Deposicin qumica de vapor

Deposicin qumica de vapor

La Deposicin Qumica de Vapor o CVD (de sus siglas en ingls Chemical Vapor Deposition) es un proceso qumico utilizado para producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de materiales slidos. El proceso se utiliza a menudo en la industria de semiconductores para producir pelculas delgadas. En un proceso CVD estandar el sustrato (oblea) se expone a uno o ms precursores voltiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para producir el depsito deseado. Con frecuencia, tambin se producen subproductos voltiles, que son eliminados por medio de un flujo de gas que pasa a travs de la cmara de reaccin. Los procesos de microfabricacin CVD se emplean ampliamente para depositar materiales en diversas formas, incluyendo: monocristalino, policristalino, amorfo, y epitaxial. Estos materiales incluyen: silicio, fibra de carbono, nanofibras de carbono, filamentos, nanotubos de carbono, SiO2, silicio-germanio, tungsteno, carburo de silicio, nitruro de silicio, oxinitruro de silicio, nitruro de titanio, y diversos dielctricos de alta k. El proceso de CVD se utiliza tambin para producir diamantes sintticos.

El plasma de DC (violeta) aumenta el crecimiento de los nanotubos de carbono en un aparato a escala de laboratorio PECVD

Procesos
Existen numerosos procesos, dependiendo del campo de aplicacin. Estos procesos se diferencian en el medio por que se inician las reacciones qumicas (por ejemplo, proceso de activacin) y las condiciones del proceso. Clasificada por la presin de funcionamiento: A presin atmosfrica ECV (APCVD) - procesos de CVD a presin atmosfrica.
Reactor trmico de CVD denominado de "paredes calientes" (Por sus caractersticas operativas)

CVD de baja presin (LPCVD) -. procesos CVD a presiones subatmosfricas presiones reducidas tienden a reducir reacciones no deseados en fase gaseosa y mejorar la uniformidad de la pelcula sobre la oblea. Los procesos CVD ms modernos son bien LPCVD o UHVCVD. Ultra vaco, CVD (UHVCVD) - los procesos CVD a una presin muy baja, por lo general por debajo de 10-6 Pa (~ 10-8 torr ). Tenga en cuenta que en otros campos, la divisin inferior entre el alto y ultra alto vaco, es a menudo 10-7 Pa. Clasificada por las caractersticas fsicas de vapor: Aerosol CVD asistida (AACVD) - Un procedimiento de CVD en la que los precursores son transportados al sustrato por medio de un aerosol lquido/gas, que puede ser generado por ultrasonidos. Esta tcnica es adecuada para su uso con precursores no voltiles. Inyeccin directa de lquido CVD (DLICVD) - Un procedimiento de CVD en la que los precursores se encuentran en forma lquida (lquido o slido disuelto en un disolvente conveniente). Las soluciones lquidas se inyectan en la cmara de vaporizacin mediante inyectores (por lo general inyectores de automviles). A continuacin, los vapores precursores son transportados al sustrato como en clsico procedimiento de CVD. Esta tcnica es adecuada para su uso en precursores lquidos o slidos. Altas tasas de crecimiento se puede

