=4,7nF, OPV ideal bis auf |Ie-|=20nA.
Wie gro ist die Abweichung der Ausgangsspannung verursacht durch |Ie-|?
d) R1=100k, R2=400k, C=4,7nF, OPV ideal bis auf |Uoff|=2mV.
Wie gro ist die Abweichung der Ausgangsspannung verursacht durch |Uoff|?
e) R1=100k, R2=400k, C=4,7nF, OPV ideal bis auf |Ie-| = 20nA und |Uoff|=2mV.
Wie gro ist die Abweichung der Ausgangsspannung maximal?
f) OPV ideal;
Berechnen Sie die Verstrkung in Abhngigkeit von .
g) R1=100k, R2=400k, C=4,7nF OPV ideal;
Ermitteln sie die auftretenden 3dB-Grenzfrequenzen und zeichnen sie den
Betragsfrequenzgang im Bodediagramm.



Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 19
a)
f=0: C wirkt wie Unterbrechung
e e
U u =
Ua = Ue

f : C wie Kurzschluss

5
1
2 1
=
+
=
R
R R
u
u
e
a


R2 = 4R1

b)
R2 = 4R1 = 4100k= 400k


c)
Die Eingangsspannung kann durch eine
Wechsel- und eine Gleichspannungsquelle
dargestellt werden. Mittels Superposition
wird der auftretende Fehler berechnet.



0 ) sin( = t u
e

Ie-=0
0
e
u

e a
u u =
1


0 ) sin( = t u
e

0 =
e
u
0
e
I
ua2=Ie-R2

0 =
e
u
Ie-=0
0 ) sin( t u
e



fr f : C wirkt wie Kurzschluss
Schaltungstechnik Rechenbung
20 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE

) sin( 15 ) sin( 3
100
400 100
) sin(
1
2 1
3
t V t V
k
k k
t u
R
R R
u
e a
=

+
=
+
=



) sin( 15 008 , 2
) sin( 15 400 20 2 ) sin(
1
2 1
2
t V V u
t V k nA V t u
R
R R
R I u u
a
e e e a


+ =
+ + =
+
+ + =



Da |Ie-| eine Gleichgre ist, geht der verursachte Fehler nur in den Gleichanteil der
Ausgangsspannung ein.

% 4 , 0 ) ( =
a
u F


d)
0 ) sin( = t u
e

Uoff=0
0
e
u

e a
u u =
1


0 ) sin( = t u
e

0 =
e
u
0
off
U
ua2=Uoff

0 =
e
u
Uoff=0
0 ) sin( t u
e

siehe Punkt c)



) sin( 15 002 , 2
) sin( 15 2 2 ) sin(
1
2 1
t V V u
t V mV V t u
R
R R
U u u
a
e off e a


+ =
+ + =
+
+ + =



|Uoff| ist ebenfalls eine Gleichgre Fehler des Wechselanteiles der
Ausgangsspannung ist null.

% 1 , 0 ) ( =
a
u F





Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 21
e) Worst case: Abweichungen addieren sich

) sin( 15 01 , 2
) sin( 3 5 2 400 20 2
) sin(
~ 2
t V V u
t V mV k nA V
t u v U R I u u
a
e r off e e a

+ =
+ + + =
+ + + =



% 5 , 0 ) ( =
a
u F

f)
( )
( )
1 2 2
1
1
1 2
1
1 2
1
1
1
1
1
somit:
1
1
r
a
e
r
R U Z Z
v
U Z
R
j C
R R
j C
R
j C
j R R C
v
j RC

+
= = = +
+
+ +
=
+
+ +
=
+


g)

Hz
ms
f
C R
Hz
ms
f
mit
j
j
C R j
C R R j
v
r
6 , 338
47 , 0 2
1
2
1
2

ms 47 , 0 nF 7 , 4 k 100
1

7 , 67
35 , 2 2
1
2
1
2

2,35ms 4,7nF ) 400k (100k C ) R (R
1

1
1
1
) ( 1
2
2
1
2
2
1
1
1
2 1
1
1
2
1
1
2 1
2
=

= = =
= = = =
=

= = =
= + = + = =
+
+
=
+
+ +
=



|v |
r
[dB]
0
14
lg( )
2

1

Schaltungstechnik Rechenbung
22 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
9 Hochpassfilter
Das Beispiel behandelt einen einfachen Entwurf eines aktiven Hochpassfilters zur Unter-
drckung des 50 Hz - Netzbrumms und die Untersuchung der Abweichung einer Knickzug-
nherung fr den Frequenzgang.
Keywords: Aktives Filter, Bode-Diagramm, Amplitudenabweichung, Phasenabweichung

C
1
= 8 nF; OPV ideal; Nutzfrequenzbereich = { 10 kHz ... 50 kHz };
a) Geben Sie die Verstrkung der Schaltung in allgemeiner Form in Abhngigkeit von der
Frequenz an.
b) Skizzieren Sie das Bode-Diagramm als Knickzugnherung
c) Ermitteln Sie C
2
so, dass im Nutzbereich ( f >> fg ) die Verstrkung |v| = 4 betrgt.
d) Wie muss R
2
gewhlt werden, damit der Netzbrumm gegenber dem Nutzbereich um
mindestens 40 dB abgeschwcht wird?
e) Geben Sie den Minimalwert der Verstrkung und die relative Abweichung vom Sollwert
(|v|=4) fr den Nutzbereich an.
Wie gro ist die Schwankung der Verstrkung im Nutzbereich in dB?
f) Wie gro ist die maximale Phasenabweichung im Nutzbereich? Bei welcher Frequenz
erreicht die Phasenabweichung 1?
g) Wie gro ist die minimale Eingangsimpedanz der Schaltung im Nutzbereich?
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 23
a)
2
2
2 1 2 1 1
1 2 2 2
2
1 2
1
1
2
1 1 1 2
1
g
g
f
j
j C
Z f
R j C j f R C C
v
Z j f R C C f
j C j
j C R f



= = = = =




mit
2 2
1
2
g
f
R C
=


b)
2 1
: 2
g
f f v f RC << , Steigung: 20 dB / Dekade;
0
270 90 = =
2
1
:
C
C
v f f
g
>> ;

= 180
(180 Phasendrehung durch OPV-Beschaltung)














c)
1
2
2nF
C
C
v

= =
d)
2
1
dB 20lg
U
v
U
l
=
l
l
40 dB 100 fach

Schaltungstechnik Rechenbung
24 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE

v
C
C
j
j
g
g
=

+
1
2
1


j
j
j
j
g
g
k
g
k
g

+
=

+

50
50
10
10
1
100
1

50
1
50
100
10
1
10
2
2
4
8
2
f
f
f
f
g
g
g
g
+
=
+
, 1
10
4
10
8
2
4
2
+ = +
f f
g g
,
9 10
3
7
2
,999
=
f
g
f
g
= 5,77 kHz
R
C
g
2
2
1 1
2
13 8 =

