ELECTRNICA DE POTENCIA

Practica #1. Caracteristicas de Conmutacion del MOSFET

Material requerido: 2 resistencias de sendado de corriente 0.01, (o al menos menor de 1) 1 resistencia 25 @ al menos 10 W, 1 resistencia de 20 @ 1W 1 resistencia de 15 @ 1W 1 resistencia de 10 @ 1W 1 resistencia de 5 @ 1W 1 MOSFET IRF640 Hojas de acetatos recortadas al tamao de la pantalla del osciloscopio, Marcadores para acetatos. 1 osciloscopio de dos canales, 1 fuente de alimentacin 15V @ 1A, 1 generador de funciones.

Equipo requerido:

Objetivo de la prctica: Conocer y comprender el efecto de la resistencia de compuerta en el proceso de encendido y apagado de un MOSFET.
Nota: Antes de realizar cualquier conexin asegrese de leer las instrucciones proporcionadas en el texto de la prctica. El osciloscopio debe tener sus canales configurados para desplegar seales de cd.

Desarrollo 1. Simular el circuito de la figura 1 por un perodo de 2000 ns. Fije el paso de simulacin en 10 ps para poder medir los tiempos de retardo, y de subida y bajada del MOSFET. Configure la fuente de pulsos para proporcionar una seal de 0 a 12V con un ancho de pulso de 400 ns y perodo de 800 ns, con pendientes de subida y bajada de 1 ns.
dd

Rd 25

Rg gg 10 Vgg g

M1 IRF640 Vdd 15Vdc

ig

Rs1 0.01

Figura 1. Circuito de Prueba para las caractersticas de encendido y apagado del MOSFET

Electrnica de Potencia HMCC

a) Modifique la escala de tiempo para graficar solo lo que ocurre durante la transicin de encendido entre 1.6 s y 1.7 s. Genere cuatro reas (plots) de desplegado. Grafique en la primera V(gg), en la segunda V(g) y V(gg)/0.01 con ejes Y independientes, en la tercer rea V(d) y (V(dd)-V(d))/25 tambin con ejes independientes, por ltimo, grafique (V(dd)-V(d))*V(d)/25. b) Mida el tiempo que transcurre desde que V(gg) alcanza su valor mximo y el tiempo en que la corriente de drain del MOSFET empieza a crecer. Anote su medicin. c) Mida el tiempo que transcurre desde que V(gg) alcanza su valor mximo y el tiempo en que la corriente de drain del MOSFET alcanza su valor mximo. Anote su medicin. d) Repita los incisos a), b) y c) cambiando los valores de Rg a 5, 15 y 20 . 2. Arme el circuito de la figura 1, utilice el generador de funciones para implementar la fuente de pulsos, configure la salida del generador para dar una seal cuadrada con valores de 0 y 12 V y un perodo de 800 ns (1.25 MHz). Configure el osciloscopio para que su sincrona sea con el canal 1 con transicin de subida. a) Utilice la resistencia de 10 en la compuerta. Conecte las terminales negativas de los dos canales del osciloscopio al punto 0, conecte el canal 1 al punto gg y el canal 2 al punto g, mida sus valores pico y antelos. Grafique en un acetato las formas de ondas, y anote los ajustes del osciloscopio. b) Desconecte el canal 2 del punto g y conctelo al punto ig, mida sus valores pico y antelos. Grafique en un acetato las formas de ondas, y anote los ajustes del osciloscopio. c) Desconecte el canal 2 del punto ig y conctelo al punto d, mida sus valores pico y antelos. Grafique en un acetato las formas de ondas, y anote los ajustes del osciloscopio. Mida el retardo entre el inicio de la seal del canal 1 y el instante cuando la seal en el canal 2 empieza a disminuir, y el instante cuando alcanza su mnimo. Estos tiempos representan el retardo de encendido y el tiempo de encendido, comprelos con los valores de las hojas de datos del transistor. d) Repita los incisos a), b) y c) con resistencias de compuerta de 5, 15 y 20 . Haga una grfica de la variacin del tiempo de retardo contra resistencia de compuerta y otra grfica de tiempo de encendido contra resistencia de compuerta. Diga si estos valores estn dentro de los lmites definidos en las hojas de datos del transistor. 3. Con el circuito de la figura 1, y con el generador de funciones ajustado con los parmetros del punto 2, configure el osciloscopio para que su sincrona sea con el canal 1 con transicin de bajada. a) Utilice la resistencia de 10 en la compuerta. Conecte las terminales negativas de los dos canales del osciloscopio al punto 0, conecte el canal 1 al punto gg y el canal 2 al punto g, mida sus valores pico y antelos. Grafique en un acetato las formas de ondas, y anote los ajustes del osciloscopio. Electrnica de Potencia HMCC 2

b) Desconecte el canal 2 del punto g y conctelo al punto ig, mida sus valores pico y antelos. Grafique en un acetato las formas de ondas, y anote los ajustes del osciloscopio. c) Desconecte el canal 2 del punto ig y conctelo al punto d, mida sus valores pico y antelos. Grafique en un acetato las formas de ondas, y anote los ajustes del osciloscopio. Mida el retardo entre el final de la seal del canal 1 y el instante cuando la seal en el canal 2 empieza a aumentar, y el instante cuando alcanza su mximo. Estos tiempos representan el retardo de apagado y el tiempo de apagado, comprelos con los valores de las hojas de datos del transistor. d) Repita los incisos a), b) y c) con resistencias de compuerta de 5, 15 y 20 . Haga una grfica de la variacin del tiempo de retardo contra resistencia de compuerta y otra grfica de tiempo de apagado contra resistencia de compuerta. Diga si estos valores estn dentro de los lmites definidos en las hojas de datos del transistor. 4. Escriba sus conclusiones.

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