Deposicin qumica de vapor alcanzar con esta tcnica. Mtodos con Plasma (vase tambin el procesamiento de plasma ): Microondas asistida por plasma CVD (MPCVD) Mejorada por plasma CVD (PECVD) - procesos que utilizan CVD de plasma. para mejorar la tasa de reaccin qumica de los precursores procesamiento PECVD permite la deposicin a CVD asistido con Plasma temperaturas ms bajas, lo cual es a menudo crtico en la fabricacin de semiconductores. Remoto mejorada por plasma CVD (RPECVD) - Similar a PECVD excepto que el sustrato (oblea) no est directamente en la regin de descarga de plasma. La separacin de la oblea de la regin del plasma permite procesar menores temperaturas hasta la temperatura ambiente. ECV de capa Atmica ( ALCVD ) - Depsitos de las capas sucesivas de diferentes sustancias para producir capas, cristalinas pelculas. Ver epitaxia de capas atmicas. Deposicin de combustin de vapor qumico (CCVD) - propietaria nGimat de combustin qumica proceso de deposicin de vapor es un ambiente abierto, basado en la tcnica de llama para el depsito de alta calidad las pelculas delgadas y los nanomateriales. ECV de alambre caliente (HWCVD) - tambin conocida como catalizador enfermedades cardiovasculares (ECV-Cat) o caliente filamento de las enfermedades cardiovasculares (HFCVD). Utiliza un filamento caliente para descomponer qumicamente los gases primarios. Deposicin de vapor mediante procesos qumicos organometlicos (MOCVD) - procesos CVD basado en precursores organometlicos. Hbrido fsico-deposicin de vapor qumico (HPCVD) - procesos de deposicin de vapor que involucran tanto la descomposicin qumica del gas precursor como la vaporizacin de una fuente slida. Rpido CVD trmico (RTCVD) - procesos de CVD que utilizan lmparas de calefaccin u otros mtodos para calentar rpidamente el sustrato de la oblea. Calentar slo el sustrato en lugar de las paredes de gas o cmara ayuda a reducir las reacciones en fase de gas no deseadas que pueden conducir a la formacin de partculas. Vapor de epitaxia en fase (VPE) Deposicin de vapor asistida por eyeccin electroesttica (ESAVD)

Usos
Circuitos integrados
Varios procesos CVD se utilizan en los circuitos integrados (ICs). Materiales especficos se depositan mejor en condiciones especficas. Polisilicio El silicio policristalino se deposita a partir de silano (SiH4), segn la siguiente reaccin: SiH4 Si + 2 H2 Esta reaccin se realiza generalmente en sistemas de LPCVD, ya sea con materia prima pura silano, o una solucin de silano con 70-80% de nitrgeno. Las temperaturas entre 600 y 650 C y presiones entre 25 y 150 Pa producir una tasa de crecimiento entre 10 y 20 nm por minuto. Un proceso alternativo utiliza un basado en soluciones de hidrgeno. El hidrgeno reduce la tasa de crecimiento, pero la temperatura se eleva a 850 o incluso 1050 C para compensar. El polisilicio puede crecer directamente con dopaje, si se aaden gases tales como fosfina, arsina o diborano a la cmara de CVD. El diborano aumenta la tasa de crecimiento, pero la arsina y la fosfina lo reducen.

Deposicin qumica de vapor Dixido de silicio El dixido de silicio (normalmente llamado simplemente "xido" en la industria de semiconductores) se pueden depositar por varios procesos diferentes. Los gases de origen ms comunes incluyen silano y oxgeno, diclorosilano (SiCl2 H2 ) y xido nitroso (N2O), o tetraetilortosilicato (TEOS; Si (OC2H5)4 ). Las reacciones son las siguientes: SiH4 + O2 SiO2 + 2 H2 SiCl2H2 + 2 N2O SiO2 + 2 N2 + 2 HCl Si (OC2H5 )4 SiO2 + subproductos La eleccin de la fuente de gas depende la estabilidad trmica del substrato, por ejemplo, de aluminio es sensible a la temperatura elevada. Depsitos silano entre 300 y 500 C, diclorosilano alrededor de los 900 C, y TEOS entre 650 y 750 C, resultando una capa de xido de baja temperatura (LTO). Sin embargo, silano produce un xido de menor calidad que los otros mtodos (inferior resistencia dielctrica, por ejemplo), y se deposita no conformemente. Cualquiera de estas reacciones pueden ser utilizados en LPCVD, pero la reaccin de silano se realiza tambin en APCVD. ECV xido invariablemente tiene menor calidad que el xido trmico, pero la oxidacin trmica slo se puede utilizar en las primeras etapas de fabricacin de CI. xido tambin pueden cultivarse con impurezas (aleacin o "dopaje"). Esto puede tener dos propsitos. Durante las etapas del proceso, adems, que se producen a alta temperatura, las impurezas pueden difundirse desde el xido de las capas adyacentes (especialmente silicio) y la doparlas. Los xidos que contienen impurezas 5-15% en masa a menudo se utilizan con este propsito. Adems, el dixido de silicio aleado con pentxido de fsforo ("P-vidrio") se puede utilizar para suavizar superficies irregulares. P-vidrio se ablanda y fluye a temperaturas superiores a 1000 C. Este proceso requiere una concentracin de fsforo de al menos 6%, pero concentraciones por encima de 8% puede corroer el aluminio. El fsforo se deposita a partir de gas de fosfina y oxgeno: 4 PH3 + 5 O2 2 P2 O5 + 6 H2 Los vidrios que contienen tanto boro como fsforo (vidrio de borofosfosilicato, BPSG) se someten a flujo viscoso a temperaturas ms bajas; alrededor de 850 C es alcanzable con los vidrios que contienen alrededor de 5% en peso de ambos componentes, pero la estabilidad en el aire puede ser difcil de lograr.El xido de fsforo en altas concentraciones interacta con la humedad ambiental para producir cido fosfrico. Los cristales de BPO4 tambin puede precipitar a partir del vidrio que fluye en el enfriamiento; estos cristales no son fcilmente grabado en los plasmas estndar reactivos utilizados para los xidos de patrn, y dar lugar a defectos en la fabricacin de circuitos de circuito integrado. Adems de estas impurezas intencionales, xido de CVD puede contener subproductos del proceso de deposicin. TEOS produce un xido relativamente puro, mientras que el silano introduce impurezas de hidrgeno, y el diclorosilano introduce cloro. Tambin se ha explorado la deposicin a baja temperatura (350 a 500 C) de dixido de silicio y vidrios a partir de TEOS dopado con ozono en lugar de oxgeno. Los vidrios de ozono tienen una conformalidad excelente, pero tienden a ser higroscpicos - es decir, absorben agua del aire debido a la incorporacin de silanol (Si-OH) en el cristal. La espectroscopia infrarroja y la tensin mecnica en funcin de la temperatura son valiosas herramientas para diagnosticar tales problemas.