=

=

2 5770s nF
k
-1
,
e)
( ) v
C
C
j
j
C
C
j
j
C
C
v 10
2 10
2 5 77
1
2 10
2 5 77
1 734
1 1 734
0 8663 3 465
1
2
1
2
1
2
kHz
k
k
k
k
=

=
+
= = =

,
,
,
,
, ,
min

( ) 974 , 3 9934 , 0
671 , 8 1
671 , 8
k 77 , 5 2
k 50 2
1
k 77 , 5 2
k 50 2
kHz 50
max
2
1
2
1
2
1
= = =
+
=

= v
C
C
j
j
C
C
j
j
C
C
v


| | v
v
v
dB dB = = 20 1189 lg ,
max
min

f)
maximale Phasenabweichung bei minimaler Frequenz
( ) ( ) ( )

v
j
j
j
j
10
2 10
2 5 77
1
2 10
2 5 77
1 734
1 1 734
90 1 734 150 kHz
k
k
k
k
=

|
\

|
.
|
|
|
|
=
+
|
\

|
.
|
= = arg
,
,
arg
,
,
arctan ,
= + = 150 180 30
1 89 +
|
\

|
.
| = j
f
f
g

( ) f f f
g g
= = = tan , , 89 57 29 330 6 kHz
g)
1
1
C j
Z
e

Minimum bei maximaler Frequenz


=

= 398
nF 8 k 50 2
1
min ,

e
Z

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 25
10 Nullindikator
Fr ein lineares Drehspulinstrument mit Mittenstellung soll ein Verstrker mit nichtlinearer
Kennlinie entworfen werden (siehe Elektrische Messtechnik S.167ff).
Keywords: Verstrker mit Knickkennlinie

geforderte Verstrkerkennlinie:
Ue Ua
0 V 0 V
10 mV ) 2,5 V
100 mV ) 4 V
1V ) 5 V
U
ref1
= 10V, U
ref2
= -10V
Eingangswiderstand des
Nullindikators: R
e
= 1 k

Man dimensioniere die Widerstnde fr die geforderte Kennlinie. Die Spannung an den
Dioden im leitenden Zustand soll idealisiert mit 0,5 V und der OPV ideal angenommen
werden.


Schaltungstechnik Rechenbung
26 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
Eingangswiderstand:
R R k
e 1
1 = =
Bereich 1:
| | U V mV
e
0 10 ... ,
| | U V V
a
) 0 2 5 ... ,
Verstrkung:
v
U
U
a
e
1
1
1
2 5
10
250 = = =

, V
mV

Invertierender Verstrker:
v
R
R
1
2
1
250 = =
R v R k
2 1 1
250 = =
Bereich 2:
| | U mV mV
e
10 100 ... ,
| | U V V
a
) 2 5 4 , ...
v
U
U
a
e
2
2
2
15
90
16 67 = = =

,
,
V
mV

v
R R
R
2
2 4
1
= R R k
2 4
16 67 = , R k
4
17 86 = ,
Bereich 3:
| | | | U mV V U V V
e a
100 1 4 5 ... , ... )
v
U
a
U
e
3
3
3
1
0 9
111 = = =

,
,
v
R R R
R
3
2 4 6
1
= R R R k
2 4 6
111 = , R k
6
119 = ,
Berechnung von R
3
aus den Spannungen an R
3
und R
4
im Knickpunkt U
aK1
:
I I
R R 3 4
= , U

= = = U V U U V
D a aK 1 1
0 5 2 5 , , ,
U
U
U U
U U
V
V
R
R
R
R
ref D
aK D
3
4
1 1
1 1
3
4
10 5
2
=
+

= =
,
R
U
U
R k
R
R
3 4
3
4
93 77 = = ,
Berechnung von R
5
aus den Spannungen an R
5
und R
6
im Knickpunkt U
aK2
:
I I
R R 5 6
= , U

= = = U V U U V
D a aK 2 2
0 5 4 , ,
U
U
U U
U U
V
V
R
R
R
R
ref D
aK D
5
6
1 2
2 2
5
6
10 5
3 5
=
+

= =
,
,
R
U
U
R k
R
R
5 6
5
6
3 57 = = ,
Wegen der Symmetrie der Schaltung gilt: R R
i i
'
=

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 27
11 Spannungs/Strom-Interface
Eine Standardschaltung fr eine spannungsgesteuerte Stromquelle (siehe Buch Elektrische
Messtechnik S.162f.) wird in Hinsicht auf ihre Funktion und ihre Quellen der Abweichung
analysiert.
Schlagworte: OPV-Offset, OPV-Eingangsstrom, Widerstandseigenerwrmung, OPV-
Temperaturdrift


Uref = 10 V; RS = 156,25 ; US = 50 V;
Ue1= 0 ... 10 V, Ue2= 0 V, oder
Ue1= 0 V, Ue2= 0 ... 5 V,
a) Welcher Ausgangsstrom IL kann mit der Schaltung erzeugt werden? (idealer OPV,
Vernachlssigung des Transistorbasisstroms)
b) Wie gro ist der maximale Lastwiderstand?
c) Welche Abweichungen von der Sollcharakteristik entstehen durch die Eingangsoffsetspan-
nung des Operationsverstrkers?
d) Welche Abweichungen von der Sollcharakteristik entstehen durch den Eingangsruhestrom
des Operationsverstrkers?
e) Welche Abweichungen von der Sollcharakteristik entstehen durch den Basisstrom des
Transistors? Wie kann die Abweichung durch ein Abgleichelement korrigiert werden? Was
bewirkt die Verwendung eines FET?
f) Welche maximalen Abweichungen von der Sollcharakteristik entstehen durch die Erwr-
mung des Widerstandes RS, wenn sein Wrmewiderstand Rth = 320K/W und der Tempera-
turkoeffizient TKR = 50ppm/K betrgt? Auf welchen Wert wird die Abweichung reduziert,
wenn man zwei doppelt (vier viermal) so groe Widerstnde parallel schaltet?
g) Wenn der Transistor mit dem Operationsverstrker integriert ist, erwrmt sich der Konver-
ter durch die Verlustleistung des Transistors. Welche maximalen Abweichungen von der
Sollcharakteristik entstehen dabei aufgrund der Temperaturdrift der OPV-Eingangsgren
bei einem Wrmewiderstand Rth

= 100K/W, einer Drift der Eingangsoffsetspannung
TKUed0 = 20V/K und einem Eingangsruhestrom Ie0(25C) = 10pA, Verdoppplung je
10K?
Schaltungstechnik Rechenbung
28 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
a)
Das Eingangsnetzwerk ist linear. Die Spannung am nicht invertierenden OPV-Eingang ergibt
sich als Summe der geteilten Eingangsspannungen (durch Superposition):
( )
( ) ( )
U U
k
k k k k
k
k k
U
k
k k k k
U
k
k k k k
p ref
e e
=
+
+

+
+
+
+
+
+
+
+
1
1
15
10 20 16 25 5
1
1
16 25
10 20
1
1
20
15 5 16 25 10
1
1
10
15 5 16 25 20
1 2
| | , | |
,
| |
| | , | | | | , | |

