UNIVERSIDAD AUTONOMA DE SINALOA FACULTAD DE INGENIERIA INGENIERIA EN PROCESOS INDUSTRIALES

Laboratorio de Electrnica I.

Baltazar Barajas Uziel Ibrahim

Prctica I - Diodos.

Mario Jaime Garca Irigoyen

Culiacn Sinaloa, Marzo 2014

Objetivo Analizar los diferentes circuitos expuestos en clase y de la prctica, para saber lo que pasa en cada uno de ellos al estar presenta la polarizacin directa e inversa segn sea el caso de estos. Lista de material y equipo 1 Fuente de voltaje Diodos 1N4148, 1N4001 Resistencias Transformador de voltaje con ncleo de hierro

Antecedentes Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.

Polarizacin directa de un diodo En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Curva caracterstica del diodo.

Tensin umbral, de codo o de partida (V). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la temperatura.

Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Desarrollo experimental 1.-Deducir con el multmetro digital, el nodo y el ctodo del diodo 1N4007. Comentar el procedimiento Si al conectar cada punta del multmetro al diodo y este nos arrojaba un valor se deduca que estaba conectado positivo con positivo y negativo con negativo, quiere decir positivo con nodo y negativo con ctodo. 2.-para el diodo 1N4007 anotar el valor de los siguientes parmetros proporcionados en las hojas caractersticas del fabricante Ifmax: 1A VRmax: 50V 3.-Se estropeara el diodo de la fig 1 si le cambiamos la polaridad de la fuente de tensin? Quedara polarizado inversamente el diodo pero se necesita un voltaje mayor a 50 V para que este se estropee.

4.- En el circuito de la Fig. 1, dar a la resistencia R un valor adecuado (resistencia y potencia), para que la corriente mxima que recorra el circuito sea aproximadamente la mitad de la corriente mxima que puede soportar el 1N4007 sin que ste se estropee. V = 20v 0.7v V= 19.3v I = 0.5 A R=19.3V/0.5A = 38.6 5.- A partir de la curva caracterstica I-V proporcionada para el 1N4007, deducir que le ocurre a la corriente directa If cuando vara la temperatura A mayor temperatura la barrera de potencial disminuye lo cual ocasiona que el flujo se d ms rpido.

6.- Variando el valor del voltaje de la fuente V del circuito de la Fig. 1, rellenar la tabla de la Fig. 2. Tngase en cuenta lo observado en el apartado anterior (al pasar una corriente elevada por el 1N4007 ste se calienta). Vf(v) If(mA) 0.4 0.04 0.5 0.14 0.6 0.16 0.7 0.25 0.75 0.3 0.8 0.33 0.85 0.4 0.9 0.44

7.- Con los datos de la tabla anterior, representar de forma aproximada, la caracterstica I-V del 1N4007
0.5 0.45 0.4 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 If

If

Vf

8.- Dado el circuito de la fig 3. Trazar la recta de carga sobre la caracterstica I-V proporcionada por el fabricante a 25 grados y determinar el punto de trabajo.

10.- Dados los circuitos recortadores Circuito 1

A) Trazar manualmente la curva caracterstica de transferencia del circuito suponiendo que el diodo es ideal

B) Trazar manualmente la forma de onda de la salida del circuito suponiendo que el diodo es ideal

C) Trazar, con ayuda del osciloscopio en modo XY, la curva caracterstica de transferencia del circuito

D) Trazar con ayuda del osciloscopio, la forma de onda en la salida del circuito

Circuito 2

A) Trazar manualmente la curva caracterstica de transferencia del circuito suponiendo que el diodo es ideal

B) Trazar manualmente la forma de onda de la salida del circuito suponiendo que el diodo es ideal

C) Trazar, con ayuda del osciloscopio en modo XY, la curva caracterstica de transferencia del circuito

D) Trazar con ayuda del osciloscopio, la forma de onda en la salida del circuito

Conclusiones individuales Se aprendi y comprendi el estado del diodo ya sea directa o inversamente polarizado. Los diodos son muy importantes en cuando a electrnica se trata, ya que estos dispositivos semiconductores ayudan a rectificar una tensin alterna a directa. Gracias a la comprensin de este tema daremos paso a otras prcticas utilizando estos componentes facilitndonos el trabajo prctico. Bibliografa Malvino