Deposicin qumica de vapor Nitruro de silicio El nitruro de silicio se utiliza a menudo como una barrera aislante y qumicas en la fabricacin de circuitos integrados. Las dos siguientes reacciones de fase gaseosa depositan nitruro: 3 SiH4 + 4 NH3 Si3 N 4 + 12 H 2 3 SiCl2 H2 + 4 NH3 Si3 N 4 + 6 HCl + 6 H 2 El nitruro de silicio depositado por LPCVD contiene hasta 8% de hidrgeno. Tambin experimenta un fuerte estrs de traccin, que puede agrietarse pelculas ms gruesas de 200 nm. Sin embargo, tiene mayor resistividad y resistencia dielctrica que la mayora de los aisladores comnmente disponibles en microfabricacin (10 16 $ cm y 10 M V / cm, respectivamente). Otras dos reacciones pueden utilizazse en el plasma para depositar SENOH: 2 SiH4 + N2 2 SiNH + 3 H2 Estas pelculas tienen mucho menos estrs a la traccin, pero peores propiedades elctricas (resistividad 106 1015 w cm, y la fuerza dielctrica 1 a 5 MV / cm). Metales Algunos metales (significativamente el aluminio y el cobre ) rara vez, o nunca, se depositan mediante CVD. En 2010 no exista, un proceso CVD comercialmente viables para el cobre, a pesar de que se haban probado formiato de cobre, cobre (HFAC) 2, Cu (II) acetoacetato de etilo, y otros precursores. La deposicin de cobre metlico se realiza principalmente por galvanoplastia, con el fin de reducir coste. El aluminio puede ser depositado a partir de triisobutil aluminio (TIBAL), tri etilo / aluminio de metilo (TEA, TMA), o hidruro de dimetilaluminio (DMAH), pero generalmente se prefieren los mtodos de deposicin fsica de vapor. Sin embargo, los procesos de CVD se utilizan ampliamente con el molibdeno, tantalio, titanio, nquel, wolframio. Estos metales pueden formar tiles siliciuros cuando se depositan sobre el silicio. Mo, Ta y Ti se depositan por LPCVD, desde sus pentacloratos. Nquel, molibdeno y wolframio se pueden depositar a bajas temperaturas de sus precursores de carbonilo. En general, para un metal arbitrario M, la reaccin es como sigue: 2 MCI5 + 5 H2 2 + 10 M HCl La fuente habitual de wolframio es el hexafluoruro de wolframio, que puede ser depositado de dos formas: WF6 W + 3 H2 WF6 + 3 H2 W + 6 HF SiH4 + NH3 SiNH + 3 H2