U U U U
p ref e e
= + + 0 0625 0 25 0 5
1 2
, , ,

Der OPV arbeitet als Regler und stellt die Spannung am Widerstand RS auf den Wert der
Spannung am nicht invertierenden OPV-Eingang ein. Bei Vernachlssigung des Basisstro-
ms und idealem OPV ergibt sich fr den Ausgangsstrom:
I
U
R
L
p
S
=
I U U U U U
L ref e e e e
= + + = + + 0 4 1 6 3 2 4 1 6 3 2
1 2 1 2
, , , , ,
mA
V
mA
V
mA
V
mA
mA
V
mA
V

IL = 4..20mA
b)
Die maximale Spannung an der Last wird begrenzt durch die Sttigung des Transistors.
( ) U I R R U
S L L S CEsat
+ >
max

( ) U U I R R
S CEsat L L S
> +
max
R
U U
I
R
L
S CEsat
L
S
<

max

mit einer typischen Sttigungsspannung von 0.2V:
R
L
< 2 334 , k
c)
Eine Offsetspannung des OPV bewirkt eine nderung der Spannung an RS um den selben
Betrag.
U U U
Rs p off
=
I
U U
R
L
p off
S
=


Offsetabweichung am Ausgangsstrom: I
U
R
L
off
S
=
d)
Ein konstanter Strom in den nicht invertierenden Eingang bewirkt eine Belastung des
Widerstandsnetzwerkes.
U R I
p i e
=
0
R
i
= = 20 20 10 5 k k k k || ||


I
U
R
R
R
I I
L
p
S
i
S
e e
= = =
0 0
32
Die Spannung an RS wird durch den OPV konstant gehalten. Ein konstanter Strom in den
invertierenden Eingang fhrt daher zu einer Erhhung des Ausgangsstromes.
I I
L e
=
0

gesamt:
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 29
I I
L e
= 31
0

e)
S
p
E
R
U
I =
1
|
.
|

\
|
+
= =
B
B
R
U
I I
S
p
C L


Verstrkungsabweichung und nichtlineare Abweichung, da ( )
C
I B B =
nherungsweise Verstrkungsabweichung:
1
p
L C
S
U
B
I I
R B
1

= =



( )

Verstrkungskorrektur z.B. durch Widerstand parallel zu RS (fr B~100: R ~100RS)
keine Abweichung bei FET (Eingangsstrom gleich Null,Drainstrom gleich Sourcestrom)

f)
Erwrmung des Widerstandes:
K 20 K 320 10 20 25 , 156
6 2 2
= = = =

th S th
R I R R P T
R R TKR T TKR R I R
S
S
S L th
= = =
2
01 , %
I I R R
L L S
S
= = 01 , %
Parallelschalten von n Widerstnden, (Voraussetzung: freie Wrmeabgabe fr jeden
einzelnen Widerstand, nicht zu nahe)
th S th S S S
R I
n
R TKR R
n
I
nR TKR T TKR R R =
|
.
|

\
|
= =
2
2
1

ein Widerstand: I I
L L
= 01% ,
2 Widerstnde parallel: I I
L L
= 0 05% ,
4 Widerstnde parallel: I I
L L
= 0 025% ,

g)
maximale Verlustleistung des Transistors bei maximaler Kollektor-Emitterspannung
(minimaler Lastwiderstand=0)
( ) P U R I I
S S L L
= mit I
L
= 4 20 .. mA
P
max
mW = 937,5
T P R
th
= = 93 75 , K unter Vernachlssigung der OPV-Verluste
U T TKU
ed ed 0 0
6
93 75 20 10 1875 = = =

, , V mV
( ) I
e0
9
93 75
10
9
118 75 0 01 10 2 0 01 10 664 , , ,
,
= =

C A A = 6,64 nA
I
e0
6 64 = , nA
(Anm.: offenbar FET-OPV)


I
U
R
I
L
ed
S
e
= + =
0
0
33 12 A + 0,219 A = 12,22 A
Schaltungstechnik Rechenbung
30 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
12 Komplexer Rckkopplungsfaktor

Berechnen Sie allgemein den Rckkopplungsfaktor bzw. seinen Kehrwert der folgenden
Schaltung:




Zeichnen Sie den Verlauf von 1/ in ein Bodediagramm ein und ermitteln Sie graphisch die
Schleifenverstrkung als Funktion der Frequenz
R1=1k, R2=9k, C=1F

a) fr einen (sonst idealen) OV mit vg=10
5

b) fr einen OV mit:
1
4
100 mit
1
10

=
+
= s
j
v
g
g
g


c) Ist die Schaltung stabil? Berechnen Sie die Phasenreserve
d) In welchen Fllen (variieren Sie die Werte fr die Kapazitt) ist Stabilitt gegben?


Schleifenverstrkung:

( ) C R R j R R
R
C R j
R
R
C R j
R
R
C j
R
C j
R
u
u
a
n
2 1 2 1
1
1
1
2
1
1
2 1
1
1
1
1
||
1
||

+ +
=
+
+
+
=
=
+
= =
|
|
.
|

\
|
+
=
C R j
R
C R
1
1
1
1
||



g
j
R R
R

+
=
1
1
2 1
1
,
C
R R
R R
g

=
2 1
2 1
1


( )
2 1 0
// 2 DC fr R R f

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 31
( )
1 3
6 3
0
10 1 , 1
10 1 10 9 , 0
1
20 1 , 0
1 9
1

=

=
= =
+
=
s
dB
g
`



a) sonst idealer OPV mit vg=10
5
(=100dB)


Schaltungstechnik Rechenbung
32 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
b) OPV mit 1 Knick bei vg0=10
4
, gOPV=100 s
-1



c)
( )
=

174
10530 bei 1
1
10530
1
s
s
s
v
s v


phase margin 6

Die Schaltung wird starke Schwingneigung zeigen; die Schwingungen werden (wenn auch
nach langer Zeit) abklingen.










Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 33
d)
Variation von C:

( )
F k k
s
C R R
g


1 9 1
1111
//
1
900
1
2 1
,
_

=


durch Variation von C kann die Knickfrequenz des Rckkoppelfaktors so verschoben
werden, dass
g
v und

1
einander unter einem Winkel < 90 (40dB/Dek) schneiden (=|vs|
tritt mit -20dB/Dek durch die 0dB-Linie).

gewnschte Grenzfrequenz: g, = 10
5
s
-1

C
g
* 900
1
, = => C=11nF


Schaltungstechnik Rechenbung
34 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
13 Videoverstrker

Ein Videoverstrker wird von einer 50-Quelle ber ein abgeschirmtes Kabel angesteuert.
Berechnen Sie:
a) den Rckkoppelfaktor
b) zeichnen Sie ein Bodediagramm fr 1/, vs
c) diskutieren Sie die Abhngigkeit der Stabilitt von der Kapazitt.

Die Gleichspannungsverstrkung soll 40dB betragen, der verwendete OV hat eine vg(0) von
80dB und eine Knickfrequenz bei 10
5
s
-1
.




a)
( ) =

= = = = k R
R
R
R
dB v
q
r
5
50
100 40 0
2
2 2


b)
bringen! 1
1
Form auf
1
1
1
1
1 1
||
1
||
1
||
1
0
2
2 2 2
2
2
|
.
|

\
|
+
+
+
=
+ +
=
=
+
+
+
=
|
|
|
|
|
|
|
|
|
.
|

\
|
+
=

+
=
+
=
g
q
q
q
q q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
j
C R j
R
R R
R
C R R j R R
C R j
R
C R j
R
R
C R j
R
R
C j
C j
R
C j
R
C j
R R



Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 35
( )
3
0
0
0
2
2 2
10 9 , 9
5 , 49 1
1 1
09 , 40
1
1
1

=
= + =
=
|
|
.
|

\
|

+
+
=

p p
q
q
q
q
R C R j
dB C
R R
R R
j
R
R R


OP = 10
5
s
-1
vgo = 10
4


0 0
1 1
s g
OP K
v
v v
j j

= =
1 1





( )( )


Im Bodediagramm also:


OP
g g
j
v v

+
=
1
1
0
Schaltungstechnik Rechenbung
36 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
c)

Die Lage des Knicks ist von Kapazitt abhngig!

Mit Rp = 49,5 ergeben sich folgende Knick-Frequenzen:

C=: 100 pF :
1
= =
C R
p
k
2,02.10
8
1 nF 2,02.10
7

10 nF 2,02.10
6

100 nF 2,02.10
5

1 F 2,02.10
4

10 F 2,02.10
3

100 F 2,02.10
2






Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 37
14 CMOS-Analog-Multiplexer
Das Beispiel behandelt Eigenschaften von CMOS-Analog-Schaltern (z. B.: DG506A) und
ihren Einflu auf einen invertierenden Verstrker
.
.
. .
.
.


a) Welche maximalen Abweichungen vom Betrag der Sollverstrkung 1 entstehen durch den
Widerstand der Analogschalter fr die beiden Schaltungen bei einer Versorgungsspannung
US = 15V (T=25C)?
b) Auf welchen Wert knnen die Abweichungen durch eine Verstrkungskorrektur reduziert
werden?
c) Welche zustzlichen Abweichungen entstehen schtzungsweise bei einer Temperatur-
erhhung auf 75C?
d) Durch welche Manahmen lt sich der Einflu des Leitwiderstandes der Analogschalter
weitgehend eliminieren?
e) Welche qualitative Abweichung der Ausgangsspannung entsteht durch einen konstanten
Leckstrom der Schalter?

a)
Der Widerstand des Schalters ndert sich mit der Gate-Source-Spannung und der
Versorgungsspannung.
Fr beide Verstrker gilt:
v
R
R R
S
=
+
2
1

Verstrker 1:
= 230
max S
R
9775 , 0
k 23 , 10
k 10
max 1
2
min
=

=
+
=
S
R R
R
v
F = -2,25 %
Verstrker 2:
=190
max S
R
981 , 0
k 19 , 10
k 10
max 1
2
min
=

=
+
=
S
R R
R
v
F = -1,86 %


Schaltungstechnik Rechenbung
38 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
b)
Da beim ersten Verstrker die Kanalspannung des Schalters 10V berstreicht, ergibt sich
eine Variation des Schalterwiderstandes von:
= 230 190.
S
R
= 40
S
R

( )
d v
dR
R
R R S
S
=
+
2
1
2

d v
v
dR
R R
dR
R
S
S
S
=
+

1 1

F = -0,4 %

Beim zweiten Verstrker ist die Variation des Widerstandes sehr viel kleiner (auch
abhngig von der OPV-Leerlaufverstrkung). Durch eine Verstrkungskorrektur kann die
Abweichung fr den gesamten Eingangsspannungsbereich grtenteils eliminiert werden.
c)
=

5 , 37
2
75
S
R
F = -0,375 %
d)
Einfgen eines Analogschalters in den Rckkopplungszweig zur Kompensation
Einfgen eines Spannungspuffers zwischen Multiplexer und Inverter

e)
Offsetfehler

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 39
15 Thermisches Widerstandsrauschen

Gegeben sei die Serienschaltung zweier Widerstnde R1 und R2 mit den Temperaturen T1 und
T2. Errechnen Sie die Gren des Ersatzschaltbildes mit einer Rausch-Ersatzspannungsquelle
und einem nichtrauschenden Innenwiderstand.



K
J
k
23
10 38 , 1

=
2
Root Mean Square
Effektivwert
u =
=


Man darf hier (im allgemeinen: Quellen statistisch unabhngig) nicht die Spannungen
addieren!

Summe der Rauschleistungen bilden!

( )
2 2 1 1
2
2
2
1
2
,
4 T R T R kB u u u
n n ges n
+ = + =

Effektivwert der Gesamtspannung:
( )
2 1
2 2 1 1
2
, , ,
4
R R R
T R T R kB u u
i
ges n eff ges n
+ =
+ = =





Schaltungstechnik Rechenbung
40 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
16 Eingangsrauschquellen von Transistoren

Gegeben sei ein Transistor mit seinen Rauschquellen. Berechnen Sie die quivalente
Eingangsrauschspannung und den quivalenten Eingangsrauschstrom des Transistors.

a) fr einen Bipolartransistor

b) fr einen Feldeffekttransistor


Zur Berechnung der quivalenten Eingangsrauschquellen, wird fr die Berechnung der
Eingangsrauschspannung der Eingang kurzgeschlossen, fr die Berechnung des
Eingangsrauschstroms wird das ESB mit leerlaufendem Eingang betrachtet.

a) Rauschquellen des BIP-Transistors:


2
b
u beinhaltet das Thermische Rauschen des Basiswiderstandes rb

2
b
i beinhaltet das Schrotrauschen, das 1/f Rauschen, die Darstellung des 1/f
Rauschen als Stromquelle zwischen Basis und Emitter wurde experimentell
festgestellt

2
c
i entspricht dem Schrotrauschen des Kollektorstromes (thermisches
Rauschen aufgrund des hochohmigen Kollektorknotens vernachlssigt)

f r kT u
b b
= 4
2

f
f
I
K f qI i
a
B
B b
+ =
1
2
2 K1 ... Konstante fr geg. Bauteil
f qI i
C c
= 2
2
a .... Konstante zw. 0,5 und 2


die quivalente Eingangsrauschspannung ergibt sich aus folgender Berechnung der Dichte des
Rauschspannungsquadrates:

weil rb klein ist, sind die Effekte von ib vernachlssigt.