Deposicin qumica de vapor

Diamantes
Se puede emplear CVD para producir diamantes sintticos mediante la creacin de las circunstancias necesarias para que los tomos de carbono de un gas se asiente sobre un sustrato en forma cristalina. El CVD de diamantes recibe una gran atencin en las ciencias de materiales, puesto que permite muchas aplicaciones nuevas del diamante que se haban considerado demasiado difciles de hacer econmicamente. El crecimiento ECV del diamante se produce normalmente en condiciones de baja presin (1-27 kPa; 0.145-3.926 psi; 7.5-203 Torr ) e implica la alimentacin de cantidades variables de gases en una cmara, energizando ellos y proporcionar condiciones Gema cortada de un diamante incoloro realizado para el crecimiento de diamantes sobre el sustrato. Los gases siempre mediante deposicin qumica de vapor incluyen una fuente de carbono, e incluyen tambin normalmente hidrgeno, aunque las cantidades utilizadas varan mucho dependiendo del tipo de diamante que se cultivan. Las fuentes de energa incluyen filamento caliente, microondas, y descargas de arco, entre otras. La fuente de energa est destinado a generar un plasma en el que los gases se descomponen y producen qumicas ms complejas. El proceso qumico real del crecimiento del diamante est todava bajo estudio y se complica por la muy amplia variedad de procesos de crecimientos de diamante utilizado. Las ventajas de crecimiento del diamante mediante CVD incluyen la capacidad de hacer crecer diamantes en grandes reas, la capacidad de crecer sobre un substrato, y el control sobre las propiedades del diamante producido. En el pasado, cuando se utilizaron tcnicas de alta presin y alta temperatura (HPHT) para producir diamantes, los diamantes eran tpicamente diamantes libres muy pequeas permanentes de diferentes tamaos. Se han logrado reas de crecimiento de diamante CVD de ms de quince centmetros de dimetro y es probable zonas mucho ms grandes en el futuro. La mejora de esta capacidad es clave para permitir varias aplicaciones importantes. La capacidad de hacer crecer diamantes directamente sobre un sustrato es importante porque permite la adicin de muchas de las cualidades del diamante a otros materiales. Dado que el diamante tiene la conductividad trmica ms alta de cualquier material a granel, capas de diamante en la electrnica de calor de alta produccin (tal como la ptica y transistores) permite que el diamante para ser utilizado como un disipador de calor. Se forman pelculas de diamante en la vlvula de anillos, herramientas de corte y otros objetos que se benefician de la dureza del diamante y su muy baja tasa de desgaste. En cada caso el crecimiento del diamante debe hacerse cuidadosamente para lograr la adhesin necesaria sobre el sustrato. La muy elevada resistencia del diamante al rayado, su conductividad trmica, combinada con un menor coeficiente de expansin trmica que el vidrio Pyrex, un coeficiente de friccin prximo al de tefln ( politetrafluoroetileno) y una fuerte lipofilia hara un revestimiento antiadherente casi ideal para utensilios de cocina si se pueden recubrir econmicamente grande reas de sustrato. El atributo ms importante del crecimiento ECV del diamante es la capacidad de controlar las propiedades del diamante producido. En el rea de crecimiento de diamante de la palabra "diamante" se utiliza como una descripcin de cualquier material compuesto principalmente de carbono enlazado SP3, y hay muchos tipos diferentes de diamante incluidos en esta. Mediante la regulacin de la transformacin parmetros, especialmente los gases introducidos, pero incluyendo tambin la presin se hace funcionar el sistema bajo, la temperatura del diamante, y el mtodo de generacin de plasma puede realizarse muchos materiales diferentes que pueden ser considerados diamante. Diamante de cristal nico puede hacer que contiene diversos dopantes. Pueden formarse diamantes policristalinos que consiste en tamaos de grano de varios nanmetros a varios micrmetros. Algunos granos de diamante policristalino estn rodeados de fina y no de diamantes de carbono, mientras que otros no lo son. Estos factores afectan a la dureza del diamante, suavidad, conductividad, propiedades pticas y mucho ms.