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 41
m b c m Ti
b b
Z Z
g u i g u
Z r Z r
=


c b
Ti b
m
i Z r
u u
g Z

=

2 2 2
2 2
2 2
( ) ( )
c b b
Ti b
m
i r r C r r
u u
g r


=

2 2
2
2 2
2 ( ) ( )
4
c b b
Ti b
m
qI f r r C r r
u kTr f
g r

^
= ^


2 2 2
2 2
2 ( ) ( )
4
Ti c b b
b
m
u qI r r C r r
kTr
f g r


=
^


der quivalente Eingangsrauschstrom ergibt sich aus der Berechnung der Dichte des
Eingangsrauschstromquadrats:


m b c m Ti
g Z i i g Z i + =


2
2 2
2
2
| |
b
m
c
Ti
i
g Z
i
i +

C j
r Z
1
|| =

2
2
2
2 2 2
| |
1
1
r r
Z
j C r
C r



= =




2 2 2 2
1 2 2
(1 )
2 '
a
Ti B
B C
m
i I C r
q I K I
f f
r g

l
=
l
^

l
l

q
K
K
2
'
1
1
=



1
|| Z r
j C

=
Schaltungstechnik Rechenbung
42 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
b) Rauschquellen des FET:


2
g
i bezeichnet das Schrotrauschen durch den Leckstrom des Gates

2
d
i beinhaltet das Thermische Rauschen des Kanals und 1/f Rauschen des
Transistors




f I q i
G g
= 2
2

f
f
I
K f g T k i
a
D
m d
+
|
.
|

\
|
=
3
2
4
2


die quivalente Eingangsrauschspannung ergibt sich aus folgender Berechnung der Dichte des
Rauschspannungsquadrates:



der quivalente Eingangsrauschstrom ergibt sich aus der Berechnung der Dichte des
Eingangsrauschstromquadrats:

f g
I
K
g
kT
f
u
g
i
u
u g i
m
a
m
Ti
m
d
Ti
Ti m d
D

+ =

=
=
2
2
2
2
2
1
3
2
4
|
|
.
|

\
|

+ + =

+ =
+ =
f g
I
K
g
kT C qI
f
i
g
C
i i i
i
C j
g
i
C j
g
i
m
a
D
m
gs G
Ti
m
gs
d g Ti
d
gs
m
g
gs
m
Ti
2
2 2
2
2
2 2
2 2 2
1
3
2
4 2


Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 43

17 Rauschen einer Transistorschaltung

Gegeben sei eine einfache Transistorschaltung.


u
in
R
S
T
R
L
u
O
+


Ic=100A, RS= 500, RL=5k, =100, C=10pF, rb=200, gm=3,87mS, r=20k

a) Zeichnen Sie ein Kleinsignal-ESB, das die auftretenden Rauschquellen beinhaltet.
b) Berechnen Sie die Dichte des Ausgangsrauschspannungsquadrat.
c) Berechnen Sie die Ausgangsrauschspannung fr eine Bandbreite von 1 MHz.
d) Berechnen Sie die quivalente Eingangsrauschspannung.


a)



b)


f
R
kT i
f kTR u
L
L
S S
=
=
1
4
4
2
2


uS0, ub=0, ib=0, ic=0, iL=0:

S
S b
L m o
L m o
u
R r Z
Z
R g u
u R g u
+ +
=
=
1
1 1

C j
r Z
1
|| =
Schaltungstechnik Rechenbung
44 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
2
2
2 2 2
1 S
S b
L m o
u
R r Z
Z
R g u
+ +
=
ub0, uS=0, ib=0, ic=0, iL=0:

2
2
2 2 2
2 b
S b
L m o
u
R r Z
Z
R g u
+ +
=

ib0, uS=0, ub=0, ic=0, iL=0:

( )
2 2
2
2 2 2
3 b b S
S b
L m o
i r R
R r Z
Z
R g u +
+ +
=

ic0, uS=0, ub=0, ib=0, iL=0:

2 2 2
4 L c o
R i u =

iL0, uS=0, ub=0, ib=0, ic=0:

2 2 2
5 L L o
R i u =


( ) ( ) ( )
2 2 2 2 2 2 2
2
2 2
5
1
2 2
c L L b b S b S
S b
L m
n
no o
i i R i r R u u
R r Z
Z
R g
u u
+ + + + +
+ +
=
=

=



( ) ( ) ( )
|
|
.
|

\
|
+ + + + +
+ +
=

C
L
L B b S b S
S b
L m
o
qI
R
kT R qI r R r R kT
R r Z
Z
R g
f
u
2
1
4 2 4
2 2
2
2 2
2


1/f-Rauschen wurde klein angenommen und vernachlssigt.


( ) ( ) ( )
|
|
.
|

\
|
+ + + + +
|
|
.
|

\
|
+
+ +
=

C
L
L B b S b S
S b
L m
o
qI
R
kT R qI r R r R kT
f
f
R r r
r
R g
f
u
2
1
4 2 4
1
1
) (
2 2
2
1
2
2
2 2
2



| |

C r R r
f
b S
) ( || 2
1
1
+
=

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 45
Hz
V
f
f
Hz
V
f
f
f
u
o
2
15
2
1
15
2
20
2
1
18
2
10 88 , 0

1
10 13 , 4
) 48 5000 ( 10 66 . 1 ) 4 . 9 700 (
1
1
10 82 , 5
|
|
|
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+

=
(
(
(
(
(

+ + +
|
|
.
|

\
|
+
=





fr kleine Frequenzen betrgt somit die Dichte der Ausgangsrauschspannung:

( )
Hz
V
Hz
V
f
u
o
2
15
2
15 15
2
10 01 , 5 10 88 , 0 10 13 , 4

= + =



fr groe Frequenzen betrgt die Dichte der Ausgangsrauschspannung:


Hz
V
f
u
o
2
15
2
10 88 , 0

=




100 1
.
10
3
1
.
10
4
1
.
10
5
1
.
10
6
1
.
10
7
1
.
10
8
1
.
10
9
1
.
10
16
1
.
10
15
1
.
10
14
V
2
Hz
u
o
2
f
Hz
f

MHz
F
f 3 , 23
10
200 500 10 2
) 200 500 ( 10 2
2
1
11
4
4 1
=

+ +
+

Schaltungstechnik Rechenbung
46 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
c)
Da der Verlauf der Dichte der Ausgangsrauschspannung in der geforderten Bandbreite
sehr flach ist und bis zur Frequenz f1=23,3 MHz nicht signifikant fllt, wird fr die
Berechnung der Ausgangsrauschspannung der Verlauf als konstant mit
Hz
V
f
u
o
2
15
2
10 01 , 5

=

angenommen.

2 9 6
2
15
1
0
2
2
10 01 , 5 10 10 01 , 5 V Hz
Hz
V
df
f
u
u
MHz
o
o

= =

=



rms V u u
o o
71
2
= =


d) Aus der Rauschspannung am Ausgang wird die Rauschspannung am Eingang
ermittelt.

Die Verstrkung fr kleine Frequenzen betrgt:

in m L o
b S
r
u g R u
r r R

=
+ +

o
v m L
in b S
u r
A g R
u r r R

= =
+ +


20
3, 87 5 18, 7
20 200 500
v
k
A mS k
k

= =
+ +


2 12
2
2 9
2
2
2
10 3 , 14
7 , 18
10 01 , 5
V
V
A
u
u
v
o
in

= =

rms V u
in
78 , 3 =

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 47
18 Rauschen bei OVs praktische Gren

Berechnen Sie mit Hilfe der Tabelle EN und IN fr eine Bandbreite von 10 Hz 20 kHz wenn
die angegebenen OVs verwendet werden.

LM 741 NE 5534
( ) Hz nV e
n
/ 40 4
( ) Hz pA i
n
/ 0,25 0,6
( ) Hz f
ce
200 90
( ) Hz f
ci
1500 200



Die Dichte des Rauschspannungsquadrat ist das Betragsquadrat:
|
|
.
|

\
|
+ =
f
f
e e
ce
n
1
2
2


Die Rauschspannungsquadrat erhlt man durch Integration:
( ) ( )
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+ = + =
|
|
.
|

\
|
+ = =

L
H
ce n
f
f
ce n
f
f
f
f
ce
n
f
f
f B e f f f e df
f
f
e df e N
H
L
H
L
H
L
ln ln 1
2 2 2
2


Die Rauschspannung (RMS) ist dann:
B
f
f
f e E
L
H
ce n n
+
|
|
.
|

\
|
= ln

Analog fr den Rauschstrom (RMS):
B
f
f
f i I
L
H
ci n n
+
|
|
.
|

\
|
= ln

Rauschen bei OVs praktische Gren
( )
ln
( ) ln
H
n n ce
L
H
n n ci
L
f
E B e f B
f
f
I B i f B
f
1


( )
1


( )


LM 741:
( )
20000
40 200 ln 19990 5, 86
10
0, 25 1500 ln 2000 19990 44, 29
n
n
nV
E Hz V
Hz
pA
I Hz pA
Hz

| |
= + =
|
\ .
= + =


Schaltungstechnik Rechenbung
48 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE

NE 5534:
( )
( )
4 90 ln 2000 19990 575
0, 6 200ln 2000 19990 88
n
n
nV
E Hz nV
Hz
pA
I Hz pA
Hz
= + =
= + =




Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 49
19 Elektrometerverstrker

Gegeben sei ein Elektrometerverstrker, der durch eine Quelle mit rauschendem
Innenwiderstand angesteuert wird. Das OV-Rauschen wird durch eine Rauschstromquelle
zwischen den Eingngen und eine Rauschspannungsquelle in Serie dazu beschrieben.
a) Geben Sie das Rausch-Ersatzschaltbild der Schaltung an.
b) Kombinieren Sie alle Rauschanteile zu einer Rauschersatzspannungsquelle am Eingang.

a)




b)




Schaltungstechnik Rechenbung
50 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
LEISTUNGEN DER UNKORRELIERTEN QUELLEN ADDIEREN!

( ) ( )
2
2 2 2 2 2
1|| 2 1 2
||
g
n R ni R R ni g
u u u u i R R R =

mit

( )
2
2
1|| 2 1 2
2 2
4
4 ||
, OPV-Rauschen/Datenblatt
Rg g
R R
ni ni
u kTBR
u kTB R R
u i
=
=








Vorsicht bei getrennten I-Rauschquellen an den Eingngen Anteile nicht korreliert...



( )
2
2 2
1 2
||
n g
i R R R
1



( )




20
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 51
20 Elektrometerverstrker 2

Im Beispiel 21 wurde das Rauschersatzschaltbild eines Elektrometerverstrkers ermittelt.
Gegeben sei nun eine Elektrometerverstrker Schaltung mit einem OV des Typs AD 711.
Die Schaltung wird durch eine Spannungsquelle mit dem Innenwiderstand Rg=1k
angesteuert.

a) Berechnen Sie zu den gegebenen Rauschdaten eine passende Eingangs-Rauschdichte-
Verteilungsfunktion ber der Frequenz (mit einer Knickfrequenz

n g
u f , ).
b) Berechnen Sie fr die Rauschdichte- Verteilungsfunktion aus Punkt a) die
Rauschspannung am Eingang des OVs fr den Frequenzbereich 0,1 Hz bis 10 Hz.
c) Berechnen Sie fr eine Verstrkung von vr=100 den Widerstand R2 fr R1=10k.
d) Berechnen Sie fr den Frequenzbereich 10 Hz bis 1 kHz die Eingangsrauschspannung
(allgemeine Gleichung, dann einsetzen).
e) Berechne fr den Frequenzbereich aus Punkt d) die Rauschzahl des Verstrkers.
f) Wie knnte man die Rauschzahl der Gesamtschaltung verbessern? Ist fr die gegebene
Quelle ein OV mit FET-Eingngen die optimale Lsung?


a)

0
10
20
30
40
50
60
70
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000 100000
un
8
P1
P2
P3
P4
fg


( )
( )
2 2
2 2
1 1 1
2 2
4 4 4
1
g
ni ni
n ni g
n ni g
f
u u
f
f u u f f
f u u f f


( )
=
=

10 10
10 025 , 2 10 10 256 , 0 10
4
15 15 4
1 4
2
1 1
2
4 4 2

f f
u f u f
u
n n
ni


Hz
nV
log
Hz log
Schaltungstechnik Rechenbung
52 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
Hz nV u
Hz V u
ni
ni
/ 94 , 15
/ 10 254 , 0
2 15 2
=
=



2
1
1
2
1 69, 7 70
n
g
n
u
f f Hz Hz
u

1


= = ~

( )





























f=10Hz
f=100Hz
f=1kHz
f=10kHz

























Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 53
b)
( )
Hz f
Hz f
f
f
f f f u df u U
u
o
u
o
g u o
f
f
ni n n
o
u
1 , 0
10
ln
2 2 2
=
=
(

+ = =




| |
! 3 , 0
10 0844 , 0 100 ln 70 9 , 9 10 254 , 0
2 12 15 2
rms V u
V U
n
n
=
= + =



c)
1 2 1 2
10 100 990 || 9, 9
r
R k v R k R R k = \ = = \ = \

d)
Rausch-ESB:
2
n
U auf Eingang bezogen

( )
1 2
2
2
17
2
||
1 2
4 1, 6 10
4 ||
Rg
g
R R
u
V
kTR
Hz
f
u
kT R R
f

= =
^
=
^


( ) ( )
( ) ( )
1 2
1 2
2
2 2 2 2 2
|| 1 2
0 0 4
2
2
2
2
||
2 2
1 2
2 13 2
||
1 , 10 , 990
ln ||
4, 9 10
n Rg ni R R ni g
u
R R
Rg
o ni
n n g g
u
n
u u u u i R R R
f kHz f Hz B f f Hz
u
u
f i
U B u B f B B R R R
f f f f
U V

=
= = = =
1


=


^ ^ ^
( )
=


e)
2
13
14
4, 9 10
31, 9
4
1, 58 10
10log 15
nges
dB
U
F
kTBRg
F F dB

= = =

= =


( )
g u
o
g
g
n
ni
g
g
R
R R
f
f
B
f
R
u
i
R
R R
R R R
kT
F
2 1
2
2
2
2 1
2 1
||
ln 1
||
|| 2
4
1
1 +
(
(

|
|
.
|

\
|
+ +
|
|
.
|

\
|
+ + + =




Schaltungstechnik Rechenbung
54 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
f) Optimierung von F in Abhngigkeit von Rg:

opt R
dR
dF
g
g
= 0
( )
=
+
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+ +
=

M
i
i R R
f
f
B
f
u R R kT
R
ni
ni
u
o
g
n
gopt
21 , 2
||

ln 1 ) || ( 4
2
2 2
2 1
2
2 1


fr Rg=1k besser BIP-OV verwenden!