Deposicin qumica de vapor

Enlaces externos
Tcnicas de deposicin qumica en fase de vapor (CVD) [1]. Cristina Gmez-Aleixandre. Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid. CSIC. Fundamentals of Chemical Vapor Deposition [2], por TimeDomain CVD, Inc. (en ingls) Traditional Coating Technologies [3] (en ingls) Chemical vapor deposition with atmospheric plasma [4] (en ingls) Daniel M. Dobkin: Fundamentals of Chemical Vapor Deposition [5]. (en ingls) Markus Winterer: Chemical Vapor Deposition and Chemical Vapor Synthesis [6]. Universitt Duisburg Essen (en ingls, PDF; 6 MB)

Notas
[1] [2] [3] [4] [5] [6] http:/ / www. icmm. csic. es/ fis/ espa/ cvd. html http:/ / www. timedomaincvd. com/ CVD_Fundamentals/ Fundamentals_of_CVD. html http:/ / www. ngimat. com/ technology/ ccvd. html http:/ / www. acxys. com/ processes/ coating http:/ / www. enigmatic-consulting. com/ semiconductor_processing/ CVD_Fundamentals/ Fundamentals_of_CVD. html http:/ / www. vug. uni-duisburg. de/ ~winterer/ education/ ws0405/ cvd/ cvdlecture. pdf

Bibliografa
Jaeger, Richard C. (2002). Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication (2nd edicin). Upper Saddle River: Prentice Hall. ISBN 0-201-44494-1. Smith, Donald (1995). Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill. ISBN 0-07-058502-4. Dobkin and Zuraw (2003). Principles of Chemical Vapor Deposition. Kluwer. ISBN 1-4020-1248-9. C. F. Powell, J. H. Oxley, J. M. Blocher Jr., J. Klerer: Vapor Deposition. In: Journal of The Electrochemical Society. 113, Nr. 10, 1966, S. 266C269C, doi:10.1149/1.2423765. K. L. Choy: Chemical vapour deposition of coatings. In: Progress in Materials Science. 48, Nr. 2, 2003, S. 57170, doi:10.1016/S0079-6425(01)00009-3. Hugh O. Pierson: Handbook of chemical vapor depostion (CVD): principles, technology, and applications. William Andrew, 1999, ISBN 978-0-8155-1432-9. M. Allendorf: From bunsen to VLSI: 150 years of growth in chemical vapor deposition technology. In: The Electrochemical Society interface. 7, Nr. 1, 1998, S. 3639 (PDF-Datei; 131 kB) K. Okada "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond" Sci. Technol. Adv. Mater. 8 (2007) 624 (http://dx.doi.org/10.1016/j.stam.2007.08.008) free-download review T. Liu, D. Raabe and S. Zaefferer "A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film" Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013 (http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/3/035013) free-download Christoph Wild "CVD Diamond Properties and useful Formula" CVD Diamond Booklet (2008) PDF (http:// www.diamond-materials.com/downloads/cvd_diamond_booklet.pdf) free-download

Fuentes y contribuyentes del artculo

Fuentes y contribuyentes del artculo

Deposicin qumica de vapor Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=72394287 Contribuyentes: .Jos, Airunp, Armando-Martin, Digigalos, Elzorro, Er Komandante, Gdqhadqsn, Info.abstracta, Komputisto, Matdrodes, Omegakent, Pozitron, Rosarinagazo, Taichi, Technopat, 16 ediciones annimas

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes

Archivo:PICT0111.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:PICT0111.JPG Licencia: Public domain Contribuyentes: Daniel 1992, Daniele Pugliesi, Glenn, Polyparadigm, Saperaud, 1 ediciones annimas Archivo:ThermalCVD.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:ThermalCVD.PNG Licencia: Public Domain Contribuyentes: S-kei Archivo:PlasmaCVD.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:PlasmaCVD.PNG Licencia: Public Domain Contribuyentes: S-kei Archivo:Apollo synthetic diamond.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Apollo_synthetic_diamond.jpg Licencia: Creative Commons Attribution 2.0 Contribuyentes: Steve Jurvetson

Licencia
Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 //creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/