2 11 2
2
2
11 2 17 2 14 2
,
3, 6 10
4 2, 53 10 1 : 1, 6 10 , 1, 584 10
1, 0279 0, 12
n
Rg
Gopt g Rg
opt opt dB
U V
u
V
kTBR V R k U V
f Hz
F F dB


=
= = \ = =
^
= =
1

( )


Das Rauschspannungsquadrat ist dabei aber 73 mal grer!

!!MINIMALES F HEISST NICHT MINIMALES RAUSCHEN!!

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 55
21 Rauschen einer Common Source Schaltung

Gegeben eine Common Source Schaltung.
Berechnen sie
das quivalente Eingangsrauschspannungsquadrat und
das quivalente Eingangsrauschstromquadrat.

Vernachlssigen Sie das Gatestromrauschen.



Da sich bei der Berechnung des Eingangsrauschstromes eine starke Frequenzabhngigkeit
ergibt, darf die Eingangskapazitt der Schaltung, dies ist in diesem Fall die GS-Kapazitt des
Transistors nicht vernachlssigt werden.

a)


Der Eingang wird kurzgeschlossen und die Ausgangsspannung fr beide Flle berechnet und
gleichgesetzt.


( )
,
,
,
.
1

n o
n ou
ut n R
t n in m
D d D
D
u u
u
R
i i R
g =
+

=


somit ergibt sich:

1
,
d nRD
n in
m
i i
u
g
+
=

und

2
3
2
, 2
1
4
m
D
n in
m
kTB g
R
u
g
| |
+
|
\ .
=







Schaltungstechnik Rechenbung
56 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
b)


Hier wird der Eingang offen gelassen und wiederum fr beide Schaltungen die
Ausgangsspannung berechnet und gleichgesetzt.

Die Ausgangsspannung aufgrund der einzelnen Rauschquellen ist die gleiche wie unter Punkt
a.
Die Ausgangsspannung aufgrund der quivalenten Eingangsrauschquelle ergibt sich zu:

( )
, ,
, , 1
1
n out n in m D
in
in
n in n RD d D
m D
u i g R
j C
j C
i i i R
g R

=
| |
= +
|
\ .


somit ergibt sich die quivalente Eingangsrauschstromdichte zu:

2
2
,
2
3
1
4
n in
in
m
D
m
i
C
kT g
R
f g
| |
| |
= +
| |
\ .
\ .


Und somit das quivalente Eingansrauschstromquadrat zu:
2
3
2
2
, 3
2
1
4
3
in
n in m
D
m
C B
i kT g
R
g
| |
| |
= +
| |
\ .
\ .
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 57

22 Rauschen einer Common Gate Schaltung

Gegeben ist eine Common Gate Schaltung.
Gesucht ist
a) quivalentes Eingangsrauschspannungsquadrat
b) quivalentes Eingangsrauschstromquadrat

Vernachlssigen Sie das Gaterauschen des Transistors



a) Zuerst mssen die vorhandenen Rauschquellen in die Schaltung eingefgt werden.

Thermisches Rauschen des Widerstandes:


2
4
nRD
D
kTB
i
R
=

Rauschen des Transistors:


2
1
2
4
3
d m
i kTB g =

Zur Berechnung der Eingangsrauschspannung wird der Eingang kurzgeschlossen.



Es wird jeweils die Ausgangsrauschspannung errechnet:

( )
,
,
,
.
1

n o
n ou
ut n R
t n in m
D d D
D
u u
u
R
i i R
g =
+

=


Gleichsetzen und umformen ergibt

1
,
d nRD
n in
m
i i
u
g
+
=
Somit ergibt sich fr das quivalente Eingangsrauschspannungsquadrat:

Schaltungstechnik Rechenbung
58 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
2
3
2
, 2
1
4
m
D
n in
m
kTB g
R
u
g
| |
+
|
\ .
=

b) Der quivalente Eingangsrauschstrom ergibt sich, wenn man den Eingang offen lsst
und wiederum die Ausgangsrauschspannungen berechnet und vergleicht.



Hier gilt es zu beachten, dass durch den Rauschstrom im Transistor ein gleich groer Strom
erzeugt werden muss, da die Summe der Strme an der Source des Transistors null ist, ergibt
sich, dass der Transistor kein Rauschen beitrgt.
Daraus ergibt sich, dass das Ausgangsrauschen


, ,
, ,

n out n RD D
n out n in D
u i R
u i R
=
=
und somit ergibt sich fr das quivalente Eingangsstromrauschstromquadrat:

2
,
1
4
n in
D
i kTB
R
=

Der groe Nachteil der CG Schaltung ist somit, dass der Rauschstrom, der durch die Last
erzeugt wird, direkt an den Eingang durchgereicht wird, da die Schaltung keine
Stromverstrkung hat (im Gegensatz zur CS Schaltung)
Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 59
23 Empfindlichkeit eines optischen Empfngers

Gegeben sei ein optischer Empfnger, bestehend aus einer Fotodiode und einem Common
Source Verstrker.

Gesucht ist das minimale detektierbare Signal, unter
der Voraussetzung, dass eine Bit-Error-Ratio (BER) von
10
-9
erreicht wird.

Rf=4,5k, CPD=2pF, CGS=500fF, gm=10mS
RA=1k, T=300K


a) Welche Bandbreite wird erreicht?
b) Welches minimale detektierbare Signal wird erreicht?
c) Welche Manahmen knnen getroffen werden, damit die Empfindlichkeit und die
Bandbreite erhht werden knnen?


a) Die Bandbreite wird durch den dominanten Pol am Eingang bestimmt.

2 500 2, 5
T PD GS
C C C
pF fF pF
= +
= + =


0
10 1 10
m A
A g R mS k = = =

3
1 1
14,15
2 2 4, 5 2, 5
dB
f T
f MHz
R C k pF

= = =




b) Die Empfindlichkeit der Schaltung ist einerseits vom Rauschen der Bauteile, sowie von
der Empfindlichkeit der Fotodiode abhngig. Weiters wird ber die BER der Signal-
Rausch-Abstand definiert. Fr BER=10
-9
ergibt sich ein Q von 6.

2
,
0 1
2
) (
in n
i
i i
Q
> < > <
=

Somit ergibt sich, dass die Differenz des Eingangsstromes 12x grer sein muss als der
gesamte eingangsbezogene Rauschstrom.


Schaltungstechnik Rechenbung
60 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE


2
2
3
, ,
2
1
4
m
n in CS A
m
kT g
u R
f g
| |
+
|
\ .
=


2
2
, ,
2
3
1
4
n in CS
T
m
A
m
i
C
kT g
R
f g
| |
| |
= +
| |
\ .
\ .
siehe Bsp. 21

2
,
2
n PD
D
i
q i
f
=



2
,
1
4
n RF
F
i
kT
f R
=



Sodass sich fr das gesamte Rauschstromdichte ergibt (1/f-Rauschen des Transistors
vernachlssigt):

2 2 2 2 2
2 2 2 2
, , , , , , ,
2
1 4
n in n RF n in CS n in CS n PD
T F
F
i i i u i
f C R
f f f R f f
+
= + + +




2
2 2 2 2 2 2 2
,
2 2 2
4 1 4 4 1 1
4 4 2
n in
T T F
F m F m D
f m A F m A
i
f C f C R kT
kT g kT g qi
f R g R R g R

| | | | | | | | +
= + + + + +
| | | |
| |

\ . \ . \ . \ .


2 2 2 2 2 2 2
2
, 2 2 2
4 1 4 4 1 1
4 4 2
T T F
n in F m F m D
f m A F m A B
f C f C R kTB
i kT g kT g df qi B
R g R R g R

| | | | | | | | | | +
= + + + + + | | | | |
| | |

\ . \ . \ . \ . \ .

2 2 3
2
, 2 2 2
.
32 4 4 2 1 2 1
2
3 3 3
T
n in m m D
f f m A m A
vernachl
kT C kTB kTB B
i g g qi B
R R g R g R
| | | |
= + + + + +
| |
\ . \ .




Unter Vernachlssigung des Rauschens der Diode ergibt sich:

in,in= 7,53nA rms


Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 61


somit ergibt sich fr den Signalhub eine Mindestgre von:

2
1 0 ,
2 90, 5
n in
i i Q i nA < > < >= =


ber die Responsivity der Fotodiode lsst sich dann auf eine optische Eingangsleistung
schlieen.


c)

17
19
2 2 3
2
, 2 2 2
.
5,52 10
0,7 10
32 4 4 2 1 2 1
2
3 3 3
T
n in m m D
f f m A m A
vernachl
kT C kTB kTB B
i g g qi B
R R g R g R


| | | |
= + + + + +
| |
\ . \ .
_



Die Empfindlichkeit kann durch Erhhen des Widerstandes Rf deutlich verbessert werden.
Um gleichzeitig eine hohe (hhere) Bandbreite zu erreichen wird ein
Transimpedanzverstrker verwendet.



Wobei hier der TIA die Bandbreite hochhlt, da der Feedbackwiderstand Rf am Eingang
wirkt, als ob er durch die Verstrkung verkleinert wre.


|
|
.
|

\
|
+
+

+
=
1
1
1
0
0
0
A
R
C j
R
A
A
i
v
f
T
f
in
out


Und somit:

T f
dB
C R
A
f
2
) 1 (
0
3
+
=



Fr die Rauschberechnung wirkt Rf wie gegen gnd und daher ist die Berechnung, aus b)
weiterhin gltig
Schaltungstechnik Rechenbung
62 bungsbeispiele TU-Wien/EMCE
24 Pre- und Deemphasis

Welche Verbesserung des Signal-Rausch-Leistungsverhltnisses wird beim UKW-Rundfunk
(angenommene NF-Bandbreite 16 kHz) durch die Vorverzerrung im Empfnger erreicht,
wenn dafr RC-Filter erster Ordnung mit einer Zeitkonstanten =75 s verwendet werden.
Welche quivalente Rauschbandbreite (weies Rauschen) ergibt sich fr den Tiefpass im
Empfnger.

(Die quivalente Rauschbandbreite eines Filters mit der bertragungsfunktion H () ist
identisch gleich der Bandbreite eines Vergleichsfilters, das eine rechteckfrmige
bertragungsfunktion der Hhe H (0) hat und dessen Ausgang dieselbe Rauschleistung liefert
wie das betrachtete Filter.)


S
1
bertragung +
S
2
N
2
N
0
H( )
v

Vor-
verzerrung
Verstrkung
Bandbreite B
Verstrkung
Bandbreite B
Entzerrung



S1.....unverzerrtes Sendesignal
S2.rckgewonnenes Empfangssignal
Es soll mglichst S1=S2 erreicht werden.

1
Entzerrung der
gsfunktion bertragun
ung Vorverzerr der
gsfunktion bertragun
2 2
=

Es gilt:


2
1 2
H S S =

In unserem Fall wird also das Signal unverzerrt bertragen.
Das Rauschsignal N0 durchluft das Entzerrungsfilter. Es wird weies Rausches mit
konstanter spektraler Rauschleistungsdichte G N konst S
xx 0
= = vorausgesetzt.
Das Vorverzerrungsfilter ist ein Hochpass 1. Ordnung, fr den Entzerrer-Tiefpass erhlt man:

( )
fg
f
x
x
H
fg
f
H
fg
f
j
jf H
e
e e
=
+
=
|
|
.
|

\
|
+
=
+
=
mit
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2

Schaltungstechnik Rechenbung
TU-Wien/EMCE bungsbeispiele 63


Die Rauschleistung am Ausgang N2 erhlt man aus:

+
= = =
B B B
xx yy df
x
G N df H S df S N
2
0
2
2
1
1

|
|
.
|

\
|
=
+
= =
fg B
g
g
g
f
B
f N G dx
x
f G N N
/
0
0
2
0 2
arctan
1
1
...

Ohne Entzerrung wre die Rauschleistung am Ausgang:

B N G N
0
'
2
=

Die Verbesserung des SNR ist dann:
( )
( )
( )
( )
) ( ) (
arctan
mit SNR
ohne SNR 1
2
2
ohne S mit S
fg
B
B
fg
ohne N
mit N
A
=

= = =

7,2dB 5,24 A ng Verbesseru
19 , 0
1
; 5 , 82 44 , 1 arctan ; 55 , 7
12 , 2
75 2
1
2
1
, 16
= =
= = =
|
|
.
|

\
|
=
=

= =
A
rad
f
B
f
B
kHz
s
f kHz B
g g
g




quivalente Rauschbandbreite:
Bandbreite eines fiktiven Filters mit rechteckfrmiger bertragungsfunktion, aus dem die
gleiche Rauschleistung herauskommt. (Eingangssignal = weies Rauschen).



kHz
fg
B
f f
f N G N
fg
B
f N G N
g

g
05 , 3 arctan
:
arctan
0 2
0 2
=
|
|
.
|

\
|
=
=
|
|
.
|

\
|
=
=> f

Schaltungstechnik Rechenbung